Nombre del alumno: Iván Rodrigo Baeza Arias

Semestre: 4to

Numero de control: 21300594

Materia: Principios Eléctricos y Aplicaciones Digitales

Horario: 10:00 am – 11:00 am

Nombre del profesor: IIE Manuel Antonio Rodríguez Magaña

Nombre de la escuela: Tecnológico Nacional de México Campus

Villahermosa

Contenido
Introducción......................................................................................................................................3
Transistor UJT....................................................................................................................................3
¿Qué es el Transistor de Unión Única o UJT?............................................................................3
Materiales y Fabricación del Transistor de Unión Única (UJT).................................................4
Funcionamiento y Características del UJT.................................................................................4
Aplicación del Transistor de Unión Única.................................................................................6
Ventajas de este Transistor (UJT)..............................................................................................6
Transistor FET....................................................................................................................................7
¿Qué es el Transistor de Efecto de Campo o FET?....................................................................7
.......................................................................................................................................................7
Historia del Transistor de Efecto de Campo (FET).....................................................................8
Características............................................................................................................................8
Aplicaciones...............................................................................................................................9
Simbología de Circuitos de los FET..........................................................................................10
Tipos de Transistores de Efecto de Campo..................................................................11
Transistor MOSFET....................................................................................................................11
¿Qué es un MOSFET?........................................................................................................11
Diferencia entre el FET y el MOSFET.......................................................................................12
Símbolos del MOSFET..............................................................................................................12
Cómo funciona un MOSFET.............................................................................................13
Tipos de Transistor MOSFET...........................................................................................13
Estructura Básica de un MOSFET.............................................................................................14
Características del transistor MOSFET....................................................................................15
Aplicaciones del transistor MOSFET........................................................................................15
Transistor SCR..................................................................................................................................16
¿Qué es el rectificador controlado de silicio o SCR?...............................................................16
Símbolo SCR.............................................................................................................................17
Estructura del SCR (Rectificador controlado por silicio).........................................................17
Ventajas.................................................................................................................................18
Aplicaciones del SCR.........................................................................................................18
Características del transistor SCR............................................................................................19
Conclusión.......................................................................................................................................20
Referencias......................................................................................................................................20
Introducción
Los transistores son dispositivos semiconductores que se utilizan para controlar y
amplificar señales eléctricas. Hay varios tipos de transistores disponibles en el
mercado, cada uno con características y aplicaciones únicas. En esta
investigación, se examinarán cuatro tipos de transistores: UJT, FET, MOSFET y
SCR.
Un transistor UJT (Unijunction Transistor) es un tipo de transistor de tres
terminales que tiene una estructura de diodo PN que conecta la base y el emisor.
El FET (Field Effect Transistor) es un tipo de transistor de tres terminales que
utiliza un campo eléctrico para controlar la corriente. El MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor) es un tipo de FET que utiliza un dieléctrico
de óxido de metal para aislar la puerta del canal. El SCR (Silicon Controlled
Rectifier), también conocido como tiristor, es un tipo de dispositivo de control de
potencia que se utiliza para controlar la corriente en circuitos de alta potencia.
En esta investigación, se explorarán las características, las aplicaciones y los
beneficios de cada uno de estos cuatro tipos de transistores.

Transistor UJT
¿Qué es el Transistor de Unión Única o UJT?
El transistor de unión única o sus siglas UJT del inglés
significa (Uni Junction Transistor). Es un componente electrónico de conmutación
a base de semiconductores en sus 3 terminales. El transistor Unijunction es un
dispositivo muy simple que consiste en una lámina de silicio del tipo n; con un
contacto en cada extremo (base 1 y base 2) y con un contacto rectificador para el
terminal del emisor; formando la única unión dentro del dispositivo de ahí el
nombre de única unión.

El transistor de unión única también se le conoce como un diodo de doble base.

Pero con características de conmutación únicas de UJT, que lo hacen muy
diferente de los BJT y FET convencionales; el cual actúa como transistor de
conmutación en lugar de amplificar las señales debido a la forma en que está
construido. Presenta una resistencia negativa en sus características que lo emplea
como osciladores de relajación en una variedad de aplicaciones. La principal
desventaja del transistor de unión única es su incapacidad para proporcionar una
amplificación adecuada.
Materiales y Fabricación del Transistor de Unión Única (UJT)

En el transistor de unión única; la unión PN está formada por una barra de silicio
tipo N ligeramente dopada con material tipo P fuertemente dopado en un lado. El
contacto óhmico en cualquiera de los extremos de la barra de silicio; se denomina
Base 1 (B 1 ) y Base 2 (B 2 ) y el terminal tipo P se denomina emisor.

La unión del emisor se coloca de manera que esté más cerca de la terminal Base
2 que de la Base 1. Los símbolos de UJT y JFET se parecen a los mismos;
excepto que la punta de flecha del emisor representa la dirección en la que fluye la
corriente convencional, pero funcionan de manera diferente.

Funcionamiento y Características del UJT

El circuito equivalente simplificado muestra que el canal de tipo N consta de dos
resistencias RB2 y RB1 en serie con un diodo equivalente; D que representa la
unión PN. La unión PN del emisor se fija a lo largo del canal óhmico durante su
proceso de fabricación.
Para el potencial del emisor indicado en el lado izquierdo del punto máximo; el
valor de IE nunca excede el IEO (el valor está en microamperios). El IEO actual
sigue más o menos el ICO de corriente de fuga inversa del transistor bipolar
convencional. Esta región, se denomina región de corte; como se ve en la imagen
siguiente. Tan pronto como se logra la conducción a VE = VP, el potencial de
emisor VE disminuye a medida que aumenta el potencial de IE; lo cual está
precisamente de acuerdo con la resistencia decreciente RB1 para aumentar la
corriente IE.

Tan pronto como se alimenta el circuito, el voltaje VE que es igual a VC

comenzará a cargar el capacitor hacia el voltaje VV; a través de una constante de
tiempo τ = R1C. La ecuación para determinar el período de carga de C en una red
UJT es:

vc = Vv + (V – Vv) (1 – e -t / R1C)

A través de nuestros cálculos anteriores, ya conocemos la volatilidad en R2

durante el período de carga anterior del capacitor. Ahora, cuando vc = vE = Vp, el
dispositivo UJT entrará en estado de encendido; lo que hará que el condensador
se descargue a través de RB1 y R2, con una tasa que depende de la constante de
tiempo:

τ = (RB1 + R2) C

La próxima ecuación se utilizar para calcular el tiempo de descarga:

vc = vE
vc ≅ Vpe -t / (RB1 + R2) C

Esta ecuación se ha vuelto un poco compleja debido a RB1; que sufre una
disminución de valor a medida que aumenta la corriente del emisor, junto con
otros aspectos en el circuito como R1 y V; que también afectan la tasa de
descarga de C en general.

A pesar de esto, si nos referimos al circuito equivalente como se muestra en la

siguiente imagen; típicamente los valores de R1 y RB2 pueden ser tales que una
red Thévenin; para la configuración alrededor del capacitor C podría verse
marginalmente afectada por el R1, Resistencias RB2. Aunque el voltaje V parece
ser bastante grande; el divisor resistivo que ayuda al voltaje de Thévenin
generalmente podría pasarse por alto y eliminarse, como se muestra a
continuación:

Aplicación del Transistor de Unión Única

En circuito para control de velocidad es una de sus aplicaciones más típicas del
UJT para producir un conjunto de pulsos para disparar; controlar el tiristor,
circuitos de activación y circuitos osciladores. Podemos utilizarlos para ajustar la
velocidad de los motores; utilizando UJT como circuito de activación en
combinación con SCR, Triacs, tambien para circuitos de control de fases. Para
generadores de pulsos de dientes de sierra, suministros regulados por voltaje /
corriente y en circuitos basados en temporizadores.

Ventajas de este Transistor (UJT)

Las ventajas del transistor Unijunction incluyen:

 Bajo costo en su construcción.

 Cuenta con características de resistencia negativa.
 Requiere un valor bajo de corriente para la activación.
 Un voltaje de activación estable.
 Dispositivo de absorción de baja potencia.
Transistor FET

¿Qué es el Transistor de Efecto de Campo o FET?

El

transistor de efecto de campo abreviado por las siglas del inglés

FET(Field Effect Transistor), es un dispositivo activo de 3 terminales que usa un
campo eléctrico para controlar el flujo de corriente y tiene una alta impedancia de
entrada que es útil en muchos circuitos y equipos. El transistor de efecto de campo
o FET, es un componente electrónico clave que se utiliza en muchas áreas de la
industria electrónica como los HEMT, MESFET, Transistor de Puerta Flotante y
otros tipos de transistores. El FET se utiliza en muchos circuitos construidos a
partir de componentes electrónicos; en áreas que van desde la tecnología de RF
hasta el control de potencia y la conmutación electrónica hasta la amplificación
general.

El uso principal del transistor de efecto de campo(FET) se encuentra dentro de los

circuitos integrados. En esta aplicación, los circuitos FET consumen niveles mucho
más bajos de energía que los circuitos integrados que utilizan tecnología de
transistores bipolares. Esto permite que funcionen los circuitos integrados de gran
escala. Si se usara tecnología bipolar, el consumo de energía sería órdenes de
magnitud mayor y la energía generada sería demasiado grande para disiparse del
circuito integrado. Además de utilizarse en circuitos integrados, las versiones
discretas de transistores de efecto de campo están disponibles como
componentes electrónicos con plomo y también como dispositivos de montaje en
superficie.
Historia del Transistor de Efecto de Campo (FET)
Antes de que se introdujeron los primeros FET en el mercado de componentes
electrónicos, el concepto se conocía desde hacía varios años. Hubo muchas
dificultades para realizar este tipo de dispositivo y hacerlo funcionar. Algunos de
los primeros conceptos del transistor de efecto de campo se describieron en un
artículo de Lilienfield en 1926 y en otro artículo de Heil en 1935.

Las siguientes bases se establecieron durante la década de 1940 en Bell

Laboratories(Historia del Transistor), donde se estableció el grupo de investigación
de semiconductores. Este grupo investigó una serie de áreas relacionadas con los
semiconductores,sus propiedades y aplicaciones, una de las cuales era un
dispositivo que modulaba la corriente que fluye en un canal de semiconductores
colocando un campo eléctrico cerca de él. Durante estos primeros experimentos,
los investigadores no pudieron hacer que la idea funcionara, convirtiendo sus
ideas en otra idea y finalmente inventando otra forma de componente electrónico
semiconductor: el transistor bipolar.

Después de esto, gran parte de la investigación de semiconductores se centró en

mejorar el transistor bipolar, y la idea de un transistor de efecto de campo no se
investigó por completo durante algún tiempo. En la actualidad, los FET se utilizan
mucho y constituyen el principal elemento activo en muchos circuitos integrados y
circuitos electrónicos. Sin estos componentes electrónicos la tecnología moderna
sería muy diferente a lo que es ahora mismo.

Características

 Tiene una impedancia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).

 No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador (interruptor).
 Hasta cierto punto es inmune a la radiación.
 Es menos ruidoso.
 Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
 Es muy sensible
Aplicaciones
El FET más comúnmente utilizado es el MOSFET. La tecnología CMOS es la base
de los modernos circuitos integrados digitales. Esta usa una disposición donde el
MOSFET de canal-p (generalmente "modo de enriquecimiento") y el de canal-n
están conectados en serie de manera que cuando uno está encendido, el otro está
apagado.
En los FET, los electrones pueden fluir en cualquier dirección a través del canal
cuando se operan en el modo lineal. La convención de nomenclatura del terminal
de drenaje y el terminal de fuente es algo arbitraria, ya que los dispositivos están
típicamente (pero no siempre) construidos simétricamente desde la fuente al
desagüe. Esto hace que los FET sean adecuados para conmutar señales
analógicas entre trayectos (multiplexación). En este concepto se basan los tablero
de mezcla de estado sólido usados en la producción musical.
Un uso común de los FET es como amplificadores. Debido a su gran resistencia
de entrada y baja resistencia de salida, es efectivo como un buffer en la
configuración de drenaje común (seguidor de fuente). Son muy comunes además
en amplificadores de audio.
Los de tipo IGBT se usan en la conmutación de las bobinas de encendido
del motor de combustión interna, donde las capacidades de conmutación rápida y
bloqueo de voltaje son importantes.
Simbología de Circuitos de los FET

Los transistores de efecto de campo se usan ampliamente en todas las formas de

circuito, desde los que se usan en circuitos con componentes electrónicos
discretos hasta los que se usan en los circuitos integrados.

Como el transistor de efecto de campo es un componente manejado por voltaje en

lugar de un componente por corriente como es el caso del transistor bipolar, lo que
significa que algunos aspectos del circuito son muy diferentes; como las
disposiciones de polarización particularmente. Sin embargo, el diseño de circuitos
electrónicos con FET es relativamente fácil: es un poco diferente al que se usa con
transistores bipolares.

Usando FET, se pueden diseñar circuitos como amplificadores de voltaje,

amortiguadores o seguidores de corriente, osciladores, filtros y muchos más. Los
circuitos son muy similares a los de los transistores bipolares e incluso válvulas
termoiónicas o tubos de vacío. Curiosamente, las válvulas o tubos también son
dispositivos operados por voltaje, por lo tanto sus circuitos son muy similares,
incluso en términos de disposiciones de polarización.
Tipos de Transistores de Efecto de Campo

Hay muchas formas de definir los diferentes tipos de FET disponibles. Los

diferentes tipos significan que durante el diseño del circuito electrónico, hay una
elección del componente electrónico adecuado para el circuito. Al seleccionar el
dispositivo correcto, es posible obtener el mejor rendimiento para el circuito dado.

Los FET pueden clasificarse de varias formas, pero algunos de los principales
tipos de FET se pueden cubrir en la imagen de árbol superior. Hay muchos tipos
diferentes de FET en el mercado para los que existen varios nombres. Algunas de
las categorías principales se muestran a continuación.

 Unión FET, JFET

 FET de puerta aislada / MOSFET de silicio de óxido de metal
 MOSFET de doble puerta
 MESFET
 HEMT / PHEMT
 FinFET
 VMOS

Transistor MOSFET

¿Qué es un MOSFET?
El transistor de efecto de campo de silicio de óxido metálico (transistores de efecto
de campo de óxido metálico) se abrevia como MOSFET. Es un transistor unipolar
utilizado como interruptor electrónico como el BJT y para amplificar señales
eléctricas. El dispositivo tiene tres terminales, que consisten
en fuente(Source) , puerta(Gate) y drenaje(Drain). Además de estos terminales,
hay un sustrato, comúnmente denominado carcasa, que siempre está conectado
al terminal de origen para aplicaciones prácticas.

En los últimos años, su descubrimiento ha propiciado el uso dominante de estos

dispositivos en circuitos integrados digitales debido a su estructura. Una capa de
dióxido de silicio (SiO2) actúa como aislante y proporciona aislamiento eléctrico
entre la puerta y el canal activo entre la fuente y el drenaje, lo que da como
resultado una alta impedancia de entrada que es casi infinita, capturando así toda
la señal de entrada.

Diferencia entre el FET y el MOSFET

La principal diferencia entre FET y MOSFET es que MOSFET tiene un electrodo
de puerta de óxido metálico aislado eléctricamente del canal n o canal p del
semiconductor principal por una capa delgada de dióxido de silicio o vidrio. El
aislamiento de la puerta de control aumenta la resistencia de entrada del
MOSFET extremadamente alto en el valor de Mega-ohms (M Ω ).

Símbolos del MOSFET

En general, el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales con terminales
de drenaje (D), fuente (S), puerta (G) y cuerpo (B) / sustrato. El terminal del
cuerpo siempre estará conectado al terminal de origen, por lo tanto, el MOSFET
funcionará como un dispositivo de tres terminales. En la imagen de abajo,
el símbolo del MOSFET de canal N se muestra a la izquierda y el símbolo del
MOSFET de canal P se muestra a la derecha.

El caso es que el sustrato suele estar conectado a la fuente. A veces esto ya se

hace en el propio transistor durante la fase de desarrollo. Como resultado del
hecho de que la Fuente está conectada al Sustrato, se forma un diodo entre el
Drenaje y la Fuente, que a veces ni siquiera se indica en los diagramas, pero
siempre está presente.

Cómo funciona un MOSFET

Está hecho oxidando sustratos de silicio. Funciona cambiando el ancho del canal a
través del cual los portadores de carga (electrones para el canal N y huecos para
el canal P) se mueven desde la fuente(Source) hasta el drenaje(Drain). El terminal
de la puerta(Gate) está aislado, cuyo voltaje regula la conductividad del
dispositivo.

Tipos de Transistor MOSFET

Según el modo de funcionamiento de los MOSFET se pueden dividir en dos tipos
o categorías también se le dice.

 Modo de saturación (Mode Enhancement)

 Modo de agotamiento (Mode Depletion)
Estructura Básica de un MOSFET

El diseño y arquitectura del MOSFET (que se describe en la imagen superior) es

muy diferente al de campo. Ambos tipos de transistores utilizan un campo eléctrico
generado por el voltaje de la puerta. Para cambiar el flujo de los portadores de
carga, electrones para el canal n o huecos para el canal p, a través del canal
semiconductor de drenaje(Drain)-fuente(Source). El electrodo de puerta(Gate) se
coloca en la parte superior con una capa aislante muy delgada de dióxido
de silicio (SiO2) del semiconductor, y hay un par de áreas pequeñas de tipo n justo
debajo del drenaje(Drain) y la fuente(Source) de los electrodos.

Con un componente de puerta aislada para el MOSFET, no se aplica ninguna

limitación. Por lo tanto, es posible conectar una fuente de señal en cualquier
polaridad (positiva o negativa) a la puerta del MOSFET. Esto hace que los
MOSFET sean especialmente valiosos como interruptores electrónicos o
dispositivos lógicos porque generalmente no conducen corriente sin una entrada
externa. Y la razón de esto es la alta impedancia de entrada de la puerta. Por lo
tanto, se necesita muy poco o ningún control para los MOSFET. Después de todo,
son dispositivos controlados desde el exterior por voltaje. Cabe señalar que cada
componente electrónico está fabricado bajo características y especificaciones del
fabricante.

Características del transistor MOSFET

El transistor MOSFET tiene varias características que lo hacen único y útil en la
electrónica. Algunas de las características más importantes del transistor MOSFET
incluyen:
1. Voltaje de umbral: El MOSFET tiene un voltaje de umbral que debe
superarse para que se inicie el flujo de corriente.
2. Alta impedancia de entrada: El MOSFET tiene una alta impedancia de
entrada, lo que lo hace ideal para circuitos de alta impedancia.
3. Bajo consumo de energía: El MOSFET tiene un bajo consumo de energía
debido a su capacidad para operar a voltajes bajos.
4. Baja resistencia de canal: El MOSFET tiene una baja resistencia de canal,
lo que significa que puede manejar grandes corrientes.
5. Sensibilidad a la temperatura: El MOSFET es sensible a los cambios de
temperatura, lo que puede afectar su rendimiento.

A
pl
ic
a
ci
o
n
es

del transistor MOSFET

El transistor MOSFET tiene una amplia variedad de aplicaciones en la electrónica,
que incluyen:
1. Circuitos de conmutación: El MOSFET se utiliza en circuitos de
conmutación para controlar el flujo de corriente en un circuito.
2. Fuentes de alimentación: El MOSFET se utiliza en fuentes de alimentación
para regular el voltaje y la corriente.
 3. Circuitos amplificadores: El MOSFET se utiliza en circuitos amplificadores
debido a su alta impedancia de entrada y su capacidad para manejar
grandes corrientes.
4. Control de motores: El MOSFET se utiliza en circuitos de control de
motores para controlar la velocidad y la dirección de un motor.
5. Circuitos de iluminación: El MOSFET se utiliza en circuitos de iluminación
para controlar el brillo de las luces.
6. Circuitos de audio: El MOSFET se utiliza en circuitos de audio debido a su
capacidad para amplificar señales de audio.

Transistor SCR
¿Qué es el rectificador controlado de silicio o SCR?
La terminología SCR cual significado quiere decir o significar rectificador
controlado de silicio, el cual pertenece a la familia de los tiristores. Es más
popular que los otros tiristores como TRIAC, DIAC, etc. Aunque algunas personas
suelen identificarlos indistintamente Tiristor y SCR. Entonces, cuando una persona
simplemente diga un Tiristor como referencia en general, se referirá al SCR.

Gracias a sus capacidades operativas con altos valores de corriente y voltaje, el

mayor campo donde se suelen usar e implementar es en los sectores industriales.
Los SCR se construyen como lo dice su nombre a base de silicio y sus
aplicaciones más utilizadas comúnmente son para (rectificación) convertir la
corriente CA (corriente alterna) en corriente CC (corriente continua), por eso el
nombre de rectificador controlado por silicio. Aunque también se suelen utilizar
para otros medios como reguladores de potencia, en circuitos de inversiones, etc.
Símbolo SCR

En la imagen superior se muestra el símbolo con el que se identifica el SCR. Lo

cual es muy similar al del símbolo del diodo; pero su diferencia radica en que tiene
una terminal de puerta(Gate) como se muestra en su símbolo y en su estructura
más abajo. El SCR es un componente unidireccional; con el que solo permitirá que
la corriente fluya en una sola dirección y se oponga al flujo en la otra dirección. 

El SCR posee 3 terminales, una para el ánodo(A), otra para el cátodo(K) y la de

control puerta(G); con esta última es con la que se logra encender(On) o
apagar(Off) para controlar las condiciones de polarización. El símbolo del SCR es
igual al símbolo del tiristor. Ya que sabemos cómo representar un SCR en un
circuito, aprenderás más de su estructura interna y características del
funcionamiento.

Estructura del SCR (Rectificador controlado por silicio)

El SCR es un semiconductor tiene una forma de estructura de 4 capas. Estas

capas pueden ser del tipo NPNP o del tipo PNPN (el ejemplo de la imagen); con
las cuales formarán 3 uniones denominadas J1, J2 y J3. Además, tener en cuenta
que los 3 terminales del SCR; el ánodo(A) es un electrodo positivo (+) presente en
la capa P y el cátodo(K) es un electrodo negativo (-); el cual estará presente en la
capa N del SCR, la puerta(G) su principio es actuar como un terminal de control
para el SCR.
Ventajas
1.  Teniendo en cuenta la comparativa de los interruptores electromecánicos,
los SCR no poseen partes móviles. Provocando un funcionamiento
silencioso.
2. Posee velocidad de conmutación muy alta, ya que puede realizar 1 nano
operación/s.
3. Funcionan con valores nominales de alto voltaje y con corriente muy
pequeña a través de puerta(G).
4. Más adecuado para operaciones de CA porque en cada posición 0 del ciclo
de CA, el SCR se apagará automáticamente.
5.  Dimensiones del encapsulado pequeñas.

Aplicaciones del SCR

Un tiristor SCR cuenta con múltiples aplicaciones:

 Controles de relevador.
 Circuitos de retardo de tiempo.
 Fuentes de alimentación reguladas.
 Interruptores estáticos.
 Controles de motores.
 Ciclo conversores.
 Cargadores de baterías.
 Circuitos de protección.
 Controles de calefacción.
 Sistema de Control de fase.
 Sistema de luces de emergencias.
Características del transistor SCR

El transistor SCR tiene varias características que lo hacen útil en la electrónica.

Algunas de las características más importantes del transistor SCR incluyen:

1. Capacidad de bloqueo de voltaje: El transistor SCR puede bloquear el

voltaje aplicado en el circuito hasta que se cumpla un cierto valor de voltaje
llamado "voltaje de ruptura".
2. Capacidad de conducción de corriente: El transistor SCR puede conducir
corriente eléctrica una vez que se supera el voltaje de ruptura.
3. Capacidad de auto-sostenimiento: Una vez que se ha superado el voltaje
de ruptura y el transistor SCR ha comenzado a conducir corriente, el
transistor SCR se mantiene en su estado de conducción incluso si el voltaje
de entrada disminuye.
4. Baja resistencia interna: El transistor SCR tiene una baja resistencia
interna, lo que permite que fluya una corriente eléctrica grande.
5. Tiempo de respuesta rápido: El transistor SCR tiene un tiempo de
respuesta rápido, lo que lo hace ideal para circuitos de conmutación.
6. Sensibilidad a la temperatura: El transistor SCR es sensible a los cambios
de temperatura, lo que puede afectar su rendimiento.
Conclusión
En conclusión, los transistores UJT, FET, MOSFET y SCR (tiristor) son
dispositivos electrónicos importantes que se utilizan en una variedad de
aplicaciones en la electrónica. Cada uno de estos transistores tiene características
únicas que los hacen adecuados para diferentes aplicaciones.
El transistor UJT se utiliza en circuitos de temporización, oscilación y disparo, y se
caracteriza por su baja corriente de disparo y su capacidad de oscilación.
El transistor FET se utiliza en aplicaciones de amplificación y conmutación de
señales de baja frecuencia y se caracteriza por su alta impedancia de entrada y su
bajo nivel de ruido.
El transistor MOSFET se utiliza en aplicaciones de amplificación y conmutación de
señales de alta frecuencia y se caracteriza por su alta velocidad de conmutación,
su baja impedancia de salida y su bajo consumo de energía.
El transistor SCR (tiristor) se utiliza en la rectificación de corriente eléctrica en
circuitos de corriente alterna (AC) y se caracteriza por su capacidad de bloqueo de
voltaje, su capacidad de conducción de corriente y su baja resistencia interna.
En general, estos transistores son fundamentales para la electrónica moderna y
tienen una amplia variedad de aplicaciones en la industria, la medicina, la
informática y la electrónica de consumo. Su uso es imprescindible para el correcto
funcionamiento de dispositivos electrónicos y sistemas complejos que se utilizan
en la vida cotidiana.

Referencias
https://usuaris.tinet.cat/fbd/electronica/tiristor/tiristor/tiristores.html

https://electronicamade.com/tiristor-scr/

https://industriasgsl.com/blogs/automatizacion/tiristor-scr#:~:text=Un%20tiristor%20SCR%20es
%20un,c%C3%A1todo%20y%20gate%20(puerta).

https://uelectronics.com/transistor-mosfet/

https://industriasgsl.com/blogs/automatizacion/transistor_mosfet#:~:text=Un%20transistor
%20mosfet%20es%20un,familia%20de%20trasformadores%20de%20potencia.

https://www.geeknetic.es/MOSFET/que-es-y-para-que-sirve

https://www.areatecnologia.com/electronica/mosfet.html

https://transistores.info/principios-y-funcionamientos-del-mosfet/

https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo
https://transistores.info/transistor-de-efecto-de-campo-fet/

https://transistores.info/transistor-de-union-unica-ujt/

https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_uniuni%C3%B3n