Asignatura: Electrónica Analógica.

Alumno: Carlos Raúl Sánchez Guzmán.

Matrícula: 19E40194 Carrera: Ing.

Electromecánica.

Semestre: 4°

Trabajo: RESUMEN DE UNIDAD 1 “DIODOS”.

Docente: Mario Alberto Gordillo Gómez.

Fecha de entrega: 25/02/2021

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Contenido
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Introducción. ....................................................................................................................................... 2

1.1 DIODO SEMICONDUCTOR ............................................................................................................. 3

1.1.1 Semiconductores contaminados P y N ................................................................................ 8

1.1.2 Unión PN .................................................................................................................................. 11

1.2 Tipos de Diodos ..................................................................................................................... 13

1.3 Aplicaciones del Diodo ................................................................................................................ 16

1.5 Reguladores de voltaje con circuito integrado ........................................................................... 21

1.6 Construcción de una fuente regulada ......................................................................................... 24

Conclusión. ........................................................................................................................................ 26

Bibliografía ........................................................................................................................................ 26

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Introducción.

Un diodo es un elemento de dos terminales cuya característica tensión-corriente

no es lineal. Está formado por un cristal semiconductor dopado de tal manera que
una mitad es tipo "p" y la otra "n", constituyendo una unión “pn”. La terminal que
corresponde con la parte "p" se llama ánodo y el que coincide con la "n" es el
cátodo.

El diodo está compuesto por un cristal de silicio o de germanio dopado, es decir, al

que se le han incluido impurezas. El dopado del silicio (o del germanio) se realiza
para variar sus propiedades de semiconductor.

Los átomos de estos semiconductores tienen cuatro electrones sueltos en su capa

de valencia, lo cual les confiere sus cualidades semiconductoras, al unirse estos
átomos de silicio o germanio por enlace covalente, quedan con la configuración
electrónica de gas noble, es decir con ocho electrones de valencia en su última
capa. Cuando dopamos estos cristales con átomos de más de cuatro electrones
de valencia, quedan electrones sueltos de la capa de valencia al crear enlaces
covalentes y cuando dopamos estos cristales con átomos de menos de cuatro
electrones en su capa de valencia quedan huecos al crear estos enlaces
covalentes.

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1.1 DIODO SEMICONDUCTOR

Definición:

El diodo semiconductor es el dispositivo semiconductor más sencillo y se puede

encontrar, prácticamente en cualquier circuito electrónico. En el momento en que
se unen, se combinan los huecos y los electrones en la región de la unión, y como
consecuencia se origina una carencia de portadores libres en la región cercana a
la unión.

La región de la unión en donde se combinan los huecos y los electrones se

conoce como región de agotamiento, ya que prácticamente deja de haber
portadores de carga libres.

Principio de operación del diodo semiconductor

Como el diodo consta de dos terminales, se tienen tres opciones con relación a la
aplicación de potencial externo:

a) Sin polarización (VD = 0 v)

b) Polarización directa (VD> 0 v)
c) Polarización inversa (VD< 0 v).

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Sin aplicación de polarización (VD = 0 v)

Bajo estas condiciones, tanto los portadores minoritarios como los mayoritarios de
ambos lados de la unión tenderán a cruzar la unión combinándose con los iones
correspondientes de la región opuesta. Se observa que las magnitudes relativas
de los vectores de flujo son tales, que el flujo neto en cualquier dirección es cero.
Dicha cancelación se indica mediante las líneas cruzadas, Fig. 1.1. La longitud
del vector del flujo de huecos se dibuja mayor que la del flujo de electrones para
demostrar que la magnitud de cada uno no tiene que ser la misma para que se
puedan cancelar y que además, los niveles de impurezas de cada material pueden
ocasionar un flujo desigual de huecos y electrones. Así que: En ausencia de
voltaje de polarización en el diodo, el flujo neto de carga en cualquier dirección es
cero.

Fig. 1.1 Diodo sin polarización externa.

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Con polarización inversa (VD< 0)

Debido al tipo de polarización aplicado el número de iones (átomo que carecen de

un electrón o bien tienen un excedente de un electrón) en cada región de
agotamiento de la unión se incrementará debido al flujo de portadores mayoritarios
atraídos por el potencial aplicado en su región. El efecto neto es el crecimiento de
la región de agotamiento, con lo que se establecerá una barrera que detendrá el
paso de los portadores mayoritarios, lo que da como resultado una reducción a
cero del flujo de éstos como se ve en la Fig. 1.2.

Fig. 1.2 Diodo polarizado inversamente.

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Sin embargo, el número de portadores minoritarios que entran en la región de

agotamiento no cambia, con lo que resultan vectores de flujo de portadores
minoritarios de la misma magnitud indicada en la Fig. 1.1, sin voltaje aplicado.

La corriente que se forma bajo una situación de polarización inversa se conoce

como corriente de saturación inversa y se representa con IS.

La corriente IS rara vez es mayor a unos cuantos micro amperes excepto para el
caso de dispositivos de alta potencia. El nombre de saturación se debe a que
rápidamente alcanza su máximo nivel y a que no cambia de forma importante con
incrementos del potencial de polarización, como se muestra en la Fig. 1.2, cuando
VD< 0. Observe en la Fig. 1.3 que la dirección de IS es contraria a la flecha del
símbolo del diodo.

Fig. 1.3 Polarización inversa del diodo semiconductor.

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Polarización directa (VD> 0)

Un diodo se encuentra polarizado directamente cuando se establece una

asociación material tipo p con terminal positiva de la fuente y material tipo n con
terminal negativa de la fuente como el que se ve en la Fig. 1.4.

Fig. 1.4 Diodo polarizado directamente.

La polarización directa causa que los portadores mayoritarios de ambas regiones

se recombinen con los iones cercanos a la unión, lo que reduce el ancho de la
región de agotamiento. El flujo de portadores minoritarios a través de la unión no
varía significativamente ya que depende del nivel de impurezas del material; sin
embargo, la reducción del ancho de la región de agotamiento provoca un alto
incremento del flujo de portadores mayoritarios a través de la unión. Conforme se
incrementa la magnitud de la polarización aplicada, continua reduciéndose la
región de agotamiento, hasta que los portadores mayoritarios cruzando la unión
crece exponencialmente.

La corriente circula a través del diodo haciéndolo actuar como un corto. (Luis
Nasheslky, 1997)

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1.1.1 Semiconductores contaminados P y N

El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro con

átomos de impureza que tienen tres electrones de valencia. Los elementos más
utilizados para este propósito son boro, galio e indio.

Se les llama semiconductores de tipo P a los semiconductores contaminados con

impurezas aceptoras. Las impurezas aceptoras son aquellas que agregan un
hueco en el material. Estas son impurezas con 3 electrones en su órbita de
valencia. Al tener solo 3 electrones queda una unión incompleta dejando un hueco
para que un electrón libre pueda tomar ese lugar.

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Observe que ahora el número de electrones es insuficiente para completar las

bandas covalentes de la estructura recién formada. El vacío resultante se llama
hueco y se denota con un pequeño círculo o un signo más, para indicar la
ausencia de una carga positiva. Por lo tanto, el vacío resultante aceptará con
facilidad un electrón libre: Las impurezas difundidas con tres electrones de
valencia se llaman átomos aceptores. Debido a que la conducción eléctrica se
produce debido a su gran número de huecos (portadores mayoritarios).
Comparados con los electrones los huecos tienen polaridad positiva. El material
tipo p es eléctricamente neutro por las mismas razones descritas para el material
tipo n. Tanto los materiales tipo N como los tipos P se forman agregando un
número predeterminado de átomos de impureza a una base de silicio. Un material
tipo n se crea introduciendo elementos de impureza que contienen cinco
electrones de valencia (pentavelantes), como el antimonio, el arsénico y el fósforo.
Los semiconductores tipo N son aquellos a los que se le agregan impurezas
donadoras (que donan un electrón). Estas impurezas suelen tener 5 electrones.
De estos 5 electrones 4 formarían una unión con los átomos vecinos y 1 quedaría
libre. De esta forma este material contiene un mayor número de electrones libres
comparados con los huecos libres. Este material es de tipo N debido a que la
conducción eléctrica se produce debido a su gran número de electrones
(Portadores mayoritarios) de polaridad negativa.

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Observe que un nivel de energía discreto (llamado nivel donador) aparece en la

banda prohibida con una Eg significativamente menor que la del material
intrínseco. Los electrones libres creados por la impureza agregada se establecen

en este nivel de energía y absorben con menos dificultad una cantidad suficiente
de energía térmica para moverse en la banda de conducción a temperatura
ambiente. El resultado es que, a temperatura ambiente, hay un gran número de
portadores (electrones) en el nivel de conducción y la conductividad del material
se incrementa de manera significativa.

En ambos casos la conducción se hace por medio de los electrones, pero se

puede decir que en el material tipo P la conducción se produce por el movimiento
de huecos ya que los electrones se desprenden de una unión dejando un hueco
para pasar a otro. (Sem, 2018)

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1.1.2 Unión PN

Los diodos pn, son uniones de dos materiales semiconductores extrínsecos tipos p
y n, por lo que también reciben la denominación de unión pn. Hay que destacar
que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga eléctrica, ya que en
cada cristal, el número de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos
decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p
(Je). Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos
lados de la unión, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga
espacial, de agotamiento, de deflexión, de vaciado, etc.

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Las uniones PN pueden conectarse de 2 maneras a la fuente de alimentación, es

decir existen dos modos de polarizar la unión NP:

• Polarización directa: conectando el borne positivo (cátodo) de la fuente a la

zona P, y el borne negativo (ánodo) a la zona N. Al aplicar tensión directa,
se reduce la barrera de potencial de la unión, ya que la tensión aplicada
impulsa a los electrones de N y huecos de P hacia la unión (estrechando la
zona de depleción). Por tanto, los electrones tienden a cruzar la unión de N
a P y los huecos en sentido opuesto. Si la tensión de la fuente es mayor
que la tensión umbral, el diodo conducirá la electricidad a su través.
• Polarización inversa: conectando el borne positivo (cátodo) de la fuente a la
zona N y el borne negativo (ánodo) a la zona P. Debido a la polarización de
la batería, los electrones y los huecos se encuentran atraídos hacia los
extremos del diodo, alejados de la unión PN, de manera que se ensancha
la zona de depleción. Así los electrones y huecos encuentran mayor
dificultad para pasar a través de la unión. Por consiguiente, el diodo no
permitirá el paso de la corriente a su través comportándose como un
interruptor abierto

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1.2 Tipos de Diodos

• DIODO DETECTOR O DE BAJA SEÑAL

También denominados diodos de señal o de contacto puntual, están hechos
de germanio y se caracterizan por poseer una unión PN muy diminuta. Esto
le permite operar a muy altas frecuencias y con señales pequeñas. Se
emplea, por ejemplo, en receptores de radio para separar la componente de
alta frecuencia (portadora) de la componente de baja frecuencia
(información audible). Esta operación se denomina detección.
• DIODO RECTIFICADOR: Los diodos rectificadores son aquellos
dispositivos semiconductores que solo conducen en polarización directa
(arriba de 0.7 V) y en polarización inversa no conducen. Estas
características son las que permite a este tipo de diodo rectificar una señal.
Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el voltaje
en inverso que pueden soportar.

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• DIODO ZÉNER: Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por

su capacidad de mantener un voltaje constante en sus terminales cuando
se encuentran polarizados inversamente, y por ello se emplean como
elementos de control, se les encuentra con capacidad de ½ watt hasta 50
watt y para tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios. El diodo zener
polarizado directamente se comporta como un diodo normal, su voltaje
permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.
• DIODO VARACTOR: El diodo varactor también conocido como diodo
varicap o diodo de sintonía. Es un dispositivo semiconductor que trabaja
polarizado inversamente y actúan como condensadores variables
controlados por voltaje. Esta característica los hace muy útiles como
elementos de sintonía en receptores de radio y televisión. Son también muy
empleados en osciladores, multiplicadores, amplificadores, generadores de
FM y otros circuitos de alta frecuencia. Una variante de los mismos son los
diodos SNAP, empleados en aplicaciones de UHF y microondas.
• DIODO EMISOR DE LUZ (LED’s): Es un diodo que entrega luz al
aplicársele un determinado voltaje. Cuando esto sucede, ocurre una
recombinación de huecos y electrones cerca de la unión NP; si este se ha
polarizado directamente la luz que emiten puede ser roja, ámbar, amarilla,
verde o azul dependiendo de su composición.
• DIODO ESTABILIZADOR: Está formados por varios diodos en serie, cada
uno de ellos produce una caída de tensión correspondiente a su tensión
umbral. Trabajan en polarización directa y estabilizan tensiones de bajo
valores similares a lo que hacen los diodos Zéner.

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• DIODO LÁSER: Los diodos láser, también conocidos como láseres de

inyección o ILD’s. Son LED’s que emiten una luz monocromática,
generalmente roja o infrarroja, fuertemente concentrada, enfocada,
coherente y potente. Son muy utilizados en computadoras y sistemas de
audio y video para leer discos compactos (CD’s) que contienen datos,
música, películas, etc., así como en sistemas de comunicaciones para
enviar información a través de cables de fibra óptica. También se emplean
en marcadores luminosos, lectores de códigos de barras y otras muchas
aplicaciones.

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1.3 Aplicaciones del Diodo

DIODO LED

La diferencia de potencial Vd varía de acuerdo a las especificaciones relacionadas

con el color y la potencia soportada. En términos generales, pueden considerarse
de forma aproximada los siguientes valores de diferencia de potencial: ·

Rojo = 1,8 V a 2,2 V ·

Naranja = 2,1 V a 2,2 V ·

Amarillo = 2,1 V a 2,4 V ·

Verde = 2 V a 3,5 V ·

Azul = 3,5 V a 3,8 V ·

Blanco = 3,6 V

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SEMICONDUCTORES COMUNES

Desde el inicio del empleo de las antiguas válvulas termoiónicas de tipo diodo en
los circuitos electrónicos analógicos hasta los diodos de estado sólido utilizados en
la actualidad, su principal función ha sido “rectificar” corrientes alternas para
convertirlas en directa (C.D.) y “detectar” corrientes de alta frecuencia (A.F.) o
radiofrecuencia (R.F.) para reconvertirlas en audibles.

ONDA MEDIA

Ilustración del circuito eléctrico correspondiente a un diodo rectificador de media

onda. El.suministro de corriente alterna (C.A.) que el diodo recibe en forma de
onda sinusoidal por su. Parte izquierda, pierde sus semiciclos negativos una vez
que la corriente lo atraviesa. De esa. Forma se obtiene una corriente directa tipo
“pulsante”, tal como se puede apreciar a la derecha. De la propia figura.

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ONDA COMPLETA

Rectificador o “puente rectificador” de onda completa formado por cuatro diodos

conectados. de forma apropiada. La onda sinusoidal de corriente alterna (C.A.)
suministrada al circuito de. este diodo por la parte izquierda en la ilustración, sale
rectificada como corriente directa (C.D.) por la parte derecha.

DIODO EN FUNCION DE DETECTOR

1.- Onda sonora de baja frecuencia (A.F.) o audiofrecuencia.

2.- Onda de radio de alta frecuencia (A.F.) o radiofrecuencia (R.F.).

3.- Unión de la onda de alta frecuencia con la de baja frecuencia modulada en

amplitud. Esa es la onda portadora de los sonidos que emiten las estaciones de
radio cuando transmiten en.A.M. (amplitud. modulada).

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Dicha onda, que viaja por el éter como “onda herziana”.después que abandona la
antena transmisora, contiene los sonidos que capta el.micrófono en el estudio de
radio, así como la música y los efectos sonoros. Sin embargo, dichos sonidos no
serán de nuevo audibles hasta tanto un radiorreceptor.capte esa onda y un
detector diodo que forma parte de su circuito electrónico la.demodule separando
las frecuencias audibles de la onda portadora de alta.frecuencia.

4.-.Diodo del tipo “punta de. Contacto” en función de detector o.demodulador

. 5.- Onda de baja frecuencia (B.F.) o audiofrecuencia después de haber sido

separada de la onda portadora de radiofrecuencia (demodulada). A continuación
esta señal se amplifica para que se pueda escuchar a mayor volumen en el
altoparlante del Radiorreceptor.

1.4. Regulación con Diodo Zener

El diodo Zener es un diodo de silicio fuertemente dopado que se ha construido

para que funcione en las zonas de rupturas, recibe ese nombre por su inventor, el
Dr. Clarence Melvin Zener. El diodo Zener es la parte esencial de los reguladores
de tensión casi constantes con independencia de que se presenten grandes
variaciones de la tensión de red, de la resistencia de carga y temperatura.

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El diodo zener se puede utilizar para regular una fuente de voltaje. Este
semiconductor se fabrica en una amplia variedad de voltajes y potencias. Estos
van desde menos de 2 voltios hasta varios cientos de voltios, y la potencia que
pueden disipar va desde 0.25 watts hasta 50 watts o más.

Son mal llamados a veces diodos de avalancha, pues presentan comportamientos

similares a estos, pero los mecanismos involucrados son diferentes. Además si el
voltaje de la fuente es inferior a la del diodo este no puede hacer su regulación
característica.

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1.5 Reguladores de voltaje con circuito integrado

Los reguladores de voltaje son usados para mantener una salida de voltaje
predeterminada, a pesar de las variaciones en la entrada de la fuente (voltaje AC)
y a pesar también de las variaciones que se puedan dar en la carga. El regulador
de voltaje se inserta entre la carga y la salida de la fuente sin regular:

Los circuitos integrados (reguladores de voltaje) tienen la ventaja de que

proporcionan una salida bastante estable, además limitan la corriente y tienen
protección térmica.

Circuito regulador en serie

El funcionamiento de este circuito se explica al notar que si el voltaje de salida

aumenta el voltaje base-emisor disminuye pues el voltaje zener se mantiene
constante, así, la excitación del transistor es menor provocando que la corriente de
colector disminuya y por ende la corriente de carga disminuyendo así, el voltaje de
salida.

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Regulador con salida ajustable

La salida de voltaje de este regulador puede ser ajustada con el potenciómetro

R2, podemos variar así este voltaje y ajustarlo a un nivel conveniente para nuestra
aplicación, por lo demás el principio de funcionamiento es el mismo que los
anteriores.

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Regulador con doble zener

Si es necesaria una salida de voltaje mayor se puede hacer uso de dos diodos
zener, esto permite valores de salida de más de 20 V dc dependiendo de los
voltajes de los diodos zener escogidos, note que este valor también se puede
ajustar finamente con el uso del potenciómetro R2.

Regulador con limitación de corriente

En ocasiones más que aumentar la corriente de entrega a la carga se desea

limitar a un cierto valor la corriente consumida por la carga. En estos casos se
puede usar la configuración aquí mostrada.

En el momento que la corriente de carga exceda por ejemplo los 600 mA la

resistencia de limitación de corriente polariza la base de Q3 la corriente de
colector Q3 circula a través de R3 disminuyendo la corriente de base Q1, esto
atenúa la tensión en la carga pues la corriente de colector Q1 disminuye. Note que
la disipación de potencia en Q3 cuando este conduce está dada por PQ3= (vi-
vbe)* I max,Q3. Es decir, casi todo el voltaje de entrada aparece en el Vce de Q3.

Si la corriente de colector Q1 es menor que 600 mA Q3 no trabaja y el circuito

funciona como los anteriores.

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1.6 Construcción de una fuente regulada

Materiales

– Un transformador de 120 V o 220 V según sea nuestra red eléctrica y un

secundario de 16 +16 V.

– Un transistor DB137 y uno 2N3055.

– Dos condensadores electrolíticos uno de 3300 uF 25 V y otro de 470 uF 25V.

– Un condensador de 0.1 uF 100V.

– Dos diodos rectificadores 1N5402.

– Un diodo Zener de 15 V 400 mW.

– Un potenciómetro de 50K.

– Dos resistencia una de 270 Ω 1W y otra de 100 Ω 1W.

Armando nuestra fuente de corriente regulada

Armar nuestra fuente de corriente regulada será bastante simple, debemos colocar
primeramente el transformador en nuestro circuito impreso y luego conectarlo a los
diodos en un arreglo paralelo.

Seguidamente, realizamos conexiones paralelas al condensador, la resistencia, el

diodo Zener y los transistores. Finalmente, realizamos una conexión a la otra
resistencia y a los condensadores restantes y luego, colocamos las salidas que
conectaremos con los contactos de los equipos que vamos a alimentar con

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energía. El montaje de este diseño electrónico lo podemos visualizar mejor, en el

diagrama del circuito eléctrico que podemos ver a continuación:

Circuito de la fuente de corriente controlada

Una vez culminado el montaje, podemos realizar diversas pruebas conectando

nuestra fuente controlada a diferentes circuitos que requieran energía. Debemos
recordar que este dispositivo tiene capacidad para suministrar de 0 a 15 V de
corriente y hasta 2 amperios.

Uno de los puntos que debemos tener en cuenta cuando realicemos nuestro
circuito, es que el transistor 2N3055 debe estar sujeto sobre un disipador térmico
de buena calidad.

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Conclusión.

Una vez conociendo las características teóricas al trabajar con diodos

semiconductores podremos entrar de lleno a prácticas, he ahí la importancia de
esta investigación al poder comprobar los conceptos, formulas y características de
los diodos semiconductores de una manera práctica.

Por medio de esta investigación hemos observado como los diodos son muy
importantes en la utilización de varios circuitos, al igual que aprendimos su
funcionamiento, sus principales características y como se desenvuelven en sus
principales aplicaciones.

Bibliografía

Luis Nasheslky, R. L. (1997). Electronica: Teoria de Circuitos (Sexta Edicion ed.). Pearson Educacion.

Sem, D. (19 de Mayo de 2018). Electronica analogica . Obtenido de Tecnologico Naicional de

Mexico : https://diodosiem.wordpress.com/2018/05/19/semiconductores-contaminados-
p-y-n/

http://educativa.catedu.es/44700165/aula/archivos/repositorio//3000/3079/html/422
_rectificador_monofsico_de_onda_completa.html

http://creandoelfuturo.net/es/diodos-potencia/rectificadores-monofasicos-
polifasicos

http://www.ecured.cu/index.php/Rectificadores

http://fisica.udea.edu.co/~lab-
gicm/Curso%20de%20Electronica/2009_recificador_de_media_onda.pdf

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DISEÑAR Y SIMULAR EN UN SOFTWARE DE ELECTRÓNICA UNA FUENTE

REGULADA DE VOLTAJE DE 5 Y 12 VOLTS.

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