TEMA 1. Circuitos de aplicación con diodos.

1.1. Polarización y recta de carga.

DIODO SEMICONDUCTOR

Dispositivo electrónico de estado sólido. El diodo semiconductor, con

aplicaciones demasiado numerosas de mencionar, se crea uniendo un
material tipo n a un material tipo p, nada más que eso; sólo la unión de
un material con un portador mayoritario de electrones a uno con un
portador mayoritario de huecos. La simplicidad básica de su
construcción refuerza la importancia del desarrollo de esta área de
estado sólido.

Sin polarización aplicada (V = 0 V)

En el momento en que los dos materiales se “unen”, los electrones y los

huecos en la región de la unión se combinan y provocan una carencia
de portadores libres en la región próxima a la unión, como se muestra
en la siguiente figura.

Observe en la siguiente figura que las únicas partículas mostradas en

esta región son los iones positivos y negativos que quedan una vez que
los portadores libres han sido absorbidos.

MEBC. Edgar Ocxiel Ochoa Herrera. 1

 TEMA 1. Circuitos de aplicación con diodos.

Esta región de iones positivos y negativos revelados se llama región de

“empobrecimiento”, debido a la disminución de portadores libres en la
región.

Si se conectan cables conductores a los extremos de cada material, se

produce un dispositivo de dos terminales, como se muestra en las
figuras anteriores.

Se dispone entonces de tres opciones: sin polarización, polarización en

directa y polarización en inversa. El término polarización se refiere a la
aplicación de un voltaje externo a través de las dos terminales del
dispositivo para extraer una respuesta. La condición mostrada en las
figuras anteriores es la situación sin polarización porque no hay ningún
voltaje externo aplicado.

MEBC. Edgar Ocxiel Ochoa Herrera. 2

 TEMA 1. Circuitos de aplicación con diodos.

Condición de polarización en inversa (VD<0 V)

Si se aplica un potencial externo de V volts a través de la unión p-n con

la terminal positiva conectada al material tipo n y la negativa conectada
al material tipo p como se muestra en la siguiente figura, el número de
iones positivos revelados en la región de empobrecimiento del material
tipo n se incrementará por la gran cantidad de electrones libres atraídos
por el potencial positivo del voltaje aplicado. Por las mismas razones, el
número de iones negativos no revelados se incrementará en el material
tipo p.

El efecto neto, por consiguiente, es una mayor apertura de la región de

empobrecimiento, la cual crea una barrera demasiado grande para que
los portadores mayoritarios la puedan superar, por lo que el flujo de
portadores mayoritarios se reduce efectivamente a cero, como se
muestra en la siguiente figura.

MEBC. Edgar Ocxiel Ochoa Herrera. 3

 TEMA 1. Circuitos de aplicación con diodos.

Sin embargo, el número de portadores minoritarios que entran a la

región de empobrecimiento no cambia, y se producen vectores de flujo
de portadores minoritarios de la misma magnitud indicada en la
siguiente figura sin voltaje aplicado.

La corriente en condiciones de polarización en inversa se llama

corriente de saturación en inversa y está representada por Is.

La corriente de saturación en inversa rara vez es de más de algunos

microamperes, excepto en el caso de dispositivos de alta potencia. De
hecho, en los últimos años su nivel, por lo general, se encuentra en el
intervalo de los nanoamperes en dispositivos de silicio. El término
saturación se deriva del hecho de que alcanza su nivel máximo con
rapidez y que no cambia de manera significativa con los incrementos en
el potencial de polarización en inversa

Las condiciones de polarización en inversa se ilustran en la figura

anterior para el símbolo de diodo y unión p-n. Observe, en particular,
que la dirección de Is se opone a la flecha del símbolo. Observe también
que el lado negativo del voltaje aplicado está conectado al material tipo
p y el lado positivo al material tipo n, y la diferencia indicada con las
letras subrayadas por cada región revela una condición de polarización
en inversa.

MEBC. Edgar Ocxiel Ochoa Herrera. 4

 TEMA 1. Circuitos de aplicación con diodos.

Condición de polarización en directa (VD>0 V)

La condición de polarización en directa o “encendido” se establece

aplicando el potencial positivo al material tipo p y el potencial negativo
al tipo n como se muestra en la siguiente figura.

La aplicación de un potencial de polarización en directa VD “presionará”

a los electrones en el material tipo n y a los huecos en el material tipo p
para que se recombinen con los iones próximos al límite y reducirá el
ancho de la región de empobrecimiento como se muestra en la figura
(a). El flujo de portadores minoritarios de electrones resultante del
material tipo p al material tipo n (y de huecos del material tipo n al tipo
p) no cambia de magnitud (puesto que el nivel de conducción es
controlado principalmente por el número limitado de impurezas en el
material), aunque la reducción del ancho de la región de
empobrecimiento produjo un intenso flujo de portadores mayoritarios a
través de la unión. Un electrón del material tipo p ahora “ve” una barrera
reducida en la unión debido a la región de empobrecimiento reducida y
a una fuerte atracción del potencial positivo aplicado al material tipo p.

En cuanto se incrementa la magnitud de la polarización aplicada, el

ancho de la región de empobrecimiento continuará reduciéndose hasta

MEBC. Edgar Ocxiel Ochoa Herrera. 5

 TEMA 1. Circuitos de aplicación con diodos.

que un flujo de electrones pueda atravesar la unión, lo que produce un

crecimiento exponencial de la corriente

Se muestra en la región de polarización directa, las características de la

siguiente figura.

Observe que la escala vertical de la figura anterior está en miliamperes

(aunque algunos diodos semiconductores tienen una escala vertical
medida en amperes) y la escala horizontal en la región de polarización
en directa tiene un máximo de 1 V. Por consiguiente, en general el
voltaje a través de un diodo polarizado en directa será menor de 1 V.

Observe también cuan rápido se eleva la corriente después de la rodilla

de la curva.

MEBC. Edgar Ocxiel Ochoa Herrera. 6

 TEMA 1. Circuitos de aplicación con diodos.

Se puede demostrar por medio de la física de estado sólido que las

características generales de un diodo semiconductor se pueden definir
mediante la siguiente ecuación, conocida como ecuación de Shockley,
para las regiones de polarización en directa y en inversa:

MEBC. Edgar Ocxiel Ochoa Herrera. 7

 TEMA 1. Circuitos de aplicación con diodos.

Ge, Si y GaAs.

El análisis realizado hasta ahora ha utilizado únicamente Si como

material semiconductor base. Ahora es importante compararlo con
otros dos materiales de primordial importancia: GaAs y Ge. En la
siguiente figura aparece una gráfica que compara las características de
diodos de Si, GaAs y Ge comerciales. De inmediato es obvio que el punto
de levantamiento vertical de las características es diferente para cada
material, aunque la forma general de cada una es muy semejante. El
germanio es el más cercano al eje vertical y el GaAs es el más distante.
Como se observa en las curvas, el centro de la rodilla de la curva está
aproximadamente en 0.3 V para Ge, 0.7 V para Si y 1.2 V para GaAs.

MEBC. Edgar Ocxiel Ochoa Herrera. 8

 TEMA 1. Circuitos de aplicación con diodos.

La forma de la curva en la región de polarización inversa también es

bastante parecida para cada material, pero observe la diferencia
medible en las magnitudes de las corrientes de saturación en inversa
típicas. Para GaAs, la corriente de saturación en inversa es por lo general
de aproximadamente 1 pA, comparada con 10 pA para Si y 1 mA para Ge;
una diferencia significativa de niveles.

También observe las magnitudes relativas de los voltajes de ruptura en

inversa para cada material.

El GaAs en general tiene niveles de ruptura máximos que superan a los

de los dispositivos de Si del mismo nivel de potencia en
aproximadamente 10%, y ambos tienen voltajes de ruptura que por lo
general oscilan entre 50 V y 1 kV. Hay diodos de potencia de Si con
voltajes de ruptura tan altos como 20 kV. El germanio suele tener
voltajes de ruptura de menos de 100 V, con máximos alrededor de 400
V. Las curvas de la figura anterior están diseñadas sólo para reflejar
voltajes de ruptura de los tres materiales. Cuando se consideran los
niveles de las corrientes de saturación en inversa y los voltajes de
ruptura, el Ge ciertamente sobresale porque tiene las características
mínimas deseables.

MEBC. Edgar Ocxiel Ochoa Herrera. 9

 TEMA 1. Circuitos de aplicación con diodos.

Efectos de la temperatura.

La temperatura puede tener un marcado efecto en las características de un

diodo semiconductor como lo demuestran las características de un diodo de
silicio mostradas en la siguiente figura:

En la región de polarización en directa las características de un diodo de

silicio se desplazan a la izquierda a razón de 2.5 mV por grado centígrado de
incremento de temperatura.

Un incremento desde la temperatura ambiente (20°C) hasta 100 °C (el punto

de ebullición del agua) produce una caída de 80(2.5 mV ) = 200 mV o 0.2 V, lo
cual es significativo en una gráfica graduada en décimas de volts. Una

MEBC. Edgar Ocxiel Ochoa Herrera. 10

 TEMA 1. Circuitos de aplicación con diodos.

reducción de la temperatura tiene el efecto inverso, como también se muestra

en la figura.

En la región de polarización en inversa la corriente de saturación en inversa

de un diodo de silicio se duplica por cada 10°C de aumento de la temperatura.

Con un cambio de 20°C a 100°C, el nivel de Is se incrementa desde 10 nA

hasta un valor de 2.56 mA, el cual es un incremento significativo de 256
veces. Continuando hasta 200°C se tendría una corriente de saturación
en inversa muy grande de 2.62 mA.

En aplicaciones a alta temperatura se tendrían que buscar por

consiguiente diodos con Is a temperatura ambiente de cerca de 10 pA,
un nivel comúnmente disponible en la actualidad, el cual limitaría la
corriente a 2.62 mA.

En realidad, es una fortuna que tanto Si como GaAs tengan corrientes

de saturación en inversa relativamente pequeñas a temperatura
ambiente. Hay dispositivos de GaAs disponibles que funcionan muy
bien en el intervalo de temperatura de –200°C a +200°C, y algunos
tienen temperaturas máximas que se aproximan a 400°C. Considere,
por un momento, qué tan grande sería la corriente de saturación en
inversa si iniciáramos con un diodo de Ge con una corriente de
saturación de 1 mA y aplicáramos el mismo factor de duplicación.

Por último, es importante señalar, de acuerdo con la figura anterior, que:

El voltaje de saturación en inversa de un diodo semiconductor se

incrementará o reducirá con la temperatura según el potencial Zener.

Aunque la figura anterior revela que el voltaje de ruptura se

incrementará con la temperatura, si el voltaje de ruptura inicial es
menor que 5 V, en realidad el voltaje de ruptura puede reducirse con la
temperatura.

MEBC. Edgar Ocxiel Ochoa Herrera. 11

 TEMA 1. Circuitos de aplicación con diodos.

MEBC. Edgar Ocxiel Ochoa Herrera. 12

 TEMA 1. Circuitos de aplicación con diodos.

ANÁLISIS POR MEDIO DE LA RECTA DE CARGA

El circuito de la siguiente figura es la más sencilla de las configuraciones

de diodo y servirá para describir el análisis de un circuito con un diodo
empleando sus características reales. A continuación reemplazaremos
las características por un modelo aproximado del diodo y
compararemos las soluciones; la del circuito de la siguiente figura se
reduce a determinar los niveles de corriente y voltaje que satisfagan, al
mismo tiempo, tanto las características del diodo como los parámetros
seleccionados de la red.

Antes de revisar los detalles del trazo de la recta de carga en la gráfica

de características, tenemos que determinar la respuesta esperada del
circuito sencillo de la figura anterior. Observe en esta figura que el
efecto de la “presión” establecida por la fuente de cd es establecer una
corriente convencional en la dirección indicada por la flecha en el
sentido de las manecillas del reloj. El hecho de que la dirección de esta
corriente sea la misma que la de la flecha que aparece en el símbolo del
diodo revela que éste está “encendido” y que conducirá un alto nivel de
corriente.

MEBC. Edgar Ocxiel Ochoa Herrera. 13

 TEMA 1. Circuitos de aplicación con diodos.

En otras palabras, el voltaje aplicado produjo una situación de

polarización directa. Con la dirección de la corriente establecida, las
polaridades del voltaje a través del diodo y el resistor se pueden
superponer. La polaridad de VD y la dirección de ID revelan con claridad
que el diodo sí se encuentra en estado de polarización en directa, lo que
produce un voltaje a través del diodo de aproximadamente 0.7 V y una
corriente de 10 mA o más.

En la siguiente figura las características del diodo se colocan en el

mismo sistema de ejes como una línea recta definida por los
parámetros de la red, la cual se llama recta de carga porque la carga
aplicada R define la intersección en el eje vertical. Por consiguiente, el
análisis a seguir se llama análisis por medio de la recta de carga. La
intersección de las dos curvas definirá la solución para la red, así como
los niveles de corriente y voltaje.

MEBC. Edgar Ocxiel Ochoa Herrera. 14

 TEMA 1. Circuitos de aplicación con diodos.

Las intersecciones de la recta de carga con las características de la

figura anterior se determinan aplicando primero la ley de voltajes de
Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj, lo que da por
resultado:

Las dos variables de la ecuación (2.1), VD e ID son las mismas que las del
diodo que aparecen en los ejes de la figura anterior. Esta semejanza
permite graficar la ecuación (2.1) en las mismas características de la
figura anterior.

Las intersecciones de la recta de carga con las características se

determinan fácilmente sabiendo que en cualquier parte del eje
horizontal ID = 0 A, y que en cualquier parte del eje vertical VD = 0 V.

Si establecemos que VD = 0 V en la ecuación (2.1) y resolvemos para ID,

obtenemos la magnitud de ID en el eje vertical. Por consiguiente, con VD
= 0 V, la ecuación (2.1) se vuelve:

como se muestra en la figura anterior. Si establecemos que ID = 0 en la

ecuación (2.1) y resolvemos para VD, obtenemos la magnitud de VD en el
eje horizontal. Por consiguiente, con ID=0, la ecuación (2.1) se vuelve:

MEBC. Edgar Ocxiel Ochoa Herrera. 15

 TEMA 1. Circuitos de aplicación con diodos.

como se muestra en la figura anterior. Una línea recta trazada entre los
dos puntos definirá la recta de carga como se ilustra en la figura
anterior. Si cambia el nivel de R (la carga), la intersección con el eje
vertical también lo hará. El resultado será un cambio de la pendiente de
la recta de carga y un punto de intersección diferente entre ésta y las
características del dispositivo.

Ahora tenemos una recta de carga definida por la curva de la red y la

curva de las características definidas por el dispositivo. El punto de
intersección entre las dos es el punto de operación de este circuito.

Basta trazar una línea hasta el eje horizontal para que podamos
determinar el voltaje del diodo VDQ, en tanto que una línea horizontal
desde el punto de intersección hasta el eje vertical proporcionará el
nivel de IDQ. La corriente ID es en realidad la que circula a través de toda
la configuración en serie. En general, el punto de operación se llama
punto quiescente (abreviado “punto Q”) para reflejar sus cualidades
“fijas, inamovibles” como definidas por una red de cd.

La solución obtenida en la intersección de las dos curvas es la misma

que se obtendría por medio de una solución matemática simultánea de:

Dado que la curva de un diodo tiene características no lineales, las

matemáticas implicadas requieren el uso de técnicas no lineales. El
análisis por medio de la recta de carga antes descrito permite obtener
una solución con un esfuerzo mínimo y una descripción “pictórica” de la
razón por la cual se obtuvieron los niveles de VDQ e IDQ.

MEBC. Edgar Ocxiel Ochoa Herrera. 16

 TEMA 1. Circuitos de aplicación con diodos.

EJEMPLO: Para la configuración del diodo en serie de la siguiente figura

(a), que emplea las características de la figura (b), determine:

a).VDQ e IDQ.

b). VR.

La recta de carga resultante aparece en la siguiente figura. La

intersección entre la recta de carga y la curva de las características
define el punto Q como:

VDQ ≈ 0.78 V

IDQ ≈ 18.5 mA

MEBC. Edgar Ocxiel Ochoa Herrera. 17

 TEMA 1. Circuitos de aplicación con diodos.

El nivel de VD es ciertamente una estimación y la escala seleccionada

limita la precisión de ID. Un mayor grado de precisión requeriría una
gráfica mucho más grande y tal vez compleja de manejar.

Solución b). VR = IRR = IDQR = (18.5 mA)(500 Ω) = 9.25 V

MEBC. Edgar Ocxiel Ochoa Herrera. 18