1º Cooperación

1° Dispositivos eléctricos, diodo rectificador,

Transistor BJT, Tiristores.
Equipo: #3

• Anthony Hurtado Bautista

• Anthony Rodriguez Peñafiel
• Jordan Triviño Rendon
Contenido

1. Introducción a Semiconductores.
2. Rectificación y Fuentes de Alimentación
3. Transistor BJT
4. Aplicación de los Transistores BJT
5. Introducción a los Tiristores
 1.1 Introducción a Semiconductores.
1.6 Diodo semiconductor
1.8 Niveles de resistencia
1.12 Hojas de especificaciones de los diodos
15. Diodos Zener
16. Diodos emisores de luz
1.6 Diodo semiconductor

15. Con la ecuación (1.1) ,

determine la corriente en el
Tk = 20 + 273 = 293
diodo a 20°C para un diodo K= 11,600/n = 11,600/2 = 5800
de silicio con Is = 50nA y una KVd
−1
(5800)(0.6)
−1
polarización en directa ID = IS e
TK = 50 x10−9 e 293

aplicada de 0.6 V. = 50 x 10−9 (e11.877 - 1) = 7.197 mA

V D / ηV T
I =I (e −1)(A)
D S
1.8 Niveles de resistencia Con una corriente de 1 mA y 15 mA del diodo de la figura

1.27. Compare las soluciones y desarrolle una conclusión

30. Con la ecuación (1.4) ID (mA)
determine la resistencia de ca
general con respecto a la 30

resistencia de ca y niveles 25 ΔId

crecientes de la corriente en
20
el diodo. ΔVd

15

10

5
4
ΔV d 2 ΔId
r d=
ΔI d 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 VD (V)

ΔVd
 ∆Vd 0,72 𝑉 −0,61 𝑉
ID = 1 mA rd = = = 𝟓𝟓 Ω
∆𝐼𝐷 2 𝑚𝐴 −0 𝑚𝐴

∆Vd 0,8 𝑉 −0,78 𝑉

I = 15 mA rd =
D = =𝟐Ω
∆𝐼𝐷 20 𝑚𝐴 −10 𝑚𝐴
1.12 Hojas de especificaciones de los diodos
46. Con las características de
la figura 1.37, determine los CURVA DE REDUCCIÓN
DE POTENCIA
VOLTAJE EN DIRECTACONTRA
CORRIENTE EN DIRECTA
VOLTAJE EN INVERSA CONTRA
CORRIENTE EN INVERSA

PD – Disipación de potencia –mW

IR – Corriente en inversa – nA
IF – Corriente en directa – mA
ambiente (25°C) y a 100°C.
Suponiendo que V
permanece fijo en 0.7 V, T A – Temperatura ambiente – °C
(a)
VF – Voltaje en directa – volts
(b)
VR – Voltaje en inversa – volts
(c)

CORRIENTE EN INVERSA CONTRA CAPACITANCIA CONTRA IMPEDANCIA DINÁMICA CONTRA

¿Cómo cambia el nivel COEFICIENTE DE TEMPERATURA VOLTAJE EN INVERSA CORRIENTE EN DIRECTA

IF – Corriente en directa – mA
IR – Corriente en inversa – nA
f = 1kHz

C – Capacitancia – pF
máximo de IF entre los dos
Ica = 0.1cd

niveles de temperatura?
T A – Temperatura ambiente – °C VF – Voltaje en directa – volts RD – Impedancia dinámica –
(d) (e) (f)
T = 25 °c Pmax = 500 mW
T = 100 °c Pmax = 260 Mw
Pmax = VFIF
Pmax 500 𝑚𝑊
If = 𝑉𝐹
=
0.7 𝑉
= 714.29 mA

𝑃𝑚𝑎𝑥 260 𝑚𝑊
If= = = 371.43 mA
𝑉𝐹 0.7
 1.15 Diodos
Zener
Para un diodo Zener particular:
VZ = 29 V. IZ

V = 16.8 V, +

rZ +
+
R – 0.7 V
–
+

IZT=10 mA, –
rZ –
0.7 V

IR = 20 mAe VZ VR
10 A = IR
0.7 V

0.25 mA = IZK
VZ

IZM = 40 mA. +
+
VZ +
–
VZ
– IZT = 12.5 mA

Trace la curva característica

rZ rZ = 8.5 = ZZT
–

como aparece en la figura 1.47. rZ =

VZ
IZ
I ZM = 32 mA
1.16 Diodos emisores de luz
55. Con la información de la
figura 1.53, determine el
voltaje en directa a través del Verde Amarillo Rojo de GaAs

IF – Corriente en directa – mA
Intensidad relativa
Rojo de alta
eficiencia

diodo si la intensidad
luminosa relativa es de 1.5. Longitud de onda–nm
(d)
VF – Voltaje en directa – V
(e)

(normalizada a 10 mA de cd)
Intensidad luminosa relativa
1/4

Eficiencia relativa
(normalizada a 10 mA)
Fig. 1.53 (f) I F ≈ 13 mA
Fig. 1.53 (e) VF ≈ 2.3 V
IF – Corriente en directa – mA Ipico – Corriente pico – mA
(f) (g)
1.2 Rectificación y Fuentes de Alimentación
2.3 Configuraciones de diodos
en serie
5. Compuertas AND/OR
6.Rrectificación de media
onda
7.Rectificación de onda
completa
2.10 Diodos Zener
2.Consideraciones
generales sobre filtros
3. Filtro de capacitor
4. Filtro RC
5.Regulación de voltaje
con transistores discretos
6.Reguladores de voltaje
de circuito integrado
2.3 Configuraciones de diodos en serie
*7. Determine el nivel de Vo
para cada una de las redes
de la figura 2.152.

Vo Vo

+ –

(a) (b)
(a) Vo = 2 𝐾Ω (20 𝑉 −0.7 −0.3 𝑉)
2 𝐾Ω+2 𝐾Ω
1 1
= 2 ( 20 V – 1 V ) = 2 (19 V) = 9.5 V

10 𝑉 + 2𝑉 − 0,7𝑉) 11.3 𝑉
(b) I= 1.2𝐾Ω + 4.7 𝐾Ω
=
5.9 𝑘Ω
= 1.915 mA

V´ = IR = (1.1915 mA) (4.7 K Ω)= 9 V

Vo = V´ - 2 V = 9 V – 2 V = 7V
2.5 Compuertas AND/OR
15. Determine Vo para la red Si
de la figura 2.39 con 10 V en (1) E = 10 V
1
ambas entradas. D1

Si
(0) 0V Vo
𝑉𝑜 = 10 𝑉 − 0.7 𝑉 = 9.3 𝑉 2 D2

R 1 kΩ
2.6 Rectificación de media onda
22. Suponiendo un diodo de id
silicio (VK = 0.7 V), trace v i, v d
Ideal
e id para el rectificador de –
Vcd = 2 V
+
media onda de la figura + vd
vi
2.163. 2.2 kΩ
–
La entrada es una forma de
onda senoidal con una
frecuencia de 60 Hz.
2.7 Rectificación de onda completa
28. Un rectificador de onda completa en (a) Vm = 2 (120 V) = 169.7 V

configuración de puente con una VLm = Vim – 2VD

entrada senoidal de 120 V rms tiene un = 169. 7 V – 2(0.7 V)=169.7 V – 1.4 V
resistor de carga de 1 kΩ. = 168.3 V
Vdc = 0.636 ( 168.3 V ) = 107.04
a.Si se emplean diodos de silicio, ¿cuál
es el voltaje disponible en la carga?
(b) PIV =Vm+VD= 168.3 V+ 0.7 V = 169 V
b.Determine el valor nominal de PIV de
cada diodo. 𝑉𝑙𝑚 168.3 𝑉
(c) ID(max) = = = 168.3 mA
𝑅𝑙 1 𝑘Ω
c.Encuentre la corriente máxima a
través de cada diodo durante la
(d) Pmax = VDID = (0.7 V) Imax
conducción.
= (0.7 V) ( 168.3 mA)
d.¿Cuál es la potencia nominal = 117.81 mW

requerida de cada diodo?

2.10 Diodos Zener
*44. Para la red de la figura
2.183, determine el intervalo
de Vi que mantendrá VL a 8 V
y que no excederá la potencia Vi
nominal máxima del diodo
Zener.
PZmáx
15.2 Consideraciones generales sobre filtros
4. ¿Cuál es el voltaje de rizo
RMS de un rectificador de
onda completa con un voltaje
de salida de cd de 8V?
15.3 Filtro de capacitor
7. Se conecta un voltaje
rectificado de onda completa
de 18 V pico a un capacitor
de filtrado de 400 µF.
¿Cuáles son los voltajes de
rizo y cd a través del
capacitor a una corriente de
carga de 100 mA?
15.4 Filtro RC

*16. Un filtro de capacitor

simple tiene una entrada de
40 V de cd. Si este voltaje se
alimenta a través de una de
sección de filtro RC (R = 50
Ω, C = 40 µF), ¿cuál es la
corriente de carga para una
resistencia de 500 Ω?
15.5 Regulación de voltaje con transistores discretos

*19. Calcule el voltaje de

salida y la corriente a través
(voltaje
del diodo Zener en el circuito (voltaje regulado)
regulador de la no regulado)

figura 15.42.
 15.6 Reguladores de voltaje de circuito
integrado

26. Determine el voltaje VENTRADA VSALIDA

regulado en el circuito de la LM317

figura 15.30 con R1 = 240 Ω y AJUS

AJUS
VENTRADA
R2 = 1.8 kΩ.
AJUS
1.3 Transistor BJT
3. Operación del transistor
4. Configuración en base común
5. Acción amplificadora del transistor
6. Configuración en emisor común
3.10 Prueba de un transistor
3.3 Operación del transistor
9. Si la corriente en el emisor
de un transistor es de 8 mA e
IB es de 1/100 de IC,
determine los niveles de IC e
IB.
3.4 Configuración en base común
15. a. Dada αcd de 0.998,
determine IC si IE = 4 mA.
b. Determine αcd si IE = 28 mA
e IB = 20 mA.
c. Encuentre IE si IB = 40 µA y Ic = aIE = (0.998)(4 mA) = 3.992 mA
αcd = 0.98. IE =Ic+Ib→ Ic = IE – IB = 2.8 mA – 0.02 mA =2.78 mA
𝑎 0.98
Ic BLB= IB = (40 uA) = 1.96 mA
1−𝑎 1−0.98

𝐼𝑐 1.96 𝑚𝐴
IE = = = 2 mA
𝑎 0.993
3.5 Acción amplificadora del transistor
17. Calcule la ganancia de
voltaje (Av = VL/Vi) para la red
de la figura 3.8 si Vi = 500 mV
y R = 1 kΩ. (Los demás
valores del circuito no
cambian.)
3.6 Configuración en emisor común
*21. a. Para las características en
emisor común de la figura 3.14,
determine la beta de cd en un punto IC (mA)
8
de operación de VCE = +8 V e IC = 2 7
90 µA
80 µA

mA. 6
70 µA
60 µA
100
IB (µA) VCE = 1 V
VCE = 10 V

b. Determine el valor de α
50 µA 90 VCE = 20 V
40 µA 80
4 70
30 µA

correspondiente a este punto de Región de saturación 5

3
Región activa
20 µA
60
50
40

operación. 2

1
10 µA
30
20
10
IB = 0 µA

c. En VCE = +8 V, determine el valor 0

VCEsat
5 10 15
Región de corte
ICEO =~ ICBO
20 VCE (V) 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 VBE (V)

correspondiente de ICEO. (a) (b)

d. Calcule el valor aproximado de ICBO

con el valor de beta de cd obtenido en
la parte (a).
 𝐼𝑐 2 𝑚𝐴
ß = = = 117.65
𝐼𝐵 17 𝑢𝐴
ß 117.65
a= = 117.65+1 = 0.992
ß+1
Iceo = 0.3
ICBO = (1-a) Iceo
= (1-0.992)(0.3 mA) = 2.4uA
3.10 Prueba de un transistor
39. a. Tomando como base las 20 mA
características de la figura 3.24, 18 mA Vertical
80 µA por división
determine ꞵcaen IC = 14 mA y VCE = 3 V. 16 mA
2 mA
70 µA

b.Determine ꞵcden IC = 1 mA y VCE = 8 V. 14 mA

60 µA Horizontal
por división
12 mA
c.Determine ꞵcaen IC = 14 mA y VCE = 3 V.
1V
50 µA
10 mA

d.Determine ꞵcden IC = 1 mA y VCE = 8 V. 8 mA

40 µA
Por escalón
30 µA 10 µA

e.¿Cómo se comparan el nivel de ꞵcay el 6 mA

20 µA
de ꞵcden cada región? 4 mA gm
por división
10 µA
2 mA 200
f. ¿Es válida la aproximación ꞵcd= ꞵca 0 mA
0 µA

para este conjunto de características? 0V 1V 2V 3V 4V 5V 6V 7V 8V 9 V 10V

(e) En ambos casos, βdc es ligeramente superior a βac
(≅ 10%)

(f) (son relativamente cercanos.

1.4 Aplicación de los Transistores BJT
3. Configuración de polarización fija
4. Configuración de polarización de emisor
5.Configuración de polarización por medio del divisor de
voltaje
6. Configuración de realimentación del colector
4.16 Técnicas de solución de fallas
4.3 Configuración de polarización fija
1. Para la configuración de
polarización fija de la figura
IC
4.108, determine: Q

a. IBQ.
b. ICQ VC
+
c. VCEQ VB
VCEQ
d. V .
C IBQ _
e. VB.
VE
f. VE
4.4 Configuración de polarización de
emisor
6. Para el circuito de
polarización estabilizado por
emisor de la figura 4.112,
determine:
ICQ
a. I BQ VC
+
VB
b. ICQ. VCEQ
c.V CEQ. IBQ _
VE
d. VC.
e. VB.
f. VE.
4.5 Configuración de polarización por
medio del divisor de voltaje
14. Dada la información que VCC

aparece en la figura 4.117,

determine:
R1
IC
a. IC
+
b. VE
VCE
VB
c. VCC VE

d. VCE
e. VB
f. R1
4.6 Configuración de realimentación
del colector
23. Para la red de
realimentación de voltaje de
la figura 4.120, determine:
a. IC VC
IC +
b. VC
VCE
c. VE _
VE

d. VCE
4.16 Técnicas de solución de fallas
*48. Las lecturas que aparecen
en la figura 4.140 revelan que 16 V 16 V

las redes no están funcionando 91 kΩ

3.6 kΩ
91 kΩ
3.6 kΩ

correctamente. Sea específico VB = 9.4 V

al describir por qué los niveles b = 100 2.64 V b = 100

obtenidos reflejan un problema 18 kΩ

1.2 kΩ
18 kΩ
4V

1.2 kΩ
con el comportamiento
esperado de la red. En otros
(a) (b)
términos, los niveles obtenidos
reflejan un problema muy
específico en cada caso.
1.5 Introducción a los Tiristores
17.3 Operación básica de un rectificador controlado de silicio
17.6 Aplicaciones del SCR
11. Diac
12. Triac
13. Transistor de monounión
17.3 Operación básica de un rectificador
controlado de silicio
2. Describa dos técnicas para
apagar un SCR.
Hay dos métodos básicos para provocar la apertura el dispositivo: interrupción de corriente anódica y
conmutación forzada En la Figura se observa cómo la corriente anódica puede ser cortada mediante un
interruptor. El interruptor en serie simplemente reduce la corriente a cero y hace que el SCR deje de conducir. El
interruptor en paralelo desvía parte de la corriente del SCR, reduciéndola a un valor menor que IH.
En el método de conmutación forzada, se introduce una corriente opuesta a la conducción en el SCR. Esto se realiza
cerrando un interruptor que conecta una batería en paralelo al SCR y de polaridad opuesta. Un método muy
peculiar es disminuir la corriente del circuito por abajo de la corriente de mantenimiento.
17.4 Características y valores nominales
del SCR
*4. a. A altos niveles de corriente de
compuerta, ¿a qué características de un
dispositivo de dos terminales se asemejan
las características de un SCR?
b. A un voltaje fijo de ánodo a cátodo menor
que V(BR)F* ¿cuál es el efecto en el
encendido del SCR a medida que se reduce
la corriente de compuerta a partir de su
valor máximo hasta el nivel cero?
c. A una corriente de compuerta fija mayor
que IG = 0, ¿cuál es el efecto en el
encendido del SCR a medida que el voltaje
de compuerta se reduce a partir de V(BR)F*?
d. Para niveles crecientes de IG, ¿cuál es el
efecto en la corriente de mantenimiento?
b) El SCR no se disparará una vez que la
corriente de la puerta se reduzca a un nivel
que cause la región de bloqueo hacia
adelante para extenderse más allá del
voltaje elegido de ánodo a cátodo. En en
general, a medida que IG disminuye,
aumenta la tensión de bloqueo necesaria
para la conducción.
(c) El SCR se disparará una vez que el
voltaje de ánodo a cátodo sea menor que el
bloqueo directo región determinada por la
corriente de puerta elegida
17.11 Diac
14 Si VBR2 es de 6.4 V,
determine el intervalo para
VBR1 utilizando la ecuación
(17.1) VBR1 = VBR2 ± 0.1VBR2
17.12 Triac

Utilizando cualquier
referencia que requiera,
encuentre una aplicación de
un triac y explique el
comportamiento de la red.
El triac es fácil de usar y ofrece ventajas de coste sobre el uso de dos tiristores para muchas
aplicaciones de baja potencia. Cuando se necesitan potencias superiores, casi siempre se utilizan
dos tiristores colocados en "anti-paralelo".

Son múltiples los usos del triac, pero por citar algunos:

- Para reguladores de luz.

- Para controles de velocidad de un ventilador eléctrico.

- Para el controles de motor pequeños.

- Para el control de pequeños electrodomésticos.

- Para el control de temperatura, control de iluminación, control de nivel de líquido, los circuitos de
control de fase, interruptores de potencia, etc.

Estas son algunas de sus principales aplicaciones.

 17.13 Transistor de monounión
17. Para un transistor de
monounión con VBB = 20 V, η
= 0.65, RB1 = 2kΩ (IE = 0) y
VD = 0.7 V, determine:
a) RB2
b)RBB
c)VRB1
d)VP