Universidad Católica de la Santísima Concepción

Facultad de Ingeniería
Ingeniería Civil Eléctrica

Laboratorio N° 1
Electrónica de Potencia – IN1181C

Sección: Sección 1

Alumnos: Yohn Millalonco

Sebastian Figueroa

Fecha: Viernes 01 de Noviembre

Profesor: Pedro Eduardo Melin Coloma

Resultado de Aprendizaje:

Evalúa la operación de distintos semiconductores de potencia para su uso en distintas

aplicaciones industriales/comerciales y su evaluación de desempeño

Objetivo de Aprendizaje:

Conocer los tipos de pérdidas en semiconductores del tipo diodo e IGBT.

Calcular las pérdidas de conmutación en un diodo e IGBT.

Calcular las pérdidas de conducción en un diodo e IGBT.

Trabajo de laboratorio:

Utilizando el programa Octave online se cargó los archivos entregados por el profesor, que
contenía las fases de conmutación y conducción, en semiconductores del tipo diodo e IGBT.

A través del código “Lab01_diodo.m” se obtiene los gráficos de corriente, voltaje y potencia, del
diodo en conducción y conmutación.

A través del código “Lab01_igbt.m” se obtiene los gráficos de corriente, voltaje y potencia, del
IGBT en conducción y conmutación.

Se determinó los tiempos de conducción a corte y tiempo de corte a conducción a través de las
gráficas obtenidas.

Se determinó la energía disipada en los dos semiconductores.

Octubre 2021
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Desarrollo:

Pérdidas en un diodo.

Gráficos de voltaje, corriente y potencia disipada en un diodo.

A continuación, se presenta los resultados de las gráficas obtenidas en este laboratorio del diodo,
primero cuando se encuentra en conducción y posteriormente en la conmutación de “corte a conducción”
y finalmente la de “conducción a corte”, además de sus respectivos análisis:

Diodo en conducción:

Fig. 1 Diodo en conducción.

Análisis figura 1:

En los gráficos de la figura 1 se puede observar los niveles de conducción que posee el diodo.
En el primer gráfico se observa la relación de voltaje y corriente en el diodo, el segundo gráfico muestra
el voltaje del diodo, el cual posee un voltaje de caída de 7 Volts, que se asocia al tipo de material, debido
a que no es un diodo ideal (diodo ideal posee tensión de caída nula en conducción).

El tercer gráfico representa la corriente en conducción en el diodo, esta es de 80 [A]. El ultimo

gráfico mide la potencia disipada por el diodo en conducción, que corresponde a 560 [W].

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Conmutación del Diodo off-on:

Fig. 2 Conmutación del Diodo off-on

Análisis figura 2:

En estos gráficos se observa el diodo, cuando conmuta de corte a conducción, es decir de “off”
a “on”.

En el segundo grafico se tiene el comportamiento del voltaje, se observa que el diodo inicialmente
se encuentra en corte, lo cual impide el paso de voltaje y al momento de conmutar, el voltaje comienza
a aumentar desde -400(V), hasta llegar a 0(V) en conducción.

En el tercer grafico se tiene el comportamiento de la corriente, como el diodo estaba en zona

inversa en los -400 [V] la corriente circulando por el diodo es de 0 [A]. Al momento de conmutar y el
voltaje comienza a acercarse a 0 (V), la corriente empieza a elevarse hasta los 80 [A].

En el último grafico se tiene la potencia disipada, la cual aumenta en el diodo cuando comienza
a circular corriente, es decir, esta supere los 0 (A).

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Conmutación del Diodo on-off:

Fig. 3 Conmutación del Diodo on-off

Análisis figura 3:

En la figura 3, se tiene el caso contrario al observado en la figura 2, ya que ahora se analiza

cuando el diodo conmuta de conducción a corte, es decir de “on” a “off”.

Se observa en el segundo gráfico que el voltaje del diodo disminuye de una tensión cero hasta
llegar a los -400 [V], esto significa que el diodo se polariza en inversa, con la finalidad de que cuando se
aplica una tensión inversa se fuerza la anulación de la corriente.

Se observa que, en el tercer gráfico, la corriente desciende hasta aproximadamente los -50 [A]
(corriente de recuperación inversa) y luego vuelve a estabilizarse en 0 [A] para el corte. Cuando la
corriente se reduce a cero, este aun continua en conducción debido a los portadores minoritarios, ya
que estos portadores requieren de cierto tiempo para recombinarse con cargas opuestas y neutralizarse.

En el último gráfico, como la potencia es el productor entre la corriente y el voltaje, esta

aumentará en un instante hasta los 15 [kW] debido a que la corriente y la tensión del diodo aumentan
en magnitud, luego la potencia vuelve a cero.

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Tabla con el tiempo de conducción a corte (toff) y el tiempo de corte a conducción (ton)
en el Diodo.

Etapas / Tiempos (s) Inicio Fin

Corte a conducción (𝑡𝑜𝑛 ) 3,6 ∗ 10−8 8 ∗ 10−8

Conducción a corte (𝑡_𝑜𝑓𝑓) 1 ∗ 10−8 2 ∗ 10−7

Estos valores de tiempo fueron obtenidos a través de las gráficas de las potencias instantáneas
del diodo en las etapas de la conmutación. Mencionar que son valores aproximados.

Para los tiempos de corte a conducción (𝑡𝑜𝑛 ) se tiene que el inicio del paso de la corriente por el
diodo parte en los 3,6 ∗ 10−8 segundos y finaliza en los 8 ∗ 10−8 segundos donde estará la etapa de
conducción.

En los tiempos de conducción a corte (𝑡𝑜𝑓𝑓 ), el inicio del corte comienza a los 1 ∗ 10−8 segundos
y finaliza en los 2 ∗ 10−7 donde dejara de circular corriente por el diodo.

Energía disipada en el Diodo, para cada condición de operación graficado.

Para el cálculo de la energía disipada en el diodo se utilizó el programa Octave, en el cual se

visualizó y analizo la gráfica de la potencia disipada, del cual se obtuvo un rango de tiempo para así,
una vez que tenemos el rango de tiempo y potencia se procede a utilizar el comando “trapz”, el cual
permite calcular el área bajo una curva mediante el método trapezoidal, formando un vector, que en este
caso fue de tiempo y potencia.

Etapas Energía disipada [J]

Conducción 0.016800

Diodo ON 9,24*10^-6

Diodo OFF 8.75*10^-4

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Pérdidas en un IGBT

Gráficos de voltaje, corriente y potencia disipada en un IGBT.

A continuación, se presenta los resultados de las gráficas obtenidas en este laboratorio del IGBT,
primero en conducción y posteriormente en la conmutación de “corte a conducción” y posteriormente la
de “conducción a corte”, además de sus respectivos análisis:

IGBT en conducción:

Fig. 4 IGBT en conducción.

Análisis figura 4:

En los gráficos de la figura 4 se puede apreciar los niveles de conducción para un semiconductor
del tipo IGBT, en el primer grafico se representa la relación voltaje corriente del dispositivo en
conmutación, en el segundo grafico se da a conocer el voltaje colector-emisor del IGBT siendo
aproximadamente de 1,7 [V].

El tercer gráfico se observa la corriente de conducción del IGBT teniendo un valor de 80 [A], y
por último se da conocer el valor de la potencia disipada por el semiconductor aproximadamente de
137 [W].

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Conmutación del IGBT off-on:

Fig. 5 Conmutación del IGBT off-on.

Análisis figura 5

De los gráficos de la figura 5, se analizará en este caso el estado de conmutación del IGBT
cuando pasa de corto a conducción, es decir de “off” a “on”.

En la primera grafica la relación voltaje corriente, en el siguiente grafico se aprecia el voltaje

colector emisor cuando se encuentra en estado off, en ese momento se encuentra en 400 [V] y cuando
comienza a conducir desciende hasta los 0 [V].

En el siguiente grafico se aprecia la corriente de conducción, la cual parte en corte a 10 [A] y

cuando conduce alcanza un pick de 130 [A] y luego desciende paulatinamente.

Por último, la potencia disipada por el dispositivo alcanza un peak de 50 [kW].

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Conmutación del IGBT on-off:

Fig. 6 Conmutación del IGBT on-off.

Análisis figura 6

En la figura 6, se tiene el caso contrario al observado en la figura 4, ya que ahora se analiza

cuando el semiconductor IGBT conmuta de conducción a corte, es decir de “on” a “off”.

En la primera grafica se tiene la relación voltaje y corriente, en la segunda gráfica se observa el

voltaje de colector-emisor se encuentra en 0 [V] en conducción y cuando conmuta a corte (off) alcanza
los 400 [V].

En la tercera gráfica se muestra que la corriente de conducción es de 80 [A] y cuando esta

conmuta, es decir, pasa al estado off la corriente desciende hasta alcanzar los 0 [A], y por último la
potencia disipada por el IGBT alcanza un valor aproximado de 31 [kW].

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Tabla con el tiempo de conducción a corte (toff) y el tiempo de corte a conducción (ton)
para el semiconductor IGBT.

Etapa / tiempo (s) Inicio Fin

Corte a conducción (ton) 0,5 ∗ 10−8 3,5 ∗ 10−8

Conducción a corte (toff) 1,3 ∗ 10−8 3,7 ∗ 10−8

En primera instancia el estado de corte a conducción para el IGBT empieza en un tiempo

aproximado de 0,5 ∗ 10−8 [𝑠] cuando la corriente de fuga con valor de 10 [A] comienza a aumentar,
mientras que el voltaje permanece constante en 400 [V], el cambio repentino de voltaje llega en el
instante de tiempo de 3,5 ∗ 10−8 [𝑠] donde comienza a disminuir hasta llegar a los 0 [V], en cambio la
corriente llega hasta un peak de 130 [A] la cual presenta una pequeña disminución hasta los 100 [A]
donde permanece constante en conducción.

Comienza el estado de conducción a corte para el semiconductor aproximadamente a los 1,3 ∗

10−8 [𝑠] de esta forma el voltaje comienza a aumentar, para el caso de la corriente esta se mantiene de
manera constante en 80 [A] hasta que el voltaje alcanza los 400 [V] que es cuando la corriente comienza
a disminuir en un tiempo cercano a 3,7 ∗ 10−8 [𝑠] donde se alcanza el valor de los 0 [A].

Energía disipada en el IGBT, para cada condición de operación graficado.

Para el cálculo de la energía disipada, se utilizó el comando “trapz”, el cual determina el área
debajo de la cuerva mediante coordenadas en el eje x e y, en este caso se utilizó el eje x como el tiempo
y el eje y como la potencia.

Toda la energía disipada se puede traducir a perdida, se puede ver que el IGBT ON es el que
menos pérdidas tiene ya que su energía disipada es mucho más pequeña que IGBT OFF.

Etapas Energía disipada [J]

Conducción 2,270 ∗ 10−3

IGBT ON 8.56*10^-4

IGBT OFF 1.039*10^-3

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Comparar los puntos anteriores entre cada semiconductor estudiado en este laboratorio.

La primera comparación fue en las gráficas de corte a conducción en ambos semiconductores.

En el diodo no conduce en zona inversa, en cambio el IGBT no conduce en su totalidad en zona directa,
es decir que no trabaja con voltajes negativos; agregar a lo anterior el valor de la potencia es mucho
mayor en el diodo, que en el IGTB, y esto se debe al mayor valor de su voltaje.

Una comparación clave en ambos dispositivos es la corriente de fuga en sus respectivas etapas
de conmutación. En el diodo la corriente de fuga ocurre cuando la conmutación es de ON – OFF
(conducción a corte). En cambio, el IGBT posee corriente de fuga en la conmutación OFF – ON (corte a
conducción).

En cuanto a los gráficos de las corrientes, cabe recalcar que el diodo tiene recuperación inversa
cosa que no se ve en el IGTB, junto con ello decir que la corriente en el mismo nunca es negativa en
algún tiempo de la gráfica.

La comparación entre los semiconductores es que el diodo disipaba más energía en el nivel de
conducción, en comparación al Diodo, por ende tenia mas perdidas.

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Conclusiones:

Conclusión (diodo):

Con los resultados observados en las gráficas del diodo, se logró comprender como actúa su
funcionamiento como interruptor, y la relación que tiene el voltaje y corriente en las etapas de
conmutación y conducción.

Se observó en el gráfico de la corriente de Diodo OFF, la recuperación inversa de la misma y

esta se presentaba como una recuperación suave en la medida que aumenta el tiempo esta disminuye
hasta ser negativa para luego tomar una curva y llegar a 0.

Además, se analizó la potencia disipada del diodo en cada etapa, la cual refleja las pérdidas por
conducción del diodo (debido a que no es un diodo ideal, este generara pérdidas).

Junto con ello, se observó que el tiempo de recuperación del diodo fue muy rápido alrededor de
los 130ns (entre 20ns hasta 150ns) aproximadamente.

En cuanto a la energía disipada se puede decir, que el Diodo presenta más energía disipada en
la etapa de conducción, y esto se traduce directamente en perdida, ahora si se hace un análisis diodo
on con diodo off, claramente se tienen más perdidas en diodo off.

Conclusión (IGBT):

Con lo observado en las gráficas y análisis del IGBT en sus etapas de conmutación y conducción,
se logró entender como es su funcionamiento y las perdidas por conducción que posee en cada una de
las etapas, además se observó que el IGBT no trabaja con voltajes negativos.

El pick de potencia disipada por el IGBT fue muy superior al diodo, alcanzando 30KW (17KW el
diodo) en la conmutación conducción a corte y 50KW (550W el diodo) en la conmutación corte a
conducción. Sin embargo, en la etapa de conducción el IGBT disipo solo 137W, comprado con los 560
W que disipo el diodo.

De los análisis del grafico de potencia se pudo obtener la energía disipada, la cual informaba que
periodo tenía más perdidas era cuando el IGBT se encontraba en conducción e IGBT OFF.

Considerar que el IGTB, tiene menos perdidas que el Diodo en el periodo de conducción por lo
cual es más eficiente, esto según los resultados obtenidos en la tabla de energía.

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Evaluación:

ITEM Descripción Valoración Evaluación

Desarrollo
Descripción de cada actividad 0.8 (0.1 por actividad descrita)

Presentación de todos los gráficos de 0.6 ( 0.1 por cada set de gráficos por
laboratorio, incluyendo sus análisis condición de operación y su análisis)

Tabla de tiempos de los 0.6 ( 0.3 por tabla de semiconductor)

semiconductores, y su análisis

Tabla de energía disipada por 0.6 ( 0.3 por tabla de semiconductor)

semiconductor, y su análisis

Comparación entre los semiconductores 0.4 (0.2 por comparación entre las
en función de las tablas desarrolladas tablas desarrolladas)

Conclusiones
Conclusiones obtenidas mediante 3 ( 1.5 por conclusión valida )
pensamiento, en base a los datos
obtenidos en laboratorio.
Punto Base Punto base según reglamento UCSC 1 1
Nota Nota de la Actividad 7

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