LABORATORIO 3

ANÁLISIS DE SALIDA Y CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN

DEL IGBT

Objetivos
Los objetivos de este laboratorio son:
 Analizar las características de transferencia del IGBT en el simulador de circuitos
ORCAD.
 Analizar las características de conmutación del IGBT en el simulador de circuitos
ORCAD.

Teoría
Hay dos maneras para modelar un IGBT: (1) modelo compuesto y (2) modelo por ecuaciones.
El modelo compuesto conecta los modelos del BJT y MOSFET de SPICE en una
configuración Darlington y usa sus propias ecuaciones fig. 3.1. El modelo por ecuaciones
implementa las ecuaciones basadas en la física y modela las portadoras y carga interna para
simular el circuito del IGBT.

Fig. 3.1 Circuitos equivalentes para modelo SPICE del IGBT.

La mayor inexactitud en las propiedades eléctricas dinámicas esta asociado con el modelo de
la capacitancia del drenador a compuerta del MOSFET de canal-n. Durante la conmutación
en alta tensión, la capacitancia de drenador a compuerta 𝐶𝑑𝑔 cambia su magnitud al doble
debido a cambios en la tensión de drenador-compuerta 𝑉𝑑𝑔 .
 𝜀𝑠𝑖 𝐶𝑜𝑥𝑑
𝐶𝑑𝑔 =
2𝜀𝑠𝑖 𝑉𝑑𝑔
√ 𝐶 + 𝐴𝑑𝑔 𝜀𝑠𝑖
𝑞𝑁𝐵 𝑜𝑥𝑑

La librería BREAKOUT del ORCAD viene con un dispositivo IGBT, ZbreakN, y la librería
EVAL viene con uno real IXGH40N60.

Procedimiento
A. Característica de transferencia 𝑖𝐶 = 𝑓(𝑣𝐺 ) del IGBT
1. Construir el circuito mostrado en la fig. 3.2 en el simulador ORCAD. Use el IGBT
de canal-n IXGH40N60. Proveer 𝑉𝐺 = 5𝑉 𝑦 𝑉𝐶𝐸 = 50𝑉.
2. En las opciones de simulación, seleccionar análisis DC Sweep.
3. En este análisis, 𝑉𝐺 representa la fuente de tensión independiente, cuyo valor será
variado.
4. Variar la fuente de tensión 𝑉𝐺 , de 0 a 10V en pasos de 0.1V.
5. Ejecutar la simulación y graficar la corriente de colector.
6. Luego, cambiar el valor de la fuente de tensión 𝑉𝐶𝐸 a 500V. Observe la forma de
onda de la corriente de colector. Repita los pasos anteriores para 𝑉𝐶𝐸 = 650𝑉.
Adjuntar las gráficas en una misma figura para comparación.
B. Característica estatica 𝑖𝐶 = 𝑓(𝑣𝐶𝐸 ) del IGBT
1. Considere el circuito mostrado en la fig. 3.2. Asignar una tensión 𝑉𝐺 = 6𝑉 y
𝑉𝐶𝐸 = 50𝑉.
2. En esta sección, el valor de la tensión 𝑉𝐶𝐸 debe ser variado y la corriente de
colector debe ser graficado para diferentes valores 𝑉𝐺 .
3. Varíe la fuente de tensión 𝑉𝐶𝐸 de 0 a 100V en pasos de 0.1V.
4. Ejecute la simulación y grafique la corriente de colector.
5. Repetir los pasos para 𝑉𝐺 = 7, 8, 9 𝑦 10𝑉. Adjuntar las gráficas en la misma
figura para comparación.
C. Análisis de las características de Conmutación
1. Coloque una resistencia en serie 𝑅𝐶 = 10Ω, y reemplace la fuente de tensión 𝑉𝐺
con una fuente de tensión pulsante. Proporcione a la fuente de tensión pulsante
una frecuencia de 5kHz y una relación de trabajo de 0.5. Deje la amplitud máxima
a 15V, la fuente 𝑉𝐶𝐸 a 50V.
2. Graficar la forma de onda de tensión compuerta-fuente, forma de onda de tensión
colector-emisor, y la forma de onda de la corriente de colector.
3. Graficar la forma de onda de la corriente y tensión del IGBT en el encendido y
apagado del mismo, y medir la potencia media consumida por el IGBT.
4. Incrementar la frecuencia de conmutación a 50kHz y observe las formas de onda.
 Fig. 3.2 Circuito para determinar las características eléctricas del IGBT.

Preguntas Post-Lab
1. De las gráficas obtenidas en la sección A, identificar el valor de la tensión de umbral
𝑉𝑇 . Obtener la hoja de datos para IXGH40N60. Compare los valores de tensión
umbral compuerta-emisor 𝑉𝑇 proporcionados en la hoja de datos con los obtenidos a
través de la simulación. Cuál es la diferencia?
2. De las gráficas obtenidas en la sección C, observe las formas de onda de las tensiones
y corrientes para las diferentes frecuencias mencionadas. Que les sucede a las formas
de onda a frecuencias operativas elevadas? Observar si el IGBT acepta frecuencias
de conmutación elevadas. Si no explicar porque?
3. Para operación en baja frecuencia, observe el efecto meseta del capacitor Miller.
Explicar el concepto de efecto meseta del capacitor Miller en pocas palabras.