Electrónica de Potencia

ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Laboratorio N° 2

“DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE
POTENCIA”

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DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE
POTENCIA

Objetivos
1. Observar el comportamiento de dispositivos semiconductores de potencia trabajando como
interruptores.
2. Realizar modelos matemáticos de su comportamiento en base a mediciones realizada en el
laboratorio.
3. Medir y calcular potencias consumidas en los semiconductores cuando se comportan como
interruptores.

Introducción Teórica
Los circuitos electrónicos de potencia convierten la energía eléctrica de un tipo en otro utilizando
dispositivos electrónicos. Estos circuitos funcionan utilizando dispositivos semiconductores como
interruptores, para controlar la tensión o la corriente.
Por tanto, los dispositivos semiconductores se modelan como interruptores ideales:

Dos estados:
Conducción: Los interruptores se modelan como cortocircuitos.
Corte: Los interruptores se modelan como circuitos abiertos.

Las transiciones entre estos dos estados son instantáneas.

Pérdidas de conmutación nulas.

Diodos de potencia
El diodo es el interruptor electrónico más simple. No se puede controlar, son las tensiones e
intensidades del circuito los que determinan los estados de conducción y corte.

Características dinámicas del diodo

Una característica dinámica importante de un diodo no ideal es la corriente de recuperación inversa.
Cuando un diodo pasa de conducción a corte, la corriente en él disminuye, y momentáneamente se
hace negativa.

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trr = Tiempo de recuperación inversa

Formas de onda de conmutación de un diodo real:

 Tensión directa VON: Caída de la tensión del diodo en régimen permanente.

 Tensión de recuperación directa VFP: Máxima tensión durante la conmutación a ON.
 Tiempo de subida tr≈ t1 : Tiempo necesario para que la corriente pase del 10% al 90% de su
valor nominal directo (depende del circuito externo V=LdI/dt dI/dt=V/L).
 Tiempo de recuperación inversa trr: Tiempo durante el proceso de corte en el cual la intensidad
alcanza su valor máximo (negativo) y retorna al 25% de dicho valor. Es el mayor de los tiempos
de conmutación y responsable de las perdidas.
 Carga almacenada durante trr (Qrr):

 Vrr: Tensión inversa máxima depende de la L en serie con el diodo V=LdIr/dt

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORS (IGBT)

El IGBT es una conexión integrada de un MOSFET y un BJT. El circuito de excitación del IGBT es
como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.

Como los MOSFET el IGBT tiene una alta impedancia de entrada en la puerta (gate) y necesita muy
poca energía para conmutarlo. Como los BJT tiene una caída de voltaje muy pequeña en conducción
(alta capacidad de manejar corriente).
Los IGBTs tienen tiempos de turn-on y turn-off del orden de 1_s y están disponibles para 1700V y
1200A.
El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20 Khz y han sustituido al BJT en
muchas aplicaciones.

Perdidas de potencia de los conmutadores controlados

Cuando el interruptor está en ON toda la intensidad IO pasa a través del interruptor y el diodo se
encuentra en corte Cuando el interruptor está en OFF toda la intensidad IO pasa a través del diodo que
se encuentra en conducción.
Las formas de onda de conmutación representadas son las aproximaciones lineales. Como se puede
ver en la gráfica la energía disipada en la transición OFF-ON es:

La energía disipada cuando el interruptor está en ON es:

La energía disipada en la transición ON-OFF es:

La potencia media disipada en las transiciones:

La potencia media disipada en ON:

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Preparación
Para el desarrollo de esta experiencia el alumno debe tener claro los conceptos dados en la clase
teórica, revisar sus apuntes y afianzar sus conocimientos con el texto base y la bibliografía del
curso

Equipos y Materiales
01 Osciloscopio
01 Generador de señales
01 Fuente de voltaje DC
01 Multímetro Digital
01 PC con software de simulación

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Procedimiento
Problema: Se requiere determinar la potencia que desarrolla un diodo durante un ciclo de la tensión de
la fuente de alimentación.
PARTE 1:
I. Realice la implementación del siguiente circuito mostrado y tome las mediciones siguientes: Onda
cuadrada de +10/-10V frecuencia 120Hz (Si no se observa el tiempo de recuperación aumente la
frecuencia hasta poder observarlo – R2 >600 Ohms)

Usando un solo canal del osciloscopio lo colocamos entre los terminales de R2 en la que observaremos
una señal de voltaje que posee la misma forma que la señal de corriente y cuyo valores los leeremos
en forma indirecta ( I=V/R). En la gráfica vista en el osciloscopio identifique los parámetros y mídalos.

:…………………….

:…………………….

:…………………….

:…………………….

:…………………….

:…………………….

:…………………….

Ahora colocamos el Terminal del osciloscopio en los terminales del diodo y medimos:

:…………………….

:…………………….

:…………………….

:…………………….

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Conteste las siguientes preguntas:

1. Use los valores medidos y represente en una gráfica el comportamiento tanto de la corriente como
del voltaje en él diodo.
2. Explique usted la importancia de Qrr en el funcionamiento del diodo y que sucedería si el diodo es
usado con un carga inductiva.
3. Realice el cálculo de la potencia disipada por el diodo en un ciclo de la señal, y muéstrelo en un
gráfico.

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Reporte
1. Reporte de laboratorio

Usando el modelo de reporte de laboratorio, conteste con el mayor detalle las preguntas de la parte de
procedimiento.

2. Aplicación de lo aprendido
Usando Multisim, realice la implementación del siguiente circuito mostrado y tome las mediciones de
amplitud y tiempo

Para la implementación use un transistor IGBT la resistencia RX1 Debe de ser >20Kohms y RX2
aproximadamente de 1Kohm.

Conecte los canales del osciloscopio como se muestran en el circuito; y tome las siguientes mediciones
frecuencia 20KHz:

Amplitud Vce =…………………….

tr (al 10%)= …………………………

ts(entre el 10% y el 90%) = ………………………..

tc(entre el 10% y el 90%) = ………………………..

Tiempo de conducción = ..…………………

Conecte el osciloscopio de la manera siguiente y realice las mediciones solicitadas:

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Corriente de conducción = ……………………………………..

Finalmente conecte los terminales del osciloscopio de la manera como se muestra en la figura y
usando la función del osciloscopio Ch1 X Ch2 obtenga la gráfica de la potencia. Mida amplitudes y
tiempos.

Cuestionario:
1. ¿Es posible calcular la potencia desarrollada por el transistor en un ciclo de la señal de onda
cuadrada? Describa el procedimiento.

2. ¿La grafica de la potencia vista en el osciloscopio nos da el valor real consumida en el

transistor? ¿Qué relación encuentra entre los cálculos realizados y los criterios de seguridad?

3. Escriba de manera clara sus observaciones y conclusiones respecto al laboratorio.

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