UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

Facultad de Electrotecnia y Computación

Ingeniería Electrónica

I. Tema práctica

 El Transistor BJT: Amplificador emisor común.

II. Objetivos
 Verificar el funcionamiento del transistor BJT ante señal.
 Comprender el funcionamiento del amplificador emisor común.

III. Medios a utilizar

1. Generador de función.
2. Multímetro
3.
4. Breadboard

Nota: Deberá entregar al su profesor los cálculos previos antes de comenzar a

realizar la práctica.

IV. Componentes/Dispositivos a utilizar:

Cantidad Componente
3 Resistores de 1.5 KΩ
1 Resistor de 2.2KΩ
1 Resistor de 8.2KΩ
2 Capacitores cerámicos de 1µF
1 Capacitor electrolítico de 100 µF
1 Transistor BJT 2N3904

V. Introducción

El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. Los
transistores bipolares se usan generalmente en electrónica analógica. Un transistor de
unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor,
separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
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 Colector, de extensión mucho mayor.

La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento

normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en
inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, que por ser
muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y
estado de actividad.

VI. Desarrollo de la práctica.

1) Arme el circuito mostrado en la figura 1, realice los cálculos y mediciones de la

tabla 1. Datos: β=100Ω y rb =50Ω.

Nota: Los 10mV del generador de función son 10mV pico (10mVp)

+
Vo
-

Figura 1. Amplificador emisor común.

Mediciones y cálculos para D.C. (V1 debe estar apagado).

VB(Teórico) VB(medido) VCE(Teórico) VCE(medido) IE(Teórico) IE(medido)

Tabla 1

2. Para el circuito mostrado en la figura 1, realice los cálculos y mediciones de la tabla 2.

Datos: β=100Ω y rb =50Ω.
Mediciones y Cálculos para A.C.

V1(Teórico) V1(Medido) Vo(Teórico) Vo(Medido) Vo/V1(Teórico) Vo/V1(medido)

Tabla 2
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3. Levante la carga (1.5 kΩ) en el circuito de la figura 1 y realice los cálculos y mediciones
de la tabla 3.
Mediciones y cálculos para A.C.

V1(Teórico) V1(Medido) Vo(Teórico) Vo(Medido) Vo/V1(Teórico) Vo/V1(Medido)

Tabla 3

VII. Trabajo Previo

El trabajo previo consiste en:

1. Realizar los cálculos para las tablas correspondientes.
2. Contestar las preguntas de control.

VIII. Preguntas de control:

1. ¿Cuáles son las configuraciones básicas del transistor BJT como amplificador de
una sola etapa?
2. ¿Cuáles son las características ideales de un amplificador?
3. ¿Cuál es la diferencia entre el modelo de un transistor BJT NPN para A.C. y un
transistor BJT PNP para A.C.?

VII. Conclusiones

Realice sus conclusiones a partir de la información obtenida en las tablas anteriores.