INSTITUTO SUPERIOR TECNOLOGICO PBLICO

CARLOS CUETO FERNANDINI Departamento de Electrotecnia Industrial PRCTICA DE LABORATORIO N 01

Circuitos Electrnicos I TEMA: POLARIZACION DE TRANSISTORES 1. OBJETIVOS: En este laboratorio se pretenden analizar distintas configuraciones de polarizacin y sus propiedades de estabilidad. Identificar las zonas de funcionamiento del BJT.

2. EQUIPO Y MATERIALES: Fuente de Alimentacin Regulada 01 Transistor BC 547 o BC548 01 Multimetro digital. 01 protoboard Conectores Resistores: 1K; 3.9K; 1M; 2M; 510K; 56K; 47K; 3.3K; 68K; 33K; 4.7K. de W.

3. FUNDAMENTO TERICO: El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones: Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho mayor. La tcnica de fabricacin ms comn es la de posicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.

Profesor: Lic. Jess M. lvarez Vsquez

Electrnica de Potencia

4. PROCEDIMIENTO: 4.1. Implementar el siguiente circuito. Realizar las mediciones para completar el cuadro.
VCC 9V

R1 1M

R2 3.9k

Q1

BC547A R4 1k

MEDICIN PRCTICO TERICA

VB

VC

VE

VRB

VRC

VRE

VBE

VCE

IB

IC

ZONA DE TRABAJO

4.2. Construir el siguiente circuito. Realizar las medidas correspondientes

VCC 9V R2 3.9k R1 1M Q1

BC547A R4 1k

MEDICIN PRCTICO TERICA

VB

VC

VE

VRB

VRC

VRE

VBE

VCE

IB

IC

ZONA DE TRABAJO

4.3. POLARIZACIN TIPO H: Armar el circuito de la figura.

MEDICIN PRCTICO TERICA

VB

VC

VE

VR1

VR2

VRC

VRE

VBE

VCE

IB

IC

ZONA DE TRABAJO

Medir Icq y Vceq. Completar la primer lnea del cuadro N1. (Icq y Vceq debern ser tambin calculados por el alumno en base a los datos disponibles). El casillero correspondiente a Zona de Trabajo se refiere a si el transistor se encuentra en la Zona Activa, de Corte o de Saturacin. Completar el cuadro con los valores de tericos correspondientes. De existir diferencias importantes entre los valores medidos y los calculados, se debern revisar los clculos y si el error persiste se realizar nuevamente la medicin. Utilizar el valor de hFE que figura en la hoja de datos del transistor.

4.4. Contestar las siguientes interrogantes: a. Vara la Icq si se varan R1 y R2? Por qu? b. Si aumenta Icq. Aumenta tambin Vceq? Justifique la respuesta. c. Puede Vceq tener un valor negativo? Verifique prctica y tericamente.

2. TRABAJO PARA EL ALUMNO

Consultar la hoja de caracteristicas tcnicas del fabricante de los dispositivos empleados. Calcular en forma terica ICQ y VCEQ, para cada uno de los circuitos propuestos. Realizar un cuadro comparativo de los valores obtenidos tericamente y los obtenidos en el laboratorio.

3. RESULTADOS:
Anotar sus observaciones; en caso de haber dificultades anotarlas en el informe.

4. CONCLUSIONES
Anotar sus conclusiones correspondientes.