Configuraciones de Los Transistores.-Dawrintapuyo

Instituto Superior Tecnológico
Vida Nueva
INSTITUTO SUPERIOR TECNOLÓGICO
VIDA NUEVA
SEDE MATRIZ
TECNOLOGÍA SUPERIOR EN MECANICA AUTOMOTRIZ
ASIGNATURA ELECTRÓNICA ANALÓGICA DIGITAL
CÓDIGO: 22221901
NIVEL: SEGUNDO
MODALIDAD: PRESENCIAL
JORNADA: MATUTINA
TEMA: CONFIGURACIONES DE LOS TRANSISTORES.
AUTOR/ES:
TAPUYO CHAPIRO DARWIN
DOCENTE: ING. JARA JHON
OCTUBRE 2021 – MARZO 2022
QUITO – ECUADOR
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Vida Nueva
Contenido
TEMA: CONFIGURACIONES DE LOS TRANSISTORES. ................................................ 1
1. Introducción ....................................................................................................................... 4
2. Objetivos ............................................................................................................................ 5
2.1 Objetivo general. ............................................................................................................... 5
2.2 Objetivo específico. ........................................................................................................... 5
• Identificar las regiones de operación de los transistores. ...................................................... 5
3. Desarrollo .......................................................................................................................... 6
Regiones de operación de transistores ....................................................................................... 14
Polarización de transistores ................................................................................................... 14
Región activa ...................................................................................................................................... 15

Región de saturación ......................................................................................................................... 15
Región de corte .................................................................................................................................. 16
Análisis de línea de carga de transistores .................................................................................. 17
Características de salida......................................................................................................... 17
Linea de carga........................................................................................................................ 18
Línea de carga DC ................................................................................................................. 19
Para obtener A ................................................................................................................................... 21

Para obtener B ................................................................................................................................... 21
Línea de carga de CA ............................................................................................................ 22
Línea de carga de CA y CC ................................................................................................... 24
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Vida Nueva
Métodos de polarización de transistores .................................................................................... 25
Método de resistencia base .................................................................................................... 25
4. Conclusión ....................................................................................................................... 27
5. Bibliografía ...................................................................................................................... 28
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1. Introducción
El transistor es un nuevo componente utilizado en las prácticas de electrónica. Este es un

dispositivo semiconductor de tres terminales y que se utiliza para una variedad
de funciones de control en los circuitos electrónicos.
Entre alguna de las funciones podemos incluir la amplificación, oscilación, conmutación y la

conversión de frecuencias. En el reporte siguiente podremos ver los elementos de un transistor, las
ventajas de la utilización de los transistores electrónicos, los tipos de transistores, como realizar
un test en un transistor, aplicaciones de los transistores y sus encapsulados o materiales
que están compuestos.
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2. Objetivos
2.1 Objetivo general.
• Conocer la configuración de un transistor
2.2 Objetivo específico.
• Identificar las regiones de operación de los transistores.
• Determinar Análisis de línea de carga de transistores.
• Explicar sobre los métodos de polarización de transistores.
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Vida Nueva
3. Desarrollo
Concepto:
Transistor
Después de conocer los detalles sobre una única unión PN, o simplemente un diodo, intentemos
elegir la conexión de dos conexiones PN. Si se agrega otro material tipo P o material tipo N a una
sola unión PN, se formará otra unión. Tal formación se llama simplemente como Transistor.
UNA Transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales que regula el flujo de

corriente o voltaje y actúa como un interruptor o puerta para señales.
Usos de un transistor
• Un transistor actúa como an Amplifier, donde debe aumentarse la intensidad de

la señal.
• Un transistor también actúa como switch para elegir entre las opciones
disponibles.
• También regulates el entrante current and voltage de las señales.
Detalles constructivos de un transistor
El transistor es un dispositivo de estado sólido de tres terminales que se forma conectando dos
diodos espalda con espalda. Por lo tanto tiene two PN junctions. Se extraen tres terminales de los
tres materiales semiconductores presentes en él. Este tipo de conexión ofrece dos tipos de
transistores. Son PNP y NPN lo que significa un material tipo N entre dos tipos P y el otro es un
material tipo P entre dos tipos N respectivamente.
La siguiente ilustración muestra la construcción básica de transistores.
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Los tres terminales extraídos del transistor indican Emitter, Base y Collectorterminales. Tienen su
funcionalidad como se explica a continuación.
Emisor
• El lado izquierdo de la estructura mostrada arriba puede entenderse

como Emitter.
• Esto tiene un moderate size y es heavily doped ya que su función principal
es supply un numero de majority carriers, es decir, electrones o huecos.
• Como este emite electrones, se le llama Emisor.
• Esto se indica simplemente con la letra E.
Base
• El material intermedio en la figura anterior es el Base.

• Esto es thin y lightly doped.
• Su función principal es pass la mayoría portadores del emisor al colector.
• Esto se indica con la letra B.
Coleccionista
• El material del lado derecho en la figura anterior puede entenderse como

un Colector.
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• Su nombre implica su función de collecting the carriers.
• Esto es un bit largeren tamaño que el emisor y la base. Estámoderately doped.
• Esto se indica con la letra C.
• Los símbolos de los transistores PNP y NPN se muestran a continuación.
los arrow-head en las figuras anteriores indica el emitter de un transistor. Como el colector de un
transistor tiene que disipar una potencia mucho mayor, se hace grande. Debido a las funciones
específicas de emisor y colector, sonnot interchangeable. Por lo tanto, los terminales siempre
deben tenerse en cuenta al usar un transistor.
En un transistor práctico, hay una muesca cerca del cable del emisor para su identificación. Los
transistores PNP y NPN se pueden diferenciar usando un multímetro. La siguiente imagen
muestra cómo se ven diferentes transistores prácticos.
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Hasta ahora hemos discutido los detalles de construcción de un transistor, pero para comprender
el funcionamiento de un transistor, primero debemos conocer la polarización.
Polarización de transistores
Como sabemos que un transistor es una combinación de dos diodos, aquí tenemos dos uniones.
Como una unión está entre el emisor y la base, eso se llama comoEmitter-Base junction y de
igual forma, el otro es Colector-Base junction.
Biasing está controlando el funcionamiento del circuito proporcionando fuente de alimentación.

La función de ambas uniones PN se controla proporcionando polarización al circuito a través de
algún suministro de CC. La siguiente figura muestra cómo se polariza un transistor.
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Al observar la figura anterior, se entiende que
• El material tipo N recibe suministro negativo y el material tipo P recibe

suministro positivo para hacer que el circuito Forward bias.
• El material tipo N recibe suministro positivo y el material tipo P recibe
suministro negativo para hacer que el circuito Reverse bias.
Al aplicar el poder, el emitter base junction es siempre forward biasedya que la resistencia del
emisor es muy pequeña. loscollector base junction es reverse biasedy su resistencia es un poco
mayor. Una pequeña polarización directa es suficiente en la unión del emisor, mientras que una
alta polarización inversa debe aplicarse en la unión del colector.
La dirección de la corriente indicada en los circuitos anteriores, también llamada Conventional

Current, es el movimiento de la corriente del agujero que es opposite to the electron current.
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Operación del transistor PNP
El funcionamiento de un transistor PNP se puede explicar observando la siguiente figura, en la

que la unión emisor-base tiene polarización directa y la unión colector-base tiene polarización
inversa.
El voltaje VEE proporciona un potencial positivo en el emisor que repele los agujeros en el
material tipo P y estos agujeros cruzan la unión emisor-base para alcanzar la región de la base.
Allí, un porcentaje muy bajo de huecos se vuelve a combinar con electrones libres de la región N.
Esto proporciona una corriente muy baja que constituye la corriente base.IB. Los orificios
restantes cruzan la unión colector-base, para constituir la corriente del colector IC, que es la
corriente del agujero.
Cuando un agujero llega al terminal del colector, un electrón del terminal negativo de la batería
llena el espacio del colector. Este flujo aumenta lentamente y la corriente minoritaria de
electrones fluye a través del emisor, donde cada electrón que ingresa al terminal positivo deVEE,
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se reemplaza por un agujero moviéndose hacia la unión del emisor. Esto constituye la corriente
del emisorIE.
Por lo tanto, podemos entender que:
• La conducción en un transistor PNP se realiza a través de orificios.

• La corriente del colector es ligeramente menor que la corriente del emisor.
• El aumento o disminución de la corriente del emisor afecta la corriente del
colector.
Operación del transistor NPN
El funcionamiento de un transistor NPN se puede explicar echando un vistazo a la siguiente

figura, en la que la unión emisor-base tiene polarización directa y la unión colector-base tiene
polarización inversa.
El voltaje VEEproporciona un potencial negativo en el emisor que repele los electrones en el

material tipo N y estos electrones cruzan la unión emisor-base para alcanzar la región de la base.
Allí, un porcentaje muy bajo de electrones se vuelve a combinar con los huecos libres de la
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región P. Esto proporciona una corriente muy baja que constituye la corriente base.IB. Los
orificios restantes atraviesan la unión colector-base, para constituir la corriente del colector.IC.
Cuando un electrón sale del terminal del colector y entra en el terminal positivo de la batería, un
electrón del terminal negativo de la batería VEE entra en la región emisora. Este flujo aumenta
lentamente y la corriente de electrones fluye a través del transistor.
Por lo tanto, podemos entender que:
• La conducción en un transistor NPN se realiza a través de electrones.

• La corriente del colector es mayor que la corriente del emisor.
• El aumento o disminución de la corriente del emisor afecta la corriente del
colector.
Ventajas de los transistores
• Hay muchas ventajas de usar un transistor, como:

• Ganancia de alto voltaje.
• Es suficiente una tensión de alimentación más baja.
• Más adecuado para aplicaciones de baja potencia.
• Más pequeño y liviano.
• Mecánicamente más fuerte que los tubos de vacío.
• No se requiere calentamiento externo como tubos de vacío.
• Muy adecuado para integrar con resistencias y diodos para producir circuitos
integrados.
Hay algunas desventajas, como que no se pueden usar para aplicaciones de alta potencia debido a
una menor disipación de energía. Tienen una impedancia de entrada más baja y dependen de la
temperatura.
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Regiones de operación de transistores
El suministro de CC se proporciona para el funcionamiento de un transistor. Este suministro de

CC se proporciona a las dos uniones PN de un transistor que influye en las acciones de los
portadores mayoritarios en estas uniones de emisor y colector.
Las uniones están sesgadas hacia adelante y hacia atrás según nuestro requisito. Forward
biased es la condición en la que se aplica un voltaje positivo al material de tipo py se aplica un
voltaje negativo al material de tipo n. Reverse biased es la condición en la que se aplica un
voltaje positivo al material de tipo ny se aplica un voltaje negativo al material de tipo p.
Polarización de transistores
El suministro de voltaje de CC externo adecuado se denomina biasing. Se realiza polarización

directa o inversa a las uniones de emisor y colector del transistor.
Estos métodos de polarización hacen que el circuito de transistores funcione en cuatro tipos de
regiones, como Active region, Saturation region, Cutoff region y Inverse active region(rara
vez utilizado). Esto se entiende echando un vistazo a la siguiente tabla.
Unión del emisor Cruce de colectores Región de operación
Adelante sesgado Adelante sesgado Región de saturación
Adelante sesgado Polarización inversa Región activa
Polarización inversa Adelante sesgado Región activa inversa
Polarización inversa Polarización inversa Región de corte
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Entre estas regiones, la región activa inversa, que es solo la inversa de la región activa, no es
adecuada para ninguna aplicación y, por lo tanto, no se usa.
Región activa
Esta es la región en la que los transistores tienen muchas aplicaciones. Esto también se llama
linear región. Un transistor mientras está en esta región, actúa mejor como un Amplifier.
El siguiente diagrama de circuito muestra un transistor funcionando en una región activa.
Esta región se encuentra entre la saturación y el corte. El transistor opera en la región activa
cuando la unión del emisor está polarizada hacia adelante y la unión del colector está polarizada
hacia atrás.
En el estado activo, la corriente del colector es β veces la corriente base, es decir
IC= beta IB
Donde I C = corriente del colector, β = factor de amplificación de corriente e I B = corriente de

base.
Región de saturación
Esta es la región en la que el transistor tiende a comportarse como un interruptor cerrado. El

transistor tiene el efecto de un cortocircuito en su colector y emisor. Las corrientes de colector y
emisor son máximas en este modo de funcionamiento.
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La siguiente figura muestra un transistor que trabaja en la región de saturación.
El transistor funciona en la región de saturación cuando tanto las uniones del emisor como del
colector están polarizadas hacia adelante.
En modo de saturación,
beta< frac ICIB
Como en la región de saturación, el transistor tiende a comportarse como un interruptor cerrado,
IC=IE
Donde I C = corriente del colector e I E = corriente del emisor.
Región de corte
Esta es la región en la que el transistor tiende a comportarse como un interruptor abierto. El

transistor tiene el efecto de abrir su colector y su base. Las corrientes de colector, emisor y base
son todas cero en este modo de operación.
La siguiente figura muestra un transistor que funciona en la región de corte.
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Vida Nueva
El transistor opera en la región de corte cuando tanto las uniones del emisor como del colector
tienen polarización inversa.
Como en la región de corte, la corriente del colector, la corriente del emisor y las corrientes base
son nulas, podemos escribir como
IC=IE=IB=0
Donde I C = corriente del colector, I E = corriente del emisor e I B = corriente de base.
Análisis de línea de carga de transistores
Hasta ahora hemos discutido las diferentes regiones de operación de un transistor. Pero entre
todas estas regiones, hemos encontrado que el transistor funciona bien en la región activa y, por
lo tanto, también se denomina comolinear region. Las salidas del transistor son la corriente del
colector y los voltajes del colector.
Características de salida
Cuando se consideran las características de salida de un transistor, la curva se ve a continuación

para diferentes valores de entrada.
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En la figura anterior, las características de salida se dibujan entre la corriente del colector IC y
voltaje del colector VCE para diferentes valores de corriente base IB. Estos se consideran aquí
para diferentes valores de entrada para obtener diferentes curvas de salida.
Linea de carga
Cuando se considera un valor para la máxima corriente de colector posible, ese punto estará
presente en el eje Y, que no es más que el Saturation point. Además, cuando se considera un
valor para el voltaje máximo posible del emisor del colector, ese punto estará presente en el eje
X, que es elCutoff point.
Cuando se dibuja una línea que une estos dos puntos, dicha línea se puede llamar como Load
line. Esto se llama así porque simboliza la salida en la carga. Esta línea, cuando se dibuja sobre la
curva característica de salida, hace contacto en un punto llamadoOperating point o quiescent
point o simplemente Q-point.
El concepto de línea de carga se puede entender en el siguiente gráfico.
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La línea de carga se dibuja uniendo los puntos de saturación y corte. La región que se encuentra
entre estos dos es lalinear region. Un transistor actúa como un buen amplificador en esta región
lineal.
Si esta línea de carga se dibuja solo cuando se da polarización de CC al transistor, pero no

input se aplica la señal, entonces dicha línea de carga se llama como DC load line. Considerando
que la línea de carga trazada en las condiciones cuando uninput signal junto con los voltajes de
CC se aplican, dicha línea se llama como AC load line.
Línea de carga DC
Cuando el transistor recibe la polarización y no se aplica ninguna señal en su entrada, la línea de

carga dibujada en tales condiciones puede entenderse como DCcondición. Aquí no habrá
amplificación ya que elsignal is absent. El circuito será como se muestra a continuación.
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Vida Nueva
El valor del voltaje del emisor del colector en un momento dado será
VCE=VCC−ICRC
Como V CC y R C son valores fijos, el anterior es una ecuación de primer grado y, por lo tanto,
será una línea recta en las características de salida. Esta línea se llamaD.C. Load line. La
siguiente figura muestra la línea de carga de CC.
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Para obtener la línea de carga, se deben determinar los dos puntos finales de la línea recta. Deje
que esos dos puntos sean A y B.
Para obtener A
Cuando colector emisor voltaje V CE = 0, la corriente de colector es máxima y es igual a V CC /

R C . Esto da el valor máximo de V CE . Esto se muestra como
VCE=VCC−ICRC
0=VCC−ICRC
IC=VCC/RC
Esto da el punto A (OA = V CC / R C ) en el eje de corriente del colector, que se muestra en la

figura anterior.
Para obtener B
Cuando la corriente del colector I C = 0, entonces el voltaje del emisor del colector es máximo y
será igual a V CC . Esto da el valor máximo de I C . Esto se muestra como
VCE=VCC−ICRC
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=VCC
(COMO YO C = 0)
Esto da el punto B, que significa (OB = V CC ) en el eje de voltaje del emisor del colector que se
muestra en la figura anterior.
Por lo tanto, determinamos tanto la saturación como el punto de corte y aprendimos que la línea
de carga es una línea recta. Por tanto, se puede trazar una línea de carga de CC.
Línea de carga de CA
La línea de carga de CC discutida anteriormente analiza la variación de las corrientes y los

voltajes del colector, cuando no se aplica voltaje de CA. Mientras que la línea de carga de CA
proporciona el voltaje pico a pico, o la máxima oscilación de salida posible para un amplificador
dado.
Consideraremos un circuito CA equivalente de un amplificador CE para nuestra comprensión.
De la figura anterior,
VCE=(RC//R1) timesIC
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rC=RC//R1
Para que un transistor funcione como amplificador, debe permanecer en la región activa. El punto
de reposo se elige de tal manera que la máxima excursión de la señal de entrada sea simétrica
tanto en los semiciclos negativos como en los positivos.
Por lo tanto,
Vmax=VCEQ y Vmin=−VCEQ
Donde V CEQ es el voltaje emisor-colector en el punto de reposo
El siguiente gráfico representa la línea de carga de CA que se traza entre los puntos de saturación
y corte.
Del gráfico anterior, el IC actual en el punto de saturación es
IC(sat)=ICQ+(VCEQ/rC)
El voltaje V CE en el punto de corte es
VCE(apagado)=VCEQ+ICQrC
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Por lo tanto, la corriente máxima para ese V CEQ = V CEQ / (R C // R 1 ) correspondiente es
ICQ=ICQ∗(RC//R1)
Por lo tanto, al agregar corrientes de reposo, los puntos finales de la línea de carga de CA son
IC(sat)=ICQ+VCEQ/(RC//R1)
VCE(apagado)=VCEQ+ICQ∗(RC//R1)
Línea de carga de CA y CC
Cuando las líneas de carga de CA y CC se representan en un gráfico, se puede entender que no

son idénticas. Ambas líneas se cruzan en elQ-point o quiescent point. Los puntos finales de la
línea de carga de CA son los puntos de saturación y de corte. Esto se entiende a partir de la figura
siguiente.
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De la figura anterior, se entiende que el punto de reposo (el punto oscuro) se obtiene cuando el
valor de la corriente base IB es de 10 mA. Este es el punto donde se cruzan las líneas de carga de
CA y CC.
Métodos de polarización de transistores
La polarización en los circuitos de transistores se realiza utilizando dos fuentes de CC V BB y

V CC . Es económico minimizar la fuente de CC a una fuente en lugar de dos, lo que también
simplifica el circuito.
Los métodos de polarización de transistores más utilizados son
• Método de resistencia base

• Sesgo de colector a base
• Polarización con resistencia de retroalimentación de colector
• Sesgo del divisor de voltaje
Todos estos métodos tienen el mismo principio básico de obtener el valor requerido de I B e I C de
V CC en las condiciones de señal cero.
Método de resistencia base
En este método, se conecta una resistencia R B de alta resistencia en la base, como su nombre lo
indica. La corriente de base señal cero requerida es proporcionada por V CC que fluye a través de
R B . La unión del emisor de la base está polarizada hacia adelante, ya que la base es positiva con
respecto al emisor.
El valor requerido de la corriente base de señal cero y, por lo tanto, la corriente del colector
(como I C = βI B ) se puede hacer fluir seleccionando el valor adecuado de la resistencia base RB.
Por tanto, debe conocerse el valor de R B. La siguiente figura muestra cómo se ve un método de
resistencia de base de circuito de polarización.
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Vida Nueva
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Vida Nueva
4. Conclusión
• Como ya hemos podido ver en la investigacion que hemos realizado es conocer la variedad
de aplicaciones de los transistores y su utilización
• También se deduce y podemos afirmar a qué electrodo corresponde cada patilla, bien sea:
BASE, COLECTOR o EMISOR
• hemos realizado la forma de utilizar, medir y conocer las aplicaciones de los transistores
• Y por último y no menos significativo, nos da

una idea bastante aproximada de la ganancia del transistor en
términos relativos.
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Vida Nueva
5. Bibliografía
1. https://www.bing.com/search?q=CONFIGURACIONES+DE+LOS+TRANSISTORES.&
cvid=234efb3bf5874586a28bee82303c212f&aqs=edge..69i57j0l3j69i60j69i61.686j0j1&p
glt=299&FORM=ANNTA1&PC=DCTS
2. https://isolution.pro/es/t/amplifiers/methods-of-transistor-biasing/metodos-de-
polarizacion-de-transistores
3. https://www.monografias.com/trabajos-pdf/transistores-aplicaciones/transistores-
aplicaciones.pdf
4. https://www.bing.com/search?q=transistos+introducción&qs=n&form=QBRE&sp=-
1&pq=transistos+introducción&sc=1-
23&sk=&cvid=DC7D12014B864B989CC8FD045A4D42BF&ntref=1
5. https://www.hwlibre.com/transistor-2n2222/
28

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Instituto Superior Tecnológico

TECNOLOGÍA SUPERIOR EN MECANICA AUTOMOTRIZ

ASIGNATURA ELECTRÓNICA ANALÓGICA DIGITAL

TEMA: CONFIGURACIONES DE LOS TRANSISTORES.

TAPUYO CHAPIRO DARWIN

DOCENTE: ING. JARA JHON

OCTUBRE 2021 – MARZO 2022

2.1 Objetivo general. ............................................................................................................... 5

2.2 Objetivo específico. ........................................................................................................... 5

• Identificar las regiones de operación de los transistores. ...................................................... 5

Regiones de operación de transistores ....................................................................................... 14

Polarización de transistores ................................................................................................... 14

Región activa ...................................................................................................................................... 15

Línea de carga DC ................................................................................................................. 19

Para obtener A ................................................................................................................................... 21

Línea de carga de CA y CC ................................................................................................... 24

Método de resistencia base .................................................................................................... 25

El transistor es un nuevo componente utilizado en las prácticas de electrónica. Este es un

Entre alguna de las funciones podemos incluir la amplificación, oscilación, conmutación y la

2.1 Objetivo general.

• Conocer la configuración de un transistor

2.2 Objetivo específico.

• Identificar las regiones de operación de los transistores.

• Determinar Análisis de línea de carga de transistores.

• Explicar sobre los métodos de polarización de transistores.

UNA Transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales que regula el flujo de

• Un transistor actúa como an Amplifier, donde debe aumentarse la intensidad de

Detalles constructivos de un transistor

La siguiente ilustración muestra la construcción básica de transistores.

• El lado izquierdo de la estructura mostrada arriba puede entenderse

• El material intermedio en la figura anterior es el Base.

• El material del lado derecho en la figura anterior puede entenderse como

Biasing está controlando el funcionamiento del circuito proporcionando fuente de alimentación.

Al observar la figura anterior, se entiende que

• El material tipo N recibe suministro negativo y el material tipo P recibe

La dirección de la corriente indicada en los circuitos anteriores, también llamada Conventional

El funcionamiento de un transistor PNP se puede explicar observando la siguiente figura, en la

Por lo tanto, podemos entender que:

• La conducción en un transistor PNP se realiza a través de orificios.

Operación del transistor NPN

El funcionamiento de un transistor NPN se puede explicar echando un vistazo a la siguiente

El voltaje VEEproporciona un potencial negativo en el emisor que repele los electrones en el

Por lo tanto, podemos entender que:

• La conducción en un transistor NPN se realiza a través de electrones.

Ventajas de los transistores

• Hay muchas ventajas de usar un transistor, como:

El suministro de CC se proporciona para el funcionamiento de un transistor. Este suministro de

El suministro de voltaje de CC externo adecuado se denomina biasing. Se realiza polarización

Unión del emisor Cruce de colectores Región de operación

Adelante sesgado Adelante sesgado Región de saturación

Adelante sesgado Polarización inversa Región activa

Polarización inversa Adelante sesgado Región activa inversa

Polarización inversa Polarización inversa Región de corte

El siguiente diagrama de circuito muestra un transistor funcionando en una región activa.

En el estado activo, la corriente del colector es β veces la corriente base, es decir

Donde I C = corriente del colector, β = factor de amplificación de corriente e I B = corriente de

Esta es la región en la que el transistor tiende a comportarse como un interruptor cerrado. El

beta< frac ICIB

Como en la región de saturación, el transistor tiende a comportarse como un interruptor cerrado,

Donde I C = corriente del colector e I E = corriente del emisor.

Esta es la región en la que el transistor tiende a comportarse como un interruptor abierto. El

La siguiente figura muestra un transistor que funciona en la región de corte.

Donde I C = corriente del colector, I E = corriente del emisor e I B = corriente de base.