Instituto Politécnico

Nacional
ESIME
Ingeniera en Control y Automatización
Unidad Zacatenco

Laboratorio de Electrónica

Practica 5:
“Transistor BJT como interruptor”

Alumno: Trejo Ayala Héctor Adan

Grupo: 4AM3

Profesor: Teresita Suarez Pedraza

Fecha de entrega: 07/06/21

 2

INDICE:
➢ Objetivo………………………………………………………………………3

➢ Planteamiento del problema…………………………………………….. 3

➢ Marco teórico………………………………………………………………. 4-6

➢ Materiales y Equipo……………………………………………………….. 7

➢ Desarrollo…………………………………………………………………… 8-10

➢ Resultados………………………………………………………………….. 11

➢ Conclusiones ………………………………………………………………. 11

➢ Bibliografía………………………………………………………………….. 12
 3

OBJETIVO:

Se fabricarán circuitos sencillos para comprobar diversos aspectos de un transistor, como el

funcionamiento del mismo para controlar el encendido y apagado de una carga conectada al
transistor y un diodo led, determinando previamente el valor de la resistencia de base para el
correcto funcionamiento.

Al término de la práctica podremos diseñar en este caso circuito con transistores para distintos
fines como amplificadores de corriente, rectificadores, etc.

PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA

1. Realizar el diseño de un interruptor para controlar el encendió

y apagado de una carga. Elemento principal el transistor BJT, donde se conoce
la carga y la corriente de esta, se debe de determinar el valor de la
resistencia de base, la cual es la que permite controlar la corriente de base.

Figura 1 Transistor
 4

MARCO TEÓRICO:

¿Qué es un transistor?
Se llama transistor (transfer resistor, “resistor de transferencia”) a un tipo de dispositivo
electrónico semiconductor, capaz de modificar una señal eléctrica de salida como respuesta a
una de entrada, sirviendo como amplificador, conmutador, oscilador o rectificador de la misma.

Es un tipo de dispositivo de uso común en muchos dispositivos de uso común. Los transistores
tienen su origen en la necesidad de controlar el flujo de la corriente eléctrica en diversas
aplicaciones, como parte de la evolución del campo de la electrónica.

El nombre de transistor fue propuesto por el ingeniero estadounidense John R. Pierce, a partir
de los primeros modelos diseñados. El primer transistor de contacto apareció en Alemania en
1948.

En la construcción de los transistores hoy en día se emplean materiales como germanio (Ge),
silicio (Si), arseniuro de galio (GaAs) o aleaciones de silicio y germanio o silicio y aluminio.
Dependiendo del material usado, el dispositivo podrá resistir una cantidad determinada de
tensión eléctrica y una temperatura máxima de calentamiento por resistencia.

Funcionamiento:

Los transistores operan sobre un flujo de corriente, operando como amplificadores (recibiendo
una señal débil y generando una fuerte) o como interruptores (recibiendo una señal y
cortándole el paso) de la misma. Esto ocurre dependiendo de cuál de las tres posiciones ocupe
un transistor en un determinado momento, y que son:

• En activa. Se permite el paso de un nivel de corriente variable (más o menos corriente).

• En corte. No deja pasar la corriente eléctrica.
• En saturación. Deja pasar todo el caudal de la corriente eléctrica (corriente máxima).

El transistor funciona como una llave de paso de una tubería: si está totalmente abierto deja
entrar todo el caudal del agua, si está cerrado no deja pasar nada, y en sus posiciones
intermedias deja pasar más o menos agua.
 5

Todo transistor se compone de tres elementos: base, colector y emisor. La primera es la que
media entre el emisor (por donde entra el caudal de corriente) y el colector (por donde sale el
caudal de corriente). Y lo hace, a su vez, activada por una corriente eléctrica menor, distinta
de la que modulada por el transistor.

De esta manera, si la base no recibe corriente, el transistor se ubica en posición de corte; si

recibe una corriente intermedia, la base abrirá el flujo en determinada cantidad; y si la base
recibe la suficiente corriente, entonces se abrirá del todo el dique y pasará el total de la
corriente modulada.

Se entiende así que el transistor opera como un modo de controlar la cantidad de electricidad
que pasa en determinado momento, permitiendo así la construcción de relaciones lógicas de
interconexión.

Transistores BJT:

Los transistores de unión bipolar BJT (Bipolar Junction Transistor), son dispositivos
semiconductores de estado sólido que permiten controlar el paso de corriente o disminuir
voltaje a través de sus terminales.

Los transistores BJT tienen aplicaciones en el campo de la electrónica, pero comúnmente son
utilizados como interruptores electrónicos, amplificadores de señales o como conmutadores
de baja potencia.

Estructura:

Los transistores BJT están formados por dos uniones de tipo “P y N” o bien de dos diodos
semiconductores. Existen dos tipos transistores BJT, el de tipo NPN y el PNP. Las letras hacen
referencia a las capas de material semiconductor que están construidos.

• Transistor tipo NPN: Esta formado por dos capas de material tipo “N” y separadas por
una capa tipo “P”.

• Transistor tipo PNP: Esta formada por dos capas de material tipo “P” y separadas por
una capa tipo “N”.
 6

Estos transistores cuentan con tres terminales, emisor, base y colector. La zona central se
denomina base, y las laterales emisor y colector. Estos pines se representan por la inicial del
nombre de la zona respectiva: E (emisor), B (base) y C (colector).

• La zona de E (emisor), es la más fuertemente dopada, es la zona en cargada de “emitir”

o inyectar portadores mayoritarios hacia la base.

• La B (base), tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se

trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su misión es
la de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por el emisor hacia el
colector.

• La zona de C (colector), es encargada de recoger o “colectar” los portadores inyectados

que han sido capaces de atravesar la base por parte del emisor. Es la zona con un nivel
de dopado inferior de las tres.

Para diferenciar los pines y el tipo de transistor NPN o PNP, debes identificar la terminal del
emisor, ya que esta tiene una flecha que cambia de dirección
 7

MATERIAL Y EQUIPO:

Equipo

• Multímetro digital
• Fuente de corriente directa 5V
• Fuente de corriente directa 12V
• Foco de 12V 18W

Material
• Protoboard
• Cables para conexión
• Resistencia de 1.5K, 2.2 kΩ, 330 Ω, otras
• Pinzas de corte
• 1 diodos led
• 1 Dip Switch
• 1 transistor BJT
 8

DESARROLLO:
Primeramente, para la realización de este circuito fue muy importante hacer los cálculos
previamente necesarios para definir la resistencia de base del colector y que así funcionara
correctamente, aquí tuve un problema ya que la resistencia de base necesaria era de 180 Ω y
la mas cercana que pude utilizar fue de 320 Ω. A partir de ahí se realizó el armado del circuito
como se muestra en la siguiente imagen

Apagado

Encendido

Realmente no se notaba algo fuera de lo normal con el transistor montado, lo que si era muy
evidente era que al desconectar el foco o la carga los voltajes del transistor disminuían en las
tres terminales, pero el diodo led se mantenía constante. En las siguientes imágenes se ven
las mediciones de voltajes en las terminales del transistor, debido a problemas de mi
multímetro y su fisible me fue imposible medir las corrientes de colector y emisor.
 9

VB (Voltaje de Base) VC (Voltaje de Colector)

VBC (Voltaje de Base - Colector) VE (Voltaje de Emisor)

VBE (Voltaje de Base - Emisor) VCE (Voltaje de Colector - Emisor)

Debido a los voltajes o tenciones

del transistor medidos por el
multímetro, podemos determinar
que el transistor estaba en la
región de saturación.
𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐵𝐶 +
 10

CÁLCULOS TEORICOS:

Malla de Entrada

𝑰𝑪 𝑰𝑪 𝟏. 𝟓𝑨
𝜷= 𝑰 = 𝑰𝜷 = = = 𝟏𝟓𝒎𝑨
𝑰𝜷 𝜷 𝟏𝟎𝟎

Leyes de Kirchhoff

−𝟓𝑽 + 𝑽𝑹𝑩 + 𝟏. 𝟔𝑽 + 𝟎. 𝟕𝑽 = 𝟎
𝑽𝑹𝑩 = 𝟐. 𝟕𝑽
𝑰𝜷 𝑹𝜷 = 𝟐. 𝟕𝑽
𝟐.𝟕𝑽
𝑹𝜷 = 𝟏𝟓𝒎𝑨 = 𝟏𝟖𝟎Ω ≅ 𝟑𝟐𝟎Ω

𝑰𝑪 = 𝟏. 𝟓𝒎𝑨

Malla de Salida
𝑰𝑪 ≅ 𝑰𝑬

Leyes de Kirchhoff
−𝟏𝟐𝑽 + 𝟏𝟐𝑽 + 𝑽𝑪𝑬 = 𝟎
𝑽𝑪𝑬 = 𝟎
𝑽𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 + 𝑽𝑬 = 𝟎𝑽
𝑽𝑬 = 𝟎𝑽
𝑽𝜷𝑬 = 𝟎. 𝟕𝑽

𝑽𝜷 = 𝑽𝜷𝑬 + 𝑽𝑬 = 𝟎. 𝟕𝑽

𝑽𝜷𝑪 = 𝑽𝜷 + 𝑽𝑪 = 𝟎. 𝟕𝑽
 11

RESULTADOS:

TABLA 1 Resultados Generales

𝑰𝑪 𝑰𝜷 𝑽𝑪 𝑽𝑬 𝑹𝜷 𝑽𝑹𝜷 𝑽𝑪𝑬 𝑽𝜷𝑬 𝑽𝜷𝑪 𝑽𝜷

Teórico 1.5 A 15mA 0V 0V 320 Ω 2.7V 0V 0.7V 0.7V 0.7V
Practico --- --- 0.09V 0V 320 Ω 2.59V 0.48V 0V 0.5V -0.41V
Las corrientes me fueron imposibles de medir debido a que el fusible de mi multímetro
se quemo por segunda vez.

CONCLUSIONES:
Después de haber realizado y hacer las mediciones en el circuito tuve mucha diferencia entre
los valores teóricos y prácticos, debido en mi opinión, a que las fuentes que utilice no eran
exactamente del valor marcado si no que eran de 5.10V y 12.13V respectivamente, por lo cual
considero que esa es la razón de las diferencias entre los valores

De igual forma el análisis del comportamiento del transistor se me hizo un tanto complicado y
confuso ya que como tal no vi una modificación física en el led o el foco, si no que solo se
veían al momento de medir voltajes en las terminales del transistor.
 12

BIBLIOGRAFÍA:

• AllTransistors. (2015). KSP2222A Todos los transistores. 07/06/21, de

AllTransistors Sitio web:
https://alltransistors.com/es/transistor.php?transistor=38296

• FABIAN AYALA. (2019). TRANSISTORES BJT. 07/06/21, de UNIT ELECTRONICS

Sitio web: https://uelectronics.com/transistores-bjt/

• etece. (2020). Concepto de Transistor. 07/06/21, de Concepto. De Sitio web:

https://concepto.de/transistor/