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UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE EL SALVADOR

Escuela de Ingeniería Eléctrica


MEBLEC: Modalidad de Enseñanza B-Learning Constructivista
Cuestionario de Guía de Aprendizaje 1
“Teoría de los Semiconductores”

Nombre de Estudiante: Oscar Oswaldo Ramírez Vásquez

Curso en
Modalidad
Semipresencial

MISIÓN INSTITUCIONAL
Formar profesionales con Alto Sentido
Crítico y Ético, con capacidad de Autoformación y
con las Competencias Técnico-Científicas requeridas
para Resolver Problemas mediante Soluciones
enfocadas al Desarrollo Social y Respetuosas del
Medio Ambiente

VISIÓN INSTITUCIONAL
Constituirse en modelo de calidad, diversidad de
servicios, pertinencia social e innovación, ubicándose a
nivel nacional como líder en educación semipresencial y
respeto al medio ambiente

VALORES INSTITUCIONAL
Excelencia, Perseverancia, Innovación
Respeto, Responsabilidad, Solidaridad

1
Sección A
ÍNDICE

INDICE……………………………………………………………………………………………..1

INTRODUCCION………………………………………………………………………………….2

OBJETIVOS………………………………………………………………………………………..3

CONTESTACION DEL CUESTIONARIO……………………………………………………...5-12

CONCLUSIONES…………………………………………………………………………………13

FUENTES DE CONSULTA……………………………………………………………………..14

2
Sección B
INTRODUCCIÓN

El transistor es un nuevo componente utilizado en las prácticas de electrónica. Este es un


dispositivo semiconductor de tres terminales y que se utiliza para una variedad de funciones
de control en los circuitos electrónicos.

Entre alguna de las funciones podemos incluir la amplificación, oscilación, conmutación y la


conversión de frecuencias. En el reporte siguiente podremos ver los elementos de un
transistor, las ventajas de la utilización de los transistores electrónicos, los tipos de
transistores, como realizar un test en un transistor, aplicaciones de los transistores y sus
encapsulados o materiales que están compuestos.

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Sección C
OBJETIVOS

 Exponer los principios fundamentales y sus configuraciones del transistor


de unión bipolar para el análisis de circuitos transistorizados.
 Identificar las diferencias entre un BJT, PNP y uno NPN.
 Conocer acerca de los trazadores de curvas su función y utilización.
 Analizar modelos especiales de encapsulados y conocer sus condiciones
de trabajo.

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Sección D
CONTESTACIÓN DEL CUESTIONARIO

1) Investigar a cerca del encapsulado TO 247 y agregar al menos una imagen


identificando los terminales del transistor.
TO247. Encapsulado electrónico. Dado que los chips de silicio y todos los componentes
electrónicos son muy delicados, incluso una pequeña partícula de polvo o de gota de agua
puede afectar su funcionamiento.
TRANSISTOR, NPN, 100V, 25ª, TO247
Polaridad del transistor: NPN
Collector Emitter Voltage V (br) ceo: 100V
Power Dissipation Pd: 125W
DC Collector Current: 25A
DC Current Gain hFE: 50
Transistor Case Style: TO-247
N. º of Pins: 3
Collector Emitter Voltage Vces: 1,8V
Continuous Collector Current Ic Max: 25A
Current Ic Continuous a Max: 25A
Tensión IC hFE: 15ª
Marcador: TIP35C
Full Power Rating Temperature: 25°C
Gain Bandwidth ft Min: 3MHZ
Gain Bandwidth ft Typ: 3MHZ
Hfe Min: 10
N. º of Transistors: 1
Package / Case: TO-247
Power Dissipation Pd: 125W
Power Dissipation Ptot Max: 125W
Tensión Vcbo: 100V

2) Explicar porque la unión Colector-Base suele


polarizarse en inversa en los transistores bipolares de unión.
En esencia un transistor se puede considerar como un diodo en directa (unión emisor-base)
por el que circula una corriente elevada, y un diodo en inversa (unión base-colector), por el
que, en principio, no debería circular corriente, pero que actúa como una estructura que
recoge gran parte de la corriente que circula por emisor base.

3) Explicar que es ICO.


La Ico es la corriente inversa de saturación de la unión C-B cuando la unión E-B esta en
circuito abierto (IE = 0)

4) Explicar que son los parámetros α y β.


El parámetro Alfa (α) es conocido como ganancia de corriente en DC el cual tiene un valor
aproximado de 0.98 y muy cercano a 1.
La Beta (β) es simplemente la relación entre la corriente de COLECTOR IC y la corriente de
BASE IB, o sea, cuantas veces es mayor la primera que la segunda. Dicho de manera llana,
por medio de la Beta (β) sabremos cuantas veces es mayor la corriente de colector que la
corriente de base. Se trata en cierta manera de evaluar lo “eficaz” que es el transistor
haciendo su trabajo.

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5) Utilizar las curvas de la figura 14 de esta guía y graficar e identificar la corriente de
colector para una corriente de base de 30 µA y para VCE 5 y 12.5 voltios.

6) Para la pregunta anterior, ¿Es proporcional la variación de VCE con la IC?


Si es proporcional porque a medida que el voltaje colector emisor aumenta la corriente del
colector también aumenta proporcionalmente.

7) Investigar y explicar cómo se prueba un BJT con un tester digital.


 Seleccione en el multímetro la escala de diodos.
 Observe la referencia del transistor; la mayoría de los transistores que comienzan su
referencia con las letras C y D son del tipo NPN, y los que comienzan con las letras A
y B suelen ser del tipo PNP.
 Si el transistor es NPN, entonces tome la punta positiva del tester o multímetro (punta
roja) toque y mantenga la punta sobre uno de los terminales del transistor, ahora con
la punta negativa (punta negra) toque los demás terminales. El terminal que marque
con los otros 2 terminales, será la base; de los otros 2 terminales el que marque
menor resistencia con la base, será el colector y obviamente el otro será el emisor.
Para el transistor PNP repita el mismo procedimiento pero comenzando con la punta
negativa para identificar la base del transistor.
 Una vez identificado el transistor, fíjese en las lecturas obtenidas entre la base con el
colector y el emisor, debe medir el valor de las junturas entre los terminales que
comúnmente es de 400 a 700 v.

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 Si al realizar la prueba del transistor, la lectura es 0 v el transistor esta en corto
circuito, si se obtiene alguna lectura entre colector y emisor, el transistor tiene una
fuga. Si no obtenemos ninguna lectura se debe a que el transistor se encuentra en
circuito abierto.
 Recuerde que los transistores también poseen un parámetro llamado hfe, que
representa el nivel de ganancia del transistor. Los multímetros traen la opción de
probar este parámetro; simplemente introduzca el transistor en el orden
correspondiente.

8) En la sección 3.10 del libro de Boylestad, cuarta edición, sobre la prueba de un


transistor, aquí se habla a cerca de un trazador de curvas; investigar para que sirve,
que se obtienen con estos y como se utiliza. (En nuestros laboratorios hay trazadores,
puedes pedir asesoría)
Un trazador de curvas semiconductor es una pieza especializada de equipo de prueba
electrónico utilizado para analizar las características de dispositivos semiconductores, tales
como diodos, transistores y tiristor. Basado en un osciloscopio, el dispositivo también
contiene fuentes de corriente y voltaje que se pueden utilizar para estimular al dispositivo
bajo prueba.
¿Cómo funciona?
La función es aplicar un barrido (que varía automáticamente de forma continua con el tiempo)
de tensión a dos terminales del dispositivo bajo prueba, y midiendo la cantidad de corriente
que el dispositivo permite que fluyan en cada voltaje. Este VI (voltaje contra corriente)
muestra un gráfico que aparece en una pantalla de osciloscopio. El voltaje terminal principal
a manudo se puede barrer hasta varios miles de voltios, con corrientes de carga de decenas
de amperios disponibles a voltajes más bajos. El trazador de curvas puede visualizar todos
los parámetros de interés tales como la tensión directa del diodo, la corriente de fuga inversa,
la tensión de ruptura inversa y así sucesivamente. La mayoría de los trazadores de curvas
también permiten la conexión simultanea de dos dispositivos bajo prueba; de esta manera,
dos DUTs pueden ser emparejados para un rendimiento óptimo en los circuitos (tales como
amplificadores diferenciales) que dependen de la estrecha concordancia de los parámetros
del dispositivo.

Trazador de curvas.

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9) Hacer un resumen de la Hoja de características técnicas del transistor 2N4123 en el
libro de Boylestad en la sección 3.9 de la cuarta edición.

3.9 HOJA DE ESPECIFICACIONES DE TRANSISTORES


Debido a que la hoja de especificaciones es el enlace de comunicación entre el fabricante y
el usuario, es muy importante que la información que incluye se reconozca y se entienda con
claridad. La información que se proporciona en las figuras se tomó directamente de la
publicación Small-Signal Transistors, FETs, and Diodes (Transistores de pequeña señal. FET
y diodos) que preparó la compañía Motorola Inc. EI2N4123 es un transistor npn de uso cuya
identificación de encapsulado y terminales aparecen en la esquina superior derecha de la
figura. Casi todas las hojas de especificaciones se desglosan en valores nominales máximos,
características térmicas y características eléctricas. Casi todas las hojas de especificaciones
se desglosan en valores nominales máximos, características térmicas y características
eléctricas. Las características eléctricas se desglosan después en
"encendido", "apagado" y en características de pequeña señal. Las características de
"encendido" y "apagado" se refieren a los límites de, en tanto que las de pequeña señal
incluyen los parámetros importantes para la operación en ac. Obsérvese en la lista de
valores nominales máximos que VCM max = VCEO = 30 V con lcmax= 200 mA. La disipación
máxima del colector Pcmax = PD = 625 mW. El factor de pérdida de disipación bajo el valor
máximo especifica que el valor máximo disminuye en 5 mW por el aumento de cada 1º de
temperatura por arriba de los 25ºC. En las características "apagado" lCBO se especifica como
50 nA y en las de "encendido" VCE . = 0.3 V. El nivel de hFE tiene un rango entre 50 y 150 en
lc = 2 mA Y VCE = 1 V. y un valor mínimo de 25 a la mayor corriente de 50 mA al mismo
voltaje.
Límites de operación
7.5, µA ≤ lc ≤ 200 mA
0.3V ≤ VcE ≤ 30V
VcElc ≤ 650mW

Antes de concluir esta descripción de las características, obsérvese el hecho de que no se


proporcionan las características reales del colector. De hecho, casi todas las hojas de
especificaciones que presentan la mayoría de los fabricantes omiten proporcionar las características
completas. Es de esperarse que los datos que se proporcionan sean suficientes para utilizar de
manera eficaz el dispositivo en el proceso de diseño. La hoja de especificaciones puede ser una
herramienta muy valiosa en el diseño o al utilizarla en el análisis, pero debe hacerse cualquier
esfuerzo que sea necesario para conocer la importancia de cada parámetro. Y la forma en que
puede variar con los niveles cambiantes de comente, temperatura y demás.
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10) Hacer un resumen de una página del tema 3.8 “Límites de Operación” del libro de
Boylestad cuarta edición.

3.8 LÍMITES DE OPERACIÓN


Para cada transistor hay una región de operación sobre las características, las cuales asegurarán que
no se rebasen los valores máximos y que la señal de salida exhiba una distorsión mínima. Esta región
se definió para las características del transistor de la figura Algunos de los límites de operación se
explican por sí solos, tales como la corriente máxima del colector (a la que por lo regular se hace
mención normalmente en la hoja de especificaciones como corriente continua del colector) y voltaje
máximo del colector al emisor (que a menudo se abrevia como V CEO o V (BR) CEO en la hoja de
especificaciones). Para el transistor de la figura ICmax, se especificó como 50 mA Y VCEO como 20 V.

Definición de la región lineal (sin distorsión) de operación para un transistor.

El nivel de VCE suele encontrarse en las proximidades de los 0.3 V que se especifican para este
transistor. El nivel máximo de disipación se define mediante la ecuación siguiente:
Por lo regular, se puede dibujar un estimado general de la curva real utilizando los tres puntos que se
definieron antes. Desde luego, mientras más puntos se tengan, más exacta será la curva sin
embargo, casi siempre lo único que se necesita es un estimado general. La región de corte se define
como la región por abajo de lc = ICEO. Esta región debe evitarse también si la señal de salida debe
tener una distorsión mínima. En algunas hojas de especificaciones sólo se incluye I CBO. Entonces, se
debe utilizar la ecuación lCEO = βICBO para darse una idea del nivel de corte si no se dispone de las
curvas características.
Límites de operación

Para las características de base común, la curva de potencia máxima se define mediante el
siguiente producto de cantidades de salida:

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11) Hacer un resumen de un par de páginas del Video 1 de la Secuencia Didáctica 5.

Fuentes Reguladas.

Diagrama de Bloques de una Fuente Regulada

Tal como se pueden en la figura, básicamente son cuatro etapas:


1) Transformador de alimentación, el cual adecua el voltaje desde una señal comercial de 120
VAC o una industrial a 240 VAC ambas, a 60 Hz, a una señal que se desea en la carga,
regularmente este transformador tiene características reductoras.
2) La segunda etapa es un rectificador, regularmente de onda completa que convierte la señal
alterna en una señal pulsante pero unidireccional.
3) La tercera etapa sirve para filtrar la señal rectificada unidireccional y disminuirle el valor de
rizado natural de las señales rectificadas; normalmente se utilizan Condensadores para filtrar
estas señales.
4) La cuarta etapa es, para este caso, un regulador zener compuesto por una resistencia de
entrada con características limitadoras y el propio Diodo Zener trabajando por supuesto en
su zona de regulación.

Filtro con Condensador de Entrada y Conceptos Asociados.


Nos valdremos de circuitos modelados en Proteus:

Tal como se puede


observar, el voltaje en la carga marca 17.4 voltios de CC, si vemos la señal de AC de entrada al
rectificador es 20 Vp de AC; si restamos la caída en dos de los diodos del puente rectificador, nos
queda a la salida del puente o sea a la entrada del filtro C1, 18.6 Vp, el porqué de la diferencia con la
lectura en la carga, se explicará a continuación.

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V

4A
18.6 Vp

8.33 mSeg
mSeg

V
Vp-p 4B

18.6 Vp 17.4 VDC t1 t2

mSeg

La figura 4a nos muestra la señal rectificada de onda completa con un aproximado de 18.6 VPico y
una frecuencia de 120 Hz o sea en tiempo, 8.33 mSeg.; la figura 4b, muestra la señal anterior pero
ya filtrada con un valor pico de 18.6 voltios y una señal de VDC de 17.4 lo cual es lo que marca el
medidor de la figura 3, en esta última figura también se lee un valor de voltaje V P-P el cual es de 2.5
Vpp, este valor se denomina “Voltaje de rizo pico a pico”

En la Figura 4b, también observamos dos tiempos con estos valores aproximados:
t1 = 1.5 mSeg (Diodos del puente polarizados en directa)
t2 = 6.8 mSeg (Diodos del puente polarizados en Inversa)
En el tiempo t1 se carga el condensador C1 a través de la resistencia interna de los diodos y en el t2
es el tiempo de descarga a través de RL de 10kΩ., ambos tiempos suman 8.33 mSeg.

El mismo circuito de la fig anterior pero con diferentes valores de RL pero tomando como base la de
10kΩ, la simulación nos muestra lo siguiente:

Las tres imágenes muestran valores de rizado pico a pico


Con RL 20kΩ, 1.4 Vp-p de diferente valor en función del aumento o disminución de
RL, al modelar el circuito de la figura 3 también cambia su
valor de VDC así:

- Para 20kΩ, aumenta a 18.1 Voltios.


- Para 5kΩ, disminuye a 16.1 voltios.
- Para 2kΩ, disminuye aún más, a 12.9 voltios.
Con RL 5kΩ, 4.8 Vp-p

Con RL 2kΩ, 7.8 Vp-p

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Modelaremos ahora el mismo circuito con RL 2kΩ, pero aumentando el valor del condensador a 28
µF y lograr un rizado parecido a 2.5 Vpp., el circuito es el siguiente:

Su gráfica es la siguiente:

Con RL 2kΩ y 28 uF, 2.6 Vp-p

Del primer circuito con este último, podemos concluir lo siguiente:

1) Que el voltaje de rizado pico a pico de un circuito depende tanto del valor de la carga R L
como del valor del condensador de filtro.
2) Si mantenemos fijo el valor del capacitor y disminuimos el valor de RL, el tiempo t1 aumenta,
pero t2 disminuye, la suma de estos dos tiempos se mantiene al valor de la frecuencia de la
señal rectificada.
3) Para bajar el valor de voltaje pico a pico al disminuir RL, obviamente, tenemos que aumentar
el valor del capacitor y con esto lo logramos, sin embargo, habrá que vigilar el valor del
tiempo t1 en vista que tal como se dijo, solo en esta pequeña porción de tiempo conducen los
diodos produciéndose un pico de corriente en función de este.

12
Sección E
CONCLUSIONES

Como ya hemos podido ver en el reporte hemos conocido la variedad de aplicaciones de los
transistores y su utilización en la composición de sistemas electrónicos.
También hemos realizado la forma de utilizar, medir y conocer las aplicaciones de los
transistores así como sus materiales de composición y los instrumentos para tomas
lecturas.
Al realizar las mediciones de un BJT se puede determinar:
1) La polaridad del transistor NPN (o PNP en su caso).
2) De lo que se deduce y podemos afirmar a qué electrodo corresponde cada patilla, bien
sea: BASE, COLECTOR o EMISOR.
3) Y por último y no menos significativo, nos da una idea bastante aproximada de la
ganancia del transistor en términos relativos.

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Sección F
FUENTES DE CONSULTA

 https://www.electronicaembajadores.com/datos/pdf1/sm/smtr/tip35.pdf

 https://youtu.be/LXdQIR3y5tY

 ftp://ftp.unicauca.edu.co/Facultades/FIET/DEIC/Materias/Electronica_Basica/electroni
ca_teoria_de_circuitos_6_ed_boylestad.pdf

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