Tema: Análisis DC de transistores BJT

Libro:
LIBRO SEDRA Circuitos Microelectrónicos – CAPITULO 4.6
LIBRO SEDRA Microelectronic Circuits– CAPITULO 6.3
LIBRO JAEGER Microelectronic Circuits Design– CAPITULO 5.11

Encontrar todos los voltajes de nodo y las corrientes de ramas para los circuitos aplicando
fuentes DC de voltaje sobre los transistores BJT. Para algunos ejemplos prácticos se
considera el voltaje de operación V BE=0.7 V y el voltaje de un transistor saturado de
V C E =0.2 V . Se busca determinar el modo de operación del transistor y el punto Q de
SAT

operación. El punto Q para un transistor BJT tipo NPN es el

valor DC de la corriente de colector I C y el voltaje de unión colector-emisor V CE.
Para el transistor BJT tipo PNP es la corriente de colector I C y el voltaje de unión emisor-
colector V EC .

El procedimiento para el análisis DC de transistores BJT es el siguiente:

1. Asumir que el transistor BJT opera en modo activo(amplificación).

2. Calcular los voltajes de nodo y corrientes de rama utilizando las ecuaciones
características I −V de los transistores BJT y las Leyes de Kirchhoff V =IR
3. Verificar las relaciones de voltajes en modo de operación activo
V B> V E y V C >V B ( NPN )

V BE=0.7 V

V CB >−0.4 V ( NPN )

V E >V B y V B >V C ( PNP )

V E B =0.7 V

V B C < 0.4 V ( PN P)
4. Si NO se cumplen las relaciones de voltaje para modo de operación activo, asumir
modo de operación de saturación y determinar voltajes de nodo-corrientes de rama.

V C =V E +V C E SAT

V C E =0.2 V
SAT

IC
β forced = <β
I B min

5. Si 2 terminales del transistor BJT están conectados a tierra (V BB=V EE=0 ), entonces
verificar si el transistor está en modo de operación corto

I C =I B=I E=0V C =V CC
Modelos de operación de transistor BJT