CUESTIONES Y PROBLEMAS DE TRANSISTORES

Tecnología Electrónica (ETSID-UPV) – Dep. Ing.
Electrónica
CUESTIONES Y PROBLEMAS DE TRANSISTORES
CUESTIONES Y PROBLEMAS DE TRANSISTORES ....................................................................................... 1

Cuestiones ................................................................................................................................................. 1
Problemas de transistores BJT ................................................................................................................... 8
Transistores BJT en conmutación ............................................................................................................. 17
Transistores FET y MOSFET ...................................................................................................................... 20
Transistores FET y BJT .............................................................................................................................. 25
Transistores y A.O. ................................................................................................................................... 26
Cuestiones
TEo_Prob_transistores 1. BJT
Cuando un transistor BJT está polarizado en la región de corte, las uniones base-emisor y colector emisor se
encuentran polarizadas en:
A) directo, inverso
B) inverso, directo
C) directo, directo
D) inverso, inverso
TEo_Prob_transistores 2.
Cuando un BJT está polarizado en la región de saturación, las uniones base-emisor y colector emisor se
encuentran polarizadas en:
A) directo, inverso
B) inverso, directo
C) directo, directo
D) inverso, inverso
Cuando un BJT está polarizado en la región activa, las uniones base-emisor y colector emisor se encuentran
polarizadas en:
A) directo, inverso
B) inverso, directo
C) directo, directo
D) inverso, inverso
Cuando un transistor BJT se utiliza como un interruptor opera alternativamente en
A) Región de saturación y activa
B) Región activa y de corte
C) Región de saturación y de corte
D) Solamente en la región activa
El circuito que presenta una mayor estabilidad del punto de polarización frente a variaciones de la β del
transistor es:
A) Circuito de polarización fija
B) Circuito de polarización fija con resistencia de emisor
1
Tecnología Electrónica (ETSID-UPV) – Dep. Ing. Electrónica
C) Circuito de polarización automática o de cuatro resistencias

D) Ninguno de los anteriores
Determina cual de los siguientes símbolos tiene la nomenclatura correcta.
A) B) C) D)
E C B D
Q1 Q2 Q3 Q4
B NPN B NPN E NPN G NPN
C E C S
El valor de la corriente de emisor se puede considerar aproximadamente igual a la de colector si:
A) La β del transistor es muy pequeña (β<10)
B) En la zona activa si la β del transistor es muy elevada.
C) Solo cuando el transistor está saturado.
D) Ninguna de las anteriores
Calcula el valor de la tensión en el colector del transistor en los tres casos siguientes:
17 A) 9V 18 A) 3V
9V B) 0V 9V B) 6V
C) 0.7V C) 9V
D) 0.2V D) 0V
R6 R6
1k 1k
Q5 R5 Q5
R5 1V
0V NPN
NPN 10k
10k
19 A) 9V Datos del transistor:

9V B) 0V
C) 0.7V VBE= 0.7;
D) 0.2V VBEsat=1V
R6
1k β= 200;
βsat= 90
Q5
VCEsat= 0.2V
R5
5V NPN
10k
En el circuito de la figura. ¿qué valor V1 IB IC VBE VCE
tienen IB, IC, VBE y VCE?
Datos: Vin
R1 a) 0.6mA 90mA 0.6V 20V
V1=+20V
Q1
Vin=+6V b) 0.54mA 81mA 0.6V 20V
R1=10k
2
βQ1=hFE=150 c) 0mA 0mA 6V 20V
d) 1.4mA 210mA -0.6V 20V
La ecuación de la recta de carga del V1 VCE V 1
circuito de la figura es: IC = − −
a) R1 R1
R1
V1
I C = − + VCE
R2 b) R1
V2 Q1 V V1
I C = CE −
c) R1 R1
0
0 V V1
I C = − CE +
d) R1 R1
El valor de la corriente de emisor se a) La β del transistor es muy elevada.
puede considerar aproximadamente igual b) Solo cuando el transistor está saturado.
a la de colector si: c) La β del transistor es muy pequeña (β<10)
d) Solo en la zona lineal.
El circuito que presenta la mayor estabilidad del punto de polarización frente a variaciones de la β del transistor
BJT es:
A) Circuito de polarización automática o de cuatro resistencias

B) Circuito de polarización fija
C) Circuito de polarización fija con resistencia de emisor
D) Ninguno de los anteriores

Calcula el valor de la tensión en el colector del transistor
Datos:VBE= 0.7; VBEsat=1V, β= 200;βsat= 90, VCEsat= 0.2V
9V
A) 9V
B) 0V
R6
C) 0.7V 1k
D) 0.2V
R5 Q5
0V NPN
10k

En el circuito de la figura, el valor de la corriente de base es (Vbe(on)=0.7V):
3
A) 89mA
B) 89.1 µA
C) 0.119 mA
TEo_Prob_transistores 1. BJT – ampl.

Para aumentar la corriente de salida del circuito amplificador se conecta un par de transistores a la salida del
operacional ¿Qué configuración es la correcta?
A) B)
+ 5V +5 V
+ 5V +5 V
T1 Auriculares T1
BD137
Auriculares
U1 BD137
U1
7
7
3
6 + - 3
+ -
R1 2 R1 6
2
1k TL081 1k TL081
4
4
VG1 T2 VG1 T2
BD137 BD136
- 5V -5 V
- 5V -5 V
P1 P1
100K 100K
C) D)
+5 V - 5V
+5 V
T1 + 5V
Auriculares T1
BD136 Auriculares
U1 BD137
7
U1
7
3
R1 6 + - 3
2 6 + -
R1 2
1k TL081
4
VG1 T2 1k TL081
4
BD136 VG1 T2
BD136
-5 V
- 5V
-5 V
P1 + 5V
P1
100K
100K
TEo_Prob_transistores 2. BJT-switch
¿Qué valor deberá tomar R2 para asegurar V1
que el transistor Q1 está en saturación? a) R2= 3300
Datos: b) R2=2700
• V1=10V R1 c) R2=2200
• V2= 5V d) R2=1800
• R1=100Ω R2
• βQ1=hFE=50 V2 Q1
• VBEsat=0.8V
0
0
TEo_Prob_transistores 3. BJT-switch
Dado el circuito de la figura¿Cuál de las siguientes gráficas corresponde a la evolución temporal de la tensión
de entrada (Vin) y salida (Vsal) del circuito? El transistor trabaja en conmutación (Vcesat = 0.5 V)
4
A) A
B) B
C) C
D) D
A) B)
V
10
V
Vin
Vsal
5
5
Vin
Vsal
0 0
t t
C) D)
V
V Vin
10
Vsal
5
Vin
Vsal 5
0
t 0
t
TEo_Prob_transistores 4. JFET
El máximo valor de la corriente de un JFET IDSS se da cuando VGS es igual a
A) Cero voltios
B) Tensión de estrangulamiento
C) Tensiones positivas pequeñas
D) Tensiones superiors a la tension de rupture
Para un transistor JFET canal N con IDSS = 8 mA y VP = -6 V. If VGS = -2 V, ¿Cuál es el valor de la
corriente de drenador?
A) 2.66 mA
B) 3.5 mA
C) 3.56 mA
D) 5.33 mA
Para un transistor JFET canal N con IDSS = 8 mA y Vp = -6 Volts si ID = 6 mA, ¿Cuál es el valor de la
tensión puerta surtidor?
A) -0.8 V
B) -1.5 V
C) 0.1335 V
D) -4.5 V
Un JFET es un:
5
A) Dispositivo controlado por tensión

B) Dispositivo controlado por corriente
C) Dispositivo controlado por frecuencia
D) Dispositivo controlado por potencia
A medida que la anchura del canal de un JFET disminuye, la resistencia drenador-surtidor
A) Aumenta
B) Disminuye
C) Permanece constante
D) No se ve afectada
El valor de la corriente de drenador es siempre ________ tal valor de IDSS de cada JFET.
A) Menor que
B) Igual a
C) Menor o igual a
D) Mayor que
TEo_Prob_transistores 10. MOSFET

Las siguientes curvas características corresponden a un dispositivo del tipo:
A) B) C) D)
D D D D
G G G G
T T
S S S S

El transistor MOSFET de acumulación de canal N funciona con:
A) Tensión negativa en la puerta respecto a surtidor y mucha corriente a la entrada.

B) Tensión positiva en la puerta respecto a surtidor y mucha corriente a la entrada.
C) Tensión positiva en la puerta respecto a surtidor sin corriente a la entrada.
D) Tensión negativa en la puerta respecto a surtidor y sin corriente a la entrada

Un MOSFET de enriquecimiento tiene valores de VGSth = 2 V e ID(on) = 8 mA cuando VGS = 10 V. ¿Cuál es
el valor de la k del dispositivo?
A) 0.0001
B) 0.000125
C) 80
6
D) No puede ser determinada con la información que nos dan

Para un MOSFET canal N de deplexión si IDSS = 8 mA, VP = -6 Volts y VGS = 0.8 V, ¿Cuál es el valor de la
corriente de drenador?
A) 8 mA
B) 10.25 μA
C) 10.28 mA
D) 6 mA

Para un MOSFET de deplexión con ID = 15.63 mA, VP = -4 V y VGS = +1 V. ¿Cuál es el valor de IDSS?
A) 0 mA
B) 5 mA
C) 10 mA

Para un MOSFET de deplexión canal N si VGS > 0 entonces IDSS será ________ que ID.
A) Menor que
B) Mayor que
C) Igual a
D) VGS no puede ser mayor de cero
TEo_Prob_transistores 16. JFET-MOSFET

La principal diferencia entre un JFET canal N y un MOSFET de deplexión canal N es
a) JFETs canal N pueden tener valores positivos para VGS y niveles de la corriente de drenador que
exceden el valor de IDSS
b) MOSFETs de deplexión canal N pueden tener valores positives para para VGS y niveles de la
corriente de drenador que excecen el valor de IDSS
c) MOSFETs de deplexión canal N solo pueden tener valores positivos de VGS
d) JFETs canal N solo pueden tener valores positivos de VGS
TEo_Prob_transistores 17. MOSFET-switch
Teniendo en cuenta los datos que se proporcionan, el valor mínimo de Vin Vin 10 V
para que empiece a girar el motor es:
-
Datos:
Motor
•
-3 2
VT = VGSth = +3V y K = 10 A/V R1
+
• Motor de DC 10V
• R1=10kΩ
T2
A) 10 V
B) 6V R1
C) 3V
D) -6 V
7
Problemas de transistores BJT
Calcula el punto de polarización (Q1) del transistor de la figura 1. Datos: Transistor BJT NPN; Vbe = 0,75 V y
β=100; R1=30kΩ, R2=10kΩ; R3=400Ω, R4=100Ω; Vcc=10V; Vsat = 0.2V; Vbesat =0,8 V
Calcula el punto de polarización (Q1) del transistor de la figura 1. Datos: Transistor BJT NPN; Vbe = 0,7 V y
β=100; R1=50kΩ, R2=20kΩ; R3=800Ω, R4=300Ω, Vcc=12V, Vsat = 0.2V; Vbesat =0,8 V
Calcula el rango de valores de los posibles puntos de polarización (Q1) del transistor de la figura 1. Datos:
Vcc=15; βmin=50; βtyp=110; βmax=120; Vcesat=0.2 V; Vbe=0.7 V; Vbesat=1 V; R1=200 KΩ; R2=470 K, R3=560 Ω
y R4=100Ω
En el circuito de la figura 1 VCC = 15 V , R1 =11.4 KΩ, R2 = 5.2 KΩ, R3 = 10 KΩ y R4 = 1 KΩ, Vbe=0,7 V y
β=100. Calcula la corriente de base y la de colector. Calcula Rc para que la tensión entre colector y emisor
sea igual a la mitad de la tensión de alimentación (Vce=Vcc/2). Representa gráficamente la recta de carga y
en ella el punto de polarización (Q)
En el circuito de la figura VCC = 10 V , R1 = R2 = 200 KΩ, R3 = 10 KΩ y R4 = 1 KΩ, βtípica = 300, Vbe = 0,7 V,
VCEsat = 0,2 V, Vbesat = 1 V. Se pide:
a) Puntos de corte de la recta de carga estática con los ejes.
b) Calcular el punto de trabajo del transistor
c) Calcular la ganancia de corriente en saturación
d) Sin modificar R1, R3 y R4 queremos fijar el punto Q de trabajo en la mitad de la recta de carga. ¿Qué
deberemos hacer con la R2?
Vcc
R3
R1
Q1
R2
R4
Figura 1
Calcula el punto de polarización (Q5) del 9V
transistor de la figura 2. Datos: Vbe= 0.7 V;
Vbesat=1V; β= 200; βmin= 90; VCEsat= 0.2V
R6
1k
R5 Q5
0V NPN
10k
Figura 2
8
Vcc
Calcula el valor de Vbb para que VCE =½VCC

Datos: R2
Q1 transistor BJT NPN
Vbe(SAT) = 1V y Vbe=0,75V
βmin = 50 y βtyp=100 R1
R1=100 kΩ y R2=10 kΩ Q1
Vcc=15 V Vbb
Para el circuito amplificador implementado con transistor de la siguiente figura determinar el punto de
polarización del transistor
Vcc
Datos:
Vcc=15 V
R1=R2=330 kΩ, R3=360 Ω, P=5 kΩ, a=0.2
(1-a)·P
R1
a·P T1: β=110, Vbe=0.7 V,
vs C1→∞
ve T1
C1
R2 R3
Calcula el punto de polarización (Q5) del 9V
transistor de la figura. Datos: Vbe= 0.7 V;
Vbesat=1V; β= 200; βmin= 90; VCEsat= 0.2V
R6
1k
R5 Q5
1V NPN
10k
9
9V
Calcula el punto de polarización (Q5) del R6

1k
transistor de la figura. Datos: Vbe= 0.7 V;
Vbesat=1V; β= 200; βmin= 90; VCEsat= Q5
R5
0.2 V 5V NPN
10k
El circuito representa un BJT polarizado de la +V1

forma más sencilla. El transistor tiene una
βtípica = 50.
RB RC
Se pide:
Calcular justificadamente los valores de RC y RB
para que la tensión VCE sea de 5 V y la IC de
1 mA. Tomar Vbe = 0.7 V y V1=10 V.
Dibujar la recta de carga del circuito.
En el circuito de la figura, suponiendo el transistor de silicio con una Vbe = 0.7V, y las resistencias RC =
2,2kΩ y RB = 215kΩ se pide calcular el punto Q de funcionamiento del transistor.
βtípica = 50 R1 = R2 = 1 kΩ RL = 10 kΩ
R2 C2
C1 R1
Rc RL
CARGA
Ven Rb
10V
Para el circuito mostrado en la siguiente figura, determinar el punto de polarización del transistor
10
-10V
Datos:
R1
R1=R2= 20 kΩ
R3= 1 kΩ
C1 Vbe= -0.6 V
ve
T1 hFE = 200
C1→∞
vs
R2 R3
Determinar el punto de polarización de los transistores de la siguiente figura.
12V
Datos
200
8K2 T1=T2
2K2 βtip =150
T2 VCEsat= 0.2 V
Vbe=Vbesat=1 V
1K
0.5 V
T1
Obtener el punto de polarización del transistor de la figura. Datos β=220, Veb=0.7 V
Obtener el punto de polarización del transistor de la
figura.
Datos β =100
VEB = 0.7 V
11
El circuito de la figura es un amplificador diseñado con un transistor. Obtener el punto de polarización del
transistor.
VCC = 16 V
R1 R3
3.9K
39K C3
vs
C1 1F
ve T1 Datos
1F
R2  = 100
4.7K R4 hfe = 190
1K
VBE = 0.6 V
VCEsat = 0.2 V
R5 C2
200 47F
VCC
En el circuito mostrado, halla la tensión de VB para que circule una corriente RC
de 10 mA por el zener.
RB
Q1
Nota: considerar IC = IE
VB
Datos: VCC = 10±V, RB =1 kΩ, RC = RE = 100 Ω, Vbe = 0.7 V, VCEsat = 0.2V, β
RE
= 100, VZ = 4.7V, IZmin = 1mA, PZmax = 400mW
VZ
El circuito más sencillo de polarización de un transistor
bipolar es el mostrado en la figura. Se emplea un
transistor de Si que tiene una βtípica = 50. Calcular los
valores de Rc y Rb para que la tensión VCE sea de 5 V
y la IC de 1 mA. Tomar Vbe = 0.7 V.
Para el circuito amplificador implementado con transistor de la siguiente figura determinar. Obtener los puntos
de polarización de los transistores T1 y T2
Datos: Vcc=15 V, Rb=1MΩ, Rc=2.7 kΩ, C1=C2=1 µF, T1,T2:β=110,Vbe=0.7 V
12
Vcc Vcc
Rb Rc Rb Rc
C2
C1
T1 T2
Ve
Bloque 1 Bloque 2
Determinar el punto de polarización de los transistores de la siguiente figura. Nota: empezar el ejercicio
analizando el transistor 1.
Datos
Vcc T1=T2
βtip =150
VCEsat= 0.2V
VBE= 0.7V
R1 R3 R1= 100kΩ
R5
R2= 3 kΩ
R3=10 kΩ
R4=10 kΩ
R4 R5=470 Ω
T1
T2 Vcc= 15 V
T1
R2
TEo_Prob_transistores 39. Punto Q y rectas de carga (SOL)

En el circuito amplificador en configuración de emisor-común de la figura se pide:
a) Calcular el punto Q de funcionamiento.
b) Dibujar las rectas de carga estática y dinámica.
c) Determinar la máxima tensión de salida sin distorsión.
Datos:
VBE=0.7V, β=hfe=100; hie=1kΩ;RE=150Ω; RC=500Ω;R2=1.5kΩ;R1=11.5 kΩ
Nota: la capacidad de todos los transistores tiende a infinito.
13
V cc=20V
R1 Rc
Cc
C1 Vs
Vi
R2 RE CE
Apart. A) Punto de polarización Q. (Análisis en continua)

Calculemos el equivalente de Thévenin del circuito visto desde la base del transistor
V c c =2 0V
Vcc 1.5·20
VBB = R2· = = 2 .3 V
RC
R1 + R2 11.5 + 1.5
11.5·1.5
RB = R1// R2 = = 1.32KΩ
RB
11.5 + 1.5
Analizando este circuito:
VB B RE VBB = RB ·IB + VBE + RE ·IC
Nota: se ha supuesto en la ecuación anterior que IC ≈ IE

VBB = RB ·IB + VBE + RE ·β·IB ⇒
V − VBE 2 .3 − 0 .7
IB = BB = = 0.098
RB + β·RE 1.32 + 100·0.15
IC = β·IB = 9.8mA
Analicemos ahora el circuito de colector.

VCC = (R c + R E )·I C + VCE =
VCE = 20 − (0.5 + 0.15 )·9.8 = 13.63V
Apart. B1) Recta de carga estática

VCC = (Rc + RE )·IC + VCE
Calculemos los puntos de corte con los ejes.
Para IC = 0 ⇒ VCE = VCC = 20 V

VCC
Para VCE = 0 ⇒ IC = = 30.7mA
RC + RE
VCE VCC
I= − +
RC + RE RC + RE
14
IC
IB5
30.7 mA
IB4
IB3
IB2
9.8 mA x DC
Q-point load
IB1 -lin
e VCE
13.6 V 20 V
Apart. B2) Recta de carga dinámica

Suponiendo las capacidades de los condensadores que aparecen en el circuito lo suficientemente grandes
(Ci→∝) el circuito del transistor en alterna sería el siguiente.
Lo cual
equivale a
R
C
RC
V
B
V s
R
E
Analizando este último esquema se deduce que:
Vce=-ic·Rc
VCE=VCEQ+Vce
v CE VCEQ
iC = − + I CQ + ⇒ Recta dinámica
Re RC
Calculemos los puntos de corte con los ejes
iC = 0 ⇒ v CE = VCEQ + RC ·IC = 13.63 + 0.5 + 9.8 = 18.53 V
15
IC
IB5
37 mA
ac
30.7 mA loa
d-l IB4
ine
IB3
IB2
9.8 mA x DC
Q-point load
IB1 -lin
e VCE
13.6 V 18.5 V 20 V
Apart. C) Vcemax sin distorsión= 18.53-13.63=4.9V

IC
IB5
37 mA
ac
30.7 mA loa
d-l IB4
ine
IB3
IB2
9.8 mA x DC
Q-point load
vCE IB1 -lin
e VCE
vce_max
VCE_Q 13.6 V 18.5 V 20 V
VCE_Q
t
ib vce_max
16
Transistores BJT en conmutación
V1
¿Qué valor deberá tomar R2 para asegurar que el
transistor Q1 está en saturación?
R1
Datos:
• V1=10 V R2
• V2= 5 V
V2 Q1
• R1=100 Ω
• β=hFE=50
• Vbesat=1 V 0
0
V cc
Considere el circuito y la señal a la entrada de dicho RC

circuito mostrado en la figura adjunta, indique el Vo
estado del transistor cuando la señal de entrada está Vi
a nivel alto. Los datos son: VCC = 5 V; RB = 68 kΩ; RC Vcc Vi
RB
= 1 kΩ β = 100; VCE(sat) = 0,2 V, Vbe=0,7 V, Vbesat=1 V
t
+V1
Elige el valor de la resistencia que se necesita en la base del RC

transistor para asegurar que el transistor trabaje en la zona de
saturación.
RB
Datos: V1= 5V, Vbat= 5V, RC= 100Ω, VCE max= 30V, βmax= 125
VCE sat= 0,1V, Vbe sat= 0,8V, βmin= 80
Vbat
17
El circuito mostrado en la figura polariza un transistor
bipolar mediante las resistencias Rb y Rc. Se emplea
un transistor de Si que tiene una βtípica igual a 150 y
una βmin igual a 50, con Vbe = 0.7 V.
Se pide:
Calcular justificadamente el valor de Rb para que el
transistor trabaje en saturación cuando la Rc puede
variar entre 500 Ω y 250 Ω.
Determina el valor de la resistencia de base RB para que la
lámpara de 10 W luzca completamente cuando el generador
V2 proporcione 5 V y esté apagada cuando proporcione 0 V.
Datos: VceSAT=0.2V, βmin=50, VbeSAT=1V
+V1
El circuito mostrado en la figura polariza un transistor bipolar
mediante las resistencias RB y RC Se emplea un transistor de Si
que tiene una βtípica igual a 150 y una βmin igual a 50, con Vbe = RC
0.7 V. V1 es de 12 Voltios
a) Calcular justificadamente el valor de RB para que el transistor RB
trabaje en saturación cuando la RC puede variar entre 500 Ω y
250 Ω.
b) Dibujar la forma de onda de la tensión colector emisor del VG
transistor y de la corriente por la resistencia RC cuando se tiene la
señal cuadrada de la figura adjunta en VG.
VG
5V
t (ms)
0 0.8 1
El circuito mostrado en la figura polariza un transistor bipolar mediante las resistencias RB y RC. Se emplea
un transistor que tiene una βtípica igual a 120 y una β min igual a 50, con Vbesat = 0.7°V, VCEsat = 0.2°V, V1 es una
fuente de continua de 12 Voltios y VG1 es un tren de pulsos entre 0 y 5 V. Calcular justificadamente el valor
de RB para que el transistor trabaje en conmutación aunque la RC pueda variar entre 675 Ω y 350 Ω.
18
V1
RC V
RB 5
T2
VG1
t
1 ms
Calcula el valor de la resistencia de base máxima VCC=24V
(RB), para que con una entrada de 5 V el transistor
se sature.
(Datos del motor: 24 V, 6 W; Transistor: Vbesat= 1 V,
hFEmin= 40)
+88.8
D1
RB Q4
Ve
El circuito mostrado en la figura 1 polariza un transistor bipolar mediante las resistencias RB y RC. Calcular
justificadamente el rango de valores de RB para que el transistor trabaje en conmutación aunque la RC pueda
variar entre 2 KΩ y 1 KΩ.
Datos: βtípica=110; βsat = 40; VBEon = 0.7 V; VBEsat = 1 V; VCEsat = 0.2 V, V1 es una fuente de continua de 15
Voltios; VG1 es un tren de pulsos entre 0 y 5 V (ver figura 2)
V1
RC V
RB 5
T2
VG1
t
1 ms
Figura 1 Figura2
19
Transistores FET y MOSFET
En el siguiente circuito de polarización de un JFET

de canal N, se utiliza el BF245C cuyas curvas
características se adjuntan. Determina gráficamente
el punto de funcionamiento. V2=16 V

Vdd
Calcula la tensión puerta-surtidor VGS y la

resistencia de surtidor R3
Datos:
R2
Q1 transistor JFET de canal N
VS = +2V (tensión en el surtidor)
IDSS =10mA y Vp = -4V
Q1
R1 = 1MΩ, R2 = 4kΩ
R1 R3
20

Observa la siguiente red formada por un transistor de efecto de campo Jfet de canal N. Determina los
siguientes parámetros con la ayuda de la gráfica que nos ofrece el fabricante del semiconductor:
• Calcula IDQ y VGSQ
• Calcula el valor de RD para que la tensión entre drenador y surtidor sea igual a la mitad de la tensión
de alimentación (VDS=VDD/2)

Determinar, analíticamente, el punto de funcionamiento del transistor FET de la figura.
2 +VCC
 v 
i D ≈ I DSS ·1 − GS 
 Vp 
  RD
Cin vout
IDSS=5 mA
Cout
VP=-3 V vin
RG
RD=2k2
RG=1 M VGG
+
VCC=+15 V
VGG=+2 V

En el circuito de la figura se pide calcular el punto de V = 20 V
polarización (VDS , ID) y la tensión VGS. Datos: Rg = Rd
1 MΩ, Rd = 1 kΩ, Vgg = 5 V, C1 = 1,6 nF, C2 Ideal (∞) C2
Datos transistor FET: VP = -10 V IDSS = 40 mA
C1 Vs
Rg
Vg
Vgg
21

+12V
RD
R1 800
7k
Del siguiente circuito de polarización de un JFET de canal N se
Q1
adjuntan las curvas características del fabricante. Dibuja sobre ellas las NJFET
rectas de carga y determina gráficamente la tensión puerta-surtidor, la
tensión drenador-surtidor y la corriente de drenador en el punto Q de
funcionamiento. R2
RS
500
400
TEo_Prob_transistores 55. FET

Calcular el punto de polarización del transistor, Q (VDS , ID )
DATOS: VDD = 15 V RD = 2.2 k Ω RS = 800 Ω RG = 1 MΩ IDSS = 10 mA Vp = -4 V
VDD = 15 V
DATO:
Bloque II 2
Rd  V 
IDS = IDSS 1 − GS 
Amplif icador
 Vp 
C1 C2
Vsal 
FET
RG Rs C3
22
TEo_Prob_transistores 56. FET

Del siguiente circuito de polarización de un JFET de canal N se adjuntan las +14V
curvas características del fabricante. Dibuja sobre ellas las rectas de carga
y determina gráficamente la tensión puerta-surtidor, la tensión drenador-
RD
surtidor y la corriente de drenador en el punto Q de funcionamiento. 0.1k
NJFET
RG
1M RS
0.9k
TEo_Prob_transistores 57. JFET-ampl.
En el siguiente circuito de polarización de un JFET de canal N, se utiliza el BF245C cuyas curvas

características se adjuntan. Determina gráficamente el punto de funcionamiento.
23

Dibuja la recta de carga del circuito sobre la curva característica del N-MOSFET y determina gráficamente el
punto de funcionamiento (tensión drenador-surtidor VDS y corriente de drenado ID )
+12V
ID
RD
2k
RG
10M
Q1
MOSFET
Acumulación
Canal N
5 1 VGS

Vcc
Calcula la tensión mínima de Vin para que empiece a girar el motor
Vin
Si Vin = 20V, calcula la corriente por el motor.
Datos:
+88.8
• Q1 transistor MOSFET de Acumulación (o enriquecimiento o R1

incremental) de canal N (ojo en la figura el símbolo del transistor es MOTOR
erróneo dado que no corresponde a un MOSFET de acumulación
sino de deplexión) Q1
R2
•
-3 2
VP = +3V y K = 10 A/V
• Motor de DC 10V
• R1=30kΩ, R2=10kΩ y Vcc=10V

Dado el siguiente circuito representar en una misma gráfica con todo detalle, la evolución temporal de la
tensión de entrada (VG1) y la de la salida (Vs)
Datos
ID(encendido)= 5 mA, VGS(encendido)=6V, VT = 3V
VG1: Senoidal de valor medio nulo, 5 voltios de amplitud de pico y frecuencia 100Hz.
24
V2= 2 V, Vcc = Vsat = 5 V, -Vcc= -Vsat= -5 V.

10 V
2K2
-Vcc
1K Vs
-
T4
++ OP2
VG1
V2 100K
+Vcc
Transistores FET y BJT
TEo_Prob_transistores 61. JFET+BJT

Determinar el punto de polarización de los transistores de la figura T1 y T2.
Vcc = 15 V Datos:
Vbe = 0.7V
β = 110
R1 R2
R1 = 560kΩ
R2 = 3.6kΩ
T1 R3 = 2.4kΩ
Idss = 8mA
T2
Vp = -4V
R3
TEo_Prob_transistores 62. JFET+BJT

El circuito de la figura es un amplificador de pequeña señal que va a ser estudiado en continua. Se pide:
Si se utiliza una resistencia de carga de valor RL=2K7 Ω, calcular los puntos de polarización de ambos
transistores.
25
E
Datos:
E=15 V
Rs=330 Ω;RG=1 MΩ;Re=1 KΩ;R1=12 KΩ;R2=3.9 KΩ
C
Vi T1 C→∞
VL R1 T1: |IDSS|=10 mA; |Vp|=4 V
RG Rs RL
T2: Vbe:0.7V; VCEsat=0.7V;β=125
T2
R2
Re
Transistores y A.O.
TEo_Prob_transistores 63. Amplificador BJT comparado con amplificador con AO
Ejemplo comparado de diseño con BJT y Amplificador operacional.

Diseñar el circuito para un punto Q centrado (Icq=4.5 mA). (β=200, VBE=0.7V)
Cálculo de R6. En el colector Vc=4.5V (mitad de la alimentación)

R6 = (Vcc-Vc)/Icq = (9-4.5)/4.5 = 1K
Cálculo de R9. Se pone para estabilizar la polarización. Elegimos ≈1/4 de Rc: R9=0.22K
Con estos valores, en la base tenemos: VB=RE·IE + VBE

VB= 0.22*4.5 + 0.7 = 1.69V.
26
IB= IC/β= 4.5mA/200=22.5μA. Para la red R7,R8 elegimos una corriente mucho mayor, p.e. Io=1mA, con ello:
R8= VB/Io = 1.69/1 = 1.69K
R9= (Vcc- VB)/Io = (9-1.69)/1 = 7.31K.
Cálculo de la ganancia:
En alterna: Condensadores=cortocircuitos, La fuente de alimentación: cortocircuito. El transistor se sustituye
por su circuito equivalente (hie=2K, hfe=200)
R?(1)
IC R6
R9 R8 HIE 200 1k
7.33k 1.66k 2k hfe*Ib
Sobre este circuito equivalente lineal, la ganancia es Av=-hfe·R6/hie = 200
Con A.O.:
El punto de funcionamiento en continua lo fija el divisor R1,R2. En este caso 4.5V.
Para alterna el circuito se comporta como amplificador inversor de ganancia –R3/R4, es decir 120.
27

CUESTIONES Y PROBLEMAS DE TRANSISTORES

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Tecnología Electrónica (ETSID-UPV) – Dep. Ing.

CUESTIONES Y PROBLEMAS DE TRANSISTORES

CUESTIONES Y PROBLEMAS DE TRANSISTORES ....................................................................................... 1

C) Circuito de polarización automática o de cuatro resistencias

19 A) 9V Datos del transistor:

βQ1=hFE=150 c) 0mA 0mA 6V 20V

d) 1.4mA 210mA -0.6V 20V

A) Circuito de polarización automática o de cuatro resistencias

TEo_Prob_transistores 13. BJT

TEo_Prob_transistores 14. BJT

TEo_Prob_transistores 1. BJT – ampl.

A) Dispositivo controlado por tensión

TEo_Prob_transistores 10. MOSFET

TEo_Prob_transistores 11. MOSFET

A) Tensión negativa en la puerta respecto a surtidor y mucha corriente a la entrada.

TEo_Prob_transistores 12. MOSFET

D) No puede ser determinada con la información que nos dan

TEo_Prob_transistores 13. MOSFET

TEo_Prob_transistores 14. MOSFET

TEo_Prob_transistores 15. MOSFET

TEo_Prob_transistores 16. JFET-MOSFET

TEo_Prob_transistores 17. MOSFET-switch

Problemas de transistores BJT

Calcula el valor de Vbb para que VCE =½VCC

Calcula el punto de polarización (Q5) del R6

El circuito representa un BJT polarizado de la +V1

En el circuito mostrado, halla la tensión de VB para que circule una corriente RC

TEo_Prob_transistores 39. Punto Q y rectas de carga (SOL)

Apart. A) Punto de polarización Q. (Análisis en continua)

Nota: se ha supuesto en la ecuación anterior que IC ≈ IE

Analicemos ahora el circuito de colector.

Apart. B1) Recta de carga estática

Para IC = 0 ⇒ VCE = VCC = 20 V

Apart. B2) Recta de carga dinámica

Analizando este último esquema se deduce que:

Apart. C) Vcemax sin distorsión= 18.53-13.63=4.9V

Transistores BJT en conmutación

Considere el circuito y la señal a la entrada de dicho RC

Elige el valor de la resistencia que se necesita en la base del RC

Transistores FET y MOSFET

TEo_Prob_transistores 49. JFET

En el siguiente circuito de polarización de un JFET

TEo_Prob_transistores 50. JFET

Calcula la tensión puerta-surtidor VGS y la

TEo_Prob_transistores 51. JFET

TEo_Prob_transistores 52. JFET

TEo_Prob_transistores 53. JFET

TEo_Prob_transistores 54. JFET

TEo_Prob_transistores 55. FET

TEo_Prob_transistores 56. FET

TEo_Prob_transistores 57. JFET-ampl.

En el siguiente circuito de polarización de un JFET de canal N, se utiliza el BF245C cuyas curvas

TEo_Prob_transistores 58. MOSFET

TEo_Prob_transistores 59. MOSFET-switch

• Q1 transistor MOSFET de Acumulación (o enriquecimiento o R1

TEo_Prob_transistores 60. MOSFET-switch

V2= 2 V, Vcc = Vsat = 5 V, -Vcc= -Vsat= -5 V.

Transistores FET y BJT

TEo_Prob_transistores 61. JFET+BJT

TEo_Prob_transistores 62. JFET+BJT

TEo_Prob_transistores 63. Amplificador BJT comparado con amplificador con AO

Ejemplo comparado de diseño con BJT y Amplificador operacional.