PRACTICA NO.

10 TRANSISTORES NPN
β=beta=Hfe ganancia en DC del transistor
bipolar
=alfa= es una constante que normalmente es uno (1)

B = BASE
C= COLECTOR
E=EMISOR CURVA CARACTERÍSTICA
PRACTICA NO. 10 CONFIGURACIONES BÁSICAS DE
UN TRANSISTOR NPN
1) CONFIGURACIÓN
COLECTOR COMUN Vc=0v

El transistor siempre
debe trabajar en la región
Vce= Vc -VE entonces Vce = VE
activa

VBE=VB –VE entonces

0.7= VB – VE
VCB= VC-VB entonces
VCB = -VB
PRACTICA NO. 10 CONFIGURACIONES BÁSICAS DE
UN TRANSISTOR NPN
2) CONFIGURACIÓN BASE
COMUN VB=0v

El transistor siempre
debe trabajar en la región
Vce= Vc -VE
activa

VBE=VB –VE entonces --

-0.7= VE
VCB= VC-VB entonces
VCB = VC
PRACTICA NO. 10 CONFIGURACIONES BÁSICAS DE
UN TRANSISTOR NPN
3) CONFIGURACIÓN EMISOR
COMUN VE=0v

-vcc +RBIB+0.7 = 0
IB = (VCC –0.7)/RB
VCE = VC
-VCC +IC RC+VCE= 0
VCE= VCC – IC RC

El transistor siempre
debe trabajar en la región
activa

VBE=VB –VE entonces --

-0.7= VB
VCB= VC-VB
Vce= Vc -VE
PRACTICA NO. 10 CONFIGURACIONES BÁSICAS DE
UN TRANSISTOR NPN

Diseñar las configuraciones básicas del transisotr bipolar NPN para lo

cual requieren de:
• Buscar en el ECG o datasheet el transistor NPN 2N3904 o 2N2222
y obtener de ahí la ganancia DC del transistor es decir beta
• Calcular los valores matemáticos de VCE, VCB, IB, IC, IE VC, VE, VB
para cada configuración básica
• Recordar que el transistor debe trabajar en su zona activa
• Recordar que VBE = 0.7v
• Una vez tenga diseñado el circuito que corresponda a cada
configuración simularla para corroborar cada uno de los
parámetros matemáticos calculados y hacer la siguiente tabla
comparativa para cada configuración
• TABLA COMPARATIVA
 PRACTICA NO. 10 CONFIGURACIONES BÁSICAS DE
UN TRANSISTOR NPN

TABLA COMPARATIVA

VC VB VE VCB VCE IB IC IE
(V) (V) (V) (V) (v) m m m
a a a

v. Teórico
v. experimental