Autoevaluación FETs.

Parte 1 (Tema 6)
Test: SOLUCIONES

Pregunta 1

Sea la estructura física de un FET representada en la figura. Si se aplica una tensión VGS positiva entre G y S

Su Elección Respuesta Comentario

elección esperada
El dispositivo no funciona adecuadamente porque puede circular
corriente por la puerta (G) al no estar polarizada en inversa la union
puerta canal.
Debo aplicar una tensión superior a Vto para crear el canal y posibilitar
la conducción de portadores entre la fuente y el drenador mediante la
aplicación de la VDS adecuada.
Mientras la tensión VGS no supere el valor de Vto, existe canal y
circulará una corriente entrando por la fuente (S) y saliendo por el
drenador (D) cuando aplique una tensión VSD > 0V.
Mientras la tensión VGS no supere el valor de Vto, existe canal y
circulará una corriente entrando por el drenador (D) y saliendo por la
fuente (S) cuando aplique una tensión VDS > 0V.

Elección múltiple (respuesta única)

Puntuación : 0/1
Pregunta 2

La estructura física del dispositivo representado en la figura se corresponde con un:

 Su Elección Respuesta Comentario
elección esperada
Transistor MOSFET de deplexión de canal p  
Transistor MOSFET de acumulación de canal p  
Transistor MOSFET de deplexión de canal n  
Transistor MOSFET de acumulación de canal n

Elección múltiple (respuesta única)

Puntuación : 0/1
Pregunta 3

Sea un transistor NMOS con Vto=2V. ¿cuál es la región de funcionamiento si VGS=3V, VDS=0.5V

Su Elección Respuesta Comentario

elección esperada
Corte  
Ohmica VGS>Vto, VDS<(VGS-Vto)
Saturación  
Necesito conocer también ID para poder indicar la región de
 
funcionamiento

Elección múltiple (respuesta única)

Puntuación : 0/1
Pregunta 4

La ecuación clave de un transistor MOSFET de acumulación de canal p en la región de saturación es:

Su Elección Respuesta Comentario

elección esperada
a)  
b)  
c)
d)  

Elección múltiple (respuesta única)

Puntuación : 0/1
Pregunta 5

Sea un JFET de CANAL N. ¿Cuál es la región de funcionamiento si: ?

Su Elección Respuesta Comentario

elección esperada
Corte  
Ohmica
Saturación  
Ninguna de las anteriores, porque un JFET de canal n no puede tener
 
Vto < 0V.
Elección múltiple (respuesta única)

Puntuación : 0/1
Pregunta 6

La ecuación clave de la frontera entre las regiones óhmica y saturación de un transistor MOSFET de acumulación de canal n es:

Su Elección Respuesta Comentario

elección esperada
a)  
b)  
c)  
d)

Elección múltiple (respuesta única)

Puntuación : 0/1
Pregunta 7

Indicar a que tipo de FET se corresponde la siguiente curva:

Su Elección Respuesta Comentario

elección esperada
MOSFET de acumulación de canal p  
MOSFET de deplexión de canal p
JFET de canal n  
MOSFET de deplexión de canal n  

Elección múltiple (respuesta única)

Puntuación : 0/1
Pregunta 8

La ecuación clave de un transistor MOSFET de acumulación de canal n en la región de saturación es:

Su Elección Respuesta Comentario

elección esperada
a)
b)  
c)  
d)  

Elección múltiple (respuesta única)

Puntuación : 0/1
Pregunta 9

En la región de saturación, un MOSFET de acumulación de canal n:

Su Elección Respuesta Comentario

elección esperada
Mantiene la corriente de drenador (ID) prácticamente constante a
 medida que aumenta VDS debido a que la anchura de canal en el
extremo del Drenador (D) se hace cero.
Mantiene la corriente de drenador (ID) prácticamente constante a
medida que aumenta VDS debido a que la anchura de canal en el
extremo de la Fuente (S) se hace cero.
Mantiene la corriente de drenador (ID) prácticamente constante a
medida que aumenta VDS debido a que la anchura de canal es la
máxima posible en todos sus puntos.
No es cierto que la corriente de drenador (ID) no dependa de VDS,
sino que en saturación la ID es independiente de VGS.

Elección múltiple (respuesta única)

Puntuación : 0/1
Pregunta 10

Un transistor MOSFET de acumulacion de canal n se comporta como:

Su Elección Respuesta Comentario

elección esperada
Una resistencia controlada por tensión entre D y S en la zona de
saturación.
Una resistencia controlada por tensión entre G y S en la zona de
saturación.
Una resistencia controlada por tensión entre D y S en la zona ohmica.
Una resistencia controlada por tensión entre G y S en la zona ohmica.

Elección múltiple (respuesta única)

Puntuación : 0/1
 Autoevaluación FETs
Parte 2 (Tema 7)
Test: SOLUCIONES

Pregunta 1

En el análisis de un amplificador basado en transistores FET:

Su Elección Respuesta Comentario

elección esperada
Primero se calcula el punto de trabajo de los transistores y después se
resuelve el circuito equivalente de pequeña señal para calcular las
ganancias e impedancias de entrada y salida.
Se analiza en continua el circuito para calcular las ganancias e
impedancias de entrada.
No es necesario analizar en continua el circuito, pues el
comportamiento en pequeña señal del transistor no depende del punto
de continua en el que trabaja.
Ninguna de las afirmaciones anteriores es cierta.

Elección múltiple (respuesta única)

Puntuación : 0/1
Pregunta 2

Indica a que configuración amplificadora se corresponden las siguientes características:

Amplificador no inversor, ganancia de tensión ligeramente menor que 1, alta impedancia de entrada y baja impedancia de salida.

Su Elección Respuesta Comentario

elección esperada
Circuito amplificador en drenador común.
Circuito amplificador en fuente común.
Circuito amplificador en puerta común.
No se corresponde con ninguna de las anteriores.

Elección múltiple (respuesta única)

Puntuación : 0/1
Pregunta 3

El amplificador en fuente común:

Su Elección Respuesta Comentario

elección esperada
Es un amplificador inversor.
Su ganancia en tensión es ligeramente inferior a la unidad.
Tiene una impedancia de entrada baja en comparación con las
impedancias correspondientes de otros amplificadores.
Su ganancia de corriente es ligeramente inferior a uno.

Elección múltiple (respuesta única)

Puntuación : 0/1
Pregunta 4

La impedancia de entrada del amplificador cuyo circuito equivalente de pequeña señal a frecuencias medias se representa en la figura (Rin) es:
 Su Elección Respuesta Comentario
elección esperada
a)
b)  
c)  
d)  

Elección múltiple (respuesta única)

Puntuación : 0/1
Pregunta 5

En un transistor NMOS:

Su Elección Respuesta Comentario

elección esperada
Se pueden obtener valores mayores de transconductancia (gm)
 
eligiendo valores pequeños de IDQ.
Se pueden obtener valores mayores de transconductancia (gm)
incrementando la relación anchura-longitud (W/L) del canal del NMOS.
El valor de la transconductancia es independiente de IDQ y de (W/L),
 
sólo depende de la tensión umbral Vto del transistor.
Los mayores valores de transconductancia se obtienen para lambda=0.  

Elección múltiple (respuesta única)

Puntuación : 0/1
 Pregunta 6

El esquema representado en la figura se corresponde con:

Su Elección Respuesta Comentario

elección esperada
Circuito equivalente de pequeña señal a frecuencias medias de un
 
amplificador en fuente común para lambda=0.
Circuito para análisis en continua de un amplificador en drenador
 
común para lambda=0.
Circuito equivalente de pequeña señal a frecuencias de un amplificador
en puerta común para lambda=0.
Circuito para análisis en continua de un amplificador en sustrato común
 
para lambda=0.

Elección múltiple (respuesta única)

Puntuación : 0/1
Pregunta 7

La impedancia de entrada del amplificador cuyo circuito equivalente de pequeña señal a frecuencias medias se representa en la figura (Rin) es:

Su Elección Respuesta Comentario

elección esperada
a)
b)  
c)  
d)  

Elección múltiple (respuesta única)

Puntuación : 0/1
Pregunta 8

La ganancia en tensión del amplificador cuyo circuito equivalente de pequeña señal a frecuencias medias se representa en la figura es:
 Su Elección Respuesta Comentario
elección esperada
a)  
b)  
c)  
d)

Elección múltiple (respuesta única)

Puntuación : 0/1
Pregunta 9

El esquema representado en la figura se corresponde con:

Su Elección Respuesta Comentario

elección esperada
El circuito equivalente de pequeña señal para frecuencias medias de un
FET con las curvas curvas características de drenador horizontales en la  
región de saturación.
El circuito equivalente de pequeña señal para frecuencias medias de un
FET teniendo en cuenta que las curvas características de drenador
tienen una pendiente ligeramente ascendente con respecto a vDS.
El circuito equivalente de continua de un FET con las curvas curvas
 
características de drenador horizontales en la región de saturación.
El circuito equivalente de continua de un FET teniendo en cuenta que
las curvas características de drenador tienen una pendiente ligeramente  
ascendente con respecto a vDS.

Elección múltiple (respuesta única)

Puntuación : 0/1
Pregunta 10

La impedancia de entrada del amplificador cuyo circuito equivalente de pequeña señal a frecuencias medias se representa en la figura (Rin) es:
 Su Elección Respuesta Comentario
elección esperada
a)
b)
c)
d)

Elección múltiple (respuesta única)

Puntuación : 0/1