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DISEÑO DE AMPLIFICADOR MOSFET

Taller IV: Electrónica Análoga.


Universidad Nacional De Colombia
Sede Medellín.
Andrés Felipe Sabogal Ramírez.
afsabogalr@unal.edu.co

Resumen: En el presente escrito se estudia y analiza el comportamiento de circuitos que


contengan en su esquema transistores de efecto de campo MOSFETs, para ello de implementar un
sistema de amplificación de voltaje a partir de un transistor de efecto de campo MOSFET tipo FET
de referencia 2N7002 en la simulación y 2N7000 en el procedimiento practico por su similitud, se
estudia el comportamiento de amplificación de voltaje en el anterior circuito y la variación de
ganancia en relación con la resistencia de carga.

1. Objetivos:  Analizar el comportamiento de


amplificación de voltaje de un FET
General:
 Estudiar el cambio en la capacidad de
 Implementar un circuito de amplificación en relación con la
amplificación de voltaje a partir del resistencia de carga, se observa la
MOSFET tipo FET de referencia ganancia generada.
2n7000 teniendo en cuenta las  Implementar las características del
especificaciones del fabricante y los fabricante para trabajar por encima
procedimientos teóricos para evitar del rango de las tolerancias de las
en la medida de lo posible los efectos componentes implementadas y
negativos por las tolerancias en las analizar el efecto de ganancia en
componentes introducidas. variación de resistencias

Específicos:

 Estudiar y analizar el concepto y 2. Introducción:


funcionamiento de los transistores
de efecto de campo MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro
 Implementar un circuito
terminales llamados fuente (S), drenador (D),
amplificador de voltaje a partir de un
puerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el
transistor MOSFET tipo FET de
sustrato generalmente está conectado
referencia 2N7000
internamente al terminal de fuente y por este
motivo se pueden encontrar dispositivos 3. Procedimiento:
MOSFET de tres terminales.
A continuación se introduce un sistema de
amplificación de voltaje a partir de un FET de
referencia 2N7000, se observan los
Existen dos tipos de transistores MOSFET,
procedimientos teóricos para obtener los
ambos basados en la estructura MOS. Los
valores de las componentes.
primeros son los MOSFET
de enriquecimiento los cuales se basan en la
creación de un canal entre el drenador y la
fuente, al aplicar una tensión en la puerta. La
tensión de la puerta atrae portadores
minoritarios hacia el canal, de manera que se
forma una región de inversión, es decir, una
región con dopado opuesto al que tenía el
sustrato originalmente. El
término enriquecimiento hace referencia al
incremento de la conductividad
eléctrica debido a un aumento de la cantidad
de portadores de carga en la región
correspondiente al canal. El canal puede Fig 2: Esquema del circuito amplificador
formarse con un incremento en la ideal.
concentración de electrones (en un nMOSFET
o NMOS), o huecos (en un pMOSFET o
PMOS). De este modo un transistor NMOS se Teniendo en cuenta los parámetros
construye con un sustrato tipo p y tiene un establecidos por el fabricante que nos dice
canal de tipo n, mientras que un transistor que VGS es de 2.1 V para asegurar que el
PMOS se construye con un sustrato tipo n y dispositivo no entre en la región de corte se
tiene un canal de tipo p. elige un voltaje de entrada de 10V
asegurando que este dentro del rango
recomendado y que se obtiene eligiendo un
voltaje de alimentación de 12Vdc.

Se desea conservar la alta impedancia del


dispositivo FET por lo que se elige una
resistencia grande, así al elegir a 𝑹𝟒 =
𝟏𝑴Ω se obtiene un voltaje en la compuerta
de 10V.
𝑅4
𝑉𝑖𝑛 ( ) = 10
𝑅4 + 𝑅3
Fig 1: Símbolos de los FET
2𝑅4 2(1 ∗ 106 )
𝑅3 = = = 200 ∗ 103
10 10
= 𝟏𝟖𝟎𝑲Ω
Además se sabe que Is = Id = 1mA es el valor 𝑹𝟓 = 𝟏𝟖𝟎 Ω
de la corriente que circula a través de R1.
Además, el voltaje en VS es 8V debido a VGS y
los 10 V de voltaje en la puerta Con los valores encontrados anteriormente se
simula un circuito amplificador de voltaje a
Se encuentra que:
partir de un FET y se comprueba su
𝑹𝟏 = 𝟖𝑲Ω funcionamiento.

Con el fin de elegir un valor de R2 que situé la


tensión de drenaje en medio del camino entre
el voltaje de la fuente de la FET y la tensión de
alimentación de 12V se tiene que:

 ½ entre 12 V suministrados y VD
deseado
 R2 y R3 están en paralelo
 Si R2 es demasiado grande se Fig 3: Esquema practico de amplificador de
producirá saturación voltaje

12 𝑉 − 10 𝑉
𝑹𝟐 = = 𝟐𝑲Ω
1𝑚𝐴

Para un FET que tiene una gran


transconductancia hacia adelante (Gm), la
ganancia de voltaje se puede aproximar
(exacto para Gm = infinito) como la relación Fig 4: Voltaje de entrada 100mV
de la resistencia "vista" por el drenador,
dividido por la resistencia total "visto" por la
fuente, esto se puede escribir:

𝑅2
𝐴𝑣 =
(𝑅1 ||𝑅5 )
−𝑅2
𝑅5 =
𝑅 − 10𝑅1
( 2 𝑅 ) Fig 5: Voltaje de salida amplificado 8.46V
1

−2000
𝑅5 = = 205.1 Ω
2000 − 10(8000)
( )
8000
4. Resultados 6. Conclusiones

A continuación se presentan los datos


 Para garantizar que la ganancia
obtenidos a partir del circuito amplificador de
teórica se mantenga en las
voltaje FET, con un voltaje de entrada de aplicaciones debemos diseñar que la
100mV. resistencia de carga sea por lo menos
10 veces más que la resistencia de
salida del montaje. De lo contrario la
R2 Vout Vout Ganancia % ganancia se reducirá por acoples
[kΩ] Simul. Pract. real Error deficientes.
Vout/Vin
470 8.45V 6.1V 61 27  El transistor funciona en región de
1k 8.45V 6.3V 63 25 corte cuando Vgs<Vt, y funciona en
2k 8.46V 6.3V 63 25 región lineal o saturación cuando
10k 5.48V 4.9V 49 10 Vgs>Vt, se verifica esto con la
15k 4.17V 3.8V 38 9 variación de la resistencia de carga.

 Los dispositivos FET tienen una gran


Tabla 1: Datos del circuito amplificador con capacidad de amplificación, se debe
FET tener en cuenta el valor de la
resistencia de carga, ya que de ella
depende la amplificación y además al
5. Recomendaciones ser muy grande R2>>20k el transistor
de efecto de campo entra en la región
Se recomienda verificar el funcionamiento del de corte.
FET a utilizar, en este caso el 2N7000 ya que
este puede estar en mal estado y generar
datos erróneos 7. Bibliografía
 Rashid M. “Circuitos
Microelectronicos Análisis y Diseño”
Es recomendable verificar la frecuencia
 International Thomson. 1999
requerida para el funcionamiento correcto de
Boylestad R. “Electrónica, teoría de
los capacitores y la obtención de una señal circuitos” Prentice Hall
con una alta ganancia. Hispanoaméricana. 1982

 Datasheet 2N7000
Verificar la impedancia de entrada y de salida  Datasheet 2N7002
prácticos y comparar la ganancia obtenida
con la de la simulación, ¿a qué se debe esto?

Comparar la variación de R2 con la de otras


resistencias en relación con el factor de
amplificación en la señal de salida.