2° Examen parcial de Dispositivos

Nombre:___________________ Firma:_______________ Fecha:18 de mayo 2021

Nota :Los problemas tienen mayor peso.

1.- Indique la opción correcta.

a) En un transistor bipolar de unión la conducción se debe únicamente a un
tipo de portadores: electrones libres o huecos, mientras que en un transistor
de efecto de campo se debe a ambos tipos de portadores.
b) En un transistor de efecto de campo la conducción se debe únicamente a
un tipo de portadores: electrones libres o huecos, mientras que en un
transistor bipolar de unión se debe a ambos tipos de portadores
c) La conducción en un transistor bipolar y en un transistor de efecto de
campo se debe tanto a electrones libres como a huecos.
d) La conducción en un transistor bipolar y en un transistor de efecto de
campo se debe únicamente a un tipo de portadores: electrones libres o
huecos.
2.- Considere un transistor BJT npn en emisor común, ¿cómo lo llevaría de la región de
saturación a la región activa directa?
a) Aumentando la intensidad de corriente de base.
b) Disminuyendo la intensidad de corriente de base.
c) Aumentando la tensión VCE.
d) Disminuyendo la tensión VCE
3.- Tome en cuenta un dispositivo en un circuito, la intersección entre recta de carga y
curvacaracterística se conoce como:
a) región de funcionamiento.
b) punto de saturación.
c) punto de operación.
d) punto de corte.
4.-Considere un transistor BJT npn en emisor común con VCE = 3 V , ¿cómo lo llevaría de
laregión de corte a la región activa directa?
a) Aumentando la intensidad de corriente de base.
b) Disminuyendo la intensidad de corriente de base.
c) Con ese valor de tensión VCE el transistor no puede encontrarse en
la región decorte.
d) Disminuyendo la tensión VCE.

5.- Considere un transistor de silicio BJT npn donde VBE ≈ 0.7 V y VCE = 6 V.
Dichotransistor se encuentra en la región
a) activa inversa.
b) de corte.
c) de saturación.
d) activa direct
6.-Para el circuito que se muestra a continuación realice el análisis DC, considere VBE=0,7.

7.- Calcule la tensión de la fuente drenaje cuando VGG sea cero. Si IDSS = 20mA y VGS(OFF)
= -6V.

8.- Supongamos que un JFET tiene de IDSS = 8mA y VGS(OFF) = -4V. Calcule la corriente de
drenaje para una tensión de fuente de compuerta de -1V.

9.- Encontrar el punto de operación, I1,I2,IE,VB,VC,VE del circuito abajo indicado, considerar
B=100, el circuito debe operar en la región activa. Aplicar el método exacto.
10.-Gráficamente como encuentra los parámetros abajo indicados, explique ampliamente