SIMULACIÓN DEL GENERADOR DE

DIENTE DE SIERRA CON SCR

Galo Alexander Ninacuri Guachi
Escuela de Ingenierı́a Electrónica en Control y Redes Industriales
Escuela Superior Politécnica de Chimborazo
Riobamba, Ecuador
Email: gninacuri@gmail.com

Resumen Fig.1 Diseño en el simulador

This work refers to the different devices of 4 la-
La onda diente sierra se obtendrá entre el ánodo y el cáto-
yers, these devices act as open circuits capable of
supporting a certain nominal voltage until they are do del tiristor SCR, y podrá ser observada mediante el uso
triggered. When they are fired, they turn on and de un osciloscopio.
become low-resistance trays for the current and re-
main that way, even after the firing goes off.

1. INTRODUCCIÓN
El rectificador controlado de silicio SCR ?Silicon Con-
trolled Rectifier-, es un dispositivo de estado sólido tipo
semiconductor que conduce la corriente eléctrica en su es-
tado de encendido y la bloquea en su estado de apagado.
El SCR dispone de tres terminales: Ánodo, Cátodo y Puer-
ta, la conducción de la corriente entre Ánodo y Cátodo es Fig.2 Onda diente de sierra
controlada a través del terminal de puerta. Es un elemento
unidireccional (sentido de la corriente es único), conmuta- 2.1. Análisis del circuito
dor casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.
Para empezar el análisis del circuitos de vemos consi-
derar que el scr esta encendido lo cual nos permite obtener
2. Calculo del circuito para gene- las siguientes ecuaciones:
rar una onda diente de sierra
IR = IA
Para obtener un onda como se muestra en la fig.1, se IA = 0,8 ∗ IH
deben tomar en cuenta ciertos datos que nos proporcio- IA = 0,8 ∗ 5mA
na el fabñricante del dispositivo tales como la corriente de IA = 4mA
disparo Igt, la tensión de disparo Vgt y la corriente de man- R = IVRi
tenimiento IH del SCR (2n3668) utilizado para el análisis
R = 418 v
del circuito que se muestra en la fig.2. mA
R = 4,5Kohm
Calculamos los valores de las resistencias realizando un di-
visor de tensión como se muestra en la fig.3 cuando el scr
esta apagado considerando lo siguiente: Datos de diseño:
IA = 0
IR = IR1
VOP = 8V
Vi = 18V
Datos proporcionados por el fabricante:
IGT = 200uA
 VOP
VGT = 0,8V R2 = IR2
IH = 5mA R2 = 0,8V
2,2mA
∗R
R1 + R2 = VVIOP +VOP R2 = 400ohm
8V ∗4,5Kohm
R1 + R2 = 18V +8V
∗4,5Kohm
Para obtener el periodo de la función se aplica la siguiente
R1 + R2 = 8V18 V +8V ecuación:
IR1 = Vi −V
R
OP

18V −8V
IR1 = 4,5
Kohm
IR1 = 2,2mA Referencias
R1 = ViI∗V OP
R1 [1] Suconel, Rectificadora controlado de silicio, Mede-
R1 = 4,5Kohm llin, Colombia, 2008.
IR1 = IR2 − IGT
IR1 = 2,2mA − 200uA [2] Ing. Sanchez T.,Dispositivos y aplicaciones, Segunda
IR1 = 2mA edición, 2013, Quito, Ecuador.