32

DIODOS
SEMICONDUCTORES

1.12

HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS

Normalmente, el fabricante proporciona datos sobre dispositivos semiconductores especficos

en una de dos formas. Con ms frecuencia, dan una descripcin muy breve, tal vez limitada a
una pgina. En otras ocasiones proporcionan un examen completo de las caractersticas mediante grficas, material grfico, tablas, etc. En uno u otro caso, son piezas con datos especficos que
se deben incluir para el uso apropiado del dispositivo. Incluyen:
1.
2.
3.
4.

El voltaje en directa VF (a una corriente y temperatura especificadas)

La corriente mxima en directa IF (a una temperatura especificada)
La corriente de saturacin en inversa IR (a un voltaje y temperatura especificados)
El valor nominal de voltaje inverso [PIV, PRV, o V(BR), donde BR proviene del trmino
breakdown (ruptura) (a una temperatura especificada)]

DIODO PLANO DE SILICIO DIFUSO

ESQUEMA DEL DO35

BV . . . 125 V (MIN) @ 100 mA (BAY73)

CANTIDADES NOMINALES MXIMAS ABSOLUTAS (Nota 1)
Temperaturas
Intervalo de temperatura de almacenamiento
65C a +200C
Temperatura mxima de operacin en la unin
+175C
Temperatura en las terminales de conexin
+260C
Disipacin de potencia (Nota 2)
Disipacin de potencia nominal mxima total a 25C
de temperatura ambiente
Factor de reduccin de potencia lineal (a partir de 25C)

Voltajes y corrientes nominales mximos

WIV
Voltaje en inversa de trabajo
IO
IF
if

500 mW
3.33 mW/C

BAY73

100 V

Corriente rectificada promedio

Corriente en directa continua
Corriente directa repetitiva pico

200 mA
500 mA
600 mA

if sobrecorriente Sobrecorriente directa pico

Ancho de pulso  1 s
Ancho de pulso  1 s

MN

1.0 A
4.0 A

DI
DI

NOTAS
Cables de acero cobrizados, estaados
Cables dorados disponibles
Cpsula de vidrio hermticamente sellada
El peso de la cpsula es de 0.14 gramos

CARACTERSTICAS ELCTRICAS (Temperatura ambiente de 25C a menos que se indique lo contrario)

BAY73
SMBOLO
CARACTERSTICA
UNIDADES CONDICIONES DE PRUEBA
MN MX
VF
Voltaje en directa
V
IF  200 mA
0.85
1.00
V
0.81
0.94
IF  100 mA
0.78
0.88
V
IF  10 mA
0.69
0.80
V
IF  10 mA
0.67
0.75
V
IF  10 mA
V
0.60
0.68
IF  10 mA

IR

Corriente en inversa

BV
C
trr

Voltaje de ruptura

G
H

Capacitancia
Tiempo de recuperacin
en inversa

500
1.0
0.2
0.5

nA
A
nA
nA

VR  20 V, TA  125C
VR  100V, TA  125C
VR  20 V, TA  25C
VR  100 V, TA  25C

5.0
3.0

V
pF
s

IR  100 A
VR  0, f  1.0 MHz
IF  10 mA, VR  35 V
RL  1.0 a 100 k
CL  10 pF, JAN 256

125

NOTAS:
1 Estas capacidades son valores lmite sobre los cuales la funcionalidad del diodo puede verse afectada.
2 stos son lmites de estado constante. Se deber consultar al fabricante sobre aplicaciones que impliquen pulsos u operacin de trabajo ligero.

FIG. 1.36
Caractersticas elctricas de un diodo de fugas escasas y alto voltaje.

5.
6.
7.
8.

El nivel de disipacin de potencia mximo a una temperatura particular

Niveles de capacitancia
Tiempo de recuperacin en inversa trr
Intervalo de temperatura de operacin

HOJAS DE
ESPECIFICACIONES
DE DIODOS

33

Segn el tipo de diodo que se est considerando, es posible que tambin se den ms datos,
como intervalo de frecuencia, nivel de ruido, tiempo de conmutacin, niveles de resistencia trmica y valores repetitivos pico. Para la aplicacin pensada, la importancia de los datos casi siempre es autoaparente. Si tambin se da el coeficiente de disipacin o potencia mxima, se entiende que es igual al siguiente producto:

(1.8)

PD mx = VD ID

donde ID y VD son la corriente y el voltaje en el diodo, respectivamente, en un punto de operacin particular.

Si aplicamos el modelo simplificado para una aplicacin particular (una ocurrencia comn),
podemos sustituir VD  VT  0.7 V para un diodo de silicio en la ecuacin (1.8) y determinar la
disipacin de potencia resultante por comparacin contra el coeficiente de potencia mximo. Es
decir,

Pdisipada  (0.7 V)ID

(1.9)

En las figuras 1.36 y 1.37 aparecen los datos provistos para un diodo de alto voltaje y fugas
escasas. Este ejemplo representara la lista ampliada de datos y caractersticas. El trmino rectificador se aplica a un diodo cuando se utiliza con frecuencia en un proceso de rectificacin,
descrito en el captulo 2.
VOLTAJE EN DIRECTA CONTRA
CORRIENTE EN DIRECTA

TA Temperatura ambiente C

VOLTAJE EN INVERSA CONTRA

CORRIENTE EN INVERSA
IR Corriente en inversa nA

IF Corriente en directa mA

PD Disipacin de potencia mW

CURVA DE REDUCCIN
DE POTENCIA

VF Voltaje en directa volts

VR Voltaje en inversa volts

(b)
CAPACITANCIA CONTRA
VOLTAJE EN INVERSA

C Capacitancia pF

IMPEDANCIA DINMICA CONTRA

CORRIENTE EN DIRECTA

x
M

IR Corriente en inversa nA

CORRIENTE EN INVERSA CONTRA

COEFICIENTE DE TEMPERATURA

(c)

IF Corriente en directa mA

(a)

f = 1kHz
Ica = 0.1cd

TA Temperatura ambiente C

VF Voltaje en directa volts

RD Impedancia dinmica 

(d)

(e)

(f)

FIG. 1.37
Caractersticas terminales de un diodo de alto voltaje.

34

DIODOS
SEMICONDUCTORES

reas especficas de las hojas de especificaciones aparecen resaltadas en tonos de gris, con
las letras que corresponden a la siguiente descripcin:
A. La hoja de datos resalta el hecho de que el diodo de silicio de alto voltaje tiene un voltaje de
polarizacin en inversa mnimo de 125 V con una corriente de polarizacin en inversa especificada.
B. Observe el amplio intervalo de manejo de temperatura. Siempre tenga en cuenta que las hojas
de datos en general utilizan la escala en centgrados, con 200C  392F y 65C  85F.
C. El nivel mximo de disipacin de potencia est dado por PD  VDID  500 mW  0.5 W.
El efecto de factor de variacin lineal del valor nominal de potencia de 3.33 mW/C se demuestra en la figura 1.37a. Una vez que la temperatura excede de 25C el coeficiente de potencia nominal mxima se reduce en 3.33 mW por cada 1C de incremento de temperatura.
A una temperatura de 100C, la cual es el punto de ebullicin del agua, el coeficiente de potencia nominal mxima se reduce a la mitad de su valor original. Una temperatura de 25C
es tpica en el interior de un gabinete que contiene equipo electrnico en operacin en una
situacin de baja potencia.
D. La corriente mxima sostenible es de 500 mA. La grfica de la figura 1.37b revela que la corriente en directa a 0.5 V es aproximadamente de 0.01 mA, pero salta a 1 mA (100 veces mayor) a alrededor de 0.65 V. Con 0.8 V la corriente es de ms de 10 mA y exactamente arriba de 0.9 V se aproxima a 100 mA. De hecho, la curva de la figura 1.37b no se ve como las
curvas de caractersticas que aparecen en las ltimas secciones. ste es el resultado de utilizar una escala logartmica para la corriente y una lineal para el voltaje.
Las escalas logartmicas se utilizan a menudo para proporcionar un intervalo ms amplio de valores de una variable en una cantidad de espacio limitada.
Si se utilizara una escala lineal para la corriente, sera imposible mostrar un intervalo de
valores desde 0.01 hasta 1000 mA. Si las divisiones verticales estuvieran en incrementos
de 0.01 mA, se requeriran 100,000 intervalos iguales en el eje vertical para alcanzar 1000 mA.
Por el momento tenga presente que el nivel de voltaje a niveles de corriente dados se puede
hallar por medio de la interseccin con la curva. Con valores verticales por encima de un
nivel como 10 mA, el siguiente nivel es 2 mA, seguido por 3 mA, 4 mA y 5 mA. Los niveles de 6 mA a 10 mA se determinan dividiendo la distancia en intervalos iguales (no la distribucin verdadera, sino lo bastante aproximada considerando las grficas provistas). Para
el siguiente nivel seran 10 mA, 20 mA, 30 mA, etc. La grfica de la figura 1.37b es una grfica semilogartmica, porque slo un eje utiliza una escala logartmica. En el captulo 9 se
dir mucho sobre escalas logartmicas.
E. Los datos proporcionan un intervalo de VF (voltajes de polarizacin en directa) por cada nivel de corriente. Cuanto ms alta sea la corriente en directa, mayor ser la polarizacin en
directa aplicada. A 1 mA vemos que VF puede variar de 0.6 V a 0.68 V, pero a 200 mA puede ser tan alto como de 0.85 V a 1.00 V. En el intervalo completo de niveles de corriente con
0.6 V a 1 mA y 0.85 V a 200 mA, con toda certeza es una aproximacin razonable utilizar
0.7 V como el valor promedio.
F. Los datos provistos revelan con claridad cmo se incrementa la corriente de saturacin en
inversa con la polarizacin en inversa aplicada a una temperatura fija. A 25C la corriente
de polarizacin en inversa mxima se incrementa de 0.2 nA a 0.5 nA debido a un aumento
del voltaje de polarizacin en inversa por el mismo factor de 5; a 125C se eleva por un factor de 2 al nivel de 1 mA. Observe el cambio extremo de la corriente de saturacin en inversa con la temperatura en el momento en que el coeficiente de corriente mximo cambia de
0.2 nA a 25C a 500 nA a 125C (a un voltaje de polarizacin en inversa fijo de 20 V). Un
incremento similar ocurre a un potencial de polarizacin en inversa de 100 V. Las grficas
semilogartmicas de las figuras 1.37c y 1.37d indican cmo cambia la corriente de saturacin en inversa con cambios en el voltaje en inversa y la temperatura. A primera vista la figura 1.37c podra indicar que la corriente de saturacin en inversa es bastante constante con
cambios del voltaje en inversa. Sin embargo, en ocasiones esto puede ser el efecto de utilizar una escala logartmica para el eje vertical. La corriente en realidad cambi de un nivel
de 0.2 nA a un nivel de 0.7 nA en el intervalo de voltajes que representa un cambio de casi
6 a 1. El dramtico efecto de la temperatura en la corriente de saturacin en inversa se muestra con claridad en la figura 1.37d. A un voltaje de polarizacin en inversa de 125 V la corriente de polarizacin en inversa se incrementa de un nivel de alrededor de 1 nA a 25C a
aproximadamente 1 mA a 150C, un incremento de un factor de 1000 sobre el valor inicial.
La temperatura y la polarizacin en inversa aplicada son factores muy importantes en
diseos sensibles a la corriente de saturacin en inversa.
G. Como se muestra en la lista de datos en la figura 1.37e, la capacitancia de transicin a un voltaje de polarizacin en inversa de 0 V es 5 pF a una frecuencia de prueba de 1 MHz. Observe
el fuerte cambio del nivel de capacitancia a medida que el voltaje de polarizacin en inversa

se incrementa. Como ya se mencion, esta regin sensible puede aprovecharse en el diseo de

un dispositivo (Varactor, captulo 16) cuya capacitancia es sensible al voltaje aplicado.
H. El tiempo de recuperacin en inversa es de 3 ms en las condiciones de prueba mostradas. ste no es un tiempo rpido para algunos de los sistemas de alto desempeo actuales en uso
hoy en da; sin embargo, es aceptable para varias aplicaciones de baja y media frecuencia.
Las curvas de la figura 1.37f indican la magnitud de la resistencia de ca del diodo contra la
corriente en directa. La seccin 1.8 demuestra con claridad que la resistencia dinmica de un
diodo se reduce con un incremento de la corriente. A medida que recorremos hacia arriba el eje
de corriente de la figura 1.37f es evidente que si seguimos la curva, la resistencia dinmica se
reducir. A 0.1 mA se acerca a 1 k; a 10 mA, a 10 , y a 100 mA, slo 1 ; esto evidentemente apoya el anlisis anterior. A menos que se tenga experiencia leyendo escalas logartmicas, la
lectura de la curva es un desafo a niveles entre los indicados porque es una grfica log-log. Tanto el eje vertical como el horizontal emplean una escala logartmica.
Cuanto ms nos expongamos a las hojas de especificaciones, ms amigables se volvern, sobre todo cuando el impacto de cada parmetro se entiende con claridad para la aplicacin
investigada.

1.13

NOTACIN PARA DIODOS SEMICONDUCTORES

NOTACIN
PARA DIODOS
SEMICONDUCTORES

La notacin que con ms frecuencia se utiliza para diodos semiconductores se da en la figura

1.38. En la mayora de los diodos cualquier marca, ya sea un punto o una banda, como se muestra en la figura 1.38, aparece en el ctodo. La terminologa nodo y ctodo viene de la notacin
para tubos de vaco. El nodo se refiere al potencial positivo o ms alto, y el ctodo a la terminal negativa o ms baja. Esta combinacin de niveles de polarizacin produce una condicin de
polarizacin en directa o de encendido en el diodo. En la figura 1.39 aparecen varios diodos
semiconductores comerciales.

nodo
p
n

o , K, etc.
Ctodo

FIG. 1.38
Notacin de diodo semiconductor.

Diodo para propsito general

Diodo PIN de alta potencia

de montaje superficial

Diodo de potencia (vstago)

Diodo de potencia (plano)

Diodo de punta con conexin

de haz

Diodo de montaje
superficial de chip plano

Diodo de potencia

Diodo de potencia
(cpsula en forma de disco)

FIG. 1.39
Varios tipos de diodos de unin.

35