Laboratorio 3: Transistores MOSFET

Melany Paola Núñez Eguis-20181372010, Jeisson Fabián Romero Guavita-20181372012,

Yeison Alberto Salguero Lozano-20181372017, Jhon Anderson Sua Durán-20172372006,
Gustavo Martínez Hernandez-20172372012
Proyecto Curricular de Ingeniería Eléctrica
Universidad Distrital Francisco José de Caldas
Cl. 68d Bis A Sur #49F - 70, Bogotá D.C
mpnuneze@correo.udistrital.edu.co, jfromerog@correo.udistrital.edu.co,
yasalguerol@correo.udistrital.edu.co, jhasuad@correo.udistrital.edu.co, gamartinezh@correo.udistrital.edu.co

Resumen- Este documento presenta el informe del
comportamiento de los circuitos implementados para la
activación y desactivación de una carga de 50W a 24Vdc por
medio de diferentes configuraciones de transistores tipo
MOSFET.
Abstract- This document presents the report of the behavior of
the circuits implemented for the activation and deactivation of a
load of 50W at 24Vdc by means of different configurations of
MOSFET type transistors.
Palabras Clave- Tensión, corriente, potencia, canal P, canal N.
Key words- Voltage, current, power, p channel, n
channel.
decenas de amperios de corriente con una pérdida
muy baja. Además de los tipos de canal P y N, los
MOSFET son fabricados como dispositivos para
modo de enriquecimiento y para modo de
empobrecimiento. Un transistor en modo de
enriquecimiento normalmente está apagado y se
enciende con una tensión, mientras que un
dispositivo en modo de agotamiento se encuentra
encendido y se apaga con un nivel de tensión. Las
descripciones que siguen se aplican a los MOSFET
en modo de enriquecimiento. [2]

I. INTRODUCCIÓN
El informe se compone básicamente en cuatro desarrollos con
las siguientes características:
1. Activación y desactivación de una carga de 50W a
24V DC mediante un transistor MOSFET canal N.
2. Activación y desactivación de una carga de 50W a
24V DC mediante un transistor MOSFET canal P.
3. Activación y desactivación de una carga de 50W a
24V DC mediante un MOSFET canal N y uno canal
P.
4. Activación y desactivación de una carga de 50W a
24V DC mediante dos MOSFET tipo N.
II. MARCO TEÓRICO
1. Transistor: Es un dispositivo electrónico
semiconductor utilizado para entregar una señal de
salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. [1]
2. Transistor tipo MOSFET: Un MOSFET es un
dispositivo de tres terminales conocidos como:
compuerta, drenador y surtidor. Un nivel de tensión
aplicado a la compuerta controla el flujo de
electrones desde el surtidor hasta el drenador. Debido
a que la tensión de la compuerta desborda el valor del
umbral, entonces el transistor cambia de modo no
conductor a modo conductor, mientras que la
resistencia de la compuerta es extremadamente alta,
ya que se encuentra en el orden de los millones de
mega ohmios. Debido a esta alta resistencia, el
consumo de corriente en la compuerta del MOSFET
es muy baja. La resistencia entre el surtidor y el
drenador es baja cuando el dispositivo conduce
corriente. Por lo tanto, un MOSFET puede controlar
Figura 1: Configuración transistor tipo MOSFET.
3. Mosfet Canal P: Para activar un MOSFET de canal
P en adelante, se aplica una tensión negativa a la
compuerta. Este voltaje es negativo con respecto a
tierra. En un circuito, se conecta el terminal del canal
surtidor del MOSFET P a una fuente de tensión
positiva y el drenador a una resistencia conectada a
tierra, además la resistencia limitará la corriente que
fluye a través del transistor. El diagrama del circuito
para un MOSFET de canal P tiene una flecha
apuntando hacia la parte exterior de la compuerta.
4. Mosfet Canal N: Un MOSFET de canal N se
enciende cuando aplicas un voltaje positivo en el
terminal de la compuerta. El voltaje será mayor que
el suministro de tensión positivo en el terminal
drenador, mientras que la resistencia entre el extremo
positivo y el drenador limitará la corriente. Para este
tipo de MOSFET, el terminal surtidor deberá
conectarse a tierra y el símbolo esquemático para el
mismo tendrá una flecha apuntando hacia la
compuerta del dispositivo. [3]
Figura 2: Configuración MOSFET canal N y P. [3]
 III. METODOLOGÍA Así la simulación del circuito es la siguiente:
Para la obtención de los 50W requeridos en la carga, se
utiliza un reóstato mecánico con una resistencia de
11,4Ω, las referencias de MOSFET utilizadas durante la
práctica fueron las IRF9530N (Tipo P) e IRF830 (Tipo
N), el voltaje de alimentación es de 24Vdc y el voltaje de
activación para los mosfets es de aprox. 7Vdc.
Así mismo la potencia activa manejada durante la
práctica se calcula mediante la fórmula:

𝑉2
𝑃= (1)
𝑅
2
24 Figura 4: Simulación para MOSFET Canal N
𝑃= = 50,52𝑊
11.4
De igual forma se obtiene la corriente en la carga Con esta información que nos proporciona el simulador,
mediante la fórmula: en la figura 4, podemos apreciar la semejanza al momento
𝑉 de compararlo con los datos teóricos, con los que se
𝐼= (2)
𝑅 acerca a los 2𝐴 de corriente que se calculó previamente.
Ya en la práctica se evidenció una corriente bastante
24 próxima a los 2𝐴, cuyo valor de corriente nos llegó a los
𝐼= = 2,1𝐴
11,4 1.97𝐴, con los que se queda el mosfet activado, además
de ser posible una variación de la corriente a partir de una
1) Desarrollo 1: MOSFET Canal N tensión de entrada en el GATE que debe superar los 2V
según el fabricante y los limitará (para nuestro caso) a los
1.97𝐴 de corriente al llegar a saturación. Tenemos El
siguiente error para la corriente 𝐼𝐷 con éste MOSFET es
el siguiente:

2𝐴 − 1.97𝐴
𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 = | | 𝑋100 = 1.5%
2𝐴

Por lo que percibimos que sólo al hacer la activación con

un MOSFET la medición nos representa un valor bastante
cercano al calculado con un valor de 1.75% de error.

2) Desarrollo 2: MOSFET Canal P

Figura 3: Canal N

El MOSFET IRF510, tiene como funcionalidad en este

montaje permitir el paso de corriente al momento de la
polarización positiva del terminal GATE, lo cual genera
la activación o conducción de corriente hasta el punto de
alimentar la carga con los 24𝑉𝐷𝐶 . Para este caso, se usa
una carga de 11.4Ω, los cuales son activados aplicando
una tensión 𝑉𝑇 = 2𝑉 en su compuerta GATE para iniciar
un paso de corriente.
Según Datasheet del MOSFET IRF510 [5], la resistencia
que posee de Drain a Source es de 0.60Ω, por lo tanto,
el total de carga visto por la fuente será de 12Ω.
Para este desarrollo como cálculos teóricos serán: Figura 5: Canal P

El MOSFET IRF9530, tiene como funcionalidad en este

242 𝑉 montaje permitir el paso de corriente al momento de la
𝑃= = 48𝑊 (3)
12Ω activación hasta el punto de alimentar la carga con los
24Vdc, pero en este caso con polarización invertida de la
48𝑊 fuente de tensión entre Gate y Source, ya que se necesita
𝐼= = 2.0𝐴 (4)
24V un aumento de “huecos” en el material para dar paso a los
electrones y generar corriente eléctrica que aprovechara
la carga que tenemos conectada.
En el caso nuestro, una carga de 11.4Ω, los cuales son
activados y aplicando una tensión 𝑉𝑇 = −2𝑉 en su
 compuerta GATE hará que se inicie un paso de corriente
en el canal creado.

Según Datasheet del MOSFET IRF9530N [5], la

resistencia que posee de Drain a Source es de 0.20Ω, por
lo tanto, el total de carga visto por la fuente será de 11.6Ω.
Para este desarrollo como cálculos teóricos serán:

242 𝑉
𝑃= = 49.65𝑊 (5)
11.6Ω
49.65𝑊 Figura 7: Canal P y N
𝐼= = 2.068𝐴 (6)
24V
Según Datasheet del MOSFET IRF830 [4], TIPO N, la
Así la simulación del circuito es la siguiente: resistencia que posee de Drain a Source es de 1.5Ω y
el Datasheet del MOSFET IRF9530N [5], la resistencia
que posee de Drain a Source es de 0.20Ω, por lo tanto,
el total de carga visto por la fuente será de 13.1Ω.
Para este desarrollo como cálculos teóricos serán:

24𝑉
𝐼= = 1.832𝐴 (8)
13.1Ω

Así la simulación del circuito es la siguiente:

Figura 6: Simulación para MOSFET Canal P

Con esta información que nos proporciona el simulador

podemos apreciar la semejanza al momento de compararlo
con los datos teóricos, con los que se acerca a los 2.068𝐴
de corriente que se calculó previamente.
Ya en la práctica se evidenció una corriente igual a la
que nos brindó el simulador, cuyo valor de corriente nos
llegó a los 2.065𝐴, con los que se queda el mosfet activado,
además de ser posible una variación de la corriente a partir
de una tensión de entrada en el GATE que debe superar los
-2V según el fabricante y los limitará a los 2.065𝐴 de
corriente al llegar a saturación a partir de los -4V. Para este
caso tenemos el siguiente error para la corriente 𝐼𝐷 con éste
MOSFET canal tipo P:
Figura 8: Simulación del montaje 3.
2.068𝐴 − 2.065𝐴
(7) 𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 = 𝑋100%
2.068𝐴 Por lo tanto, coincide el valor de la corriente hallada
= 0.145% teóricamente con la simulada que atraviesa el circuito.
Con la prueba experimental realizada en el laboratorio,
Por lo que percibimos que solo al hacer la activación con los MOSFET actuaron con su apertura y cierre
un MOSFET la medición nos representa un valor bastante variando la tensión en su compuerta entre los 0V y 7V,
cercano al calculado con un valor de 0.145% de error. evidenciando una corriente aproximadamente de los
1.7A a 1.8A sobre la carga, por lo cual se evidencia las
3) Desarrollo 3: MOSFET Canal P y N similitudes con la simulación y cálculos.

Los MOSFET TIPO P Y N, tienen como funcionalidad
permitir o impedir paso de corriente a la carga, para el caso,
una carga de 11.4Ω, los cuales son activados aplicando una
tensión de 7V en sus compuertas (GATE), elegida esta
tensión como estabilidad en la activación de los MOSFET.
4) Desarrollo 4: Dos MOSFET Canal N
Durante la realización de éste último desarrollo se nota
el mismo comportamiento obtenido en el desarrollo 3,
los mosfets actúan como interruptores y por la carga
circula corriente si y solo si los dos mosfets se
encuentran activados.
 Aunque en la simulación se evidencia el voltaje de
activación de los mosfets de apróx. 7Vdc, durante la
realización de la práctica se puede comprobar la
circulación de corriente por la carga con un voltaje entre
los 6 y 7Vdc en ambos transistores.

IV. CONCLUSIONES

1. El MOSFET de canal tipo N se activó

Figura 9: Canal N y N
Cuya simulación es la que encontramos a continuación:
satisfactoriamente presentando los valores muy
cercanos a los que se quería desde un principio para la
corriente de Drain, entregándonos un error del 1.5%
para dicha corriente, por lo que en estos momentos se
evidencia una correcta polarización en el Gate que nos
permite llevar la corriente por la carga. El circuito
funcionó con los parámetros deseados y se concluye
que la estabilización para el canal tipo N es más rápida
que la del tipo P como también se pudo ver en la
práctica al momento de esperar que el MOSFET
estabilizara la corriente en el valor de alcanzar la etapa
de saturación.

2. Para el segundo montaje con un MOSFET de canal

tipo P, se tiene en cuenta el tiempo que tarda en llegar
a la zona de saturación, la cual es mayor al del canal
tipo N y por lo cual se tuvo que esperar más tiempo
para la corriente deseada, no obstante se obtuvo una
corriente que nos dio cercana a la teórica, para lo que
nos entrega un error de apenas 0.145%

3. Para el montaje de circuito de los MOSFET DE

Figura 10: Simulación del montaje 4.
Y cuyo montaje se puede ver en la figura 11:
CANAL TIPO P Y N uno de cada uno, cumplen su
función de interrupción de acuerdo a su activación y
desactivación conforme se aumenta o disminuye su
voltaje de operación en la compuerta, también
verificando la configuración del circuito para el
montaje, de acuerdo a la corriente de circuito esperada
teóricamente no es tan exacta, debido a que los
MOSFET tienen un consumo debido a su carga
resistiva de fábrica entre el Drain – Source, pero, se
cumple la corriente y potencia esperada cercana a la
ideal calculada que es de 2.1A y 50W respectivamente.

4. Para que circule corriente en un MOSFET de canal N

una tensión positiva se debe aplicar en la compuerta.
Así los electrones del canal N de la fuente (source) y
el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y
pasan por el canal P entre ellos.
Figura 11: Montaje de la práctica de los MOSFET
tipo N.
V. REFERENCIAS
Según el Datasheet del MOSFET IRF830 [4] su
[1] [En línea], [europapress.es/ciencia/laboratorio] " Se cumplen 69 años
resistencia interna es de 1,5Ω, habiendo un total de del primer transistor ", actualización enero de 2019.
14,4Ω en el circuito, por tanto la corriente que circula [2] [En línea], [puromotores.com/13103961] " Diferencia entre el canal P
por la carga es, en efecto la mostrada por la simulación y el canal N de un MOSFET ", actualización enero de 2019.
con un error del 6%. [3] [En línea], [http://hispavila.com/total/3ds/atmega/mosfets] " El
Transistor MOSFET ", actualización enero de 2019.
50 [4] [En línea], [.alldatasheet.com] “IRF830, hoja de datos", actualización
𝐼𝑡 = √ = 1,8𝐴 enero de 2019.
14,4 [5] [En línea], [.alldatasheet.com] “IRF9530N, hoja de datos",
𝐼𝑒 = 1,68𝐴 actualización enero de 2019.
1,8 − 1,68
𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 = 𝑋100 = 6.6%
1,8