POLARIZACIÓN Y AMPLIFICACION CON FETs

OBJETIVOS
Analizar e implementar circuitos de polarización para JFET
Revisar la temática de amplificadores con JFET
PREPARATORIO
Consultar las principales caracteristicas de los transistores de efecto de campo
El JFET trabaja como un dispositivo con corriente constante controlado por voltaje.
Suponiendo que el voltaje que hay entre compuerta y la fuente es cero Vgs=0 voltios
para lograr eso debemos colocar la compuerta y fuente en cortocircuito, entonces
cuando estas dos se conectan a tierra, mientras la fuente Vdd va subiendo de valor a
partir de los cero voltios, la corriente de drenaje tambien ira incrementando
proporcionalmente.
Para esta área ,la resistencia que existe en el canal es constante esto porque la región de
empobrecimiento no es lo suficiente grande como para que su valor sea significativo.
Cuando pasa esto, el transistor trabaja en la zona llamada región óhmica ya que Vds e Id
van a estar relacionados por la ley de ohm.
Cuando la curva ya se empieza a nivelar entonces esta entrando a la zona de la región
activa donde la corriente de drenaje es constante y mientras Vds va aumentando el
voltaje de polarización inversa en el sentido de compuerta a drenaje hace que la región
de empobrecimiento sea bastante grande por lo que Vds esta incrementando entonces Id
se mantiene constante.

Grafica 1: Zona de trabajo del JFET

La ruptura se da cuando la corriente de drenaje empieza a crecer muy rápido con

cualquier variación de incremento de Vds. Esta ruptura puede dañar de forma
permanente el dispositivo, entonces debemos saber que el JFET siempre trabaja por
debajo de la ruptura y dentro de la zona activa donde Id se mantiene relativamente
constante.
Los valores de Vgs van desde cero hasta Vgs(corte) esto controla la cantidad de
corriente que hay en el drenaje. Esta curva se la conoce como curva de
transconductancia
 Grafica 2: Curva de Transconductancia
2
V GS
(
I D =I DSS 1−
VP )
Para los circuitos de las figuras,resolverlos,encontrar la forma de la
curva ID contra VDS y forma de la curva ID contra VGS

Asumo:
IDSS=2[mA ]
V p=−8[v ]
V GS=VG −VS
V GS=−2+ 0=−2[v ]
 2
V GS
(
I D =I DSS 1−
VP )
2
−2
(
I D =2 1−
−8 )
I D =1.12[mA ]

VDD=ID∗RD +VDS
12=2 [mA ]∗1[k Ω]+VDS
VDS=10 [V ]

IDSS=2[mA ]
V p=−8[v ]
−VGS
ID=
3.3 [k Ω]
2
VGS
ID=2[mA ] 1− ( −8 )
ID=ID
2
−VGS VGS
3.3[k Ω]
=2[mA ] 1−(−8 )
VGS 1=−22.90[ V ]
VGS 1=−2.79[V ]correcto
2
−2.79
ID=2[mA] 1− ( −8 )
ID=0.848[mA ]
VDD=ID∗RD +VDS + ID∗RS
17=0.848[mA ]∗10[k Ω]+VDS +0.848 [mA ]∗3.3 [k Ω]
VDS=5.72[V ]
VD=VDS +VS=5.72+ 2.79
VD=8.51 [ v ]

IDSS=2[mA ]
V p=−8[v ]
27∗10 K
∗1
10 K +2.2 M VGS
ID= −
3.3 K 3.3 K
ID=ID
27∗10 K
∗1 2
10 K +2.2 M VGS VGS
3.3 K
−
3.3 K (
=2 mA 1−
−8 )
VGS 1=−2.74 [V ]correcto
VGS 1=−22.94 [v ]
2
−2.74
ID=2[mA ] 1− (−8 )
ID=0.878[mA ]
VDD=ID∗RD +VDS + ID∗RS
27=0.878[mA ]∗560+VDS +0.878[mA ]∗3.3[k Ω]
VDS=23.6 [V ]
VD=VDS +VS=23.6+2.74
VD=26.35 [v ]
Realizar las simulaciones de los circuitos presentados en proteus.
Realizar un resumen del datasheet perteneciente al JFET J304 y adquirir este
dispositivo o un equivalente para la practica
Parametro Corriente de Voltaje Voltaje unidades
prueba minimo maximo
VDG - - 30 V
VGS - - -30 V
IGF - - 10 mA
Vgss Ig=-1uA -30 - V
Vds=0[v]
Igss Vgs=-20[v] - -100 pA
Vds=0[v]
Vgs(off) Vds=1.5v -2 -6 V
Id=1nA
Idss Vds=1.5[v] 5 15 mA
Vgs=0[v]

Implementar los circuitos de la figura 4,5,6 y calcular los voltajes de salida de cada
uno de ellos
GRAFICAS