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.EXPERICIENCIA 5: EL
.INTEGRANTES:
2018
EL TRANSITOR BIPOLAR NPN.
CARACTERISTICAS BASICAS
I.OBJETIVOS
.Verificar las condiciones de un transmisor bipolar PNP.
II.EQUIPOS Y MATERIALES
.Osciloscopio
.Fuente de poder DC
.Multímetro
.Condensadores
.Potenciómetro
III. INORME PREVIO
1. Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento
de un transistor bipolar.
Estructura:
Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones
semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y la
región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y
tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región
del semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E),
base (B) o colector (C), según corresponda.
Transistor PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar
es el PNP con las letras "P" y "N"
refiriéndose a las cargas mayoritarias
dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy
en día son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeño en la
mayoría de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una
capa de material semiconductor dopado N
entre dos capas de material dopado P. Los
transistores PNP son comúnmente
operados con el colector a masa y el
emisor conectado al terminal positivo de
la fuente de alimentación a través de una
carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base
permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el
colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la
dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo
está en funcionamiento activo.
I) 2N3904
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS:
II) AC127
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS:
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS:
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 1.5 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 140 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Empaquetado / Estuche: TO1
III) 2N2222
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS:
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS:
IV.PROCEDIMIENTO
Tabla 5.1
Resistencia Directa Inversa
Base – Emisor 2.792 2.791
Base – Colector 3.782 3.48
Colector - Emisor 683.807 683.593
a. Medir las corrientes que circlan por el colector (Ic), el emisor (Ie) y la
base (Ib) cuando el potenciómetro P1 está ajustado para tener una
resistencia de 0ohm.
b. Medir las tensiones entre el colector – emisor (Vce). Entre base-emisor
(Vbe) y entre emisor-tierra (Ve).
c. Colocar los datos obtenidos en la abla 5.2
d. Cambiar R1 a 68Koh, repetir los pasos (a) ( b), y anotar los datos en la
tabla 5.3
e Aumentar las resistencias de P1 a 100Kohm, 250Kohm, 5000Kohm,
1Mohm. Observar lo que sucede con las corrientes Ib y con la tensión Vc
(usar Re=0) llenar la tabla 5.4
f. Ajustar el generador de señales a 50mVpp, 1KHz, onda sinusoidal.
Observar la salida Vo con el osciloscopio. Anotar en la tabla 5.5.
Tabal 5.2
Valores(R1=56kohm) Ic(mA) Ie(mA) Ib(uA) Vce Vbe Ve
Teóricos
Simulados
Medidos