LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA I

PRÁCTICA 1

1. Selección de semiconductores e interpretación del Datasheet

 Diodo rectificador básico: 1N4001

Tensión inversa máxima VRRM 50 V

repetitiva
Tensión inversa máxima no VRMS 35 V
repetitiva.
Tensión de ruptura VR 50 V
Corriente directa media I(AV) 1A
nominal
Corriente directa IF 1A
Intensidad directa máxima no IFSM 30 A
repetitiva
Tensión directa VF 1.1 V
Corriente inversa TA = 25ºC IR 5 µA
Tiempo de recuperación trr 30 µs
inversa
Rango de temperatura ºC Tj, TSTG -50 a 175

Los valores VRRM, VRMS representan la tensión máxima critica. Superar estos valores
es determinante en el deterioro irreversible del diodo.

En el caso de VRRM, es la tensión inversa máxima que puede ser soportada en picos
de 1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.

VRMS, es la tensión inversa máxima que puede ser soportada por una sola vez cada
10 min o más, con duración de pico de 10ms.

Estos valores también hacen referencia al nivel de voltaje del diodo, es decir, si es
de baja tensión, media tensión o alta tensión. En este caso en particular, el diodo es de baja
tensión, ya que se encuentra en el rango (15 – 80) V.
 VR es la tensión de ruptura del diodo, si es alcanzada, aunque sea una vez, el diodo
puede destruirse o al menos degradar sus características eléctricas.

La corriente directa media nominal I(AV), es el valor medio de la máxima intensidad

de impulsos senoidales de 180º que el diodo puede soportar con la cápsula mantenida a
determinada temperatura (110 ºC normalmente).

Intensidad directa máxima no repetitiva IFSM, es el máximo pico de intensidad

aplicable por una vez cada 10 minutos o más, con duración de pico de 10ms.

El tiempo de recuperación inverso (trr); el paso del estado de conducción al de

bloqueo en el diodo no se efectúa instantáneamente. Si un el diodo se encuentra
conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unión P-N está saturada de portadores
mayoritarios con tanta mayor densidad de éstos cuanto mayor sea I F. Si mediante la
aplicación de una tensión inversa forzamos la anulación de la corriente con cierta velocidad
di/dt, resultará que después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de
portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en
sentido contrario durante un instante. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se
establece hasta después del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los
portadores empiezan a escasear y aparece en la unión la zona de carga espacial. La
intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado tiempo de caída) en pasar de un valor de
pico negativo (IR) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso de
portadores.

En cuanto a las características térmicas:

Temperatura de la unión (Tjmáx), es el límite superior de temperatura que no se

debe sobrepasar a la unión del dispositivo si queremos evitar su inmediata destrucción. En
ocasiones, en lugar de la temperatura de la unión se nos da la "operating temperature range"
(margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha
fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores,
uno mínimo y otro máximo.

Temperatura de almacenamiento (Ta), es la temperatura a la que se encuentra el

dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen de
valores para esta temperatura.

Circuito para determinar las características voltaje-corriente (v-i)

Polarización directa Polarización Inversa

Polarización en Directo
 Polarización en inverso

Tomar en consideración que las gráficas en inverso se les ha hecho “zoom”, para
poder observar el valor de corriente, que es pequeño. Originalmente es como se muestra a
continuación.
 El diodo 1N4001 tiene un voltaje umbral de aproximadamente 0,7V, con un voltaje
en directo maximo de 0,96V para una corriente de 1A.

Una corriente en inverso de 9,65uA y un voltaje de 75V. En polarización directa

tiene valores que coinciden con los suministrados por el datasheet, sin embargo, en
polarización inversa los datos de voltaje y corriente en inverso difieren ostensiblemente.

 Diodo rápido: 1N4148

Tensión inversa máxima VRRM 100 V

repetitiva
Tensión inversa máxima no VRMS 75 V
repetitiva.
Corriente directa media I(AV) 200 mA
nominal
Corriente directa IF 300 mA
Intensidad directa máxima no IFSM 1A
repetitiva
Tensión directa VF 1V
Corriente inversa TA = 25ºC IR 100 uA
Tiempo de recuperación trr 4 ns
inversa
Rango de temperatura Tj 175 ºC

Este diodo sigue siendo un dispositivo de baja tensión, que a diferencia del diodo
1N4001 tiene un tiempo de recuperación inversa mucho menor, por lo que se le considera
un “diodo rápido”, es decir que tiene una alta velocidad de conmutación.

Con referencia a la corriente inversa del diodo, el datasheet suministra dos valores,
para 2 temperaturas diferentes (sólo refleje un valor por las condiciones del laboratorio,
simulado), esto ocurre porque la corriente inversa aumenta con la temperatura de
almacenamiento.
Polarización en directo

Polarización en inverso
 Al igual que el diodo de propósito general tiene un voltaje umbral de 0,7V, sin
embargo el voltaje en directo máximo es de 1,6V para un amperaje de 1A, esto difiere de
las características que proporciona el fabricante, que muestra una corriente en directo de
300mA.

En cuanto al voltaje en inverso se ajusta mucho mejor a los valores del datasheet
que el diodo 1N4001, sin embargo la corriente en inverso es más pequeña en comparación a
lo que refleja el fabricante.

 Diodo Schottky: 1N6650

Tensión inversa máxima VRRM 45 V

repetitiva
Tensión inversa máxima no VRMS 45V
repetitiva.
Corriente directa media I(AV) 1A
nominal
Corriente directa IF 1a
Intensidad directa máxima no IFSM 25 A
repetitiva
Tensión directa VF 0.56 V
Corriente inversa TA = 25ºC IR 25 uA
Rango de temperatura ºC Tj -65 a 150

El diodo Schottky tiene un voltaje umbral en directo (V F) pequeño, en comparación

al 1N4100 y al 1N4148, lo que es muy útil cuando se usa en serie con una fuente de
energía, como en los circuitos de protección de voltaje inverso, ya que reduce las pérdidas
de carga.

En este caso en particular el datasheet no provee el valor del tiempo de recuperación

en inversa, sin embargo, la teoría nos dice que el t rr en estos diodos es menor a 1ns y en
algunos casos es cero, por lo que en este sentido son más rápidos que cualquier diodo
rápido o ultrarrápido. Aunque en diodos Schottky de mayor voltaje, que tienen algunas
estructuras adicionales y parásitas, pueden mostrar algunos efectos de recuperación
inversos.

Polarización directa Polarización Inversa

Polarización en directo

Polarización en inverso
 El diodo Schottky tiene un voltaje umbral de 300mV, mucho menor a los diodos
analizados anteriormente. Tiene un voltaje máximo de polarización en directo de 552mV,
lo cual se aproxima mucho a la información del datasheet y en inverso sigue mostrando
valores ajustados a lo que suministra el fabricante, con un voltaje en inverso de 46,96V.

 Diodo Potencia: BYT12P/1000

Tensión inversa máxima VR = VRRM 1000 V

repetitiva
Tensión inversa máxima no VRMS 1000V
repetitiva.
Corriente directa media I(AV) 12 A
nominal
Corriente directa IF 12 A
Intensidad directa máxima no IFSM 150 A
repetitiva
Tensión directa VF 1.9 V
Corriente inversa TA = 25ºC IR 50 uA
Tiempo de recuperación trr 220 ns
inversa
Rango de temperatura ºC Tj -40 a 150
 Polarización en directo

Exceptuando al diodo Schottky, este diodo de potencia, al igual que el 1N4001 y el

1N4148 tienen un voltaje umbral de aproximadamente 0,7V. La diferencia entre ellos y del
propio diodo Schottky es la corriente en directo, el cual es de 12A, completamente ajustado
a lo que dice el datasheet y a las características de potencia del diodo.

Este fue el único caso donde el valor de la fuente de alimentación se ajustó a 1100V,
para poder obtener las características en directo y en inverso del diodo.

2. Comparación del tiempo de recuperación en inversa.

 La gráfica anterior muestra que los diodos rápido 1N4148 (azul claro) y Schottky
1N6650 (rojo) son los diodos que responden con mayor rapidez, de hecho, la fuente de
alimentación AC se configuro en 3.5MHz para poder observar su tiempo de recuperación
en inversa, un valor menor, por ejemplo 100KHz, no permite observar ningún tipo de
reacción, en cuanto al tiempo que toma el diodo en pasar del estado de conducción al de
bloqueo.

Por otra parte, como se esperaba, el diodo de potencia BYT12P (Datasheet 220ns)
es más rápido que el diodo de propósito general 1N4001 (30µs). Se puede validar esta
información suministrada por los datasheets en la siguiente gráfica.

100KHz
Figura 5.

A 100KHz el diodo 1N4001 (morado) le toma aprox 2.5µs dejar de conducir y

entrar en bloqueo, mientras que al diodo de potencia (verde) le toma menos de 0.5µs.
3. Rectificador monofásico tipo puente con carga resistiva-inductiva y corriente de
carga inductiva.
 En la gráfica anterior puede observarse como el puente de diodos rectifica la onda
senoidal de la fuente (12V – 60Hz), y a su vez se muestra el desplazamiento de la señal
rectificada de 4V, generado por la fuente de corriente continua.

En la gráfica a continuación, se muestra la corriente de carga continua.

 Rectificador con filtro

En la gráfica puede observarse que la incorporación del filtro al puente rectificador

disminuye el rizo de la señal rectificada, lo que es importante en este tipo de aplicaciones
con diodos porque el objetivo es obtener una señal continua lo más parecida a la que
proporciona una batería.
 4. ¿Có mo afecta el fenó meno de recuperació n inversa del diodo en el puente
rectificador?

El tiempo de recuperación en inversa disminuye cuando los diodos están conectados

en “puente”, en este caso en particular con una frecuencia de 100KHz se puede observar
que el tiempo de recuperación es menor en relación a la gráfica obtenida en la pregunta 2.
 Testear e identificar los pines de un diodo a través del multímetro:

Utilizar un multímetro digital ponerlo en un 100 x 10 x escalado o la resistencia en

el caso de los multímetros analógicos y multímetros digitales comunes, en el rango de
ohmios y AutoRANGER multímetros digitales o escala de conductividad / diodo.

Hacer que el diodo de medición (resistencia o continuidad) en ambas direcciones, la

inversión de las sondas de multímetro.

En la imagen de arriba muestra una medición de un diodo en buen estado en el

rango de conductividad / diodo, que tiene una baja resistencia en una dirección en el sesgo
hacia adelante y una alta resistencia en la dirección opuesta, es decir, la inversión de
polaridad.

En el caso de un diodo abierto, tendrá una alta resistencia en ambas direcciones de

medidas y un diodo en corto, tendrá una baja resistencia en ambas direcciones de la acción.