UNIVERSIDAD CATOLICA DE SANTA MARIA

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERIAS FISICAS Y FORMALES

PROGRAMA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA

CURSO: ELECTRONICA INDUCTRIAL

PROFESOR: Ing. Juan Carlos Copa Pineda

PRACTICA 2. DIODOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

1. INTRODUCCION

Los diodos rectificadores de silicio tienen alta capacidad de transporte de corriente

directa, típicamente hasta varios cien amperios. Suelen tener una resistencia directa de
sólo una fracción de un ohmio mientras que su resistencia inversa está en el rango de
megaohmios. Se los emplea principalmente en la conversión de energía, como en
fuentes de alimentación, rectificadores, inversores, etc. [1]

En la presente práctica se analizará el modelo matemático de un diodo semiconductor

de potencia, se simulara mediante software y se obtendrá su representación gráfica
para diferentes condiciones.

2. OBJETIVOS

 Analizar el comportamiento estático y dinámico de diferentes diodos de potencia

 Estimar tiempos de recuperación inversa y evaluar el comportamiento de la
capacitancia de juntura PN con polarización inversa del diodo
 Calcular parámetros básicos de un rectificador de media onda con carga resistiva

3. SOFTWARE Y ELEMENTOS UTILIZADOS

Software Orcad
Software Mathcad

4. MARCO TEORICO

4.1.- PROPIEDADES DE LOS DIODOS DE POTENCIA[1]

Propiedades de la unión PN
4.2 CARACTERIZACIÓN DINÁMICA [3]

RECUPERACIÓN INVERSA
El paso del estado de conducción al de bloqueo no se efectúa instantáneamente. Si un
diodo conduce en sentido directo una intensidad IF, la zona central de la unión esta
saturada de portadores minoritarios con tanta mayor densidad cuanto mayor sea IF.
Cuando el circuito externo fuerza la anulación de la corriente con cierta velocidad dIF =dt
para llevar al diodo al estado de bloqueo, la corriente decrecerá hasta su paso por cero,
pero existen aún en la unión una cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de
movimiento y permiten que el diodo conduzca durante algún tiempo en sentido contrario.
La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo ta
llamado tiempo de almacenamiento (ts) en que los portadores empiezan a escasear. La
intensidad todavía tarda un tiempo tb o tiempo de caída (tf) en descender a un valor
despreciable mientras va desapareciendo el exceso de portadores. Durante este periodo
es el propio diodo quien impone el dI=dt en la disminución de la corriente inversa. La
energía que se ha almacenado en forma de corriente por las inductancias presentes en el
circuito durante ta se transforma en el pico de tensión VRM, al descargarse la corriente que
circulaba por las inductancias sobre la capacidad parasita del diodo.
Existen dos tipos de diodos de recuperación rápida: Snapp-off (recuperación abrupta) y
Soft-recovery (recuperación suave). En los primeros tb es mucho más corto que en los
segundos.
El parámetro por el que caracteriza la rapidez de un diodo se define como trr = ta + tb,
tiempo de recuperación inversa. La carga eléctrica desplazada en sentido negativo, carga
de recuperación Qrr, que es el área sombreada de la figura 4.2.1. La intensidad de pico
alcanzada en sentido inverso se llama intensidad pico de recuperación inversa, IRRM. El
fabricante puede proporcionar también el factor de tolerancia o Softness factor (Sf), que
se define como Sf = tf / ts = (-di/dt)/(dir/dt)

Conviene que tf no sea bajo (Sf alto), para evitar emisión de ruido E.M.I ya que di/dt sería
alta, además puede dar lugar a picos de tensión en inductancias en serie con el diodo. Pero
valores de tf altos dan lugar a mucha disipación de potencia en la conmutación al coincidir
corriente y tensión altas.
Es por lo tanto necesario llegar a un compromiso y valores de Sf próximos a 1 son los
más adecuados (Soft recovery diodes).

Figura 4.2.1. Formas de onda de corriente y tensión en el transitorio a off del diodo
Figura 4.2.2. Diodo, tiempo de recuperación inversa

En la figura 4.2.3 se ha representado la corriente de un diodo de un rectificador con 180º

teóricos de conducción. Funcionando a 50 Hz la intensidad y el tiempo de recuperación
inversa son despreciables, mientras que (en circuito real) a 50 kHz y con la misma
intensidad directa de pico, dichos parámetros se hacen importantes de forma que el valor
medio de la corriente rectificada es bastante inferior al teórico. La recuperación directa se
ha despreciado.

Figura 4.2.3. Corrientes de un diodo en un circuito rectificador teórico y real.

RECUPERACIÓN DIRECTA

Otro fenómeno similar pero de menor importancia tiene lugar cuando el diodo pasa de
bloqueo a conducción figura 4.2.4. Se necesita un tiempo finito para que los mayoritarios
de ambas capas inunden la zona de carga espacial y se establezca en ésta el potencial de
unión. Mientras tanto aparece una tensión positiva entre ánodo y cátodo, que alcanza un
valor máximo (Tensión pico de recuperación directa, VFRM) antes de caer al valor de
conducción del diodo, provocada por el circuito exterior que tiende a poner el diodo en
conducción.

Dicha tensión máxima (VFRM) puede ser bastantes elevada y es tanto mayor cuanto mayor
es la derivada de la intensidad (di/dt) , el valor final de la misma IFM y la temperatura. En
la figura 4.2.4 se describe este fenómeno de recuperación directa y se define el tiempo de
recuperación directa, trd, como el que transcurre entre el instante en que la tensión ánodo-
cátodo se hace positiva y aquel en que dicha tensión alcanza el valor normal de
conducción.
Este tiempo es bastante menor que el de recuperación inversa y no suele producir pérdidas
de potencia apreciables, pero el pico de tensión puede llegar a alcanzar valores altos en
diodos rápidos. La tensión directa máxima alcanzada en el proceso se llama tensión de
recuperación directa (VFRM).

Figura 4.2.4. Paso del Diodo de bloqueo a conducción

4.3. TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA

A continuación se muestra algunos tipos de diodos

Diodos rectificadores para baja frecuencia

Características:
IFAV: 1A – 6000 A
VRRM: 400 – 3600 V
VFmax: 1,2V (a IFAVmax)
trr: 10 µs

Aplicaciones:
 Rectificadores de Red.
 Baja frecuencia (50Hz).

Diodos rápidos (fast) y ultrarrápidos (ultrafast)

Características:
IFAV: 30A – 200 A
VRRM: 400 – 1500 V
VFmax: 1,2V (a IFAVmax)
trr: 0,1 - 10 µs
Aplicaciones:
 Conmutación a alta frecuencia (>20kHz).
 Inversores.
 UPS.
 Accionamiento de motores CA.

Diodos Schotkky

Características:
IFAV: 1A – 120 A
VRRM: 15 – 150 V
VFmax: 0,7V (a IFAVmax)
trr: 5 ns

Aplicaciones:
 Fuentes conmutadas.
 Convertidores.
 Diodos de libre circulación.
 Cargadores de baterías.

Diodos para aplicaciones especiales (alta tensión)

Características:
IFAV: 0,45A – 2 A
VR: 7,5kV – 18kV
VRRM: 20V – 100V
trr: 150 ns

Aplicaciones:
 Aplicaciones de alta tensión.

Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente)

Características:
IFAV: 50A – 7000 A
VRRM: 400V – 2500V
VF: 2V
trr:10 µs

Aplicaciones:
 Aplicaciones de alta corriente.
5.- DESARROLLO:

IMPORTANTE: Antes de ingresar al laboratorio de electricidad debe considerar todas

las medidas de seguridad Indicadas en el Reglamento de Seguridad, Protocolo de
Seguridad y Manual de Seguridad del Laboratorio de la Escuela Profesional de Ingeniería
Electrónica. Así mismo deben ingresar al laboratorio con su respectivas EPP.

La presentación de la practica incluye entre otros la demostración de la simulación.

Para la presente práctica debe utilizar uno de los siguientes diodos, según el último digito
de su DNI, (ejemplo si el DNI de uno de los integrantes del grupo, termina en 1 debe
utilizar el diodo serie BYT249-300)

DNI1:______________________ ; DNI2:_______________________

1. BY249-300
2. BYP302
3. BYT12P-1000
4. BYT30P-400
5. BYT30P-600
6. BYT231PIV-400
7. BYW29-150
8. BYW29-200
9. MBR1035
0. MBR3100RL

5.1. Si el tiempo de recuperación en inversa de un diodo es trr = 6 µS, la velocidad de

reducción de la corriente del diodo es di/dt = 42A/µS y si el factor de suavidad es SF =
0.6. Determinar la carga de almacenamiento Qrr y la corriente inversa pico Irr

5.2. Para el circuito de la figura 5.2.1 varíe la tensión de -0.6 a 1 Vcd cada 0.01V, utilice
el diodo Schottky de potencia MBR735.
-Simular y graficar los circuitos con los valores respectivos.
-Del datasheet, elabore una tabla con 10 características principales de diodo.
a) Graficar y describir la curva característica estática del diodo.
b) Varíe la tensión de la fuente hasta obtener una corriente inversa muy alta.

Figura 5.2.1. Polarización del diodo

Figura 5.2.2. Característica estática del diodo

5.3. Repetir la pregunta 5.2 utilizando un diodo de potencia, según el último digito del
DNI.
5.4. Para el circuito de la figura 5.4.1. con una fuente de onda cuadrada de amplitud 12Vpp
frecuencias de 12kHz y 120kHz, una resistencia de 1kohm y un diodo de potencia
BTY3400B.
-Simular y graficar los circuitos con los valores respectivos
-Del datasheet, elabore una tabla con 10 características principales de diodo.
a) Compare las señales de entrada y salida (graficar a detalle)
b) Determine el tiempo trr y la corriente de recuperación inversa Irr. Estime la carga de
recuperación inversa Qrr. (graficar a detalle)
c) Analizar los resultados

Figura 5.4.1. Circuito rectificador de media onda (diodo de potencia)

Figura 5.4.2. Tiempo de recuperación inversa del circuito rectificador figura 5.4.1

5.5. Repetir la pregunta 5.4 utilizando un diodo de potencia, según el último digito del
DNI.

5.6. Para el circuito de la figura 5.6.1, con una fuente senoidal, una resistencia de 2k ohm
y un diodo de potencia (según el último digito del DNI),
-Simular y graficar los circuitos con los valores respectivos
-Del datasheet, elabore una tabla con 10 características principales de diodo.
a) Compare las señales de entrada y salida (graficar a detalle)
b) Determine el tiempo trr y la corriente de recuperación inversa Irr. Estime la carga de
recuperación inversa Qrr. (graficar a detalle)
c) Analizar los resultados

Figura 5.6.1. Circuito rectificador de media onda (diodo de potencia)

Figura 5.6.2. Corriente en el circuito de la figura 5.6.1.

5.6. (Opcional) Para un rectificador (con 180º teóricos de conducción) de media onda,
con una fuente sinusoide de 120 Vrms, frecuencia de 60 Hz y una resistencia de carga de
5ῼ. Determinar: a) La corriente media en la carga. b) La potencia media absorbida por
la carga. c) El factor de potencia del circuito.

6. CONCLUSIONES

7. REFERENCIAS

[1] Muhammad H Rashid, Power Electronics Handbook Devices Circuits and

Applications 3rd Ed, 2011
[2] Daniel W. Hart, Valparaíso University, Indiana, Electrónica de Potencia, 2001
[3] Iñigo Martínez de Alegría, Armando Astarloa, Carlos Cuadrado, ELECTRÓNICA
INDUSTRIAL Apuntes, prácticas y problemas