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EL DIODO DE POTENCIA Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de fugas. La curva caracterstica ser la que se puede ver a continuacin

VRRM: tensin inversa mxima VD: tensin de codo. A continuacin vamos a ir viendo las caractersticas ms importantes del diodo, las cuales podemos agrupar de la siguiente forma: Caractersticas estticas: Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa). Parmetros en conduccin. Modelo esttico. Introduce Caractersticas dinmicas: Tiempo de recuperacin inverso (trr). Influencia del trr en la conmutacin. Tiempo de recuperacin directo. potencia o Potencia mxima disipable. o Potencia media disipada. o Potencia inversa de pico repetitivo. o Potencia inversa de pico no repetitivo.

Caractersticas estticas

Parmetros en bloqueo Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha. Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada. Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms. Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del mismo. Tensin inversa contnua (VR): es la tensin continua que soporta el diodo en estado de bloqueo. Parmetros en conduccin Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos sinusuidales de 180 que el diodo puede soportar. Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms , con una duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25). Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms. Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de conduccin.

Modelos estticos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los clculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo adecuado segn el nivel de precisin que necesitemos. Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano, reservando modelos ms complejos para programas de simulacin como PSPICE. Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las libreras del programa. Caractersticas dinmicas recuperacin inverso

El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta instantneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unin P-N est saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de stos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicacin de una tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultar que despus del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unin la zona de carga espacial. La

intensidad todava tarda un tiempo tb (llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciedo el exceso de portadores. o ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo. o tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de ste. o trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb.

o Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea negativa de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo. o di/dt: es el pico negativo de la intensidad. o Irr: es el pico negativo de la intensidad. La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF". Si observamos la grfica podemos considerar Qrr por el rea de un tringulo :

Tiempo de recuperacin directo

tfr (tiempo de recuperacin directo): es el tiempo que transcurre entre el instante en que la tensin nodo-ctodo se hace positiva y el instante en que dicha tensin se estabiliza en el valor VF. Este tiempo es bastante menor que el de recuperacin inversa y no suele producir prdidas de potencia apreciables. Disipacin de potencia Potencia mxima disipable (Pmx) Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos

confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada sta potencia de trabajo. Potencia media disipada (PAV) Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de conduccin, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas. Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo, como:

Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM: Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo. Potencia inversa de pico no repetitiva (PRSM) Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico. SCR (Rectificador controlado de silicio) Tiristor es un elemento semiconductor muy utilizado para controlar la cantidad de potencia que se entrega a una carga, Analizando el smbolo: - A = nodo - G = compuerta o Gate - C = ctodo, tambin representado por la letra K

=>Scr En lA cORRiEnte ConTinuA:

Normalmente el SCR se comporta como un circuito abierto hasta que activa su compuerta (GATE) con una pequea corriente (se cierra el interruptor S) y as este conduce y se comporta como un diodo en polarizacin directa Lo que sucede despus de ser activado el SCR, se queda conduciendo y se mantiene as. Si se desea que el tiristor deje de conducir, el voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios. =>ScR En lA CORRiEntE AlternA:

El circuito anterior RC produce un corrimiento de la fase entre la tensin de entrada y la tensin en el condensador que es la que suministra la corriente a la compuerta del SCR. Puede verse que el voltaje en el condensador (en azul) est atrasado con respecto al voltaje de alimentacin (en rojo) causando que el tiristor conduzca un poco despus de que el tiristor tenga la alimentacin necesaria para conducir. Durante el ciclo negativo el tiristor se abre dejando de conducir.

MAs ESPEcIFiCAcIonES y cArAcTErIStiCAS De LOs ScR En EStA OTrA PAginA encOnTRArAn: *PRinCIpio de FUncionAmiNEto *MEtODoS de DiSpAro *CArAcTErIStiCAs de LOS Scr APLICACIONES DEL SCR Unas cuantas aplicaciones del SCR pueden ser un interruptor esttico, un sistema de control de fase, un cargador de bateras, un controlador de temperatura, y un sistema de luces de emergencia . Interruptor estatico: Un interruptor esttico serie de media onda se muestra en la figura (1a). Si el interruptor se cierra como se muestra en la figura (1b), circular una corriente de compuerta durante la parte positiva de la seal de entrada, disparando al SCR. El resistor R, limita la magnitud de la corriente de compuerta. Cuando el SCR se dispare, el voltaje nodo a ctodo (VF) disminuir el valor de conduccin, producindose una corriente de compuerta bastante reducida y prdidas sumamente bajas en el circuito de compuerta. En la regin negativa de la seal de entrada, el SCR se apagar, ya que el nodo es negativo con respecto al ctodo. El diodo D, se incluye para evitar una inversin en la corriente de compuerta.

Las formas de onda para la corriente y voltaje de carga resultantes se presentan en la figura (1b).El resultado es una seal rectificada de media onda a travs de la carga. Si se desea una conduccin con una duracin menor que 180, el interruptor puede cerrarse a cualquier desplazamiento de fase durante la parte positiva de la seal de entrada. El interruptor puede ser electrnico, electromagntico o mecnico, dependiendo de la aplicacin. Un circuito capaz de establecer un ngulo de conduccin entre 90 y 180 se muestra en la figura (2a). El circuito es similar al de la figura (1a) excepto por la adicin de un resistor variable y la eliminacin del interruptor. La combinacin de los resistores R y R1 limitar la corriente de compuerta durante la parte positiva de la seal de entrada. Si R1 se fija para su valor mximo, puede ocurrir que la corriente de compuerta nunca alcance la magnitud del disparo. Conforme R1 disminuye desde el mximo, la corriente de compuerta aumentar con el mismo voltaje de entrada. En esta forma, la corriente de disparo de compuerta requerida puede establecerse en cualquier punto entre 0 y 90, como se muestra en la figura (2b).Si R1 es baja, el SCR se disparar casi de inmediato, resultando la misma accin que la que se obtuvo del circuito de la figura (1a) (conduccin durante 180).

Control de fase de resistencia variable de media onda No obstante, como se indic con anterioridad, si se incrementa R1 se requerir un voltaje de entrada ms alto (positivo) para activar el SCR. Como se indica en la figura (2b), el control no puede extenderse ms all de un desplazamiento de fase de 90 porque la entrada es mxima en este punto. Si falla para disparar s ste y a valores menores de voltaje de entrada sobre la pendiente positiva de la entrada, debe esperarse la misma respuesta de la parte con pendiente negativa de la forma de onda de la seal. La operacin en este caso suele denominarse en trminos tcnicos como control de fase de resistencia variable de media onda. Es un mtodo efectivo para controlar corriente rms y, en consecuencia, la potencia hacia la carga.. Una tercera aplicacin comn del SCR es en un regulador cargador de batera. Los componentes fundamentales del circuito se muestran en la figura (3). Aqu se notar que el circuito de control se ha bloqueado para propsitos de anlisis. Como se indica en la figura, D1 y D2 establecen una seal rectificada de onda completa a travs del SCR1 y la batera de 12v que se va a cargar. A bajos

voltajes de la batera SCR2 est en el estado de corte por razones que se explicarn ms adelante. Con SCR2 abierto, el circuito de control SCR1 es exactamente el mismo que el control del interruptor esttico que se analiz anteriormente. Cuando la entrada rectificada de onda completa es lo bastante grande para producir la corriente de disparo de compuerta requerida (controlada por R1), SCR1 se disparar y dar comienzo a la carga de la batera. Al inicio de la carga, el bajo voltaje de la batera producir un bajo voltaje VR determinado por el circuito divisor de voltaje sencillo. El voltaje VR es, a su vez, demasiado pequeo para provocar la conduccin del Zener de 11.0 v. En el estado de corte, el Zener es efectivamente un circuito abierto que mantiene a SCR2 en el estado de corte porque la corriente de compuerta es cero. El capacitor C1 se incluye para evitar los transitorios de voltaje en el circuito y que ellos accidentalmente disparen al SCR2. Recurdese de sus estudios fundamentales de anlisis de circuitos que el voltaje no puede cambiar en forma instantnea a travs de un capacitor. De ste modo, C1 evita que los efectos transitorios afecten al SCR.

Regulador del cargador de batera A medida que la carga contina, el voltaje de la batera aumenta hasta un punto donde VR es lo suficientemente alto como para hacer conducir al Zener de 11.0 V y disparar al SCR2 . Una vez que SCR2 se ha disparado, la representacin en corto circuito para SCR2 producir un circuito divisor de voltaje determinado por R1 y R2, que mantendr a V2 en un nivel demasiado pequeo para disparar el SCR1. Cuando esto ocurre, la batera est completamente cargada y el estado en circuito abierto de SCR1 cortar la corriente de carga. De este modo, el regulador recarga la batera si el voltaje disminuye y evita la sobrecarga cuando se ha cargado al mximo. En la figura (4) aparece el diagrama esquemtico de un control de calefaccin de 100W que utiliza un SCR. Se ha diseado de manera tal que el calefactor

de 100W se encender y apagar de acuerdo a como lo determine el termostato. Los termostatos de mercurio en vidrio son muy sensibles al cambio de temperatura. En realidad, ellos pueden registrar cambios tan pequeos como 0.1C. Sin embargo, su aplicacin es limitada porque slo pueden manejar niveles sumamente bajos de corriente (menores que 1 mA). En esta aplicacin, el SCR sirve como un amplificador de corriente en un elemento de conmutacin de carga. No es un amplificador en el sentido de que incremente el nivel de corriente del termostato. Ms bien es un dispositivo cuyo alto nivel de corriente se controla mediante el comportamiento del termostato. Debe ser claro que la red puente est conectada a la alimentacin de ca a travs del calefactor de 100W. Esto producir un voltaje rectificado de onda completa a travs del SCR. Cuando el termostato est abierto el voltaje en el capacitor se cargar hasta un potencial de disparo de compuerta a travs de cada pulso de la seal rectificada. La constante de tiempo de carga se determina por el producto RC. Esto disparar el SCR durante cada medio ciclo de la seal de entrada, permitiendo un flujo de carga (corriente) hacia el calefactor. Conforme aumente la temperatura, el termostato conductivo pondr en corto circuito al capacitor, eliminando la posibilidad de que este ltimo se cargue hasta el potencial de disparo y se dispare el SCR. El resistor de 510 k contribuir entonces a mantener una corriente sumamente baja (menor que 250 A) a travs del termostato. Figura (4) Controlador de temperatura (Cortesa de General Electric Semiconductor Products Divisin) La ltima aplicacin del SCR que se describir se muestra en la figura (5). Es un sistema de iluminacin de emergencia de una sola fuente que mantendr la carga en una batera de 6 V para asegurar su disponibilidad y brindar tambin energa cd a una lmpara elctrica si hay una interrupcin elctrica.. Una seal rectificada de onda completa aparecer a travs de la lmpara de 6 V debido a los diodos D2 y D1. El capacitor C1 se cargar hasta un voltaje ligeramente menor que la diferencia entre el valor pico de la seal rectificada de onda completa y el voltaje cd en R2 establecido por la verta de 6 V. En todo caso, el ctodo del SCR1 est mayor que el nodo y el voltaje de la compuerta al ctodo es negativo, asegurando que el SCR no conduzca. La batera se est cargando a travs de R1 y D1 a una razn determinada por R1. La carga de la batera slo ocurre cuando el nodo de D1 es ms positivo que su ctodo. El nivel cd de la seal rectificada de onda completa asegurar que la lmpara este encendida cuando haya potencia. Si la alimentacin elctrica falla, el capacitor C1 se descargar a travs de D1, R1 y R3 hasta que

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el ctodo de SCR1 sea menos positivo que el nodo. Al mismo tiempo, la unin de R2 y R3 se volver positiva y establecer suficiente voltaje de compuerta a ctodo para disparar el SCR. Una vez disparado, la batera de 6 V se descargara a travs del SCR1 y energizara la lmpara y mantendra su iluminacin. Despus de que se restablece la energa, el capacitor C1 se recargar y restablecer el estado no conductor de SCR1, como se describi antes.

Conclusiones: *A los SCR se le puede dar diferentes aplicaciones como lo son interruptores estticos, sistema de control de fase, cargadores de bateras, controladores de temperatura, y sistemas de luces de emergencia, segn su implementacin o ubicacin de estos en los circuitos electrnicos podemos obtener las aplicaciones anteriormente mencionadas. *Despus de ser activado el SCR, se queda conduciendo y se mantiene as. Si se desea que el tiristor deje de conducir, el voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios.

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TRIAC Y DIAC

DIAC (Diodo Interruptor de Corriente Alterna): Este es un dispositivo controlado por voltaje, el cual se comporta como dos diodos zener puestos en contraparalelo, como ya lo dijimos: cuando el voltaje de cualquier polaridad entre sus dos terminales excede el valor especificado, entra en avalancha y disminuye su resistencia interna a un valor muy bajo. Esto significa que, si es colocado en paralelo con la salida de una fuente de corriente alterna podr recortar todos los picos positivos y negativos que pasen del voltaje del umbral del diac. Si es puesto en serie, solamente dejar pasar corriente cuando lleve ms tensin que la del gatillado para triacs en circuitos de corriente alterna. El dispositivo tiene un rango simtrico de conmutacin(en ambos sentidos) de 20 a 40 voltios, tensin que usualmente excede el punto de umbral del gate de los triacs, de tal forma que estos trabajan siempre en un nivel seguro. Si bien es cierto que el SCR se puede acondicionar para el manejo de cargas alimentadas con corriente alterna, es un hecho que tal cosa no es del todo prctica ni econmica. Si se colocan 2 SCR en contraparalelo se necesitan dos circuitos de control independientes para el manejo de sus compuertas, lo cual le resta precisin al diseo y por ende, aumenta los riesgos de fallas. El diseo de los primeros TRIACs fue la respuesta a la necesidad industrial de dispositivos tiristores que pudieran controlar en fase todo el ciclo de una onda de corriente alterna, incorporando las funciones de 2 SCRs dentro de una sola pastilla semiconductora, y ambos controlados por un solo gate. Las caractersticas de compuerta(gate) del TRIAC son muy diferentes de aquellas para dos SCR en contraparalelo, para los SCR, se debe aplicar una seal positiva de control entre el Gate 1 y el terminal principal 1 cuando el terminal Principal 1 es negativo, y entre el Gate 2 y el terminal Principal 2 sea negativo. Este mtodo de operacin requiere de dos circuitos separados de compuerta. En el TRIAC, el Gate 1 y el Gate 2 estn conectados juntos y se pueden operar con solamente un circuito de control conectado entre las compuertas y el terminal Principal 1. El modo ms fcil de gatillado para control de corriente alterna, se obtiene polarizando positivamente el terminal de compuertas cuando el Terminal Principal 1 sea positivo. En otras palabras, par poner en conduccin en ambos sentidos al TRIAC basta con darle al gate un poco de

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seal de la misma corriente(polaridad) que haya en ese momento en el Terminal Principal 2. El gatillado para control de corriente alterna tambin es posible con polarizacin negativa en el terminal de compuertas durante ambos semiciclos. Para manejo de corriente directa, basta con suministrar al gate una seal positiva de manera similar a como se controla un SCR. Si ponemos en serie con el terminal del gate un dispositivo que garantice pulsos de disparo con voltaje superior al nivel de umbral del TRIAC(punto en el cual el triac no sabe si conducir o no), obtendremos lo que se conoce como QUADRAC. Este dispositivo se consigue ya integrado dentro de encapsulados iguales a los de los triac, estos se reconocen por la referencia, por ejemplo: Q4006LT. El nmero 400 seala el voltaje del triac, el 6 indica la corriente de trabajo en amperios, y las letras LT significan que tienen DIAC incluido en el gate. CIRCUITO PRACTICO PARA DISPARO

En la figura se muestra un circuito practico de disparo de un triac utilizando un UJT. El resistor RF es un resistor variable que se modifica a medida que las condiciones de carga cambian. El transformador T1 es un transformador de aislamiento, y su propsito es aislar elctricamente el circuito secundario y el primario, para este caso asla el circuito de potencia C.A. del circuito de disparo. La onda senoidal de C.A. del secundario de T1 es aplicada a un rectificador en puente y la salida de este, a una combinacin de resistor y diodo zener que suministran una forma de onda de 24 v sincronizada con la lnea de C.A. Cuando la alimentacin de 24 v se establece, C1 comienza a cargarse hasta la Vp del UJT, el cual se dispara y crea un pulso de corriente en el devanado primario del transformador T2. Este se acopla al devanado secundario, y el pulso del secundario es entregado a la compuerta del triac, encendindolo durante el resto del semiciclo. Las formas de onda del capacitor( Vc1), corriente del secundario de T2 ( Isec) y voltaje de carga (VLD), se muestran en la figura 2(b), (c),(d). La razn de carga de C1 es determinada por la razn de RF a R1, que forman un divisor de voltaje, entre ellos se dividen la fuente de C.D. de 24 v que alimenta al circuito de disparo. Si RF es pequeo en relacin a R1, entonces R1 recibir una gran parte de la fuente de 24 v , esto origina que el transistor pnp Q1 conduzca, con una circulacin grande de corriente por el colector pues el voltaje de R1 es aplicado al circuito de base, por lo tanto C1 se carga con

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rapidez. Bajo estas condiciones el UJT se dispara pronto y la corriente de carga promedio es alta. Por otra parte si RF es grande en relacin a R1, entonces el voltaje a travs de R1 ser menor que en el caso anterior, esto provoca la aparicin de un voltaje menor a travs del circuito base-emisor de Q1 con la cual disminuye su corriente de colector y por consiguiente la razn de carga de C1 se reduce, por lo que le lleva mayor tiempo acumular el Vp del UJT. Por lo tanto el UJT y el triac se disparan despus en el semiciclo y la corriente de carga promedio es menor que antes.

TRANSISTOR POTENCIA UJT

El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unin PN Fsicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones elctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexin hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unin el aluminio crea una regin tipo P en la barra, formando as una unin PN.

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Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est dado por la frmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1 Donde: - n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante) - VB2B1 = Voltaje entre las dos bases La frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura. Dos ejemplos sencillos 1.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.63 y 24 voltios entre B2 y B1. Cul es el voltaje de disparo aproximado? Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.63 x 24) = 15.8 Voltios 2.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.68 y 12 voltios entre B2 y B1. Cul es el voltaje de disparo aproximado? Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.68 x 12) = 8.86 Voltios. Nota: - Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber entre E y B1 para que el UJT se dispare = Ip. - Es importante hacer notar que tambin se ha construido el UJT donde la barra es de material tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o UJT complementario. Este se comporta de igual forma que el UJT pero con las polaridades de las tensiones al revs TRANSISTOR MONOUNION UJT El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar seales de disparo en los SCR. En la fig.5 se muestra un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidas como emisor E, base1 B1 y base2 B2. Entre B1 y B2 la monounin tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria (la resistencia entre bases RBB teniendo valores en el rango de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de alimentacin Vs en cd, se carga el capacitor C a travs de la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en estado abierto. La constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC. Cuando el voltaje del emisor VE, el mismo que el voltaje del capacitor llega a un valor pico Vp, se activa el UJT y el capacitor se descarga a travs de RB1 a una velocidad determinada por la constante de tiempo T2=RB1C. T2 es mucho menor que T1. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga. El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo suficientemente grande como para activar el SCR. El periodo de oscilacin, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin Vs y est dado por: T = 1/f = RC ln 1/1-n

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TRANSISTOR MONOUNION PROGRAMABLE El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo tiristor que aparece en la fig.7. Un PUT se puede utilizar como un oscilador de relajacin, tal y como se muestra en la fig.7b. El voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentacin mediante el divisor resistivo del voltaje R1 y R2, y determina el voltaje de punto de pico Vp. En el caso del UJT, Vp est fijo para un dispositivo por el voltaje de alimentacin de cd, pero en un PUT puede variar al modificar al modificar el valor del divisor resistivo R! y R2. Si el voltaje del nodo VA es menor que el voltaje de compuerta VG, le dispositivo se conservar en su estado inactivo, pero si el voltaje de nodo excede al de compuerta en una cada de voltaje de diodo VD, se alcanzar el punto de pico y el dispositivo se activar. La corriente de pico Ip y la corriente del punto de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en la compuerta RG = R1R2/(R1+R2) y del voltaje de alimentacin en cd Vs. N general Rk est limitado a un valor por debajo de 100 Ohms. R y C controlan la frecuencia junto con R1 y R2. El periodo de oscilacin T est dado en forma aproximada por: T = 1/f = RC lnVs/Vs-Vp = RC ln (1+R2/R1)

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Circuito de disparo de un tiristor con un transistor UJT Finalidad: -Analizar las diferentes tecnicas de control de los rectificadores Secuencia a realizar: 1)Montar el circuito indicado en la figura. 2)Medir con el osciloscopio la seal del diodo zener, en el condensador, en B1 del transistor y la salida V. 3)Representar las seales sincronizadas con la tensin del transformador. 4)explicar el funcionamiento del circuito. MOSFET INTRODUCCION Hay dos familias de transistores de efecto de campo: los JFET y los MOSFET. Pese a que el concepto bsico de los FET se conoca ya en 1930, estos dispositivos slo empezaron a fabricarse comercialmente a partir de la dcada de los 60. Y a partir de los 80 los transistores de tipo MOSFET han alcanzado una enorme popularidad. Comparados con los BJT, los transistores MOS ocupan menos espacio, es decir, dentro de un circuito integrado puede incorporase un nmero mayor. Adems su proceso de fabricacin es tambin ms simple. Adems, existe un gran nmero de funciones lgicas que pueden ser implementadas nicamente con transistores MOS (sin resistencias ni diodos). Esto ha hecho del transistor MOS el componente estrella de la

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electrnica digital. QU ES? MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada, es un arreglo de cientos de transistores integrados en un sustrato de silicio. Cada uno entrega una parte a la corriente total. Uno de los motivos que impuls su desarrollo es que los transistores bipolares presentan limitaciones. Es un dispositivo controlado por tensin, Es un dispositivo extremadamente veloz en virtud a la pequea corriente necesaria para estrangular o liberar el canal. Por esta facultad se los usa ampliamente en conmutacin. Su velocidad permite disear etapas con grandes anchos de banda minimizando, as, lo que se denomina distorsin por fase. La caracterstica constructiva comn a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) est formado por una estructura de tipo Metal/xido/Semiconductor. El xido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prcticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por ello, los MOS se emplean para tratar seales de muy baja potencia. Tiene una versin NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P, En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain) En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain):

PRINCIPIO DE OPERACION

Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensin en la compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source)

Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensin positiva se

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debe aplicar en la compuerta. As los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atrados a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos. El movimiento de estos electrones, crea las condiciones para que aparezca un puente para los electrones entre el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensin aplicada a la compuerta. En el caso del MOSFET de canal P, se da una situacin similar. Cuando se aplica una tensin negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atrados hacia la compuerta y pasan a travs del canal N que hay entre ellos, creando un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensin aplicada a la compuerta. Debido a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensin aplicada a la compuerta. APLICACION

El MOSFET es frecuentemente usado como amplificador de potencia ya que ofrecen dos ventajas sobre los MESFETs y los JFETs y ellas son: En la regin activa de un MOSFET en modo de enriquecimiento, la capacitancia de entrada y la trasconductancia es casi independiente del voltaje de la compuerta y la capacitancia de salida es independiente del voltaje del drenador. Este puede proveer una potencia de amplificacin muy lineal. El rango de voltaje activo de la compuerta puede ser mayor porque los MOSFETs de canal n en modo de vaciamiento pueden operar desde la regin de modo de vaciamiento (-Vg) a la regin de modo de enriquecimiento (+Vg). Capacitancia en el MOSFET Dos capacitancias son importantes en un conmutador de encendido-apagado con MOSFET. stas son Cgs entre Gate y la fuente y Cgd entre Gate y drenaje. Cada valor de capacitancia es una funcin no lineal del voltaje. El valor para Cgs tiene solamente una variacin pequea, pero en Cgd, cuando uDG haya pasado a travs de cero, es muy significativa. Cualquier desprecio de estas variaciones crea un error substancial en la carga que es requerida en Gate que es necesaria para estabilizar una condicin dada de operacin. Encendido En la mayora de los circuitos con MOSFET, el objetivo es encenderlo tan rpido como sea posible para minimizar las prdidas por conmutacin. Para lograrlo, el circuito manejador del gatillo debe ser capaz de alimentar la suficiente corriente para incrementar rpidamente el voltaje de gatillo al valor

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requerido. Apagado Para apagar el MOSFET, el voltaje gate-fuente debe reducirse en accin inversa como fue hecho para encenderlo. La secuencia particular de la corriente y el voltaje depende de los arreglos del circuito externo. rea segura de operacin El rea segura de operacin de el MOSFET est limitada por tres variables que forman los lmites de una operacin aceptable. Estos lmites son: 1. Corriente mxima pulsante de drenaje 2. Voltaje mximo drenaje-fuente 3. Temperatura mxima de unin. Prdidas del MOSFET Las prdidas de potencia del MOSFET son un factor tomado en cuenta para la seleccin de un dispositivo de conmutacin. La eleccin no es sencilla, pues no puede decirse que el MOSFET tenga menores o mayores prdidas que un BJT en un valor especfico de corriente. Las prdidas por conmutacin en el encendido y apagado juegan un papel ms importante en la seleccin. La frecuencia de conmutacin es tambin muy importante.

CONCLUSIONES
1.El mosfet gracias a su gran velocidad de conmutacin presenta una gran versatilidad de trabajo;este puede reemplazar dispostivos como el jfet. 2.los MOS se emplean para tratar seales de muy baja potencia esto es una gran ventaja ya que pueden ser utilizados en una gran gama de aplicaciones 3.Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensin positiva se debe aplicar en la compuerta. As los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atrados a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos. 4.gracias a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensin aplicada a la compuerta.

TRANSISTOR IGBT

INTRODUCCION:

Durante muchos aos se a buscado la forma de crear un dispositivo que fuese lo sufientemente veloz y que pudiese amnejar grandes cargas pero han surgido nuevas ideas con la union de un mosfet como dispositivo de disparo y un tbj de deispositivo de potoncia y de esta forma se llego a la invencion del igbt el cual sera expuesto en el siguiente documento

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QUE ES EL IGBT:

La sigla IGBT corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar transistor o sea transistor bipolar de puerta de salida El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. El smbolo ms comnmente usado se muestra en la figura . Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura secundario como el TBJ. El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta. El IGBT de la figura es una conexin integrada de un MOSFET y un BJT. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 KHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones

SIMBOLOGIA:

Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta, COLECTOR (C) y EMISOR (E) y su smbolo corresponde al dibujo de la figura siguiente.

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Su estructura microelectrnica es bastante compleja es por ello que lo describimos en base a su esquema equivalente.

CURVA CARACTERISTICA IGBT:

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COMO FUNCIONA: Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente ID persiste para el tiempo tON en el que la seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S. LA seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la corriente de drain iD es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el gate es muy baja.

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EL IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal gate. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 micro segundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz. EL IGBT requiere un valor lmite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente iD se autolimita. El IGBT se aplica en controles de motores elctricos tanto de corriente directa como de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 kW.

CARACTERISTICAS A TENER EN CUENTA EN UN IGBT:

IDmax Limitada por efecto Latch-up. VGSmax Limitada por el espesor del xido de silicio. Se disea para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10 μs. y pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde puerta. VDSmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como α es muy baja, ser VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV). La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C (con SiC se esperan valores mayores) Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp. La tensin VDS apenas vara con la temperatura ⇒ Se pueden conectar en paralelo fcilmente ⇒ Se pueden conseguir grandes corrientes con facilidad, p.ej. 1.200 o 1.600 Amperios. En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

A continuacion se presentan algunas de las presentaciones mas comunes de un IGBT.

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GTO (Gate Turn-off Thyristor)

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Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsacin suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente iD excede IH. se usan desde 1960, pero se potencializaron al final de los aos setenta. son comunes en las unidades de control de motores, ya que eliminan componentes externos para apagar los SCR en circuitos de cc. CARACTERISTICAS El disparo se realiza mediante una VGK >0 El bloqueo se realiza con una VGK < 0. La ventaja del bloqueo por puerta es que no se precisan de los circuitos de bloqueo forzado que requieren los SCR. La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo que el generador debe estar mas dimensionado. El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia. FUNCIONAMIENTO DEL GTO

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Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en el gate, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero una corriente de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinmico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicacin de una voltaje en inversa, solo una pequea corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarizacin en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del mtodo de fabricacin para la creacin de una regeneracin interna para facilitar el proceso de apagado. Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente positiva es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para sta condicin, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de nodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la accin regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el mtodo ms recomendable porque proporciona un mejor control. La ganancia se calcula con la siguiente formula.

Para conseguir cortar el GTO, con una corriente soportable por la puerta, debe ser lo mayor posible, para ello debe ser a2=1 (lo mayor posible) y a1=0 (lo menor posible): alfa2=1 implica que la base de T2 (capa de control) sea estrecha y poco dopada y que su emisor (capa catdica) este muy dopado. Estas condiciones tambin son normales en los SCRs.

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alfa1=0 implica que la base de T1 (capa de bloqueo) sea ancha y tenga una vida media de los huecos muy corta. ESPECIFICACIONES DE PUERTA DEL GTO

FORMA DE ONDA EN EL ENCENDIDO DEL GTO

Para entrar en conduccin, se necesita una subida rpida y valor IGM suficientes para poner en conduccin todo el cristal. Si solo entra en conduccin una parte y circula toda la corriente se puede daar. Si solo entra en conduccin bajara una parte de la tensin nodo-ctodo y el resto de celdillas que forma el cristal no podrn entrar en conduccin. Cuando se ha establecido la conduccin se deja una corriente IGON de mantenimiento para asegurar que no se corta espontneamente (tiene menos ganancia que el SCR). FORMA DE ONDA EN EL APAGADO DEL GTO

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Para cortar el GTO se aplica una corriente IG- =IA/boff muy grande. Ya que boff es del orden de 5 a 10. Esta corriente negativa debe mantenerse para evitar que el dispositivo entre en conduccin espontneamente. APLICACIONES Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede ser apagado en cualquier instante, ste se aplica en circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc -ac) a niveles de potencia en los que los MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser utilizados. A bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutacin rpida son preferibles. En la conversin de AC - DC, los GTO's, son tiles porque las estrategias de conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la potencia, como el factor de potencia. a nivel industrial algunos usos son: troceadores y convertidores. Control de motores asncronos. Inversores. Caldeo inductivo. Rectificadores. Soldadura al arco. Sistema de alimentacin ininterrumpida (SAI). Control de motores. Traccin elctrica.

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CONCLUSIONES
Un tiristor GTO puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal &#8220;gate&#8221; o apagado por un pulso negativo en el mismo terminal. El tiempo de cada de la corriente de nodo (IA) es abrupta, tpicamente menor a 1 s. Despus de esto, la corriente de nodo vara lentamente y sta porcin de la corriente de nodo es conocido como corriente de cola. La estructura del GTO es esencialmente la misma que un tiristor convencional. Existen 4 capas de silicn (pnpn), 3 uniones y tres terminales (nodo, ctodo y gate). La diferencia en la operacin, radica en que en que una seal negativa en el gate puede apagar el GTO. Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en el gate, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero existe corriente de fuga. Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente positiva es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma. existen 2 formas de apagar el tiristor: Una forma es reduciendo la corriente de nodo, La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el mtodo ms recomendable porque proporciona un mejor control.

INTRODUCCION A INVERSORES Un inversor, tambin llamado ondulador, es un circuito utilizado para convertir corriente continua en corriente alterna. La funcin de un inversor es cambiar un voltaje de entrada de corriente directa a un voltaje simtrico de salida de corriente alterna, con la magnitud y frecuencia deseada por el usuario o el diseador. Los inversores son utilizados en una gran variedad de aplicaciones, desde pequeas fuentes de alimentacin para computadoras, hasta aplicaciones industriales para

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manejar alta potencia. Los inversores tambin son utilizados para convertir la corriente continua generada por los paneles solares fotovoltaicos, acumuladores o bateras, etc, en corriente alterna y de esta manera poder ser inyectados en la red elctrica o usados en instalaciones elctricas aisladas. Un inversor simple consta de un oscilador que controla a un transistor, el cual es utilizado para interrumpir la corriente entrante y generar una onda cuadrada. Esta onda cuadrada alimenta a un transformador que suaviza su forma, hacindola parecer un poco ms una onda senoidal y produciendo el voltaje de salida necesario. Las formas de onda de salida del voltaje de un inversor ideal debera ser sinusoidal. Los inversores ms modernos han comenzado a utilizar formas ms avanzadas de transistores o dispositivos similares, como los tiristores, los triac's o los IGBT's. Inversores ms eficientes utilizan varios artificios electrnicos para tratar de llegar a una onda que simule razonablemente a una onda senoidal en la entrada del transformador, en vez de depender de ste para suavizar la onda. Se pueden clasificar en general de dos tipos: 1) inversores monofasicos y 2) inversores trifasicos. Condensadores e inductores pueden ser utilizados para suavizar el flujo de corriente desde y hacia el transformador. Adems, es posible producir una llamada "onda senoidal modificada", la cual es generada a partir de tres puntos: uno positivo, uno negativo y uno de tierra. Una circuitera lgica se encarga de activar los transistores de manera que se alternen adecuadamente. Inversores de onda senoidal modificada pueden causar que ciertas cargas, como motores, por ejemplo; operen de manera menos eficiente. Inversores ms avanzados utilizan la modulacin por ancho de pulsos con una frecuencia portadora mucho ms alta para aproximarse ms a la onda seno o modulaciones por vectores de espacio mejorando la distorsin armnica de salida. Tambin se puede predistorsionar la onda para mejorar el factor de potencia. Los inversores de alta potencia, en lugar de transistores utilizan un dispositivo de conmutacin llamado IGBT (Insulated Gate Bipolar transistor Transistor Bipolar de Puerta Aislada).

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INVERSOR DE FASE 1.) Esquema

2) DESCRIPCIN DEL CIRCUITO Se trata de un montaje de un transistor bipolar BJT, tipo NPN (MC 140) en emisor comn. El transistor est polarizado mediante un divisor de tensin compuesto por R1, R2, Rc y Re. R1 y R2 se encargan de que los 12V que se le aplican como alimentacin, queden reducidos a un valor adecuado para polarizar la base. Rc y Re son unas resistencias que limitan la intensidad que circula por el colector y por el emisor. C1 es un condensador de acoplamiento y C2 y C3 son condensadores de desacoplamiento, cuya misin es aislar la componente continua de la seal que se le aplica, de una etapa con respecto a la siguiente. Ve es por donde se le aplica la seal de entrada y Vs1 y Vs2 son los terminales de salida. Funcionamiento: Este circuito corresponde a un inversor trifsico de 2 niveles con modulacin PWM, que lo componen una seal moduladora senoidal, encargada de dar la referencia de la tensin de salida del inversor en forma y frecuencia y una seal portadora con forma triangular encargada de generar la frecuencia de los pulsos de disparo en los switch, los pulsos de disparo los conseguiremos por medio de la comparacin de la seal portadora y la seal moduladora, a esta comparacin se le denomina control PWM.

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3) PROCESO OPERATIVO - El circuito lo mont en una placa de insercin teniendo en cuenta las normas de diseo. - Apliqu a la entrada los 12V de tensin de alimentacin en los terminales Vcc mediante una fuente de alimentacin. - Mediante un generador de baja frecuencia, apliqu a la entrada (Ve) una seal de 1KHz y 100mVpp. - Med las tensiones en los terminales del transistor. - Visualic con un osciloscopio las seales en la entada y en las salidas. 4) RESULTADOS -Medidas de tensin el los terminales del transistor:

-Grficas obtenidas con el osciloscopio:

5) CONCLUSIONES Sabemos que en un montaje en emisor comn la seal de salida se desfasa 180 con respecto a la de entrada ya que al aumentar la tensin de base, disminuye la tensin de salida, al disminuir la tensin de base, aumenta la tensin de salida. Este hecho lo podemos comprobar en las grficas; la primera salida es similar a la entrada pero la segunda est desfasada 180, (mantiene la frecuencia y la amplitud). Debido a la existencia de los condensadores C1, C2 y C3 que han aislado la componente continua de la seal, vemos que las tensiones alternas obtenidas no se encuentran cabalgando sobre ningn valor de tensin contnua, (salen sobre cero). Por otro lado, los voltajes obtenidos en los terminales del transistor se corresponden con las estimaciones tericas que haba hecho. Podemos concluir entonces que el inversor de fase funciona correctamente.

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Inversor Trifsico Introduce aqu el texto del nuevo prrafo. a.- Diagrama esquemtico del circuito INVERSOR TRIFSICO

Funcionamiento: Este circuito corresponde a un inversor trifsico de 2 niveles con modulacin PWM, que lo componen una seal moduladora senoidal, encargada de dar la referencia de la tensin de salida del inversor en forma y frecuencia y una seal portadora con forma triangular encargada de generar la frecuencia de los pulsos de disparo en los switch, los pulsos de disparo los conseguiremos por medio de la comparacin de la seal portadora y la seal moduladora, a esta comparacin se le denomina control PWM. Se utiliza este mtodo ya que posee la caracterstica de obtener una tensin en la carga similar en forma y frecuencia a la seal moduladora, cabe sealar que la amplitud de la seal moduladora no debe sobrepasar la seal portadora ya que de lo contrario se perdera el control de la tensin en la carga y se saturara esta tensin. CONVERTIDORES CA/CA ahora vamos ha estudiar un tipo de Convertidor que, a partir de una tensin de entrada alterna, produce en la salida una tensin tambin alterna pero de Caractersticas distintas, sea en valor eficaz, sea en frecuencia, o en ambas. Cuando nicamente se altera el valor de la tensin alterna (CA), tenemos los llamados reguladores de tensin alterna (o reguladores de potencia alterna) y los que permiten obtener una salida con frecuencia distinta a la presente en la entrada,

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son los cicloconvertidores. En este captulo se estudian en detalle los reguladores de tensin alterna. +Reguladores de tensin alterna Los reguladores de tensin alterna son convertidores estticos de energa que permiten variar la potencia entregada a una determinada carga. En general, se controla la potencia mediante el control del valor eficaz de la tensin suministrada a la carga. De ah el nombre de reguladores o controladores de tensin alterna Las aplicaciones ms comunes de ste tipo de reguladores son: +Calentamiento industrial (control de temperatura); +Control de intensidad luminosa en lmparas incandescentes; +Accionamiento de motores de CA; +Arranque suave de motores de induccin; +Compensacin de energa reactiva +Control de transformadores Los dispositivos semiconductores de potencia empleados en tales convertidores son, tpicamente, tiristores, trabajando en conmutacin natural. En aplicaciones de baja potencia se puede hacer uso de TRIACs, en cuanto que para potencias ms elevadas se utilizan 2 SCRs en antiparalelo como se muestra a continuacion

Si bien existen diversos modos de control para los reguladores de corriente alterna, los ms utilizados son: - Control ;, de paso por cero o por secuencia. - Control por ngulo de fase. - Control por amplitud. Control ;ON-OFF;, de paso por cero o por secuencia El circuito de potencia es el que se muestra arriba El control por secuencia consiste en conectar o desconectar la alimentacin de la carga (en general una resistencia) durante un determinado nmero de ciclos de la tensin de entrada al regulador. De hecho, la regulacin se consigue anulando la tensin en la carga durante ciertos periodos de la tensin de alimentacin. El intervalo de conduccin y el de bloqueo del interruptor es tpicamente de varios ciclos de la red. Este tipo de control se utiliza en aplicaciones que tienen una gran inercia mecnica o una elevada constante de tiempo trmica, es decir, se utiliza

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en situaciones en que la constante de tiempo de la carga es mucho mayor que el perodo de la red CA, (por ejemplo, en el calentamiento industrial o en el control de velocidad de grandes motores). Dado que se suelen utilizar tiristores como elementos de control, su disparo se realiza en el paso por cero de la tensin de alimentacin. Ello permite una reduccin importante en el nmero de armnicos generados. El control electrnico lleva incorporado un detector de paso por cero y un contador de semiperodos para saber en qu instante se debe disparar cada tiristor. Un mtodo para conseguir el control por secuencia es usar un generador de seal triangular de frecuencia fija que se compara con una seal continua de control. La seal diente de sierra establece la base de tiempo del sistema. La seal de referencia proviene del circuito de control de la variable a controlar (por ejemplo del circuito de control de la temperatura). La potencia entregada a la carga varia proporcionalmente a esta seal. Durante ciclos la carga permanece conectada a la alimentacin, en cuanto queda ; ciclos permanece desconectada.

La figura de abajo se muestra una simulacin de un control ;ON-OFF;, en el que se conecta la tensin de red a la carga durante 3 (n) periodos completos y se desconecta durante 2 (m). La grfica inferior representa los pulsos que se dan a los SCRs. Las otras dos grficas muestran la tensin de entrada y la tensin de salida del convertidor.

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Para una tensin de entrada senoidal, considerando que se conecta la carga durante n ciclos de la tensin de entrada y se desconecta m ciclos, la tensin eficaz de salida puede obtenerse como:

Uno de los inconvenientes del mtodo descrito es la presencia de oscilaciones de baja frecuencia en la carga que se est alimentando. Por ejemplo, en el caso de que la carga sea un motor, se pueden provocar vibraciones mecnicas. En el caso de que la carga sea una lmpara, pueden aparecer oscilaciones de baja frecuencia, apreciables por el ojo humano, nada deseables. Para solucionar estos inconvenientes, se suele utilizar otro mtodo, denominado control del ngulo de fase, tal y como se describe en el siguiente apartado. Control por ngulo de fase Uno de los mtodos ms comunes para variar el valor eficaz de una tensin alterna es por medio del llamado control por ngulo de fase, en el cual, dado un semiciclo de la red, el interruptor se acciona o dispara en un determinado ngulo, haciendo que la carga est conectada a la entrada por un intervalo de tiempo menor o igual a un semiciclo. Dicho de otro modo, el control por ngulo de fase, como su propio nombre indica, est basado en la regulacin del ngulo de disparo de los tiristores. Usualmente se habla de ngulo de disparo, o ngulo de fase Alfa;, como el instante de tiempo (expresado en

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grados) a partir del paso por cero de la tensin de entrada en el que se dispara un tiristor. Para el caso de una carga resistiva, el ngulo de disparo puede valer entre 0 y 180. Los valores de tensin, corriente y potencia en la carga dependern, no solo del ngulo de disparo, como tambin del tipo de carga alimentada, como se ver a continuacin. Carga resistiva La figura siguiente muestra el circuito y las formas de onda de un regulador de tensin CA con control por ngulo de fase y carga resistiva. La abertura del SCR se dar en el momento en que la corriente cae por debajo de la corriente de mantenimiento del componente. Lgicamente las formas de onda de tensin y corriente en la carga son las mismas, si bien con distintas escalas.

Para una tensin de entrada senoidal, considerando que el disparo de los tiristores es idntico y de valor A;, el valor eficaz de la tensin de salida se puede calcular como:

LOS CONVERSORES CA/CA SE PUEDEN APLICAR EN: Control electrnico de motores de alterna

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Compensadores estticos de reactiva Control de hornos de resistencias CONVERTIDORES CC/CC DEFINICION Un conversor cc / cc es aquel que transforma niveles de tensin continua en niveles de tensin continua controlada (regulada). Pueden ser de dos tipos: - reductor: es aquel que la tensin de salida es menor que el de entrada. - elevador: es aquel que la tensin de salida es mayor que el de entrada.

Ejemplos de conversores CONVERTIDOR BOOST

Convertidor de potencia que obtiene a su salida una tensin continua mayor que a su entrada. Es un tipo de fuente de alimentacin conmutada que contiene al menos dos interruptores semiconductores y al menos un elemento para almacenar energa. Algunas veces se aaden filtros construidos con inductores y condensadores para mejorar el rendimiento. El principio bsico del convertidor boost consiste en dos estados distintos dependiendo del estado del interruptor: - cuando el interruptor est cerrado (on-state) la bobina almacena energa de la fuente, a la vez la carga es alimentada por un condensador. - cuando el interruptor est abierto (off-state) el nico camino para la corriente es a travs del diodo y circula por el condensador (hasta que se carga completamente) y la carga. Aplicaciones: generalmente los sistemas alimentados por bateras necesitan apilar varias bateras en serie para aumentar la tensin. Sin embargo a veces no es posible conectar varias bateras en serie por razones de peso o especio. Los convertidores boost pueden incrementar el voltaje y reducir el nmero de pilas.

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Algunas aplicaciones que usan convertidores boost son vehculos hbridos (por elejemplo el toyota prius) y sistemas de alumbrado.

CONVERTIDOR BUCK Convertidor de potencia que obtiene a su salida una tensin continua menor que a su entrada. El diseo es similar a un convertidor elevador o boost, tambin es una fuente conmutada con dos dispositivos semiconductores (transistor y diodo), un inductor y opcionalmente un condensador a la salida. La forma ms simple de reducir una tensin continua (dc) es usar un circuito divisor de tensin, pero los divisores gastan mucha energa en forma de calor. Por otra parte, un convertidor buck puede tener una alta eficiencia (superior al 95% con circuitos integrados) y autoregulacin. El funcionamiento del conversor buck es sencillo, consta de un inductor controlado por dos dispositivos semiconductores los cuales alternan la conexin del inductor bien a la fuente de alimentacin o bien a la carga. Modo continuo: el convertidor se dice que est modo continuo si la corriente que pasa a travs del inductor nunca baja a cero durante el ciclo de conmutacin. Modo discontinuo: en algunos casos la cantidad de energa requerida por la carga es tan pequea que puede ser transferida en un tiempo menor que el periodo de conmutacin; en este caso la corriente a travs de la bobina cae a cero durante una parte del periodo. La nica direfencia con el modo continuo es que el inductor est completamente descargado al final del ciclo de conmutacin

QUE ES UN RECTIFICADOR? En electrnica, un rectificador es el elemento o circuito que permite convertir la corriente alterna en corriente continua. COMO SE HACE? Esto se realiza utilizando diodos rectificadores, ya sean semiconductores de estado slido , vlvulas al vaco o vlvulas gaseosas como las de vapor de mercurio. TIPOS DE RECTIFICADORES? Dependiendo de la seal de salida: *Media onda. *Onda completa.

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Dependiendo de la seal de entrada: *Monofasico *Trifasico _^o^__^o^__^o^__^o^__^o^__^o^__^o^__^o^_ Introduccin: Inicialmente se reduce el voltaje 110V, 220V(los mas comunes)a uno ms bajo como 5V, 12V, 15V con ayuda de un transformador. A la salida del transformador se pone el circuito rectificador. En el rectificador como su palabra lo dice modifica la seal dependiendo de su configuracin de tal forma que podemos obtener ondas negativas o positivas del tamao que queramos RECTIFICADOR MONOFASICO DE MEDIA ONDA... La parte negativa de la seal es rectificada. conseguimos elevar el valor medio de la seal.

Mientras mayor sea la inductancia, el paso por 0 se realizara con mayor retardo y por lo tanto el tramo negativo de tensin aumentara y el valor medio se reducir. RECTIFICADOR ONDA COMPLETA Es el que se utiliza si lo que se desea es utilizar todo el voltaje del secundario del transformador (en el caso de un transformador con derivacin central). En el circuito con transformador con derivacin central, la tensin de salida depende de la mitad de la tensin del secundario En este circuito el transformador es alimentado por una tensin en corriente alterna. Los diodos D1 y D3 son polarizados en directo en el semiciclo positivo, los diodos D2 y D4 son polarizados en sentido inverso. Ver que la corriente atraviesa la resistencia de carga RL. RECTIFICADOR TRIFSICO MEDIA ONDA Este tipo de convertidor nos proporciona una tensin de salida alta, en comparacin con los rectificadores controlados monofsicos.

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Es muy usado para trabajar con altas potencias, ya que se obtiene a la salida una corriente y voltaje bastante continuo.

Fuentes Conmutadas "BUCK, PUSH PULL, FLYBACK , CUK" FUENTES Podemos definir fuente de alimentacin como aparato electrnico modificador de la electricidad que convierte la tensin alterna en una tensin continua Existen dos tipos de fuentes La regulada La conmutada FUENTES CONMUTADAS: Las fuentes conmutadas fueron desarrolladas inicialmente para aplicaciones militares y aerospaciales en los aos 60, por ser inaceptable el peso y volumen de las lineales, se han desarrollado desde entonces diversas topologa y circuitos de control, algunas de ellas son de uso comn en fuentes conmutadas para aplicaciones industriales y comerciales Las fuentes conmutadas son convertidores cc-cc, por lo que la red debe ser previamente rectificada y filtrada con una amplitud de rizado aceptable. CONFIGURACIONES BSICAS Las fuentes conmutadas son de circuitos relativamente complejos, pero podemos siempre diferenciar cuatro bloques constructivos bsicos:

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1) En el primer bloque rectificamos y filtramos la tensin alterna de entrada convirtindola en una continua pulsante. 2) El segundo bloque se encarga de convertir esa continua en una onda cuadrada de alta frecuencia (10 a 200 kHz.), la cual es aplicada a una bobina o al primario de un transformador. 3) El tercer bloque rectifica y filtra la salida de alta frecuencia del bloque anterior, entregando as una corriente continua pura. 4) El cuarto bloque se encarga de comandar la oscilacin del segundo bloque. Este bloque consiste de un oscilador de frecuencia fija, una tensin de referencia, un comparador de tensin y un modulador de ancho de pulso (PWM). El modulador recibe el pulso del oscilador y modifica su ciclo de trabajo segn la seal del comparador, el cual coteja la tensin continua de salida del tercer bloque con la tensin de referencia. &#61692; Aclaracin: ciclo de trabajo es la relacin entre el estado de encendido y el estado de apagado de una onda cuadrada. En la mayora de los circuitos de fuentes conmutadas encontraremos el primer y el tercer bloque como elementos invariables, en cambio el cuarto y el segundo tendrn diferentes tipos de configuraciones. A veces el cuarto bloque ser hecho con integrados y otras veces nos encontraremos con circuitos totalmente transistorizados. El segundo bloque es realmente el alma de la fuente y tendr configuraciones bsicas: BUCK , BOOST, BUCK-BOOST.

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Buck: el circuito interrumpe la alimentacin y provee una onda cuadrada de ancho de pulso variable a un simple filtro LC. La tensin aproximada es V out = V in * ciclo de trabajo y la regulacin se ejecuta mediante la simple variacin del ciclo de trabajo. En la mayora de los casos esta regulacin es suficiente y slo se deber ajustar levemente la relacin de vueltas en el transformador para compensar las prdidas por accin resistiva, la cada en los diodos y la tensin de saturacin de los transistores de conmutacin. Boost: el funcionamiento es ms complejo. Mientras el Buck almacena la energa en una bobina y ste entrega la energa almacenada ms la tensin de alimentacin a la carga. Buck-Boost: los sistemas conocidos como Flyback son una evolucin de los sistemas anteriores y la diferencia fundamental es que ste entrada a la carga slo la energa almacenada en la inductancia. El verdadero sistema Boost slo puede regular siendo Vout mayor que Vin. CONFIGURACIONES BSICAS RECOMENDADAS FLYBACK: BUCK: CUK: PUSH-PULL (Contrafase): HALL-BRIDGE (Semipuente): FORWARD (DIRECTO): BRIDGE (Puente):

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FLYBACK: Una fuente FLYBACK pertenece a una topologia de las FACs que se caracteriza por la funcion de la bobina como almacen intermedio de energia, y por proporcionar tensiones de salida negativas (respecto ala masa del circuito). El convertidor Flyback es un convertidor DC a DC con aislamiento galvnico entre la entrada y la(s) salida(s). Tiene la misma estructura que un convertidor Boost con un transformador en lugar de un inductor. Gracias a ello se pueden alcanzar altos ratios de conversin. Debido a las limitaciones intrnsecas este convertidor solo se usa en aplicaciones de baja potencia. APLICACIONES: Fuentes de alimentacin conmutadas de baja potencia como cargadores de bateras de telfonos mviles, fuentes de alimentacin de PCs, etc Generacin de grandes tensiones para tubos de rayos catdicos en televisiones y monitores. Sistemas de ignicin en motores de combustin interna.

FUENTES DE ALIMENTACIN CONMUTADAS - BUCK El convertidor Buck (o reductor) es un convertidor de potencia que obtiene a su salida una tensin continua menor que a su entrada. Estructura y funcionamiento El funcionamiento del conversor Buck es sencillo, consta de un inductor controlado por dos dispositivos semiconductores los cuales alternan la conexin del inductor bien a la fuente de alimentacin o bien a la carga.

Modo continuo

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El convertidor se dice que est modo continuo si la corriente que pasa a travs del inductor (IL) nunca baja a cero durante el ciclo de conmutacin. Con el interruptor cerrado la tensin en el inductor es VL =Vi-Vo y la corriente aumenta linealmente. El diodo est en inversa por lo que no fluye corriente por l. Con el interruptor abierto el diodo est conduciendo en directa. La tensin en el inductor es VL =-Vo y la corriente disminuye. La energa almacenada en la bobina se incrementa en estado ON (interruptor cerrado) y se decrementa durante el estado OFF (interruptor abierto). La bobina se usa para transferir energa desde la entrada a la salida. Si se asume que el convertidor opera en un estado estable, la energa almacenada en cada componente al final del ciclo de conmutacin T es igual a que haba al principio del ciclo. Esto significa que la corriente IL es igual en t=0 y en t=T . Modo discontinuo

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En algunos casos la cantidad de energa requerida por la carga es tan pequea que puede ser transferida en un tiempo menor que el periodo de conmutacin; en este caso la corriente a travs de la bobina cae a cero durante una parte del periodo. La nica direfencia con el funcionamiento descrito antes es que el inductor est completamente descargado al final del ciclo de conmutacin. La energa en el inductor sigue siendo la misma al principio y al final del ciclo .Esto significa que el valor medio de la tensin del inductor (VL) es cero La corriente de salida entregada a la carga (Io) es constante. Tambin se supone que la capacidad del condensador de salida es suficientemente alta para mantener constante el nivel de tensin en sus terminales durante un ciclo de conmutacin. Esto implica que la corriente que pasa a travs del condensador tiene como valor medio cero, as que la corriente media en la bobina ser igual a la corriente de salida: (Ven-Vsal)*ton=Vsal * t1 En donde podemos apreciar la dependencia, en este modo, de la tensin de salida no solo con la d si que adems con la carga y la frecuencia de conmutacin . fconnmutacion = 1/T OBSERVACIONES Algo que no se debe olvidar en una FAC BUCK es la colocacin de una carga minima al a salida para garantizar un camino de descarga del condensador de salida. De otra forma, la tensin en los bornes alcanzaria el valor de la tensin de entrada, lo que puede afectar tanto el condensador de salida como a una carga que se conecte con la fuente en marcha.

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FUENTE CUK Introduccin: El circuito convertidor CC-CC conocido como "Convertidor de cuk" fue desarrollado por el profesor Slobodan Cuk del California Institute of Technology. La principal diferencia entre este convertidor y los circuitos clsicos radica en la utilizacin de un condensador en lugar de una inductancia para el almacenamiento de energa durante una parte del ciclo y su posterior entrega a la carga durante el resto del mismo. El uso de un capacitor permite obtener una mejor relacin entre la energa almacenada y el tamao o peso que los circuitos convertidores bsicos tradicionales (elevador/reductor o flyback, reductor o forward y elevador o boost). Sin embargo pone muchas mayores exigencias sobre este condensador, lo que redunda en un elemento de mayor costo debido al nivel de exigencias de fabricacin. La configuracin bsica del Convertidor de Cuk se deriva de la operacin en serie de las configuraciones bsicas tipo boost y buck, tal como se indica en la figura 1. Estas configuraciones, as como la correspondiente al convertidor tipo fjyback, tanto en sus versiones bsicas como con aislacin entre entrada y salida, se estudian en detalle en el apunte "Aplicaciones de la Conversin CC-CC, Fuentes Conmutadas", por lo que sus funcionamientos y caractersticas se consideran conocidas y no sern repetidos en el presente texto.

CARACTERISTICAS El convertidor "cuk" tiene la caracteristica de utilizar un condensador en lugar de una inductancia para el almacenamiento de energia durante una parte del ciclo y su posterior entrega a la carga durante el resto del mismo. sin embargo pone muchas exigencias sobre el condensador lo que hace que el convertidor sea un poco mas costoso que los normales (fly back, boost).

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PUSH-PULL (Contrafase): Esta fuente pertenece a una topologa de las FACs que se caracteriza por el ejemplo de dos elementos conmutadores para producir un flujo alterno de un transformador a alta frecuencia, evitando as la saturacin de este.

FAC PUSH-PULL De esta forma, se produce un trasverse magntico de la energa que posteriormente se transmitir de forma directa a la carga. En esta parte final se prese a la FAC BUCK (incluso topologicamente.) Al emplearse en periodos alternativos los elementos conmutadores sufren poco esta topologa (aun cuando deban aguantar V_max=2 vent). Por lo que puede emplearse en aplicaciones de mucha potencia. El tema de los periodos alternativos puede causar confusin cuando nos referimos a la frecuencia de comunicacin, pues esta, igual para ambos transistores, es la mitad de la que luego tendr la seal de la bobina. El hecho de trabajar como reductor o como elevador , no marcara la relacin como espiras del transformador. En cuanto a los nados de funcionamiento , ya hemos comentado que guarda una estrecha semejanza con el FAC Buck. Con ella, se podr trabajar en modo continuo (corriente a travs de la bobina nunca se hace cero). Como ya dijimos , el hecho de cambiar de modo de funcionamiento supona alterar la relacin entre tensin de entrada y tensin de salida, como veremos a continuacin.

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FAC PUSH-PULL en modo continuo

Fijndonos en la relacin de espiras del transformador en que la tensin media de la bobina debe ser igual a cero, para evitar desequilibrios se puede obtener una relacin entre entrada y salida. Con lo que vemos que la tensin de salida no depende de la carga , solo depende de la d,y de la relacin de espira. Siendo la inductancia mnima para conservar el nodo de funcionamiento continuo:

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FAC Push-pull en modo discontinuo Al igual que el apartado anterior nos dijimos en: la realidad de espiras del transformador, que la tensin media de la bobina ha de ser igual a cero, y adems que en el valor de la corriente media a travs de al bobina es igual al valor de la corriente de salida, para extraer la relacin entre entrada y salida. Hemos llamado T al periodo de la seal de la bobina. El de los transistores es T` =2T

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En donde podemos apreciar la dependencia, en este modo, de la tensin de salida no solo ya con la dy la relacin de espiras, sino que adems con la carga y la frecuencia de comunicacin (fcon=1/T`) CONSIDERACIONES Algo que no debemos olvidar en una FAC Push-Pull, como ya ocurra en la FAC Buck que tiene el mismo tipo de topologa final, es la colocacin de una carga mnima a la salida para garantizar un camino de descarga de un condensador de salida. De otra forma, su tensin en bornes alcanzara el valor de tensin de entrada multiplicada por la relacin de transformacin, lo que puede afectar tanto al condensador de salida como a una carga que se conecte con una fuente en marcha.