INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECANICA

Y ELECTRONICA

UNIDAD ZACATENCO

DEPARTAMENTO DE COMUNICACIONES Y
ELECTRÓNICA

Dispositivos
Practica 2: Tiempos de respuesta del diodo
Profesor: Arévalo González Elizabeth

Integrantes:
Fecha de Realización: 16/03/2021

Grupo: 5CV3 Fecha de entrega: 23/03/2021

Objetivo: El alumno armará los circuitos que le permitan obtener los tiempos de
respuesta (tiempo de almacenamiento, tiempo de decaimiento y tiempo de
recuperación inversa) de un diodo Rectificador, de un LED y de un diodo de
conmutación (de silicio o de germanio), e interpretará las mediciones realizadas
con el osciloscopio. También reportará los resultados medidos en tablas y/o
gráficas según lo indique el desarrollo.

Marco Teórico

1.-Investigar que son los tiempos de respuesta en los dispositivos

semiconductores, que representan estos tiempos y cómo se miden.

Cuando un diodo pasa de polarización directa a inversa, y viceversa, la respuesta

va acompañada de un periodo de transición y transcurre un intervalo de tiempo
hasta alcanzar el equilibrio. Primero consideraremos el caso en el cual el diodo
pasa de polarización inversa a directa

Tiempo de recuperación directa: Este tiempo depende de la amplitud de la

corriente inyectada y del tiempo de elevación de la señal actuante. Cuando se
pasa de polarización inversa a directa, inicialmente no existe concentración de
portadores minoritarios en la unión y no será posible establecer corriente por el
mecanismo de difusión; por tanto, debido al campo eléctrico presente (como
consecuencia de la tensión aplicada), la corriente inicial se debe a un efecto
óhmico. Posteriormente, debido al aumento de portadores minoritarios, es posible
una corriente de difusión de estos que aumentará progresivamente hasta alcanzar
los niveles de concentración permanentes de la polarización directa. Si el diodo
estaba polarizado fuertemente en forma inversa, la CT tiene influencia ya que
implica un tiempo, quizás no despreciable, para cargarla. Por otro lado, si el diodo
no es llevado fuertemente a polarización directa, el efecto óhmico mencionado,
puede no ser importante ya que los portadores minoritarios tienen la oportunidad
de aumentar. En este caso puede estudiarse el fenómeno considerando el modelo
de pequeña señal del diodo. Este modelo consiste en representar al diodo
mediante una conductancia, g, en paralelo con la CD. Como ambas dependen de
la corriente, resulta la constante de tiempo r. CD ya vista anteriormente.

Tiempo de recuperación inversa: Cuando un diodo esta polarizado

directamente, la concentración de portadores es como se indica en la fig. 17 a. Si
la tensión se invierte (t1), la corriente no pasará al valor final sino hasta que la
concentración de portadores sea como lo indica la fig. 17b, es decir cero en la
unión.
Si RL es grande como para que la caída de tensión en sus extremos sea mucho
mayor que la v del diodo, la corriente directa será i = VF /RL = - IF. En el instante
t1 la corriente se invierte al valor i = -VR /RL= -IR, hasta el instante t2
correspondiente al momento que las concentraciones han alcanzado su valor de
equilibrio. Durante este tiempo llamado Tiempo de almacenamiento ts, la tensión
en los bornes del diodo no se invertirá, sino que disminuirá en el valor (IF + IR).Rd.
(Donde Rd es la resistencia óhmica del diodo).

El resto del tiempo, desde t2 y el momento en que el diodo se ha recuperado, se

llama Tiempo de transición tt , durante el cual los portadores alcanzan la
concentración final y la capacidad de transición CT, se carga a la tensión -VR . El
tiempo de recuperación inversa del diodo es entonces: trr = ts+ tt ts cumple la
siguiente relación: ts = τp Ln ( 1 + IF/IR )

Tiempo de recuperación inverso

El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa

instantáneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la
zona central de la unión P-N está saturada de portadores mayoritarios con tanta
mayor densidad de éstos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicación de una
tensión inversa forzamos la anulación de la corriente con cierta velocidad di/dt,
resultará que después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de
portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo
conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensión inversa entre ánodo
y cátodo no se establece hasta después del tiempo ta llamado tiempo de
almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la
unión la zona de carga espacial. La intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado
tiempo de caída) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor
despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores.

 ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso

por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
 tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de
intensidad hasta que ésta se anula, y es debido a la descarga de la
capacidad de la unión polarizada en inverso. En la práctica se suele medir
desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste.
  trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.

Datasheet del Diodo 1N4006

Characteristic Symbol 1N 1N 1N 1N 1N 1N 1N Unit

4001 4002 4003 4004 4005 4006 4007

Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V
VRWM
Working Peak Reverse Voltage VR

DC Blocking Voltage

RMS Reverse Voltage VR(RMS) 35 70 140 280 420 560 700 V

Average Rectified Output Current IO 1.0 A

(Note 1) @T = 75°C
A

Non-Repetitive Peak Forward Surge

Current
 8.3ms Single half sine-wave IFSM 30 A
superimposed on rated load (JEDEC
Method)

Forward Voltage @I = 1.0A

F VFM 1.0 V

5.0
Peak Reverse Current @T A = I RM 50 µA
25°C At Rated DC Blocking
Voltage @T = 100°C
A

Typical Junction Capacitance (Note 2) Cj 15 pF

Typical Thermal Resistance Junction to R JA 50 °C/W

Ambient (Note 1)

Operating Temperature Range Tj - 65 to 5 °C

+12

Storage Temperature Range TSTG - 65 to 0 °C

+15

Rangos Máximos (Ta = 25° C)

Material

Resistencia de 1KΩ

Diodo 1N4001

LED Rojo Ultra

Generador de funciones

Osciloscopio Tektronix

Multisim

Desarrollo

El valor a emplear en la resistencia es de 1KΩ, para el diodo se ocupara el

1N4001 y un LED Rojo Ultra

Resistencia de 1KΩ

Características:

Tipo: Carbón

Tipo de elemento resistivo: Oxido metálico

Rango de producto: Serie 1/2 W

Potencia nominal: 0.5 Watts

Máxima tensión nominal: 350 V

Tolerancia de resistencia: ± 5%

Coeficiente de temperatura: ± 200 ppm/K

Tipo de elemento resistivo: Película metálica

Tipo: Carbón

Axial: 2 pines

Diodo 1N4001

Características:

Voltaje inverso RMS: 35V

Máximo voltaje inverso: 50V

Máxima corriente de funcionamiento: 1A

 Máxima corriente de pico no repetitiva: (máximo 8,3ms) 30A

Rango de temperaturas de funcionamiento: -65°C a +150°C

Disipación de poder: 30 W

LED ROJO Ultra

Características:

Voltaje: 3,5 a 4Vcc

Intensidad luminosa: 1300 a 1600mcd

Corriente: 20mA

Longitud de onda: 635nm

Angulo de iluminación: 30° respecto a la horizontal

Diámetro de encapsulado: 5mm

Largo: 8,6mm

Numero de pines: 2

Tiempo de Tiempo de Tiempo de

Almacenamiento Decaimiento Recuperación
Tipo de Amplitud Frecuencia Inversa
Señal ta td
trr

Cuadrada 5Vp 60Hz 3.48 µs 6.42 µs 9.9 µs

Cuadrada 5Vp 1KHz 3.6 6.44 10.04

Cuadrada 5Vp 2KHz 3.52 6.44 9.96

Cuadrada 5Vp 5KHz 3.52 6.52 10.04

Cuadrada 5Vp 8KHz 3.62 6.37 9.99

Gráficas para el Diodo

Frecuencia de 60Hz

Frecuencia de 1KHz
Frecuencia de 2KHz
Frecuencia de 5KHz
 Gráfica para el LED para una Frecuencia de 8KHz

Para el led podemos observar que no existe el

efecto de carga y descarga ya que cae y se
recupera de inmediato por lo tanto no existen
tiempos de carga ni de decaimiento ya que el
tiempo de almacenamiento es muy pequeño
por lo cual no es posible medirlo en una
simulación ni en un osciloscopio en
laboratorio, además de que la frecuencia es
muy alta y el tiempo es muy pequeño y el
osciloscopio no puede medirlos, además
podemos observar que si hay corriente y
voltaje.

Como podemos ver la frecuencia es muy alta

Y el tiempo es muy pequeño

Conclusiones:

Delgadillo Urbina Amir

Guarneros Guillermo Juan Carlos

Gutiérrez Moreno Oscar Iván

 Tiempo de Tiempo de Tiempo de
Almacenamiento Decaimiento Recuperación
Tipo de Amplitud Frecuencia Inversa
Señal ta td
trr

Cuadrada 5Vp 8KHz 3.66 µs 6.44 µs 10.1 µs

Gráficas para el Diodo para una Frecuencia de 8KHz

A una frecuencia de 60Hz y una escala de 2V pudimos observar una gráfica que
prácticamente se descargaba y cargaba tan rápido que no pudimos apreciar bien
el efecto que está teniendo.

Pasando a una frecuencia de 1KHz y una escala de 2V pudimos observar que ya

empezó a abrir la gráfica pero observamos mucho ruido.

Pasando a una frecuencia de 2KHz y una escala de 2V aquí vemos que la

corriente ya se mantiene más tiempo estable y cuando comienza a irse a 0 los
portadores minoritarios comienzan a caer.

Pasando a una frecuencia de 5KHz pudimos observar mejor el efecto de la

capacitancia.

Hasta llegar a una frecuencia de 8KHz en la cual proseguimos a medir los tiempos
ya que si seguimos aumentando la frecuencia la gráfica saldrá con mucha
distorsión.