TALLER 1 – DIODOS SEMICONDUCTORES

Fecha de entrega: 29/02/2022.

Integrantes: 2
Formato de entrega: DIGITAL

1. Describa que significado tiene los siguientes parámetros de los diodos.

VRW VRRM VRSM VBR VR IF(AV) IFRM IFSM IF ta tc trr SF = tc/ta
M

P Pm PA PRR PRS Tjm Tst Rj Rc

m áx V M M áx g c d
áx

2. Empleando las hojas de datos de los diferentes diodos, desarrollar una

tabla comparativa con los diferentes parámetros vistos en clase.
REF VRWM VRRM VRSM VBR VR IF(AV) IFRM IFSM IF ta tc trr SF = tc /ta Pmáx Pmáx PAV PRRM PRSM Tjmáx Tstg Rjc Rcd

3. Desarrollar un análisis de los datos de la tabla, haciendo referencia a la

corriente a la temperatura de juntura, la velocidad de respuesta y el tipo
de encapsulado.
4. Desarrollar conclusiones.
DESARROLLO
1. Describa que significado tiene los siguientes parámetros de los diodos.
VRWM VRRM VRSM VBR VR IF(AV) IFRM IFSM IF ta Tb trr SF = tc/ta

Pmá PA PRR PRS Tjmá Tst Rj Rc

x V M M x g c d

PARAMETROS EN BLOQUEO.

VRWM: Tensión inversa de pico de trabajo: es la que puede ser soportada por el
dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.
VRRM: Tensión inversa de pico repetitivo: es la que puede ser soportada en picos
de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.

VRSM: Tensión inversa de pico no repetitiva: es aquella que puede ser soportada
una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más.

VBR: Tensión de ruptura: si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms
el diodo puede destruirse o degradar las características del mismo.

VR: Tensión inversa continúa: es la tensión continua que soporta el diodo en

estado de bloqueo.

PARÁMETROS EN CONDUCCIÓN.

IF(AV): Intensidad media nominal: es el valor medio de la máxima intensidad de

impulsos sinusoidales de 180º que el diodo puede soportar.

IFRM: Intensidad de pico repetitivo: es aquella que puede ser soportada cada 20
ms, con una duración de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la
cápsula (normalmente 25º).

IFSM: Intensidad directa de pico no repetitiva: es el máximo pico de intensidad

aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duración de 10 ms.

IF: Intensidad directa: es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra
en el estado de conducción.

TIEMPO DE RECUPERACIÓN INVERSO.

ta: Tiempo de almacenamiento: es el tiempo que transcurre desde el paso por

cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.

TB: Tiempo de caída: es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de

intensidad hasta que ésta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de
la unión polarizada en inverso. En la práctica se suele medir desde el valor de pico
negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste.

trr: Tiempo de recuperación inversa: es la suma de ta y tb.

SF = tc/ta: La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

Disipación de potencia.

Pmáx: Potencia máxima disipable: Es un valor de potencia que el dispositivo

puede disipar, pero no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo
durante el funcionamiento, llamada ésta potencia de trabajo
PAV: Potencia media disipada: Es la disipación de potencia resultante cuando el
dispositivo se encuentra en estado de conducción, si se desprecia la potencia
disipada debida a la corriente de fugas.

PRRM: Potencia inversa de pico repetitiva: Es la máxima potencia que puede

disipar el dispositivo en estado de bloqueo.

PRSM: Potencia inversa de pico no repetitiva: Similar a la anterior, pero dada

para un pulso único.

Características térmicas

Tjmáx: Temperatura de la unión: Es el límite superior de temperatura que nunca

debemos hacer sobrepasar a la unión del dispositivo si queremos evitar su
inmediata destrucción. En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unión se
nos da la "operating temperature range" (margen de temperatura de
funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en
un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mínimo y otro
máximo.

Tstg: Temperatura de almacenamiento: Es la temperatura a la que se encuentra

el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante suele dar un
margen de valores para esta temperatura.

Rjc: Resistencia térmica unión-contenedor: Es la resistencia entre la unión del

semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este dato el
fabricante se puede calcular mediante la fórmula: Rjc = (Tjmáx - Tc) / Pmáx siendo Tc la
temperatura del contenedor y Pmáx la potencia máxima disipable.

Rcd: Resistencia térmica contenedor-disipador: Es la resistencia existente entre

el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). Se supone que la
propagación se efectúa directamente sin pasar por otro medio (como mica
aislante, etc).
3. Desarrollar un análisis de los datos de la tabla, haciendo referencia a la
corriente a la temperatura de juntura, la velocidad de respuesta y el tipo
de encapsulado.
 DIODO 1N4006 RECTIFICADOR: Rango de temperatura
de la junta de funcionamiento de -65 ° C a 150 ° C,
Corriente directa transitoria Ifsm máxima: 30 A, la velocidad
de conmutación de todos estos diodos es relativamente
lenta debido a la capacidad interna del semiconductor
(entre 10pF y 15pF).
 DIODO SK85C RECTIFICADOR: Corriente directa: 8 A,
Rango de temperatura de trabajo - 55 C° a + 150 C°, Paquete DO-
214AB (SMC)

 DIODO SKKD 101/16: Máxima temperatura de

operación - +130°C, Tensión de retorno máx.: 1.6kV,
Tj = 25 °C, IF = 300 A 1.45 1.60 V.

 DIODO DO-4 (DO-203AA): Corriente Continua

Máxima Directa: 16A, Tensión Repetitiva Inversa
de Pico: 800V, Temperatura de trabajo mínima:
-55c°, Temperatura de trabajo máxima +200c°;
tipo de Encapsulado DO-203AA.

 DIODO BYV29-400: Corriente directa 1.4V,

Tiempo de recuperación: 50ns, Paquete / Cubierta T0-220-3, Tiempo de
Recuperación Inverso de Pico: 60ns.
 CONCLUSION

3. En conclusión, esta investigación nos permitió conocer los distintos parámetros que
existen de diodos ya que estos se caracterizan porque en estado de conducción,
deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión;
nos permitió saber los distintitos datos específicos de cada uno de los parámetros de
los diodos y que son muy importantes ya que con ellos podemos saber los tipos de
tensiones, intensidades, tiempos, potencias, temperaturas y resistencias de cada uno
de los diodos semiconductores; sin embargo analizamos algunos de los diodos
rectificadores para saber la temperatura de juntura, la velocidad de respuesta y el
tipo de encapsulado de cada uno de estos diodos los cuales son importantes.