0 calificaciones0% encontró este documento útil (0 votos)
18 vistas1 página
Un semiconductor tiene una resistividad eléctrica intermedia entre un buen conductor y un buen aislante. Los semiconductores como el silicio y el germanio tienen una pequeña brecha de energía entre sus bandas de valencia y conducción de aproximadamente 1 eV, lo que les permite conducir electricidad a temperatura ambiente cuando algunos electrones ganan suficiente energía para saltar la brecha. Las propiedades eléctricas de los semiconductores pueden cambiar drásticamente con pequeñas cantidades de impurezas.
Un semiconductor tiene una resistividad eléctrica intermedia entre un buen conductor y un buen aislante. Los semiconductores como el silicio y el germanio tienen una pequeña brecha de energía entre sus bandas de valencia y conducción de aproximadamente 1 eV, lo que les permite conducir electricidad a temperatura ambiente cuando algunos electrones ganan suficiente energía para saltar la brecha. Las propiedades eléctricas de los semiconductores pueden cambiar drásticamente con pequeñas cantidades de impurezas.
Un semiconductor tiene una resistividad eléctrica intermedia entre un buen conductor y un buen aislante. Los semiconductores como el silicio y el germanio tienen una pequeña brecha de energía entre sus bandas de valencia y conducción de aproximadamente 1 eV, lo que les permite conducir electricidad a temperatura ambiente cuando algunos electrones ganan suficiente energía para saltar la brecha. Las propiedades eléctricas de los semiconductores pueden cambiar drásticamente con pequeñas cantidades de impurezas.
Algunos materiales se denominan semiconductores porque tienen propiedades intermedias entre
las de buenos conductores y buenos aislantes. Los semiconductores tienen resistividades intermedias entre las de los metales y las de los aislantes
1452 CAPÍTULO 42 Moléculas y materia condensada
42.6 Semiconductores Un semiconductor tiene una resistividad eléctrica intermedia entre las de los buenos conductores y las de los buenos aislantes. La enorme importancia de los semiconductores en la electrónica actual se debe, en parte, al hecho de que sus propiedades eléctricas son muy sensibles a concentraciones muy pequeñas de impurezas. Describiremos los conceptos básicos, usando como ejemplos de elementos semiconductores al silicio (Si) y al germanio (Ge). El silicio y el germanio están en el grupo IV de la tabla periódica. Ambos tienen cuatro electrones en sus subcapas atómicas externas (3s23p2 para el silicio, 4s24p2 para el germanio) y ambos cristalizan en la estructura del diamante, con enlaces covalentes, descrita en la sección 42.3 (figura 42.16). Como los cuatro electrones externos intervienen en los enlaces, en el cero absoluto la estructura de bandas (véase la sección 42.4) tiene una banda de conducción totalmente vacía (figura 42.21b). Como explicamos en la sección 42.4, a temperaturas muy bajas los electrones no pueden saltar desde la banda de valencia llena hasta la banda de conducción, por lo que el silicio y el germanio son aislantes a dichas temperaturas. Tal distribución hace que estos materiales sean aislantes a temperaturas muy bajas; sus electrones no tienen estados cercanos disponibles a los que puedan pasar como respuesta a un campo eléctrico aplicado. Sin embargo, el intervalo vacío de energía Eg entre las bandas de valencia y de conducción es pequeña, en comparación con el intervalo vacío de 5 eV o más, para muchos aislantes; los valores a temperatura ambiente son 1.12 eV para el silicio y sólo 0.67 eV para el germanio. Así, aun a temperatura ambiente una cantidad apreciable de electrones puede ganar la energía suficiente como para saltar el intervalo y llegar a la banda de conducción, donde se disocian de los átomos a los que pertenecían y quedan en libertad de movimiento por todo el cristal. La cantidad de esos electrones aumenta con rapidez al incrementarse la temperatura
Semiconductor: Un semiconductor tiene un intervalo vacío aproximadamente de 1 eV entre
sus bandas de valencia y de conducción. Sus propiedades eléctricas pueden cambiar en forma drástica por la adición de pequeñas concentraciones de impurezas donadoras, obteniéndose así un semiconductor tipo n; o con impurezas receptoras, obteniéndose un semiconductor tipo p. (Véase el ejemplo 42.10.)