FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

MDULO I TEORA DE SEMICONDUCTORES

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MDULO I TEORA DE SEMICONDUCTORES 1.- Semiconductor Entre los materiales conductores que permiten una circulacin mayor de corriente por presentar una resistencia relativamente baja, y los materiales aislantes, que no permiten la circulacin de corriente, se encuentra una gama de materiales con propiedades propias que se denominan semiconductores ellos tienen una conductividad que vara con la temperatura, pudiendo comportarse como conductores o como aislantes dependiendo del valor de esta. Todos los semiconductores se caracterizan porque en su ltima capa de electrones de su estructura atmica poseen cuatro electrones llamados electrones de valencia. El elemento semiconductor ms usado es el Silicio (Si), pero hay otros semiconductores como el Germanio (Ge) que tambin son usados en la fabricacin de circuitos. El silicio es el segundo elemento ms abundante en la naturaleza, despus del oxgeno, constituye aproximadamente el 28% de la corteza terrestre. Adems, el Si presenta propiedades elctricas buenas debido a que su resistividad elctrica que a temperatura ambiente es intermedia entre la de los metales y los aislantes y su conductividad puede ser controlada agregando pequeas cantidades de impurezas. En la industria del acero se usa como un constituyente de las aleaciones de acero al silicio las cuales se utilizan para hacer los ncleos de los transformadores elctricos porque esta aleacin disminuye la histresis magntica. Su purificacin es relativamente sencilla (llegndose a Si puro del 99,99999%) y el Si se presta fcilmente a ser oxidado, formndose SiO2 (dixido de silicio) y constituyendo un aislante que se utiliza en todos los transistores de la tecnologa CMOS. Aunque idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente [GaAs (Arseniuro de Galio), InP (Fosfuro de Indio), AsGaAl (Arseniuro de Galio y Aluminio), CdTe (Teluro de Cadmio), CdSe (Seleniuro de Cadmio) y CdS (Sulfuro de Cadmio)] de la tabla peridica. ltimamente tambin se usa el azufre (S).

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En la tabla # 1 se muestra algunos elementos pertenecientes a los grupos II (Cd Cadmio), III (Al Aluminio, Ga Galio, B Boro, In Indio), IV (Si Silicio, Ge Germanio), V (P Fsforo, As Arsnico, Sb Antimonio), VI (Se Selenio, Te Telurio, S Azufre) de la tabla peridica. Estos elementos tienen una estructura ms estable si comparten electrones, formando enlaces covalentes, de forma que al compartir estos electrones con tomos vecinos todos ellos tengan en la ltima capa ocho electrones, situacin que es muy estable.

Elemento Cd Al, Ga, B, In Si, Ge P, As, Sb Se, Te, (S)

Grupo II A III A IV A VA VI A

Electrones en la ltima capa 2 e3 e4 e5 e6 e-

Tabla N 1

Esto hace que se forme una malla de tomos que se denomina red cristalina. El diamante es un ejemplo de este tipo de estructura cristalina formada por tomos de carbono. El silicio, el germanio y el arseniuro de galio forman redes similares tal como se puede apreciar en las figuras 1.1a y 1.1b. Un cristal est formado por un conjunto de tomos muy prximos entre s dispuestos espacialmente de forma ordenada de acuerdo con un determinado patrn geomtrico. La gran proximidad entre los tomos del cristal hace que los electrones de su ltima capa sufran la interaccin de los tomos vecinos. En estas condiciones todos los electrones tienen su lugar en la red, as que estos materiales no permiten la movilidad de electrones y por lo tanto son aislantes. Un aumento en la temperatura hace que los tomos en un cristal por ejemplo, de silicio, vibren dentro de l, a mayor temperatura mayor ser la vibracin. Con lo que un electrn se puede liberar de su rbita, y deja un hueco (Vaco que deja un electrn al ser liberado de su orbita), que a su vez atraer otro electrn, y as sucesivamente.

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Fig. 1.1a.- Red Cristalina de Silicio (Si)

Fig. 1.1b.- Red Cristalina de Arseniuro de Galio (GaAs) Fuente: www.ele.uva.es

En la figura 1.2a se puede observar un cristal de silicio antes del aumento de la temperatura y en la figura 1.2b el cristal de silicio despus de un aumento de temperatura donde se produce la creacin del hueco y del electrn libre por el rompimiento de los enlaces covalentes del cristal. A 0 K, todos los electrones estn ligados por su enlace covalente, la dependencia con la temperatura crea la limitante al material semiconductor de no crear electrones libres. A 300 K o ms, aparecen electrones libres.

(a) (b) Fig. 1.2a.- Cristal de Silicio (Si) antes del aumento de la temperatura. Fig. 1.2b.- Cristal de Silicio (Si) despus del aumento de la temperatura. Fuente: El Autor

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La unin de un electrn libre y un hueco se llama "recombinacin", y el tiempo entre la creacin y desaparicin de un electrn libre se denomina "tiempo de vida". 2.- Banda de Energa y Conductividad Elctrica del Cristal El nivel energtico de cada electrn puede estar situado en la "banda de valencia" o en la "banda de conduccin" del cristal. Un electrn que ocupe un nivel dentro de la banda de valencia est ligado a un tomo del cristal y no puede moverse libremente a travs de l, mientras que si el nivel ocupado pertenece a la banda de conduccin, el electrn puede moverse libremente por todo el cristal, pudiendo formar parte de una corriente elctrica. Entre la banda de valencia y la de conduccin existe una "banda prohibida", cuyos niveles no pueden ser ocupados por ningn electrn del cristal. La magnitud de esa banda prohibida [Eg] permite definir otra diferencia entre los semiconductores, aislantes y conductores. Y tiene por unidad de energa al Electrn- Voltio [eV], la cual es igual a la energa que adquiere una partcula cargada, cuando es acelerada en el vaco, a travs de una diferencia de potencial de 1 voltio. En la figura 1.3 se puede observar la estructura de los niveles o bandas de energa segn el tipo del material. La magnitud de la banda prohibida (Eg) de algunos semiconductores son: para el Silicio (Si) es aproximadamente de 1,11 eV, Germanio (Ge) de 0,67 eV, Arseniuro de Galio (GaAs) de 1,43 eV, Telurio de Cadmio (CdTe) 0,33 eV, Galena (SPb) de 0,37 eV, Antimoniuro de Indio (SbIn) de 0,23 eV. Para la conduccin de la electricidad es necesario que hayan electrones en la capa de conduccin, as se pueden considerar tres situaciones: Los conductores, en donde la banda de valencia y la banda de conduccin a se superponen. Los aislantes, en donde la diferencia existente entre las bandas de energa, en el orden de 6 eV impide, en condiciones normales el salto de los electrones hacia la banda de conduccin. Los semiconductores, en donde el salto de energa es pequeo, en el orden de 1 eV, al suministrarles energa pueden conducir la electricidad; pero TEORA DE SEMICONDUCTORES 5

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adems, su conductividad puede regularse, puesto que al disminuir la energa aportada es menor el nmero de electrones que salte a la banda de conduccin; cosa que no puede hacerse con los metales, cuya conductividad es constante, o ms propiamente, poco variable con la temperatura.

Eg 1eV

Eg = 6eV

Semiconductor Banda de Conduccin

Aislante Banda de Valencia

Conductor Banda de Prohibida

Solapamiento de la Banda de Valencia y la Banda de conduccin

Fig. 1.3 Estructura de las bandas de energa de un Aislante, un Semiconductor y un Conductor Fuente: El Autor

Es importante notar que la conductividad elctrica de los semiconductores es directamente proporcional a la temperatura, y por ello se afirma que su Coeficiente Trmico de Conductividad es positivo, a diferencia de los metales cuyo Coeficiente Trmico de Conductividad es negativo. Estos coeficientes son positivos, al aumentar la temperatura la resistividad de los metales aumenta o, en forma equivalente, su conductividad disminuye. Por lo contrario, a temperaturas normales (aprox. 27C), la conductividad de los semiconductores aumenta en un 5% por cada grado de incremento en la temperatura.

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NOTA: No debe confundirse la resistividad del material con la resistencia del mismo. La resistividad es una propiedad caracterstica de cada material, mientras que la resistencia depende de la forma geomtrica. La corriente en los conductores se debe al movimiento de los electrones libres mientras que en los semiconductores se debe al movimiento de los electrones libre y los huecos. 3.- Tipos de Semiconductores 3.1 Semiconductores Intrnseco Los semiconductores intrnsecos son los cristales semiconductores puros. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energa trmica. En ellos, el nmero de huecos es igual al nmero de electrones y es funcin de la temperatura del cristal. La conductividad en ellos a temperatura ambiente no suele ser muy alta, y la cantidad de electrones libres es igual a la cantidad de huecos presente en el cristal debido al fenmeno de recombinacin. A una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares electrn-hueco, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo

la concentracin de electrones (cargas negativas) y p la concentracin

de huecos (cargas positivas), se cumple que:

ni = n = p
Siendo

Ec 1.1

ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la

temperatura. Al someter al cristal a una diferencia de tensin, se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro lado, la corriente debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos,

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originando una corriente de huecos en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.

ni = B * T 3 / 2 * e
Donde:

E g 2 * k *T

Ec 1.2

B : Constante del material semiconductor especifico.

E g : Es la magnitud del nivel de energa entre banda (banda prohibida).

T : Temperatura en grado Kelvin (K)

k : Constante de Boltzmann 86*10-6 eV/ K

La constante del material para el Silicio (Si) es 5,23*1015 cm-3K-3/2, para el Arseniuro de Galio (GaAs) es 2,10*1014 cm-3K-3/2 y para el Germanio (Ge) es de 1,66 cm-3K-3/2. 3.2.- Semiconductores Extrnseco Para aumentar la conductividad en un semiconductor intrnseco se somete al semiconductor a un proceso de Dopado, el cual consiste en agregar de una forma controlada tomos o impurezas para cambiar sus caractersticas elctricas del material semiconductor y as convertirlo en un Material Semiconductor Extrnseco y dependiendo del tipo de impurezas o tomos aadidos se pueden tener dos tipos de semiconductores extrnsecos. 3.2.1.- Semiconductores Extrnseco Tipo N Los semiconductores extrnsecos tipo N son los semiconductores intrnsecos que en el proceso de dopado se le han aadido tomos o impurezas pentavalentes, es decir, las que poseen 5 electrones de valencia, entre las que se pueden mencionar

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Fsforo (P), Arsnico (As), Antimonio (Sb), las cuales son llamadas tambin Impurezas Donadoras ellas aaden un electrn libre al cristal a temperatura ambiente, los cuatros electrones de valencia restantes forman enlaces covalentes con los tomos vecinos del semiconductor. Estas impurezas introducen un nivel donador entre la banda de valencia y la banda de conduccin pero mas cercano a esta ltima. En estos semiconductores a una temperatura cualquiera existen ms electrones que huecos, los cuales sern llamados portadores mayoritarios y portadores minoritarios respectivamente. En la figura 1.4 se puede observar un cristal de silicio al cual se le ha aadido un tomo de fsforo (P) el cual genera un electrn libre.

Fig. 1.4.- Cristal de Silicio contaminado con tomos de Fsforo (Liberacin de un electrn) y tomos de Boro (Absorcin de un electrn). Fuente: www.acapomil.cl

En la figura 1.5 se muestra el nuevo nivel de energa de un semiconductor con tomos donadores (por ejemplo P en Si), el nivel dador se encuentra justo por debajo de la banda de conduccin. Los electrones () son promocionados fcilmente a la banda de conduccin. El semiconductor es de tipo N.

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Fig. 1.5. Nivel donador o dador introducido por los tomos pentavalentes Fuente: El Autor

3.2.2.- Semiconductores Extrnseco Tipo P Los semiconductores extrnsecos tipo P son los semiconductor intrnseco que en el proceso de dopado se le han aadido tomos o impurezas trivalentes, es decir, poseen tres electrones de valencia, entre las que se pueden mencionar Boro (B), Indio (In), Aluminio (Al), Galio (Ga) las cuales son llamadas tambin Impurezas Aceptadoras ellas aaden un hueco en el cristal a temperatura ambiente por cada tomo agregado al semiconductor, tres de sus electrones de valencia forman enlace covalente con los tomos vecinos del semiconductor y queda un vaco en un de los enlaces covalentes o simplemente no se llega a formar el enlace. Ellas introducen un nivel aceptador entre la banda de valencia y la banda de conduccin pero ms cercano a la primera. En estos semiconductores a cualquiera temperatura existen

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ms huecos que electrones, los cuales sern llamados portadores mayoritarios y portadores minoritarios respectivamente, contrario a los semiconductores extrnsecos tipo N. En la figura 1.4 se puede ver un cristal de silicio al cual se le ha aadido o agregado un tomo de boro (B) el cual genera un hueco. En la figura 1.6 se muestra el nuevo nivel de energa aadido en un semiconductor con tomos aceptores (por ejemplo B en Si), el nivel aceptor se encuentra justo por encima de la banda de valencia. Los electrones son promovidos fcilmente al nivel aceptor dejando agujeros positivos () en la banda de valencia. El semiconductor es de tipoP.

Fig. 1.6.- Nivel aceptador o aceptor introducido por los tomos trivalentes Fuente: El Autor

4.- Ley de Accin de Masas Se ha podido observar que, al aadir impurezas pentavalentes al semiconductor intrnseco, disminuye el nmero de huecos. De forma similar ocurre al dopar al

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semiconductor con impurezas trivalentes, disminuye la concentracin de electrones libres a un valor inferior al del semiconductor intrnseco, en condiciones de equilibrio trmico, el producto de la concentracin de las cargas positivas y negativas libres es una constante independiente de la cantidad de tomo donador o aceptador. Esta ecuacin se denomina Ley de Accin de Masas y viene dada por:

n * p = ni2
5.- Ley de Neutralidad de Carga

Ec 1.3

En todo material semiconductor en circuito abierto se debe cumplir que la suma de las cargas positivas debe ser igual a la suma de las cargas negativas. As la concentracin de cargas positivas esta constituida por la suma de los iones positivos

N D y los huecos p , ( N D + p ) . De la misma manera la concentracin de cargas

negativas esta constituida por la suma de los iones negativos N A y los electrones

n , ( N A + n)

ND + p = N A + n

Ec 1.4

Cuando se tiene un material tipo N, que tenga N A = 0 . El nmero de electrones ser mucho mayor que el nmero de huecos y se puede aproximar la ecuacin anterior a:

n ND

nn N D

Ec 1.5

Por lo tanto lo portadores minoritarios los huecos, se calculan utilizando la ley de accin de masas:

ni2 pn = ND
De igual manera, en un semiconductor del tipo p:

Ec 1.6

n p * p p = ni2

pp NA
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ni2 np = NA
6.- Movilidad y Conductividad

Ec 1.7

En los semiconductores la corriente elctrica es el resultado del movimiento de ambas cargas, es decir, de los electrones libres y los huecos, esto esta asociado a dos fenmenos fsicos. Densidad de Corriente de Arrastre o Desplazamiento (fuga) Densidad de Corriente de Difusin. 6.1 Densidad De Corriente de Arrastre Este primer fenmeno se origina por el movimiento de las cargas cuando se le aplica un campo elctrico al material semiconductor. Cuando las cargas son aceleradas por el campo elctrico se produce un aumento de la energa trmica la cual va a fomentar el movimiento de las cargas en forma no aleatoria. Y los portadores de carga se ven afectados de la siguiente manera: Electrones libres: La fuerza que el campo elctrico ejerce sobre los electrones provoca el movimiento de estos, en sentido opuesto al campo elctrico aplicado. De este modo se origina una corriente elctrica. La densidad de corriente elctrica (nmero de cargas que atraviesan la unidad de superficie en la unidad de tiempo) depender de la fuerza que acta ( q * E ), del nmero de portadores existentes y de la movilidad con que estos se mueven por la red, es decir:

J n = n * n * q * E
Donde:

Ec 1.8

J n : Densidad de corriente de los electrones [A / cm2]

n : Movilidad de los electrones en el material [cm2/ V *s]

n : Concentracin de los electrones [cm-3]
q : Carga elctrica [1,6 * 10-19 C] E : Campo elctrico aplicado. [V/ cm]

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La movilidad n es una caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad de movimiento del electrn a travs de la red cristalina. Huecos: El campo elctrico aplicado ejerce una fuerza sobre los electrones asociados a los enlaces covalentes. Esa fuerza puede provocar que un electrn perteneciente a un enlace cercano a la posicin del hueco salte a ese espacio. As, el hueco se desplaza una posicin en el sentido del campo elctrico. Si este fenmeno se repite, el hueco contina desplazndose. Aunque este movimiento se produce por los saltos de electrones, se puede suponer que es el hueco el que se est moviendo por los enlaces. E
Instante

t1 t2 t3 t4

Huecos

Electrones

Fig. 1.7.-Movimiento de los huecos debido al movimiento de los electrones Fuente: El Autor

La carga neta del hueco vacante es positiva y, se puede pensar en el hueco como una carga positiva movindose en la direccin del campo elctrico. Se puede ver en la figura 1.7 que los electrones individuales del enlace se involucran en el llenado de los espacios vacantes por la propagacin del hueco, no muestran movimiento continuo a gran escala. Cada uno de estos electrones se mueve nicamente una vez durante el proceso migratorio. En contraste, un electrn libre se mueve de forma continua en la direccin opuesta al campo elctrico. Anlogamente al caso de los electrones libres, la densidad de corriente de los huecos viene dada por:

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J p = p * p * q * E
Donde:

Ec 1.9

J p : Densidad de corriente de los huecos [A / cm2]

p : Movilidad de los huecos en el material [cm2/ V *s]

p : Concentracin de huecos [cm-3] q : Carga elctrica [1,6 * 10-19 C] E : Campo elctrico aplicado. [ V/ cm]
La movilidad p es caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad de movimiento del hueco a travs de los enlaces de la red cristalina. La "facilidad" de desplazamiento de los huecos es inferior a la de los electrones. Se puede considerar el caso de un semiconductor que disponga de huecos y electrones, el cual se somete a la accin de un campo elctrico. Los electrones se mueven en el sentido opuesto al campo elctrico, mientras que los huecos se mueven segn el campo. El resultado es un flujo neto de cargas positivas en el sentido indicado por el campo, o bien un flujo neto de cargas negativas en sentido contrario. En definitiva, la densidad de corriente total es la suma de las densidades de corriente de electrones y de huecos:

Arrastre

_ Total

= Jn + J

Ec 1.10

6.2.- Densidad De Corriente de Difusin En segundo lugar se tiene el fenmeno de difusin; por regla las cargas electrones y huecos, se mueven en sentido del gradiente de concentracin, van de regiones de mayor concentracin a regiones de menor concentracin para favorecer el equilibrio de las cargas; este movimiento genera una corriente proporcional al gradiente de concentracin. La difusin no depende del valor absoluto de la concentracin de portadores, sino solamente de su derivada espacial, es decir, de su gradiente la cual obedece Ley de Fick es la relacin de proporcionalidad entre la densidad de corriente y el

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gradiente de concentracin de portadores de carga debido al fenmeno de la difusin.

J = D * q * n
Donde:

Ec 1.11

J : Densidad de corriente [A/cm2].

D : Constante de Difusin o Difusividad [cm2/s]. q : Carga elctrica [1,6 * 10-19 C]

n o p : Gradiente de concentracin de electrones (o huecos) [ cm-3]

En los metales, la difusin no es un proceso de importancia, porque no existe un mecanismo mediante el cual se pueda generar un gradiente de densidad. Dado que en un metal nicamente hay portadores negativos de carga, cualquier gradiente de portadores que se pueda formar desequilibrara la neutralidad de la carga. El campo elctrico resultante crea una corriente de arrastre, de manera instantnea anula el gradiente antes de que se de la difusin. Por el contrario, en un semiconductor hay portadores positivos y negativos de carga, por lo que hace posible la existencia de un gradiente de densidad de huecos y de electrones, mientras se mantiene la neutralidad de la carga. En un semiconductor, los componentes de la densidad de corriente de difusin pueden expresarse de forma unidimensional mediante la ecuacin:

J Difusin _ Total = q * Dn *

dp dn q * Dp * dx dx

Ec 1.12

El segundo trmino de la expresin tiene signo negativo porque la pendiente negativa de los huecos da lugar a una corriente negativa de los huecos. Donde:

J Difusin : Densidad de Difusin total [A/ cm2] D p : Difusividad de los huecos [cm2 / s]
Dn : Difusividad de los electrones [cm2 / s]
n : Concentracin de electrones [cm-3]

p : Concentracin de huecos [cm-3]

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q : Carga elctrica [1,6 * 10-19 C]

7.- Relacin de Einstein Establece la relacin entre la constante de difusin (Difusividad) y la constante de movilidad de cada portador de carga ya que ambas son fenmenos estadsticos termodinmicas y no son independientes. Esta relacin viene dada por la ecuacin de Einstein

Dn

Dp

= VT

Ec 1.13

Donde VT es el Potencial equivalente de Temperatura o Voltaje Trmico, definido por:

VT =
Donde:

k *T q

Ec 1.14

k : Constante de Boltzmann [1,38*10-23 J/ K]

T : Temperatura en Kelvin [K] q : Carga del electrn [1,6*10-19 C]
Constantes de los Semiconductores a una Temperatura de 27C
n
2

Semiconductor

E g (eV )
1.1 1.4 0.67

B (cm K
3 3 / 2

Dn

Dp (cm / s )

(cm 2 / s )

(cm 2 / V * s )

p
(cm 2 / V * s )

Si GaAs Ge

5.23*1015 2.10*1014 1.66*1015

35 220 100

12.5 10 50

1350 8500 3900

480 400 1900

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8.- Glosario de Trminos Aceptor: m. Fs. Impureza que se introduce en la red cristalina de ciertos semiconductores para que acepten electrones en exceso. tomo: Es la partcula ms pequea de un elemento que mantiene las propiedades qumicas de este. Los tomos son elctricamente neutros, tienen la carga positiva concentrada en su ncleo y uno o ms electrones con carga negativa girando a su alrededor. Banda de Conduccin: Se denomina banda de conduccin al nivel de energa donde la atraccin del ncleo del tomo sobre los electrones es ms dbil. Ese nivel corresponde a la ltima rbita del tomo, la que puede compartir as sus electrones entre el resto de los tomos de un cuerpo, all los electrones circulan libremente. Banda de Valencia: Se denomina banda de valencia al ltimo nivel de energa u rbita ms alejada del ncleo del tomo. La banda de valencia permite que los electrones que giran en la ltima rbita puedan pasar de un tomo a otro, en dependencia de su "nmero de valencia" o "nmero de oxidacin", que puede ser positivo (+), o negativo (), de acuerdo con las propiedades especficas de cada elemento. Banda Prohibida: Regin que est entre la banda de valencia y la de conduccin, en la cual los electrones de un tomo o red de tomos, atraviesan por un proceso cuntico para que, por ejemplo, los electrones de la banda de valencia lleguen a la de conduccin. El ancho de la banda prohibida se mide en unidades de energa y determina que un material sea conductor, semiconductor o aislante. Concentracin: La concentracin es la magnitud fsica que expresa la cantidad de un elemento o un compuesto por unidad de volumen. Difusin: El movimiento de tomos al azar, de una regin de alta concentracin a otra de baja concentracin. Donador: Impureza que se introduce en la red cristalina de ciertos semiconductores para que done o ceda electrones.

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Dopado: Proceso mediante el cual se le cambia las caractersticas elctricas al material semiconductor al agregarle impureza. Electrn Libre: Es el electrn que ha absorbido la energa suficiente para pasar a la banda de conduccin. Enlace Covalente: Es el compartimiento de electrones de valencias. Gradiente: Se denomina gradiente de un campo escalar a la variacin espacial del mismo. El resultado es un vector. Este vector apunta en la direccin en la que la variacin del campo es mayor por unidad de desplazamiento, y el mdulo nos indica el valor de dicho cambio, por tanto, el gradiente es la mayor de las derivadas direccionales de un punto dado dentro de dicho campo u. Matemticamente se obtiene derivando parcialmente el vector respecto de cada una de las coordenadas espaciales. Hueco: Es el vaco que queda en el tomo despus del rompimiento de un enlace. In: Es cuando un tomo gana o cede uno o varios electrones en su ltima rbita o capa. In Positivo: Se cuando el tomo cede o pierde electrones, debido a que en esa situacin la carga elctrica positiva de los protones del ncleo supera a la negativa de los electrones que quedan girando en sus respectivas rbitas. In Negativo: Se cuando el tomo gana algn electrn en la ltima rbita, en este caso la carga elctrica negativa () de los de electrones supera a la carga positiva de los protones contenidos en el ncleo. Ionizacin: Mecanismo mediante el cual un electrn de valencia absorbe energa suficiente para pasar a la banda de conduccin. Ley de Fick: La ley de Fick dice que el flujo difusivo que atraviesa una superficie es directamente proporcional al gradiente de concentracin. El coeficiente de proporcionalidad se llama coeficiente de difusin (D, en cm2 s-1) Recombinacin: Es cuando un electrn es recapturado por un hueco, reestableciendo el enlace covalente. Tiempo de Vida: Es el tiempo que tarda un electrn libre en ser capturado por un hueco.

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Ejercicios Resueltos 1.- Determine la concentracin intrnseca para una porcin de Arseniuro de Galio GaAs a una Temperatura de 300 K. Datos:

B = 2,10 * 1014 (cm 3 K 3 / 2 )

T = 300 K

E g = 1,4eV

k = 86 * 10 6 eV / K
ni = ?
La concentracin intrnseca viene dada por la ecuacin
Eg 2 * k *T

ni = B * T

3/ 2

*e

ni = 2,10 * 1014 cm 3 K 3 / 2 * (300 K ) 3 / 2 * e

1, 4 eV eV 2 * 86 *10 6 * 300 K K

n i = 1, 797 * 10 6 cm 3
2.- Determine la concentracin de portadores Mayoritarios y minoritarios del silicio Si al cul se le ha aadido una concentracin de tomos de arsnico de 6x1018 cm-3 a una temperatura de 20 C Datos:

B = 5,23 * 1015 (cm3 K 3 / 2 )

T = 20o C

Eg = 1,1eV

k = 86 * 10 6 eV / K
N D = 6 * 1018 cm 3

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ni = ? n = ? p = ?
Para pasar de grado Celsius a Kelvin se la suman 273 a la temperatura dada.

T = 20o C

T = 20 o C + 273 = 293 K
1 ,1 eV eV * 293 K K

Se calcula la concentracin Intrnseca del Material

2 * 86 *10 6

n i = 5 , 23 * 10 15 cm

3 / 2

* ( 293 K ) 3 / 2 * e

i = 8.69 x10 9 cm 3
Como N D es mucho mayor a

ni se puede decir que:

nn N D = 6 * 1018 cm 3 Concentracin de Portadores Mayoritarios

nn * p n = ni2
ni2 Quedando la concentracin de portadores minoritarios pn = ND
pn

(8.69 * 10 cm ) =
9

3 2

6 * 10 cm

18

= 12,58cm 3

p n = 12.58cm 3 Concentracin de Portadores Minoritarios

3.- Determine la densidad de corriente de arrastre del germanio Ge cuando es dopado con una concentracin de 10x1020 cm-3 de tomos de Boro a una temperatura de 300 K, y se le aplica un campo elctrico de 150 V/cm. Datos:

B = 1,66 * 1015 (cm 3 K 3 / 2 )

T = 300K

Eg = 0,67eV
k = 86 * 10 6 eV / K

N A = 10 * 10 20 cm 3

E = 150V / cm
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J Arrastre = ?
Se realiza el calcula la concentracin intrnseca del material
0 , 67 eV eV 2*86*10 6 *300 K K

ni = 1,66 * 1015 cm 3 K 3 / 2 * (300 K ) 3 / 2 * e

i = 1,98 x10 13 cm 3
Como N A es mucho mayor a ni se plantea que:

p p N A = 10 x10 20 cm 3

Concentracin de Portadores Mayoritarios

n p * p p = ni2
Quedando la concentracin de portadores minoritarios n p =

ni2 NA

np

(1,98 * 10 =

cm 3 10 * 1020 cm 3
13

= 392,04 * 103 cm 3

Como la corriente de arrastre depende de los electrones y de los huecos, se tiene que:

J Arrastre = J An + J Ap
J An = qn nE = 1,6 * 10
19

cm 2 V C * 3900 * 392,04 * 103 cm 3 * 150 V *s cm

J An = 36 ,69 * 10 9 A / cm 2

J Ap = q p pE = 1,6 * 10 19 C * 1900

cm 2 V * 10 * 1020 cm 3 * 150 V *s cm

J Ap = 45 , 6 * 10 6 A / cm 2
J Arrastre = 36,69 * 10 9 A / cm 2 + 45,6 * 10 6 A / cm 2 45,9 * 106 A / cm 2

J Arrastre = 45,6 * 10 6 A / cm 2

TEORA DE SEMICONDUCTORES

22

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4. Calcule la corriente de Difusin para una porcin de GaAs la cual es dopada con una concentracin de tomos de fsforo de 5x1015e-3x cm-3 a una temperatura de 300 K. Datos:
B = 2,10 * 10 14 (cm 3 K 3 / 2 )

T = 300K

Eg = 1,4eV
k = 86 * 10
6

eV / K

N D = 5 * 10 15 * e 3 x cm 3

J Difusion = ?
Se calcula la Concentracin Intrnseca:
1, 4 eV eV 2 * 86 *10 6 * 300 K K

ni = 2,10 * 1014 cm 3 K 3 / 2 * (300 K ) 3 / 2 * e

ni = 1,797 * 106 cm3

Como N D es mucho mayor a ni se puede decir que:

nn N D = 5 * 1015 * e 3 x cm3

n n = 5 * 10 15 e 3 x cm

pn =

ni2 (1,797 * 106 cm3 ) 2 = 6,458 * 10 4 e3 x cm 3 15 3 x 3 ND 5 * 10 * e cm

Las concentraciones de portadores mayoritarios y minoritarios son:

nn = 5 * 1015 e 3 x cm3

pn = 6,458 * 104 e 3 x cm3

Para calcular la corriente de difusin se debe determinar las variaciones de concentracin de los portadores de carga.

nn = 3 * 5 * 1015 e 3 x = 15 * 1015 e 3 x cm 3 pn = 3 * 6,458 * 10 4 e 3 x = 19,37 * 10 4 e 3 x cm 3

Se procede a determinar la Corriente de Difusin del Material

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23

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J Dn = D n * q * n

JDp = Dp * q * p

J Dn = 1,6 * 10 19 C * 220
J Dp = 1, 6 * 10 19 C * 10

cm 2 * 15 * 1015 e 3 x cm 3 = 0,528e 3 x A / cm 2 s
cm 2 * 19 ,37 * 10 4 e 3 x cm 3 = 3, 09 * 10 21 e 3 x A / cm 2 s

J Dp = 3,09 * 10 21 e 3 x A / cm 2 J Difusion = 0,528e 3 x 3,09 * 10 21 e 3 x A / cm 2

Si x = 0 la corriente de difusin es aproximadamente igual a:

J Difusion = 0,528A / cm2

Ejercicios Propuestos 1.- Calcule la concentracin intrnseca para una porcin de Germanio (Ge) a una temperatura de 45 C 2.- Cul es la conductividad de un material del Si dopado uniformemente con 1016 cm-3 de tomos de fsforo (P)? 3.- Se tiene una muestra de Si la cual esta dopada con 1014 tomos de boro (B) por cada cm3, Cules son las concentraciones de los portadores de carga a 300 K? 4.- Determine la corriente de arrastre del GaAs a una temperatura de 470 K cuando se le aplica un campo elctrico de 120 V/cm, el cual es dopado con tomos de Galio a una concentracin de 106 cm-3 5.- Calcular la corriente de arrastre de los huecos y la corriente de difusin de los electrones, sabiendo que la densidad de corriente solo depende de estas y su valor es de 6.3 A/cm2; se desea conocer el campo elctrico que se aplica para estas respuestas. Se conocen los siguientes datos: n = 10 cm , p ( x ) = 10 15 e L cm 3 ,
16 3
x

L = 12m , D p = 12 cm 2 , = 1000 cm 2 / V .s s
6.- Determine la concentracin de portadores Mayoritarios y minoritarios del Germanio Ge al cul se le ha aadido una concentracin de tomos de Antimonio de 12x1018 cm-3 a una temperatura de 55 C.

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MDULO II TEORA DE DIODOS

TEORA DE DIODOS

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MDULO II TEORA DE DIODOS 1.- El Diodo Un diodo no es ms que la unin de un semiconductor tipo P con un semiconductor tipo N al que se le han aadido 2 terminales uno en la parte P y otro en la parte N, para poder acoplarse a un circuito. En la figura 2.1 se puede observar una representacin idealizada de la unin PN.
Ion Aceptador Ion Donador

Hueco

Electrn

Tipo p
Unin Fig. 2.1.- Unin PN Fuente: El Autor

Tipo n

Es decir que el semiconductor de la regin P tiene impurezas de tipo aceptadora con una concentracin NA y la regin N tiene impurezas de tipo donadora ND. A la temperatura ambiente esas impurezas son ionizadas. Una impureza aceptadora NA da un hueco libre mvil y una impureza donadora ND da un electrn libre mvil. Despus esas impurezas forman iones cargados, fijos en la red, iones negativos en la regin P e iones positivos en la regin N respecto a la caracterstica de la neutralidad de los semiconductores antes del movimiento de los portadores. Cuando los trozos de semiconductores entran en contacto, comienza a actuar los mecanismos de difusin tanto en los electrones del semiconductor N como en los huecos del semiconductor P. El mecanismo de difusin acta de modo similar al comportamiento de un gas.

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Por Ejemplo, los huecos del semiconductor P, cuando se ven unidos a un trozo de semiconductor en el que la presencia de huecos es casi nula (Semiconductor N), comienzan a desplazarse hacia el semiconductor tipo N. Ahora bien, tal como lo hara un gas, los huecos que se encuentran en la frontera con el semiconductor N comienzan a desplazarse hacia la zona del semiconductor tipo N, con el propsito de equilibrar la concentracin de huecos a lo largo de toda la unin PN. Ocurre exactamente lo mismo con los electrones del semiconductor N que se encuentran en la frontera con semiconductor tipo P donde apenas hay unos cuantos electrones, comienzan a desplazarse hacia la zona del semiconductor tipo P. Que ocurrira si los huecos de la zona P se dirigen a la zona N y los electrones de la zona N se dirigen a la zona P? Como los electrones se dirigen a un sitio con muchos huecos, se recombinan con los huecos, y como los huecos se dirigen a un sitio con muchos electrones, tambin se recombinan con los electrones, esto conlleva que en la zona prxima a la unin se produzca un vaciamiento de portadores libres (electrones y huecos), quedando por lo tanto en presencia de los iones de los semiconductores, cargada positivamente en el semiconductor N y negativamente en el P. Ahora bien, conform se va formando esa regin de carga espacial o tambin conocida como regin de agotamiento, entorno a la unin, se va creando un campo elctrico E en dicha regin de carga, y dirigido de la parte positiva a la negativa observar en la figura 2.2. como se puede

Fig. 2.2.- Formacin de la regin de vaciamiento. Fuente: El Autor

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En principio, los electrones y los huecos seguirn difundindose, pero en el momento en que forma el campo elctrico este se opone al movimiento de electrones de la zona N a la P y se opone al movimiento de huecos de la zona P a la N. Por lo tanto hay, una doble tendencia que intenta mover a los electrones y a los huecos: la difusin y el campo elctrico que se generan en la regin de carga espacial. Al principio, la difusin es suficiente para vencer al campo elctrico, pero, al ir creciendo la regin de carga espacial, el campo tambin crece, y cada vez se opone con ms fuerza a la difusin. Pero llega el momento en que el campo elctrico sea lo suficientemente grande como para detener el flujo de los electrones y huecos debido a la difusin. Entonces se habr llegado a una situacin de equilibrio, y habr cesado el flujo de carga.
Regin de Carga Espacial

Tipo p

Tipo n

Neutro

Neutro

E
Fig. 2.3.- Unin PN en equilibrio. Fuente El Autor

Como se ha dicho anteriormente la unin PN conforma un diodo. Ahora queda aadirle 2 terminales externos para ver como se comporta la unin PN cuando se le aplica una determinada tensin entre la parte p y su parte n. 2.- Polarizacin en Sentido Directo. Suponga que se le aplica una tensin positiva VD entre la parte p y n como muestra la figura 2.4.

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E
Tipo p Tipo n

ED
VD
Fig. 2.4.- Polarizacin en Directo de la unin PN Fuente: El Autor

El hecho de aplicar esa tensin VD hace que se forme un campo elctrico E D que atraviesa toda la unin PN, y cuyo sentido es de la zona p a la zona n, ese campo se superpone en sentido opuesto al campo elctrico que haba en la regin de carga espacial el cual disminuye, provocando que se reanude la difusin y que se genere una corriente elctrica en el sentido de p a n, debida al flujo de huecos hacia la zona n y el flujo de electrones hacia la zona p. En tal situacin la regin de carga espacial habr disminuido. Situacin que se puede observar en la figura 2.5.

E
Tipo p
Hueco

Tipo n

Electr

ED
V Fig. 2.5.- Circulacin de Corriente en la Unin PN Fuente: El Autor

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La corriente es debida en su mayor parte al movimiento de los portadores mayoritarios tanto de los huecos como de los electrones. 3.- Polarizacin en Sentido Inverso Suponga ahora que se le aplica una tensin positiva VD entre la parte n y p como muestra la figura 2.6.

E
Tipo p Tipo n

ED
Fig. 2.6.- Polarizacin en Inverso de la Unin PN Fuente: El Autor

VD

Al aplicar ms tensin a la parte N que a la parte P se genere un campo elctrico

E D dirigido de la zona N a la zona P, que se superpone al campo de la regin de

carga espacial, y, al ser del mismo sentido, da como resultado que el campo elctrico E

de la regin de carga aumente; al ser el campo el elemento que se

opone a la difusin, entonces, al aumentar imposibilita aun ms la difusin. El resultado es que, al igual que en el equilibrio, no circulara corriente a travs de la unin, pero esta vez habr aumentado la regin de carga espacial. Como se puede observar en la figura 2.7.

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E
Tipo p Tipo n

ED
V
Fig. 2.7.- Aumento de la Regin Carga Espacial Fuente: El Autor

En la polarizacin Inversa se dice que no hay circulacin de corriente significativa a travs de la unin pero en realidad existe una pequesima corriente elctrica que es debida a los portadores minoritarios y fluye de la zona N a la zona P la cual recibe el nombre de corriente inversa de saturacin. 4.- Caractersticas De Un Diodo En Unin PN Matemticamente, la relacin existente entre la tensin directa VD que soporta la unin y la corriente que fluye de la zona P a la zona N viene dada por la siguiente expresin:
V

=
no del todo idntica. Donde:

(e

VT

1)

Ec 2.1

Esta es la expresin =f(VD) de una unin ideal. En una unin real, es similar pero

: Es la intensidad de corriente que atraviesa el diodo (A) VD: Es diferencia de tensin en los extremo del diodo (V) S: Es la intensidad de corriente de saturacin (Es decir valores negativos de VD)

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: Coeficiente de Correccin, = 1 para el Ge y = 2 para el Si en niveles

relativamente bajos de corriente del diodo (En o abajo del punto de inflexin de la curva) y = 1 para el Si y Ge en mayores niveles de corriente del diodo (En la seccin de crecimiento rpido de la curva) VT: Es una Constante que vara con la temperatura conocido como Voltaje Trmico o Potencial equivalente de Temperatura y que para una temperatura de 300 K tiene un valor de:

V T = 0,0259 V = 25 ,9 mV
La grfica de esta relacin tensin corriente es evidente:

Fig. 2.8.- Curva Caracterstica del Diodo Fuente: El Autor.

Si a la unin PN se le aplica una tensin inversa muy grande, entonces por ella circular una corriente inversa considerable, debida a dos mecanismos. Avalancha (Diodos Poco Dopados): Si la tensin inversa es muy grande, entonces el campo elctrico que soporta la unin tambin lo es. Como ese campo atraviesa toda la unin, es capaz de captar tanto electrones minoritarios de la zona P como huecos de la zona N, y acelerarlos mucho, de tal modo que, tan grande es su energa cintica, que al colisionar con los enlaces

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de la red cristalina, se llevan por delante a otros tantos electrones ( es decir, rompen los enlaces, liberndose electrones), que, por el mismo mecanismo, pueden seguir rompiendo mas enlaces y en consecuencia generan al final una gran cantidad de electrones en movimientos que dan lugar a la corriente elctrica. Efecto Zener ( Diodos muy Dopados): El efecto zener se basa en la aplicacin de tensiones inversas que originan fuertes campos elctricos que producen la rotura de los enlaces covalentes dejando as electrones libres capaces de establecer la conduccin y no requiere la aceleracin de un portador de carga (huecos o electrones) debida al campo. El efecto zener es reversible y as no es destructible cuando se limita la corriente a un valor no demasiado elevado para que no se funda la unin. De ese modo, la grafica real de la corriente que circula por la unin en sentido de P hacia N en funcin de la tensin directa ser:

Fig. 2.9.- Curva Caracterstica real del Diodo Fuente: El Autor.

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Donde: V: Tensin umbral. La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. max: Corriente mxima. Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. s: Corriente Inversa de Saturacin Es la pequea intensidad de corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura. Vr: Tensin de ruptura. Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha. 5.- Representacin Simblica del Diodo. Como se dijo anteriormente un diodo no es ms que una unin PN a la que se le aaden 2 terminales externos para conectarse a un circuito, en la figura 2.10 se puede observar la representacin simblica y la fsica de un diodo normal (De Propsito General o Rectificador) con son 2 terminales nodo (Positivo) y Ctodo (Negativo).

Fig. 2.10.- Representacin Simblica y Fsica del Diodo Fuente: El Autor

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6.- Resistencias del Diodos Cuando el punto de operacin de un diodo se mueve desde una regin a otra, la resistencia del diodo tambin cambia debido a la forma no lineal de la curva caracterstica, si se analiza un diodo trabajando en rgimen de continua o si est trabajando en pequea seal, lo cual significa que se aplica una seal alterna montada sobre un nivel de continua. Se puede decir que tiene 2 tipos de resistencia: Resistencia Esttica. Resistencia Dinmica. 6.1.- Resistencia Esttica. Se obtiene al aplicar voltaje directo, el punto de operacin no cambia con el tiempo, es decir la resistencia esttica de un diodo es independiente de la caracterstica en la regin entorne al punto de inters solo depende del Voltaje y la corriente en el punto de polarizacin (Q). Este punto corresponde a una tensin de polarizacin que para un valor determinado da una corriente constante en rgimen continuo.

RD =

Vd Id

Ec 2.2

Fig. 2.11.- Representacin del punto Q sobre la curva caracterstica de Diodo Fuente: El Autor

6.2.- Resistencia Dinmica La resistencia del diodo cambia con la corriente que le atraviese, por lo tanto se define una resistencia en cada punto de la caracterstica por la expresin:

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rD =

dV dI

Ec 2.3

rD Se llama resistencia o dinmica de la unin, que corresponde a la resistencia

interna del diodo. Grficamente la resistencia dinmica rD es un punto de la caracterstica y se mide por la pendiente de la recta tangente en ese punto.
VD

Tericamente de la ecuacin 2.1

= S (e
= IS

VT

1)

1 dI = rD dV
Pero en la polarizacin directa
VD

V 1 e D VT VT

Se
rD =

VT

dI dV

I VT
Ec 2.4

VT
I

La ecuacin 2.4 corresponde a la expresin de la resistencia de unin correspondiente a la corriente que la atraviesa, es decir, que fija el punto sobre la curva caracterstica (V) llamado punto de polarizacin. La resistencia diferencial rD cambia el punto de polarizacin sobre la curva caracterstica. A la temperatura ambiente:

rD = 25,9 cuando = 1mA rD = 2,59 cuando = 10mA rD = 2,59K cuando = 10A

La resistencia diferencial o dinmica rD =

dV se puede determinar grficamente por dI

la medicin de la pendiente de la tangente a la curva caracterstica en el punto de polarizacin. Esa pendiente da

rD .

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Experimentalmente se puede notar la resistencia dinmica del diodo rD como la razn de una pequea variacin de voltaje V y de la variacin correspondiente de la intensidad .

rD =

V I

Ec 2.5

Prcticamente se toma una pequea variacin de la alrededor del punto de polarizacin y se nota la variacin correspondiente del V. Esas variaciones deben ser pequeas porque la caracterstica se aproxima a una recta y eso es exacto sobre un pequeo intervalo alrededor de .

Fig. 2.12 Resistencia dinmica y Variacin del punto Q Fuente: El Autor

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7.- Influencia De La Temperatura Sobre Las Propiedades De La Unin Los semiconductores dependen mucho del efecto de la temperatura. En el caso de los diodos la temperatura cambia: A la corriente directa constante, el valor de la tensin a los bornes del diodo.

A la tensin inversa constante, el valor de la corriente inversa de saturacin S

Esos efectos se denominan Derivas Trmicas. 7.1.- Influencia de la temperatura sobre la corriente de Saturacin S La corriente inversa de la unin viene del flujo de los portadores minoritarios en la unin. Es decir que la variacin de S en funcin de la temperatura sigue la ley de variacin de la generacin de los portadores en funcin de la temperatura.
Eg k *T

IS = B * T 3 * e
El trmino
Eg

Ec 2.6

e KT

de la ecuacin anterior, cambia mucho ms que T3 alrededor de la

temperatura ambiente (300 K).

I S (T1 ) = I S (T0 )e Ki (T1 T0 )

Donde K i = 0,072/C= 7,2%/C, resulta:

Ec 2.7

I S (T1 ) = I S (T0 )2(T1 T0 ) / 10 , (e0,72 2)

S se duplica aproximadamente cada 10 C de aumento de T La corriente inversa de los diodos de Si es menor que la corriente inversa para los diodos Ge. Esta corriente aumenta rpidamente cuando aumenta la temperatura.

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7.2.- Influencia de la temperatura sobre la tensin directa a los bornes de la unin. De manera general la tensin a los bornes de un diodo de unin PN de Si o Ge polarizada a corriente constante, disminuye aproximadamente de 2,3 mV/C cuando la temperatura ambiente aumenta 1C.

VD (T2 ) VD (T1 ) = k v (T2 T1 )

Ec 2.8 Ec 2.9

V D = k v T
T1 , T2 : Temperatura

kv Coeficiente de temperatura V/C (usado en termmetros)

-2,5 mV/C Germanio -2,0 mV/C Silicio -1,5 mV/C Schottky

Fig. 2.13 Influencia de la temperatura sobre la tensin del diodo. Fuente: El Autor

8.- Esquema Equivalente del Diodo en Rgimen Alterno. Capacidad de agotamiento o Transicin. Capacidad de Difusin. 8.1.- Capacidad de Agotamiento o de Transicin Del comportamiento de la unin PN en la regin inversa se puede observar la analoga entre la capa de agotamiento (o deplexin) de un condensador. A medida que cambia el voltaje en paralelo con la unin PN, la carga almacenada en la capa

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de agotamiento cambia de conformidad. En la figura 2.14 se muestra una curva caracterstica tpica de carga versus el voltaje externo aplicado de una unin PN.

Fig. 2.14 Curva Caracterstica de la Carga Almacenada vs. Tensin Inversa Aplicada. Fuente: El Autor.

Cuando el dispositivo se polariza en inverso y la variacin de la seal alrededor del punto de polarizacin es pequea como se ilustra en la Fig. 2.14 se puede usar una aproximacin de capacitancia lineal. Desde esta aproximacin a pequea seal, la capacidad de agotamiento o transicin es simplemente la pendiente de la curva qJ versus VR en el punto Q de polarizacin.

dq dV

J R VR = VQ

Ec 2.10

Fcilmente derivando se puede hallar una expresin para Cj. Si se trata la capa de agotamiento como un condensador de placas planas paralelas se obtendr una expresin idntica para Cj.

Cj =
Donde:

S A
Wagot

Ec 2.11

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C j : Capacitancia de unin o de transicin o de agotamiento

S : Permitibilidad del semiconductor

Wagot : Ancho de la regin de agotamiento.
A : rea de la unin
La expresin resultante para Cj se puede escribir en una forma conveniente

jo

Ec 2.12

VR 1 + VO

Donde:

C jO : Capacitancia con polarizacin cero es decir VR = VQ = 0

VR : Tensin de polarizacin Inversa VO : Potencial de la regin de transicin

N Vo = V T ln

* N n 2i

Ec 2.13

El anlisis precedente y la expresin para Cj se aplican para uniones en las que la concentracin de portadores se hace cambiar abruptamente en la frontera de la unin. Una frmula ms general para Cj es

jO

VR 1 + V O

Ec 2.14

Donde m es una constante cuyo valor depende de la manera en que cambia la concentracin del lado P al lado N de la unin. Se denomina coeficiente de distribucin, y su valor es de a . Tambin se conoce Cj = CT. Para resumir, a medida que un voltaje de polarizacin inversa se aplica a una unin PN, ocurre un transitorio durante el que la capacitancia de agotamiento se carga al nuevo voltaje de polarizacin. Una vez que gradualmente desaparezca el transitorio,

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la corriente inversa de estado estable es simplemente S. En realidad, corrientes de hasta unos pocos nanoamper (10-9A) circulan en direccin inversa, en dispositivos para los que S es del orden 10-15A. Esta gran diferencia se debe a fuga y otros efectos. Adems, la corriente inversa depende en cierta medida de la magnitud del voltaje inverso, contrario al modelo terico, que expresa que S independiente del valor del voltaje inverso aplicado. No obstante lo anterior, debido a que intervienen corrientes muy bajas, por lo general no se toma en cuenta los detalles de la curva caracterstica i-v del diodo en la direccin inversa. En la Figura 2.15 se observa la variacin de CT en funcin de VR para dos diodos tpicos.

Fig. 2.15 Variaciones de CT en funcin de VR para dos diodos Tpicos Fuente: El Autor

Se observa de la figura 2.15 que cuanto mayor sea la tensin inversa, mayor es el ancho Wagot de la regin de agotamiento o de carga espacial, y como consecuencia, menor la capacidad Cj. De manera anloga, si aumenta la tensin directa, Wagot disminuye y Cj aumenta. En ciertos circuitos se utiliza este efecto de la variacin de la capacidad con la tensin de una unin PN polarizada inversamente.

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8.2.-Capacidad de Difusin De la descripcin de la operacin de la unin PN en la regin de sentido directo se observa que, en estado estable, cierta cantidad de exceso de carga de portadores minoritarios se almacena en la mayor parte de cada una de las regiones P y N con carga neutra. Si cambia la tensin entre terminales, este cambio finaliza antes de que se alcance un nuevo estado estable. Este fenmeno de carga y almacenamiento da lugar a otro efecto capacitivo, muy diferente del que se debe al almacenamiento de carga en la regin de agotamiento. Para pequeas variaciones de carga situadas alrededor de un punto de polarizacin, podemos definir la capacitancia de difusin a pequea seal Cd como:

Cd =
Y se pode demostrar que

dQ dV

Ec 2.15

T Cd = V I T

Ec 2.16

Donde es la corriente del diodo en el punto de polarizacin. Es de Notar que Cd es directamente proporcional a la corriente del diodo y es, por lo tanto, tan pequea que es despreciable cuando el diodo se polariza inversamente. Es de notar tambin que para mantener una Cd pequea, el tiempo de trnsito T debe hacerse pequeo, lo cual es un requisito importante para diodos destinados para operacin a alta velocidad o alta frecuencia. 9.- Modelos o Aproximaciones del Diodo. Modelo Ideal Modelo de cada de voltaje constante Modelo Lineal por tramos

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9.1.- Modelo Ideal Un modelo til para una gran variedad de instancias del anlisis es el ideal, que describe al diodo como una vlvula unidireccional, esto es, como un conductor perfecto cuando es polarizado directamente (positivo en el nodo, negativo en el ctodo), y como un aislador perfecto cuando es polarizado negativamente. La figura 2.16 muestra la grafica el modelo ideal.

Fig. 2.16 Curva V Vs. de un Diodo Ideal. Fuente: El Autor

Cuando D es positiva, VD es cero, y se dice que el diodo est en estado ON (encendido). Cuando VD es negativo, D es cero, y se dice que el diodo est en estado OFF (apagado). El modelo ideal se puede utilizar si el contexto del circuito se puede presumir que los voltajes sern de magnitud suficiente para asegurar uno u otro estado de operacin de los diodos, y si, frente a esos niveles de voltaje y corriente, los voltajes de conduccin y las corrientes inversas resultan despreciables. Tambin resulta muy til el modelo ideal si lo que se requiere es la comprensin del funcionamiento de un circuito (cualitativo) ms que un anlisis exacto (cuantitativo). En este modelo se sustituyen o se reemplazan en el circuito el smbolo de diodo por cortocircuitos (los supuestos en estado ON) y por circuitos abiertos (los supuestos en estado OFF).

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9.2.- Modelo de Cada de Tensin Constante En este modelo no solo se sustituyen o se reemplazan en el circuito el smbolo de diodo por cortocircuitos los que estn en estado ON y por circuitos abiertos los que estn en estado OFF, sino que se lo agrega una fuente de tensin en serie al diodo al diodo ideal, el valor de la fuente es la tensin umbral del diodo. En la figura 2.17 se puede observar la curva caracterstica V vs. de diodo bajo usando esta aproximacin o modelo.

Fig. 2.17 Modelo de cada de voltaje constante de la caracterstica directa del diodo y la Representacin de su circuito equivalente. Fuente: El Autor

9.3.- Modelo Lineal por Tramos Algunas aplicaciones cuyas solucin requiere de mayor precisin obligan a mejorar el modelo anterior, haciendo consideracin tanto del voltaje de umbral (VD0) (diferente de 0[V]) como del carcter finito de la pendiente de la curva V-.

Fig. 2.18 Modelo lineal por tramos de la caracterstica directa del diodo y su circuito equivalente. Fuente: El Autor

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rD = 20 ; D = 0, VD VD0 ; D = (VD VD0)/rD ; Para VD VD0 rD: Resistencia interna del diodo vlida tanto para condiciones estticas como dinmicas. 10.- Parmetros y Especificaciones Elctricas De Los Diodo La construccin de un diodo determina la cantidad de corriente que es capaz de manejar, la cantidad de potencia que puede disipar y la tensin inversa pico que puede soportar sin daarse. A continuacin se lista los parmetros principales que se encuentran en la hoja de especificaciones del fabricante de un diodo rectificador: 1. Tipo de dispositivo con el nmero genrico de los nmeros del fabricante. 2. Tensin de pico Inverso (PIV). Este valor es igual al mximo valor que el diodo puede tolerar cuando se polariza en inversa. 3. Mxima corriente inversa en PIV (R) (a temperatura y corriente especificadas) 4. Mxima corriente de cd en directo (f). Este encuentra en el estado de conduccin. 5. Corriente promedio de media onda rectificada en directo (o). 6. Mxima temperatura de la unin. 7. Capacitancia mxima (C). 8. Disipacin de Potencia. 9. Curvas de degradacin de corriente. 10. Curvas caractersticas para cambio en temperatura de tal forma que el dispositivo se pueda estimar para altas temperaturas. valor es igual a la mxima

corriente que puede circular por el diodo sin daarlo cuando ste se

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Fig.2.19 Hoja de Especificaciones del Fabricante BAY73 Fuente: www.datasheests.org

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Fig.2.20 Curvas Elctricas Tpicas del Diodo BAY73 Fuente: www.datasheests.org

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11.- Verificacin del Estado de un Diodo Hay que recordar que los diodos son componentes que conducen la corriente en un solo sentido, teniendo en cuenta esto, se pueden probar con un multimetro en la posicin de "ohmetro" ya que para hacer la prueba de resistores, por l circula una pequea corriente que suministra el propio instrumento. En otras palabras, el multimetro como ohmetro no es ms que un microampermetro en serie con una batera y una resistencia limitadora. Cuando el terminal positivo de la batera del multimetro se conecta en serie con el nodo del diodo bajo ensayo y el otro terminal del instrumento se conecta al ctodo, la indicacin debe mostrar una baja resistencia, mayor deflexin se conseguir cuanto ms grande sea el rango, segn se indica en la figura 2.21a. En inversa el instrumento causar alta resistencia. En teora la resistencia inversa debera ser infinita, con lo cual la aguja del multimetro no se debera mover, como lo sugiere la figura 2.21b, pero en algunos diodos, especialmente los de germanio, cuando se los mide en rangos superiores a R x 100 en sentido inverso, provocan una deflexin notable llegando hasta un tercio de la escala, lo cual podra desorientar a los principiantes creyendo que el diodo est defectuoso cuando en realidad est en buenas condiciones. Por lo tanto, para evitar confusiones la prueba de diodos debe realizarse en el rango ms bajo del ohmetro tal que al estar polarizado en directa la aguja deflecte indicando baja resistencia y cuando se lo polariza en inversa la aguja del instrumento casi no se mueva, lo que indicar resistencia muy elevada. Si se dan estas dos condiciones, entonces el diodo est en buen estado. Si la resistencia es baja en ambas mediciones, significa que el diodo est en cortocircuito, en cambio si ambas lecturas indican muy alta resistencia, es indicio de que el diodo est abierto. En ambos casos se debe desechar el componente. La prueba es vlida para la mayora de los multimetros analgicos en los cuales el negativo del "multimetro" corresponde al terminal positivo de la batera interna, cuando el multimetro funciona como ohmetro, esto se ejemplifica en la figura 2.22 El mtodo aplicado es igualmente vlido para todos los diodos sin incluir los rectificadores de alta tensin empleados en televisores transistorizados, como por

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ejemplo diodos de potencia para fuentes de alimentacin, diodos de seal, diodos varicap, diodos zener, etc., ya sean de germanio o de silicio. Hay que observar que cuando se utiliza un multimetro digital que tiene una posicin para el diodo, puede llevarse a cabo una prueba dinmica de este dispositivo semiconductor. Con un diodo en buenas condiciones, el voltaje de polarizacin directa que despliega el multimetro debe ser, aproximadamente, de 0,7 V. El procedimiento anterior es la mejor prueba para verificar el estado de un diodo

Fig. 2.21 Verificacin del estado de un diodo con un ohmetro. a.- Cuando el diodo est polarizado en sentido directo, la lectura del ohmetro es baja b. Si el diodo se polariza en sentido inverso, la lectura del ohmetro indica una

resistencia muy alta (infinita). Fuente: Revista Multimetro

Fig. 2.22 Multimetro Como Ohmetro Fuente: Revista Multimetro

Nota: En los multimetros analgicos, la punta roja corresponde al negativo de la batera interna.

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Ejercicios Resueltos 1.- Calcule la corriente de polarizacin directa en una unin PN. Considere una unin PN a T = 300 K en la cual S = 5*10-14 A y VD = 0,65V. Datos: T = 300 K S = 5*10-14 A VD = 0,65V =? Se emplea la ecuacin (2.1) y asumiendo = 1

= 5 * 10
ecuacin (1.14), como T =300 K VT

14

(e

0, 65V VT

1)

Se determina el voltaje trmico para la temperatura dada haciendo uso de la

= 0,0259 V = 25,9 mV

= 5 * 10

14

(e

0 , 65V 25, 9 mV

1) = 3,96mA

2.- Calcule la capacitancia de unin de una unin PN de silicio a T = 300 K , con concentraciones de dopado de tomos Aceptadores igual a 1016 cm-3 y una concentracin de tomos Donadores de 1015 cm-3. Se sabe que CjO = 0,5 pF y que el voltaje inverso aplicado es de 2V. Datos

T = 300 K
N A = 1016 cm 3

N D = 1015 cm 3

C jo = 0,5 pF
VR = 2V
Para determinar la capacitancia de unin se usa la ecuacin de (2.14) y para ello se debe calcular el potencial de la barrera de la unin que viene dado por la siguiente

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ecuacin: Vo = VT ln

NA * ND n2i

y para determinar este valor hay que determinar la

concentracin intrnseca para el silicio a la temperatura dada.

1,1eV eV 2 * 86 *10 6 * 300 K K

ni = 5,23 * 1015 cm 3 K 3 / 2 * (300 K ) 3 / 2 * e

n i = 1, 499 * 10 10 cm 3
1016 * 1015 Vo = 25,9mV ln 1,499 * 1010

= 0,635V

Cj =

0,5 pF = 0,245 pF 2V 1+ 0,635V

Ejercicios Propuestos

1.- Se tiene un diodo de silicio a una T = 300 K que tiene una corriente de saturacin inversa de S = 10-13 A. El diodo esta polarizado en directo y por el circula una corriente de 1 mA. Determinar la tensin del Diodo. 2.-Se tiene una unin PN de silicio a T = 300K la cual es dopada de 1016 cm-3 de tomos donadores y de 1017 cm-3 de tomos aceptadores, se sabe que tiene una capacitancia de transicin de 0,8 pF cuando se le aplica una tensin inversa de 5V. Determine la capacitancia de la unin de polarizacin cero. 3.- Determine la corriente en un diodo de unin de Germanio ideal para voltajes de polarizacin directa de 0.4 V y 0.5 V si la corriente de saturacin de inversa es de S = 10-13 A. 4.- Calcule VO en una unin de Arseniuro de Galio a temperatura ambiente para una concentracin de tomos donadores igual a la concentracin de tomos aceptadores de 1015 cm-3.

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TEORA DE LOS TRANSISTORES