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“TRABAJO DE INVESTIGACION”

1) Definir las bandas de valencia de los materiales aislantes


semiconductores y metales
BANDAS DE VALENCIA DE LOS CONDUCTORES:
De acuerdo con la teoría de bandas, son aquellos materiales cuyas bandas de
valencia y de conducción, se encuentran muy próximas entre sí, al grado de que, en
algunos casos, estas bandas se encuentran sobrepuestas. Los electrones de valencia
en un átomo, son los que se encuentran en el nivel energético más externo y ellos
permiten los enlaces entre los átomos en los compuestos o entre átomos del mismo
tipo en una molécula o un cristal. Por su parte, los electrones de conducción son los
que se han promovido a niveles energéticos vacíos, lo que da lugar a su mayor
movilidad y, eventualmente, da origen a las corrientes eléctricas.
BANDAS DE VALENCIA DE LOS AISLANTES:

Los aislantes son materiales con una resistencia tan alta, que no es posible la
conducción eléctrica a través de ellos. Un caso extremo, de este tipo de materiales, es
el diamante. En el diamante, debido a su particular estructura cristalina, existe una
barrera de energía de 6 eV entre la banda de energía más baja 2p (llena con 2N
electrones) y los restantes estados disponibles 2p (4N estados posibles), por lo cual no
se puede promover electrones de la banda de valencia hacia la banda de conducción.
Para este aislante no es posible ganar energía por absorción de fotones (con energías
menores a 6 eV). Por el contrario, en los materiales conductores, los electrones de
valencia pueden ser promovidos fácilmente hacia la banda de conducción por
incidencia fotónica (también por temperatura), ya que hay un continuo de estados
disponibles inmediatamente arriba de la banda de valencia. Por esta razón, los
materiales conductores son opacos a la luz visible; el diamante es, en especial,
totalmente transparente a la luz visible.

BANDAS DE VALENCIA DE LOS SEMICONDUCTORES:


Los semiconductores se encuentran situados, por lo que hace a su resistencia, entre
los conductores y los aislantes, ya que a temperaturas muy bajas difícilmente
conducen la corriente eléctrica y más bien se comportan como aislantes pero, al elevar
su temperatura o al ser sometidos a un campo eléctrico externo, su comportamiento
cambia al de los conductores. Estos semiconductores son conocidos como intrínsecos
y, en ellos, las bandas de conducción y valencia se encuentran separadas por una
barrera de energía (banda prohibida) más pequeña (comparada con la del diamante),
de aproximadamente 1 eV (1.1 eV para el Si y 0.7 eV para el Ge). En este tipo de
materiales, cuando se transfiere un electrón de la banda de valencia a la banda de
conducción, se crea un “hueco” que actúa como un "transportador" de carga positiva,
fenómeno que eventualmente puede crear una “corriente positiva”.
2) Analizar las características de los semiconductores
intrínsecos (puro). De la tabla periódica que materiales son de
este tipo.
Semiconductores intrínsecos:

Un material semiconductor hecho sólo de un único tipo de átomo, se denomina


semiconductor intrínseco.
Los más empleados históricamente son el germanio (Ge) y el silicio (Si); siendo éste
último el más empleado (por ser mucho más abundante y poder trabajar a
temperaturas mayores que el germanio).
Cada átomo de un semiconductor tiene 4 electrones en su órbita externa (electrones
de valencia), que comparte con los átomos adyacentes formando 4 enlaces
covalentes. De esta manera cada átomo posee 8 electrones en su capa más externa.,
formando una red cristalina, en la que la unión entre los electrones y sus átomos es
muy fuerte. Por consiguiente, en dicha red, los electrones no se desplazan fácilmente,
y el material en circunstancias normales se comporta como un aislante.

Sin embargo, al aumentar la temperatura, los electrones ganan energía, por lo que
algunos pueden separarse del enlace e intervenir en la conducción eléctrica. De esta
manera, la resistividad de un semiconductor disminuye con la temperatura (su
conductividad aumenta). A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia
absorben suficiente energía calorífica para librarse del enlace covalente y moverse a
través de la red cristalina, convirtiéndose en electrones libres. Si a estos electrones, se
les somete al potencial eléctrico, como por ejemplo de una pila, se dirigen al polo
positivo. Cuando un electrón libre abandona el átomo de un cristal de silicio, deja en la
red cristalina un hueco, cuyo efecto es similar al que provocaría una carga positiva.

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. La conducción eléctrica


a través de un semiconductor es el resultado del movimiento de electrones (de carga
negativa) y de los huecos (cargas positivas) en direcciones opuestas al conectarse a
un generador. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos
corrientes eléctricas: una debida al movimiento de los electrones libres de la estructura
cristalina, y otra debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia,
que tenderán a saltar a los huecos próximos, originando una corriente de huecos. Los
electrones libres se dirigen hacia el polo positivo de la pila (cátodo), mientras que los
huecos pueden considerarse como portadores de carga positiva y se dirigen hacia el
polo negativo de la pila, llamado ánodo (hay que considerar que por el conductor
exterior sólo circulan los electrones que dan lugar a la corriente eléctrica; los huecos
sólo existen en el seno del cristal semiconductor).
3) Analizar las características de los semiconductores extrínsecos (dopado o
impurificado).
Los semiconductores extrínsecos o dopados son los que se usan en tecnología de
semiconductores basados en Ge y Si. Su mecanismo de conducción es diferente de
aquel de los semiconductores puros o intrínsecos. Los átomos de impurezas
controladas que se usan para dopar, en ppm, forman soluciones sólidas de sustitución
en el Si o Ge de estructura diamante. El Si, como conductor extrínseco presenta una
apertura de 1,1 eV para que sus electrones de valencia, formando parte de los
enlaces, puedan pasar a la banda de conducción como electrones libres. El
mecanismo de conducción de los semiconductores extrínsecos tiene asociadas
energías de conducción relacionadas con la energía para ionizar la impureza
respectiva en el sólido, estas energía son inferiores a 0,07 eV.
Semiconductores extrínsecos tipo p. En el caso de dopar Si o Ge con un elemento de
valencia 3 (p.e.: B, Al, Ga), el átomo de impureza en la estructura diamante, por
faltarle un electrón respecto de los 4 requeridos, no puede completar sus 4 enlaces
covalentes próximos. De esta manera, mientras no se aplique un campo
suficientemente elevado, al átomo de impureza queda asociada una vacancia
electrónica o hueco positivo. Energéticamente, tal vacancia electrónica queda situada
en un nivel llamado aceptor, el cual está algo más arriba del nivel de Fermi. Nótese
que el nivel de Fermi limita superiormente la zona de valencia, la cual está llena de
electrones de valencia que forman enlaces covalentes. Con un voltaje razonable, tal
vacancia electrónica podrá ser ocupada por un electrón proveniente de otro enlace
covalente, de manera que la vacancia se moverá a un enlace Si-Si. Esto significa que
un electrón de valencia saltó al nivel de aceptor. Con el campo, la vacancia, de carga
positiva se moverá, conduciendo la electricidad. Cada átomo de impureza aporta
entonces una vacancia positiva. Nótese que en este caso la conducción no es por
electrones libres, sino que por huecos (o vacancias) positivas; son positivas porque
falta un electrón; por ello se dice que esta conducción es tipo p (por positivo).
Semiconductores extrínsecos tipo n. En el caso de dopar Si o Ge con un elemento de
valencia 5 (p.e.: Sb, Pb y As), el 5º electrón del átomo de impureza no participa en el
enlace covalente respectivo. Sin campo externo aplicado, ese electrón queda asociado
al átomo de impureza, y está en un nivel de energía llamado nivel donor, ubicado algo
por debajo de la banda de valencia. Con un voltaje razonable, tal átomo pierde su 5º
electrón: el átomo queda ionizado positivamente y se produce un electrón libre. Así
ese electrón salta desde el nivel de donor a la banda de conducción. La conducción se
hace entonces por ese electrón ahora libre. (De no haber difusión atómica, el átomo
ionizado de la impureza no se moverá, de modo que en la práctica de
semiconductores, la conducción es exclusivamente por electrones). Cada átomo de
impureza aporta entonces un electrón libre a la banda de conducción. Esta conducción
por electrones libres se llama tipo n (por negativo).
Para los semiconductores del Grupo IV como Silicio, Germanio y Carburo de silicio, los
dopantes más comunes son elementos del Grupo III o del Grupo V. Boro, Arsénico,
Fósforo, y ocasionalmente Galio, son utilizados para dopar al Silicio.
4) Analizar la estructura interna del diodo semiconductor, así
mismo su ecuación, característica y funcionamiento.
Un diodo semiconductor moderno está hecho de cristal semiconductor como el silicio
con impurezas en él para crear una región que contenga portadores de carga negativa
(electrones), llamada semiconductor de tipo n, y una región en el otro lado que
contenga portadores de carga positiva (huecos), llamada semiconductor tipo p. Las
terminales del diodo se unen a cada región. El límite dentro del cristal de estas dos
regiones, llamado una unión PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El
cristal conduce una corriente de electrones del lado n (llamado cátodo), pero no en la
dirección opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del ánodo al
cátodo (opuesto al flujo de los electrones).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je).
Al establecerse una corriente de difusión, aparecen cargas fijas en una zona a ambos
lados de la unión, zona que recibe el nombre de región de agotamiento.
A medida que progresa el proceso de difusión, la región de agotamiento va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión.
Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos en
la zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los electrones libres de la
zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la
corriente de electrones y terminará deteniéndolos.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión
entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso
del silicio y 0,3 V para los cristales de germanio.4
La anchura de la región de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del
orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más dopado que el
otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se dice que el diodo
está polarizado, pudiendo ser la polarización directa o inversa.
Polarización directa:

Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la flecha (la del diodo),
o sea del ánodo al cátodo. En este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha
facilidad comportándose prácticamente como un corto circuito. Si ahora aplicamos a
dicha unión una tensión exterior de signo contrario a la barrera de potencial interna,
ésta irá disminuyendo en anchura. A mayor tensión aplicada externamente
corresponderá una barrera interna menor y podremos llegar a conseguir que dicha
barrera desaparezca totalmente.
Polarización inversa:

Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la flecha (la


flecha del diodo), o sea del cátodo al ánodo.
En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta prácticamente como un
circuito abierto.
El funcionamiento antes mencionado se refiere al diodo ideal, ésto quiere decir que el
diodo se toma como un elemento perfecto (como se hace en casi todos los casos),
tanto en polarización directa como en polarización inversa.
V1 crea un campo eléctrico en el mismo sentido que el de la unión, aumenta el campo
eléctrico total, aumenta la diferencia de potencial y disminuye la corriente de
mayoritarios. Favorece el desplazamiento de huecos hacia la zona p y de electrones
hacia la zona n, ensanchándose la zona de transición. Pero estos h+ y e- provienen de
zonas donde son minoritarios. El resultado es que fluye una pequeña corriente I0,
debida únicamente a los pares e-h+ que se generan por agitación térmica llamada
CORRIENTE INVERSA DE SATURACIÓN.

5) Describe y analiza todo los tipos de los diodos


semiconductores y analice su funcionamiento.
Diodo Avalancha:
Un diodo avalancha, es un diodo semiconductor diseñado especialmente para trabajar
en inversa. En estos diodos, poco dopados, cuando la tensión en polarización inversa
alcanza el valor de la tensión de ruptura, los electrones que han saltado a la banda de
conducción por efecto de la temperatura se aceleran debido al campo eléctrico
incrementando su energía cinética, de forma que al colisionar con electrones de
valencia los liberan; éstos a su vez, se aceleran y colisionan con otros electrones de
valencia liberándolos también, produciéndose una avalancha de electrones cuyo
efecto es incrementar la corriente conducida por el diodo sin apenas incremento de la
tensión. La aplicación típica de estos diodos es la protección de circuitos electrónicos
contra sobretensiones. El diodo se conectan inversa a tierra, de modo que mientras la
tensión se mantenga por debajo de la tensión de ruptura sólo será atravesado por la
corriente inversa de saturación, muy pequeña, por lo que la interferencia con el resto
del circuito será mínima; a efectos prácticos, es como si el diodo no existiera. Al
incrementarse la tensión del circuito por encima del valor de ruptura, el diodo
comienza a conducir desviando el exceso de corriente a tierra evitando daños en los
componentes del circuito.
Diodos de silicio: La construcción de un diodo de silicio comienza con silicio
purificado. Cada lado del diodo se implanta con impurezas (boro en el lado del ánodo y
arsénico o fósforo en el lado del cátodo), y la articulación donde las impurezas se unen
se llama la "unión pn".

Los diodos de silicio tienen un voltaje de polarización directa de 0,7 voltios. Una vez
que el diferencial de voltaje entre el ánodo y el cátodo alcanza los 0,7 voltios, el diodo
empezará a conducir la corriente eléctrica a través de su unión pn. Cuando el
diferencial de voltaje cae a menos de 0,7 voltios, la unión pn detendrá la conducción
de la corriente eléctrica, y el diodo dejará de funcionar como una vía eléctrica.

Debido a que el silicio es relativamente fácil y barato de obtener y procesar, los diodos
de silicio son más frecuentes que los diodos de germanio.

Diodo de Cristal: Es un tipo de diodo de contacto. El diodo cristal consiste de un


cable de metal afilado presionado contra un cristal semiconductor,
generalmente galena o de una parte de carbón. El cable forma el ánodo y el cristal
forma el cátodo. Los diodos de cristal tienen una gran aplicación en los radio a galena.
Los diodos de cristal están obsoletos, pero puede conseguirse todavía de algunos
fabricantes.

Diodo de corriente constante: Realmente es un JFET, con su compuerta conectada


a la fuente, y funciona como un limitador de corriente de dos terminales análogo al
diodo Zener, el cual limita el voltaje. Permiten una corriente a través de ellos para
alcanzar un valor adecuado y así estabilizarse en un valor específico. También suele
llamarse CLDs (por sus siglas en inglés) o diodo regulador de corriente.
Diodo túnel o Esaki: Tienen una región de operación que produce una resistencia
negativa debido al efecto túnel, permitiendo amplificar señales y circuitos muy simples
que poseen dos estados. Debido a la alta concentración de carga, los diodos túnel son
muy rápidos, pueden usarse en temperaturas muy bajas, campos magnéticos de gran
magnitud y en entornos con radiación alta. Por estas propiedades, suelen usarse en
viajes espaciales.
Diodo Gunn: Similar al diodo túnel son construidos de materiales como GaAs o InP
que produce una resistencia negativa. Bajo condiciones apropiadas, las formas de
dominio del dipolo y propagación a través del diodo, permitiendo osciladores de ondas
microondas de alta frecuencia.
Diodo Led: El funcionamiento es muy sencillo. Cuando conectamos con polarización
directa el diodo led el semiconductor de la parte de arriba permite el paso de la
corriente que circulará por las patillas (cátodo y ánodo) y al pasar por el
semiconductor, este semiconductor emite luz.

En la figura de arriba puedes ver un led polarizado directamente e inversamente en


serie con una bombilla. Lo mismo ocurre con el led, lo que pasa que no hace falta la
bombilla por que el ya emite luz por si solo en polarización directa.
Dependiendo del material que este hecho el semiconductor, este emitirá una
luz de un color diferente. Así podemos obtener diodos led que emitan luces de
colores diferentes (aluminio, galio, indio, fosforo, etc).
Diodo láser: Cuando la estructura de un led se introduce en una cavidad resonante
formada al pulir las caras de los extremos, se puede formar un láser. Los diodos láser
se usan frecuentemente en dispositivos de almacenamiento ópticos y para la
comunicación óptica de alta velocidad.
Diodo térmico: Este término también se usa para los diodos convencionales usados
para monitorear la temperatura a la variación de voltaje con la temperatura, y para
refrigeradores termoeléctricos para la refrigeración termoeléctrica. Los refrigeradores
termoeléctricos se hacen de semiconductores, aunque ellos no tienen ninguna unión
de rectificación, aprovechan el comportamiento distinto de portadores de carga de los
semiconductores tipo P y N para transportar el calor.
Diodo con puntas de contacto: Funcionan igual que los diodos semiconductores de
unión mencionados anteriormente aunque su construcción es más simple. Se fabrica
una sección de semiconductor tipo n, y se hace un conductor de punta aguda con un
metal del grupo 3 de manera que haga contacto con el semiconductor. Algo del metal
migra hacia el semiconductor para hacer una pequeña región de tipo p cerca del
contacto. El muy usado 1N34 (de fabricación alemana) aún se usa en receptores de
radio como un detector y ocasionalmente en dispositivos analógicos especializados.
Diodo PIN: Un diodo PIN tiene una sección central sin doparse o en otras palabras
una capa intrínseca formando una estructura p-intrínseca-n. Son usados como
interruptores de alta frecuencia y atenuadores. También son usados como detectores
de radiación ionizante de gran volumen y como fotodetectores. Los diodos PIN
también se usan en la electrónica de potencia y su capa central puede soportar altos
voltajes. Además, la estructura del PIN puede encontrarse en dispositivos
semiconductores de potencia, tales como IGBTs, MOSFETs de potencia y tiristores.
Diodo Schottky: El diodo Schottky están construidos de un metal a un contacto de
semiconductor. Tiene una tensión de ruptura mucho menor que los diodos pn. Su
tensión de ruptura en corrientes de 1mA está en el rango de 0.15V a 0.45V, lo cual los
hace útiles en aplicaciones de fijación y prevención de saturación en un transistor.
También se pueden usar como rectificadores con bajas pérdidas aunque su corriente
de fuga es mucho más alta que la de otros diodos. Los diodos Schottky son portadores
de carga mayoritarios por lo que no sufren de problemas de almacenamiento de los
portadores de carga minoritarios que ralentizan la mayoría de los demás diodos (por lo
que este tipo de diodos tiene una recuperación inversa más rápida que los diodos de
unión pn. Tienden a tener una capacitancia de unión mucho más baja que los diodos
pn que funcionan como interruptores veloces y se usan para circuitos de alta velocidad
como fuentes conmutadas, mezclador de frecuencias y detectores.
Stabistor: El stabistor (también llamado Diodo de Referencia en Directa) es un tipo
especial de diodo de silicio cuyas características de tensión en directa son
extremadamente estables. Estos dispositivos están diseñados especialmente para
aplicaciones de estabilización en bajas tensiones donde se requiera mantener la
tensión muy estable dentro de un amplio rango de corriente y temperatura.
Diodo Varicap: El diodo Varicap conocido como diodo de capacidad variable o
varactor, es un diodo que aprovecha determinadas técnicas constructivas para
comportarse, ante variaciones de la tensión aplicada, como un condensador variable.
Polarizado en inversa, este dispositivo electrónico presenta características que son de
suma utilidad en circuitos sintonizados (L-C), 5donde son necesarios los cambios
de capacidad.

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