Caracterizacion electrica fundamental de celdas solares de capa delgada

Existen muchos métodos para poder caracterizar la respuesta de una celda solar.
De hecho, existe muchas:
Su corriente puede ser medida a través de:
- Corriente aplicada
- Intensidad de iluminación
- Longitud de onda de la iluminación monocromática
- Posición de la iluminación
- Temperatura de muestra
Puede ser usado como un diodo emisor de luz, donde puede ser detectada suemisión
como función de:
- Posición
- Temperatura
- Longtud de onda del fotón
Su impedancia aplicando diferentes voltajes puede ser medido como una función de
dichos voltajes.

A. Curvas corriente-Voltaje
1. Muestra de las curvas y su modelo de circuito equivalente
Bajo la celda solar ideal en el límite Shockley-Queisser, se tiene:

kT/q es el voltaje térmico

Jsc es la densidad de corriente en corto circuito
Jo Densisdad de corriente de saturación

En ese caso, la densidad de corriente de recominación es:

𝑞𝑉
El requirimiento de movilidad suficiente implica que se puede asumir 𝑛𝑃 = 𝑛12 𝑒 𝑘𝑇 ,
a través del espesor d, donde n1 es la concentración intrínseca del carrier.
Entonces, se puede notar que finalmente la recombinación no es una escala directa
respecto al producto np. En cambio, el mecanismo es del tipo Shockley Read Hall
que cambia en la banda del gap. Entoncs, se asume un defecto en la mitad como:

Donde 𝜏 es el tiempo de vida de los electrones y huevos, que se asumen iguales

Así, se puede notar que la curva J/V es diferente considerablemente respecto a una
recombinación radiactiva (2.1a).
Entonces, en el rango 0.5V a 0.7V la pendiente de la curva es q/kT, pero en valores
menores su pendiente es significativamente menor.
Esta diferencia viene desde diferentes posiciones, donde la recombinación cobra
importnaica en valores diversos de voltaje. A bajos voltajes, la recombinación n la
región espacio-carga es dominante. Así, el máximo rate de recombinación R se
encontraría cuando n=p, donde:
Si se asumen niveles cuasi Fermi a través de la región de espacio-carga, el producto
np resulta proporcional a exp(qV/kT), donde V es el voltaje de división del nivel cuasi
Fermi:

Pero, ahora la proporción de su pendiente sería q/2kT.

El número “2” sería específicamente el factor de idealidad n_(id), que en ocasiones

es también el facto de calidad del diodo.
Por ejemplo, para la figura 2.1 C, n_id=1.86 para voltajes bajos, por la condición
limitante n=p, solamente válido para la region de espacio-carga. Así, este valor
dependería de la delgadez, concentración de dopado, y parámetros eléctricos, que
están entre 1 y 2, dependiendo de la energía del centro de recombinación. No se
considera lógico que n_id>2, bajo el concepto de la recombinación en un centro de
recombinación singular.
Esto solamente ocurre en casos de los modelos de celdas con uniones
CdS/CdTe, y teorías de tunneling-enhanced recombination para Cu(In, Ga)Se2 con
contenido alto de Gaiio o celdas con CuGaSe2 .
Por tanto, con solo n_id no es posible reconocer el mecanismo de recombinación.
Para voltajes altos, n_id vuelve a ser 1.

En voltajes notan altos, la concentración de electrones es mucho menor que la

concentración de huecos (n<<p):

Para celdas tipo p-n, hay tipicamente dos rangos de voltaje con diferentes factores
n_id como se muestra en 2.1 C
En bajos voltajes, n_id es muy cercano pero menor a 2 (dejando de lado la
recombinación multistep o tunneling)y la recombinacion es dominada por la region
espacio-carga.
En altos voltajes, n_id es cercano a 1, indicando rombinación en el volumen de las
superficies.

Por ello, para factores de idealidad en uniones p-n es hecho bajo modelos de dos
diodos:

Donde ajpra, n_id1, n_id2 son dos factores de idealidad, y Jo1 y Jo2 son densidades
de corriente de saturación.

Pero, se ha asumido que el voltaje medido es igual al voltaje interno. Entonces, se

podría distinguir Vext de Vi (interno), dando ∆𝑉 = 𝑉𝑒𝑥𝑡 − 𝑉𝑖 . Entonces, el factor de
proporcionalidad de ∆𝑉 y J sería la resistencia en sere Rs. Es originada desde la
conductividad finita de las capas de absorción por sí mismas, o desde los
contactos.para cuadno V>0.7V, se muestra que existe ahora un modelo de dos
diodos, donde la curva simulada es menor que la curva a voltaje dado.

En las figuras 2.1e y 2.1f se hace el comportamiento con una resistencia en serie y
una resistencia finite shuntpara mostrar su influencia en las curvas J/V en la
oscuridad. Entonces, se aplica una resisnteica externa 𝑅𝑠 = 5 Ω𝑐𝑚2 y una shunt
resistance externa de 𝑅𝑝 = 5𝑘Ω𝑐𝑚2 . Bajo iluminación, la curva con resistencia en
serie is shifted en la dirección opuesta. Así, el voltaje en la unión debe ser mayor que
el voltaje en los contactos externos para conducir un corriente a través de una
resistencia de carga externa. Así, la fotocorriente Jph que está definida como la
diferencia entre las curvas J/V oscura e iluminada, no es constante. Entonces, el
voltaje de drop depende de la corriente, que es diferente en diferentes condiciones
de iluminación.
La resistencia shunt Rp tiene una gran influencia en la curva a oscuras J/V en el rango
bajo de voltaje, donde la corriente aumenta drasticamente comparado a cuando no
hay Rp.
𝜕𝐽
En contraste, la conductividad diferencial 𝐺𝑑 = del diodo aumenta
𝜕𝑉
exponencialmene, mientras la conductividad del shunt permanece constante.
Entonces, para altos voltajes el shunt desaparece. Ahora:

Y es la ecuación que usa para analizar las medidas en una celda solar de unión p-n.
Una propiedad útil consiste en elementos dde circuito fundamentales, como diodos
 ideales (definidos por Jo y n_id), resistencais (Rs, Rd) y una fuente de corriente (Jsc).
Una forma de solucionar este modelo de dos dimensiones es utilizar programas
como SPICE.

Sin embargo, resulta insuficiente para celdas de baja movilidad como las celdas de
peliculas amorfas y microcristalinas. Entonces, la densidad de corriente en corto
circuito no es una constante independiente del voltaje.

Las figuras g-h muestran los resultados de una simulación de una celda de unión p-
10−9 𝑐𝑚2
i-n con relativamente baja movilidad-tiempo de vida 𝜇𝜏 = .Aunque no hay
𝑉
resistenicas en serie externas asumidas, la fotocorriente termina siendo
fuertemente dependiente al voltaje y decae rápidamente para voltajes crecientes,
(even changing its sign slightly below 0.8V). La forma correcta de la dependecia de
voltaje de la fotocorriente no puede ser reproducida de forma analítica, pero sí de
forma numérica. (Cap19). De esta forma, para tipos de celda p-i-n de maja movilidad
su uso (circuito equivalente) es dificil o imposible, dependiendo de las necesidades
de uso de dicha aplicación.

2. Medida de las curvas corriente- voltaje

Hay referencias {10,11], donde se hace las curvas bajo cierta iluminación. El libro
hace una breve descripción.
Las curvas J/V con iluminación son ususalmente medidas bajo condiciones de testeo
estándar, 25°C y un espectro predefinido. [AM1.5G] (Ref12). A continuacion se
muestra una figura donde se evidencia un setup típico para medidas exactas de la
curv J/V iluminada. El gran reto es tener una uente de luz que se acerque al espectro
solar tanto como sea posible. Para ello, utilizan bombillas hakógenas con Tungsteno
W con una Xe-lamp.
Asumiendo que ya está bajo el estándar, el dispositivo es conectado y la resistencia
de carga variada hasta que el voltaje cambie. El voltaje y la corriente son usualmente
medidas durante el cambio de voltaje con una técnica de prueba de cuatro puntos:
La medida de la corriente es conectado en serie a la resistencia de carga, mientras
el voltaje requiere dos pruebas separadas. Este voltimetro posee una alta resistencia
para tal fin.
 B. Determinacion de factores de idealidad y resistencias en serie

Hay una forma alternativa a la de reduecir a uno o dos diodos en el modelo para uniones p-
n con carga independiente al voltaje, y es la comparación entre “oscuro” y “claro” (curvas
de J/V). Ya en 2.1f se vio que la diferencia en ambos asos no es una constante, cuando Rs>0
(colección de carga en el carrier no es dependiente del voltaje).Así por ejemplo, se podría
tener

Si las resistencias en paralelo son despreciadas y se asume la celda modelada por un diodo
en el rango relevante de voltaje, Entonces V_il sería:

Así tambien se podría tener el comportamiento para cuando está completamente oscuro:
Y entonces, se podría calcular la diferencia del voltaje con y sin iluminación en una densidad
de corriente dada:

Entonces, podría obtenerse fácilmente la resistencia en serie. En la figura a continuación se

muestra el gráfico las curvas J/V “OSCURA” y “clara” para una delda de silicio, colocada en
el primer cuadrante y ploteadaen el eje logarítmico de la corriente. La diferencia entre el
oscuro y el iluminado es relativamente constante.
Como sea, el método es válido solo para cuando la resistencia en serie no depende de las
condiciones de iluminación. Para ello, Aberle (Ref 13) propuso usar el voltaje en circuito
abierto a condiciones de iluminación diferentes, dejando un casi-llamado Curva Jsc/Voc,
que sigue la ecuación:

Onde Jsc es la densidad de corriente en corto circuito varibale a diferentes intensidades de

luz. Además, es independiente de ña resistencia en serie, pues no hay corriente que fluya
en corto-circuito. Entonces, esta curva sería la misma J/V, pero libre de resistencia en serie.
Consecuentemente, la resistencia en serie bajo iluminación sería:
Y son Obtenidas de la comparación de as curvas iluminada y no iluminada J/V con la Jsc/Voc.
(las figuritas sin rellenoñ).

Uan segunda propiedad muy útil de la curva Jsc/Voc es el hecho de que el rango de voltaje
es más alto, por la relación esponencial. En la figura 2.1e, el rango de voltaje, donde la curva
oscura J/V no es duramente afectada por “either shunt or series-resistance effects”, es muy
pequeño y puede ser difícil determinar unfator de idealidad desde la curva J/V. Así
entonces, la curva Jsc/Voc es independiente de resistencias en serie externas, y se vuelve
fácil:

3. Medidas de corriente-voltaje dependientes de la temperatura.

La dependencia de la temperatura es importante debido a el equilibrio de las cargas

“carriers” , either electrons, huecos o electrones, y huecos. Para ello, el texto recurre volver
al caso de la recombinación de volumen, que tiene que ver con la minority carrier

concentration n. Para un voltaje dado, se sabe que , donde NA es la

concetración de aceptores. Así, la concentración intrínseca de carrier n1 es dada por:

Donde Nc y Nv son las dnesidades efectivas de estados de conducción y banda de valencia,

respectivamente.Y el rate de recombinación en el volumen debería ser escalado por la
exponencial de la fórmula. La energía de activación Ea del rate de recombinación no
siempre es idéntico al band gap Eg.

Una tarea títpica es la distinción entre bluk y la interface recombinattion. En la siguiente

figura se muestra el diagrama de una banda para ilustrar los diferentes mecanismos de
combinación que pueden ocurrir en una celda CdS/Cu(In,Ga)Se2.En el caso de la
recombinaciión de la interfaz, al energía de activación es la potential barrier height

. Es debido al caso en el que los huecos son minoritarios en la

interfaz y subsecuentemente el rate de recombinación en las escalas de interfaz con
concentración de hueos. Así, la concentaración de huecos en turno está dada por:
Que directaente muestra que es la energía de activación de la recombinación de la
interfaz. En contraste, la bulk recombination (mecanismos 2 y 3), que es la recmbinación
en la región del espacio de carga y en la región neutral son termalmente activados por la
energía de banda gap Eg. Debido al offset de la banda entre el Cu (In,Ga)Se2 absorber y una
capa delgada de MoSe2, formado entre el absorber y el metálico Mo “back contact”, la
energía de activación para el proeso 4 entonces es mas grande que Eg.

Obviamente, un estudio dependiete de la temperatura sobre la recombinación de corriente

debería ser capaz de determinar la energía de activación y diferenciar entre las limitaciones
por la interfaz o la recombinación de volumen. Desde que el voltaje en circuito abierto Voc
es un parámetro fotovoltáico, que es mayoritariamente afectado por la recombinación, se
puede estudiar la dependiente de estevalor a la intensidad de iluminacion dada, y la
densidad de corriente en corto circuito Jsc.

Donde Joo es un prefactor semanal dependiente de la temperatura para la densidad de

corriente de saturación Jo. Al resolver para el circuito en corto circuito, se obtiene:

Que es una relacion directa entre el voltaje en corto circuito Voc y la energia de activacion
Ea.
Joo es mucho mayor que Jsc, así q*Voc es mas pequeño que la energía de activación por el
segundo termino, que depende linealmente de la temperatura.
Una mdida dependiente de la temperatura de Voc debería depender de la energía de
activación como un valor extrapolado de Voc(T=0K), tanto como Joo Y Jsc son
razonablemente independiente de la tempertura.

EJEMPLO. Medida de cuatro celdas tipo Cu(In, Ga)(Se,S)2:

Los datos con formas abiertas son a partir decomposiciones pobres de Cu. El extrapolado
Voc(T=0K) sigue fuertemente una energía de banda de gap Eg (Determinado
independientemente or estequiometría).El camino de recombinación dominante, es la
“bulk recombination”.
De forma contraria, las muestras con absorbentes que han crecido bajo condiciones ricas
de Cu, tienen energías activación bajas, que son independientes de la energía de absorción
del Band Gap. Por tanto, la Voc es limitado por la recombinación de interfaz y la energía de

activación corresponde a la “barrier”

Un análisis del mecanismo de recombinación dominante requiere la investigaciín de muchas
muestras [ref 17]. La imagen anterior solo muestra el procedimiento experimental. REF 18
tiene más ejemeplos de diferentes tipos de celdas solares.

4. Medida de la eficiencia del quantum

a. Defnición
Una medida J(V) rinda información del valor absoluto e la densidad de corriente en corto
cirtuito Jsc producido. Sin embargo, no muestra información del origen de los pocos
mecanismos responsables del hecho que cada fotón en el especto solar contribuye a Jsc.
En una celda ideal, corresponde al limite Shockley-Queisser, cada fotón co una energia E > Commented [CDCA1]: Ver cap 1
Eg va hacia un par electron-hueco que es colectado en los terminales de la celda. En las
reales, este no es el caso y es interesante de saber las razones de dichas pérdidas.

La eficiencia externa del qunatum Qc, es definido como el numero de electrones colectados
por incidente de fotón en la celda solar:

Una segunda cantidad utilizada frecuentemente es la RESPUESTA ESPECTRAL SR, que es

definida como la corriente producida por unidad de “optical power” incidente en la celda.
Por tanto, tiene la unidad [SR]=A/W y se relaciona con la eficiencia del quantum:

En el caso ideal Shockley-Queisser, se tiene 𝑄𝑒 (𝐸) = 1, 𝐸 ≥ 𝐸𝑔 y 𝑄𝑒 (𝐸) = 0 en otro caso. Commented [CDCA2]: Ver cap 1
En los reales, 𝑄𝑒 (𝐸) < 1, 𝐸 ≥ 𝐸𝑔 , resultando en (1) Pérdidas ópticas o (2) pérdidas de
recombinación. Las pérdidas ópticas puede ser desglosado más allá a pérdidas debidas a
reflexión o a absorción parasitaria dentro del dispositivo.
Las pérdidas por reflexión puede ser “juzgada” por una medida adicional usando en un
espectrómetro, equipado con una esfera integrada que puede determinar la reflectancia R,
permitiendo cuantizar este mecanismo de pérdida de forma separada.
Para una celda opaca se sabe que los fotones que no se refleja, se absorbe. Entonces la
“absortance” es A=1-R.
La eficiencia cuántica interna Qi entonces es definida como el número de electrones
recolectados por el número de fotones ABSORBIDOS (Entrando) en la celda solar:
Esta definición incluye la luz débilmente absorbida que entra a la celda solar y la deja
después de la reflexión en interfaces o superficies internas. En ese caso, hay que cambiar
reflectancia R por la “front reflectance” Rf.
En el espectro de la eficiencia cuantica interna, la influencia de la reflexión (“front surface”)
es eliminado. Como sea, contiene información sobre propiedades ópticas y eléctricas.Por
ejemplo, el efecto de uan textura de superficie en la “path-length enhancement” de la luz
débilmente absorbida influye tanto la eficiencia cuántica externa como interna.
En adición a un sistema típico de película de capa delgada, cada capa, excepto para la que
sea activamente fotovoltaicamente, donde conduce a absorción parasitaria.

Así, el primer paso para el análisis de Qi requiere un modelo óptico para el dispositivo para
determinar la absortance Ai de cada capa i en el sistema. Obviamente, como un modelo
requiere el conocimiento de los espesores, índices de refracción y coeficientes de absorción
determinados; por ejemplo, con espectroscopía elipsométrica para las capas de referencia
de los respectivos materiales.
Para capas delgadas, los efectos de la reflexión, absorción y la característica interferencia
de transmisión permiten verificar la exactitud de la simulación de la absortance por
comparación medida-calculada. En el caso de Ai de una capa activamente fotovoltaica es
conocida, se puede definir una eficiencia cuántica Qi*:

En la capa fotovoltaica activa, la absorción exclusivamente es debida a la generación de los

pares electrón-hueco (despreciando la posible contribución de la “free carrier absortion”,
que puede ocurrir por longitudes de onda largas en materiles “doped absorber”). Bajo esta
suposición, Ai(E) es dada integrando la función de generación g(x,E) sobre el espesor d de
la capa. Las pérdidas en la capa activa son solodebidas a la recombinación y solo empieza
desde este punto un modelo ELECTRONICO que debe ser aplicado. Típicamente, un modelo
calcula la probabilidad de recolección 𝑓𝑐 (𝑥) para electrones y huecos, tal que:
4b Calibración y Principio de medida

A continuación se muestran dos configuraciones de medida:

La ventaja de utilizar monocromadores es la alta resolución de longitudes de onda

(especialmente para double-stage monocromators, aunque su desvetaja, comparada con
los single-stage, es el menor rendimiento de luz combinado con un alto precio y grande
tamaño) y el ancho rango espectral.
La ventaja de las ruedas de filtro es el alto rendimiento óptico y el área iluminada grande.
.a. iluminan solo un pequeño lugar de unos pocos milímetros de diámetro, mientras .b.
ilumina más las celdas y mini-módulos de varios centimetros de longitud de borde.

- Setup de un grating monocromador:

1. Es cortada la lu blanca desde una lámpara halógena de W o de Xe-arc antes de
entrar al monocromador. El cortador es necesario para obtener una señal
periódica, el cual puede usar un amplificador de bloqueo.Se debe tener cuidado
de que “higher modes” debidas a longitudes de onda más cortas (lambda/2) son
suprimidas por el uso de filtros.
2. La luz monocromática es entonces focalizada en (1)la celda solar a medir
(medida actual) o (2) la celda de referencia o detector (calibración). Esta
referencia puede ser:
a. Radiómetro piroeléctrico para la calibración relativa combinada con una
celda solar o fotodiodo para la calibración absoluta a una longitud de
onda. Su ventaja radica en su sensibilidad espectral independiente sobre
un ancho rango de longitud de onda. La calibración tiene una gran calidad
para todas las longitudes de onda, donde la intensidad de la lámpara es
suficiente para una “high signal” al radio de ruido en el radiómetro.
b. Una celda solar de referencia para todo el rango espectral. No solo la
intensidad de la lámpara sino la eficiencia cuántica de la celda de
referencia debe ser suficientemente alta. Usar SOLO la celda de
referencia es particularmente útil tanto como tenga eficiencia cuántica
alta para todas las longitudes de onda de interés en el dispositivo bajo
prueba. Por ejemplo, las celdas solares de silicona cristalina de alta
eficiencia tiene una alta eficiencia cuántica (>80%) en el rango espectral
donde las celdas amorfas y microcristalinas son sensitivas.
Para tener en cuenta para variaciones temporales en la intensidad absoluta de la fuente de
luz, celdas solares de monitoreo son usadas. Usando un espejo semitransparanete, parte
de la luz dejando el monocromador o filtro es dirigida a una celda solar de monitoreo, abos
durante calibración y medida. Para cada longitud de onda, el radio de la intensidad de la
celda de monitoreo durante ambos es multiplicada or el valor de eficiencia cuántica
resultante. Cuando se usan celdas solares de monitoreo, es importante que la eficiencia
cuátntica delmonitor sea suficientemente grande para todo el rango espectral de interés
completo.
La señal actual desde el monitor y la celda de prueba son convertidas en un. Voltaje por un
convertidor Corriente a Voltaje, con un radio de amplificación típico de 1E4 – 1E6 V/A. El
voltaje de salida del convertidor sirve como la entrada del amplificador de bloqueo que usa
la salida de sincronización del controlador del cortador (chopper) como un trigger de
entrada. La señal amplificada del amplificador de bloqueo es entonces leída y mostrada por
computador.
La principal diferencia en la operación de un setup .b. (filtro), concierne en la calibración.
Como se ve en 2.8, La luz desde el monocromador es focalizada a la celda solar y solo ilumina
en un lugar pequeño de típicamente 1mm x 3mm. El filtro en cambio, ilumina áreas más
grandes.
En otden de medición de la eficiencia cuántica completa de una celda solar con cierto
tamaño, el área iluminado debe ser mucho más grande que la celda solar tal que el área de
la celda sea iluminado de forma homogénea.
La diferencia en el área iluminada siendo más grande o pequeña que la muestra requiere
diferentes vías de calibración. Mientras en la grating-based setup la corriente del dispositivo
de referencia es medida y comparada a la corriente de la muestra, para el filtro las
densidades de corriente tienen que ser usadas.

4c Medidas de eficiencia cuántica de celdas solares tandem Commented [CDCA3]: Averiguar previamente

Especialmente en el caso de las celdas de película delgada de Silicio, las celdas multiunión
están en el foco del desarrollo para hacer mejor uso del espectro solar. Entonces, la
eficiencia cuántica de una celda tandem a-Si:H𝜇𝑐 − 𝑆𝑖: 𝐻 sobre un supestrestrato
texturizado de ZnO:Al. La medida del espectro de las dos eficiencias cuánticas corresponde
a ambas series de celdas conectadas requiere el subsecuencte uso de dos fuentes de luz de
polarización.
En un primer paso, la luz polarizada con una longitud de onda corta genera una
fotocorriente en la calda superior que no es sujeta a la medida. Como una consecuencia, la
celda inferior bajo investigación está limitando la corriente de salida en el dispositivo
tandem.
Ahora, la luz monocromática cortada con longitud de onda variada es usada para producir
el espectro de eficiencia espectral de la celda inferior.
Una segunda medida entonces usa luz de longitudes de onda más grandes para generar una
fotocorriente en la celda inferior y la luz cortada sondea la eficiencia cuántica de la celda
superior. Hay que tener cuidado para asegurar que para ambas medidas, la luz polarizada
está en un rango espectral donde existe una diferencia pronunciada en la eficiencia cuántica
de la celda superior e inferior. También la intensidad de la fuente de luz polarizada debe ser
más grande que la de la luz cortada para todas las longitudes de onda Commented [CDCA4]: REF 22-24

4d Medidas de respuesta espectral diferencial (DSR)

La eficiencia cuántica mide la fotocorriente resuelta espectralmente en corto circuito. Para
muchas las celdas solares de capa delgada, la restriccion a la ditucion de corto circuito no
brinda resultados que sean representativos para otros puntos de operación de las celdas
también. Commented [CDCA5]: Ref 18,25

Una dependencia de la fotocorrienteen el voltaje o iluminación es equivalente a la violación

del principio de superposición en fotovoltaicos. El principal resultado era que el principio es Commented [CDCA6]: Discutido en 2.2
violado cuando el carrier de colección de carga depende del número de portadores de carga
en el dispositivo y así, sobre el voltaje y/o sesgo de iluminación (bias).

Tal colección dependiente del “bias”, sucesivamente, origina ya sea desde un campo
electrico variando en dispositivos de baja movilidad como el caso de uno tipo p-i-n (fig 2.1h)
o desde el rate de recombinación 𝑅 ≠ 𝐵𝑛𝑝.
Los rate de recombinación que no son proporcionales al producto np (electron y hole
concentrations) pueden resultar ya sea desde recombinaciones Shockley-Read-Hall por
estados (por defecto) en el Band Gap o desde recombinación Auger Commented [CDCA7]: Cap 1
En esas situaciones, donde la fotocorriente es dependiente del voltaje y/o el sesgo de
iluminación, la mediada de la eficiencia cuantica en varios “biases” brinda información
valiosa. Como un ejemplo, en los p-i-n la comparacion de la eficiencia cuantica en “reverse
voltages” comparadolos a las condiciones de corto circuito o voltajes mayores permite
distinguir entre pérdidas de recolección o pérdidas ópticas.

Esto e porque entre menor sea el voltaje bias V, es mayor el campo eléctrico F en la capa
intrínseca de el diodo p-i-n, y mejor la colección de portadores. Si uno puede disminuír el

voltaje V tal que la eficiencia cuántica no incrementa más si se aumenta

“reverse voltage”, el campo electrico F es suficientemente alto para manejar todos los
portadores fotogenerados a sus respectivas uniones y la eficiencia de colección 𝑓𝑐 =1. La
eficiencia cuantica a tales “reverse voltages” es entonces igual a la absortance y, así solo
determinado por las propiedades ópticas del dispositivo. Comparando la absortance
obtenida desde las medidas de eficiencia cuantica “reverse-biased” con la eficiencia
cuantica a mayores voltajes bias permite eventualmente calcular las pérdidas debida a la
colección de portadores a un cierto voltaje.
La figura 2.10 muestra un ejemplo para la eficiencia cuantica medida dependiente del bias,
de un
Esta eficiencia es edida por diferentes voltajes bias negativos para mostrar el efecto del
campo eléctrico en las uniones p-i-n de la celda a-Si:H . La ganancia en eficiencia cuántica
(b) es principalmente en el rango de longitudes de onda, donde una parte considerable de
la luz es absorbida en la capa P, la cual tiene una calidad electrónica poble. Situaciones
numéricas (c,d) son descritas en cap.19.

4e Interpretación de las medidas de eficiencia cuántica de las celdas solares de capa delgada
de silicona

La interpretación depende del tipo de celda solar. Para el silicio cristalino, por ejemplo, la
eficiencia en el rango 780 nm < (lambda) < 950 nm es típicamente usada para determinar
el largo efectivo de difusión de la capa base del dispositivo. Commented [CDCA8]: 26-29
Para mayores longitudes de onda, la información sobre las propiedades ópticas en el
contacto trasero es obtenido. En celdas tipo CdS/Cu(In,Ga)Se2, diferentes métodos de
evaluación brinda información sobre las propiedades de la colección de portadores de carga
de la “buffer layer” o la capa de absorbancia . Commented [CDCA9]: Ref30
Bajo la ecuación 2.26, la eficiencia cuantica consiste en las contribuciones debidas a la Commented [CDCA10]: Ref 31-32
absorcion de fotones y generacion de portadores de carga como a las contibuciones dadas
por la colección de portadores. En la fig 2.11 compara la eficiencia cuantica externa de dos
Commented [CDCA11]: 33
celdas . En la línea se muestra está en un superestrato “texture-eched” ZnO:Al
, mientras la celda con la línea punteada es hecha sobre el mismo superestrato sin
“etching”. Todos los espesores de las capas de Silicio fueron las mismas, las cuales fueron
alcanzadas depositando las capas activas al mismo tiempo durante el mismo proceso de
deposición. Hay dos diferencias radicales entre las dos curvas:
Primero, la celda solar texturizada tiene considerablemente más eficiencia cuántica,
especialmente para longitudes de onda altas. Segundo, la eficiencia cuántica de la celda
solar sin texturizar muestra patrones de interferencia, que son ausentes para la texturizada.
La razón de la eficiencia cuántica aumentada para celda texturizada radica en el concepto
de la “trampa de luz”. La luz que pasa la interfaz entre el texturizado ZnO y el Silicio es Commented [CDCA12]: Descrito en caps 1 y 5; light
disperso por la “rough interface” y la diferencia de “refractive index” (Entre 1.5 y 2 para trapping

ZnO:Al y 3 a 5 para Si, dependiendo de la cristalinidad y la longitud de onda). La luz dispersa

tiene ahora una gran probabilidad de ser atrapada en la capa de absorción por reflexión
total interna. Así, la luz débilmente absorbida, el cual viaja en una celda “flat” solo dos veces
el espesor de la celda, es reflejada múltiples veces en la celda texturizada. La longitud de
camino óptico aumentado de la luz conduce a la eficiencia cuantica aumentada a un
coeficiente de absorción y espesor dados. En caso de la celda sin textrizar, los efectos de la
interferenciajuega un papel desde que el espesor de la celda (para las capas de Si es de
1230nm) es del orden de la longitud de onda de la luz y es más pequeña que la longitudes
de coherencia de la iluminación. Como consecuencia, hay interferencias que depende del
espedor de la capa y los indices de refracción. Para la celda texturizada, estos patrones de
interferencia son destruídas bajo la dispersión de luz en la interfaz ZnO/Si.
Obviamente, un análisis más detallado de las eficiencias cueanticas en la Fgi 2.11 es de
interés. Require simulaciones numéricas . Aproximaciones analíticas al modelo para la parte Commented [CDCA13]: Cap 19
electronica y optica de la eficiencia cunatica no son posibles en tales dispositivos “thin” tipo
p-i-n. Esto es debido a que los electrones y huecos son relevantes para transporte y
combinacion, lo cual significa que el par de ecuaciones diferenciales deben ser
solucionados.
Paa las celdas p-i-n, la mayoría esuqemas de evaluacion confie en que un tipo de portadores
domina la recombinacion. Es debido al hecho de que la mayoría de dispositivos de union p-
n tienen una base gruesa y un emisor muy delgado. Debido a la gran diferencia, el portador
minoritario en la base está usualmente el portador relevante y la solución de la ecuacion de
ecuacion de continuidad para el portador minoritario en la base es suficiente para cubrir el
aspecto electrónico del problema.
El segundo reto asociado con la union p-i-n es el hecho que la longitud de onda de la luz y
el espesor de la celda son comparables en magnitud y la óptica geometrica tiene que ser
abandonado en favor de la óptica de onda. Calculando la absorción de ua celda solar con
interfaces planas es un simple problema numerico que es resuelto con un formalismo de
matriz de transformación. El unico prerrequisito es una medida precisa de las propiedades Commented [CDCA14]: Ref 34
opticas de las capas individuales por elipsometria y espectroscopía de deflexion
fototérmica.
Para superficies texturizadas, el calculo de absorbancia de las capas requiere tecnicas mas
sofisticadas. Para la investigación en las propiedades de atrapado de luz de una cierta
textura, las ecuaciones Maxwell tienen que ser resueltas en tres dimensiones, que requiere Commented [CDCA15]: 35-38
bastantes recursos computacionales. Para un análisis rapido de medidas de eficiencia
cuantica, hay metodos aproximados que no consideran los efectos de interferencia para luz Commented [CDCA16]: 39
cortada y que considerar las propiedades de interfaz solo en la forma de parametros
efectivos tal como neblina (radio entre la inesidad de luz que es cortada cuando es
transmitida o reflejada a una interfaz y la intensidad de luz completa rnasmitida o reflejada
a una interfaz) y la funcion de deistribucion angular. Aunque los modelos opticos no son
exactos, hay una aproximacion decente.
Cuando todos los parametros opticos de las capas son medidos y las propiedades de interfaz
son determinadas tal que el modelo optico permite una buena descripcion del experimento,
las simulaciones de las medidas de eficiencia cuantica produce aproximaciones de los
mecanismos de mayor perdida afectando en la corriente de corto circuito.

En la figura 2.12 muestra la absorbancias para todas las capas relevantes

Esas capas son las primeras que la luz debepasar después del vidrio. Así la luz tiee una alta
intensidad cuando pasa através de esas capaz y gran parte de la luz de absorbida. Mientras
ZnO:Al exhibe un coeficiente de absorcion bajo pero un gran espesor (maso 500nm), la capa
tipo p de Silicio es muy delgada (maso 20nm) pero tiene un alto coeficiente de absorcion en
el rango completo de longitudes de onda relevantes en la capa absorbente.
Para longitudes de onda mayores a 900nm, la mayoría de la luz de absorbida de nuevo en
la capa ZnO:Al desde para absorcion de portadores libres de longitudes de onda más altas
y así, la luz es reflejada múltiples veces en la celda y es absorbida primeramente en el
contacto grueso ZnO y las tres capas traseras de contactor (tipo n: Si, ZnO, Ag).

En caso de las celdas Cu(In, Ga)Se2, el régimen de baja longitud de onda es muy similar a
. Parte de los fotones de alta energía es absorbidos en el ZnO:Al, parte en el
CdS, el cual tiene un rol similar como los tipo p de Silicio en la pila de capas .
La diferencia principal entre y Cu(In, Ga)Se2 se hace aparente para altas
longitudes de onda. La absorción de Cu(In, Ga)Se2 es mucho mayor por el coeficiente de
absorción. Así, para longitudes de onda de 1100nm, justo arriba del Band gap de Cu(In,
Ga)Se2 y , la absorbancia del amortiguador Cu(In, Ga)Se2 en el infrarojo es
posible a pesar del hecho que no requiere texturizado intencional de la superficie para
lograr una absorción tal alta en el rango de longitud de onda larga como se muestra en
2.12b
Hay que notar que los datos opticos de fIG 2.12 fueron medidos por medidas de Commented [CDCA17]: 43

elipsometria y espectroscopía de deflexion fototermal (En caso de la celda )y

los datos para Cu(In, Ga)Se2 es obtenido de REF 44.
En adición a un análisis entero óptico de la eficiencia cuantica, los mecanismos de perdida
de la fotocorriente pueden ser tambien analizados en terminos de las perdidas opticas y de
colección de carga. Como sea, requiere una determinacion cuidadosa de todos los
parametros eléctricos, el cual debe ser hecho usando una variedad de diferentes tecnicas
de medida.

Para el caso de , una vision general sobre

parametros típicos y tecnicas de medida para obtenerlos es dado en REF 45-52.

Para el caso de una celda tandem , se hizo una simulacion de las

perdidas de fotocorriente en cada capa como se muestra en FIG 2.13.
Se ha distinguido entre pérdidas de absorcion, recombinacion y emparejamiento aunque su
distincion no se discrimirna entre diferentes mecanismos de perdida.
- Absorción parasitari. Absorción en una capa donde los pares de electrones y huecos
no alcanzan a unión o donde la absorción no conduce a pares electrones y huecos
 fotogenerados. Estas capas son las de óxido conductor transparente (TCO) y el
reflector de plata. El superestrato de vidrio también contribuye a ello.
- Las pérdidas de recombinación spn pérdidas de todas las capas de silicio debido a la
eficiencia de recolección finita y productos de movilidad finita en su vida útil.

Resulta claro que la distinción entre la pérdida por absorción parasitaria y la pérdida por
recombinación es algo arbitraria, cuando se trata de la generación de pares de electron-
hueco en capas de baja calidad electrónica como las capas de TCO o las capas de silicona
dopadas. Solo la absorción del portador libre, que es dominante en las capas de TCO para
longitudes de onda más altas, es claramente una absorción parasitaria.
- Pérdida de emparejamiento. solo es relevante en células solares multiunión. En
estos dispositivos, la fotocorriente más baja de las subcélulas limita la fotocorriente
total debido a la conexión en serie de las subcélulas.

Como consecuencia, los portadores adicionales fotogenerados y recolectados en la celda

con la fotocorriente más alta son perdidos por recombinación. Asi, la pérdida por
emparejamiento en una solda solar multiunion es solo un tipo especial de recombinacion.

En conclusión, podemos decir que un análisis de pérdida como se detalla en la Figura 2.13
es una herramienta útil para determinar los principales mecanismos de pérdida de la
fotocorriente para una célula solar específica. Se basará en la medición de la eficiencia
cuántica Qe y la simulación numérica de la Qe medida. A partir de la simulación, se obtienen
las pérdidas en la célula solar. El punto crítico para los análisis subyacentes en las Figuras
2.12 y 2.13 es la suposición de que un buen ajuste de la eficiencia cuántica simulada a la
medida implica que los mecanismos de pérdida en la celda real son los mismos que en la
simulación. Para que un análisis de este tipo sea confiable, todos los parámetros eléctricos
y ópticos deben determinarse (al menos aproximadamente) con varios métodos
adicionales. Además, los resultados de las simulaciones ópticas de células solares de
película delgada que crecen en sustratos rugosos deben examinarse críticamente debido a
la falta de métodos razonablemente rápidos y, al mismo tiempo, correctos para simular la
absorción de dichas capas de capas.
NOTA: LA LUZ “CORTADA” ES LUZ DIFUMINADA.
[ACA ME DOY CUENTA QUE LO HICE NO SIRVIO PA UN CULO. Ahora, este es el del informe
que envio el profe]

CARACTERIZACION IN-PLANE de capa delgada

La conductividad 𝜎 es el recíproco de la resistividad, que es definida por la Ley de Ohm
como

l. (ele): longitud de la muestra

w: ancho de la muestra
d: espesor de la muestra
I: Corriente en la dirección de longitud
V: Voltaje a través de la longitud de la muestra.

La manera más sencilla de medir conductividad eléctrica es enviar una corriente constante
a través de dos sondas eléctricas, y enviar voltaje entre ellos. Como sea, este metodo
adquiere la resistencia total del circuito, incluyendo la resistencia de contacto, resistencia
de sonda y resistencia a la propagación bajo las sondas. Así, el análisis para “isolar” la
resistencia de muestra es muy difícil.
El métdo de cuatro sondas es la aproximacion más común para determinar conductividad
eléctrica [14,26]. Este método una un par de sondas separadas “to sense voltage” con un
voltímetro de alta impedancia, tal que las resistencias parasitarias son despreciables
desde que no haya corriente fluyendo sobre el par de sondas. Para muestras gruesas, las
láminas de meta o el In soldado puede ser usado a ambos lados de la muestra para
asegurar flujo de corriente uniforme a lo largo de la muestra y las dos sondas de voltaje
colocadas en la duperficie de muestra con una distancia conocida entre ellas a lo largo de
la dirección de corriente. Para capas delgadas, las sondas no pueden ser colocadas de esta
manera. En cambio, todas las cuatro sondas son situadas en la superficie de la película.

Fig.1 ilustra varias configuraciones de cuatro sondas para medidas de capa delgada. En 1ª,
las sondas colineares con especio igual pueden ser colocadas en contacto con la supericie
de muestra. Si el tamaño de muestra es más grande que el espacio de sonda y el grosor de
la película es menor que una mitad del espacio de sonda, uno puede obtener la
conductividad eléctrica por:

Si el tamaño de muestra no es más grande que el espacio de la sonda, el análisis se vuelve

complejo y se debe aplicar un factor de corrección.
[14,27,28]
Para muestras pequeñas, es deseado modelas la película en una forma bien definida de
barra, y despositar cuatro contactos óhmicos, por ejemplo, rayo de electrones
depositados Ti/Au, en la parte superior de la barra para el sondeo de corriente y voltaje
como se muestra en 1b. Entonces la conductividad electrica puede ser usando (1). Las
almohadillas de contacto puede ser hechas grandes, pero el ancho de las lineas de
electrodo de voltage en la película de forma de barra debe ser más delgada que el espacio
entre ellos en orden de reducir la incertidumbre en la longitud l. Esta estructura también
permite el estudio de las conductividades eléctricas anisontrópicas si las barras son
fabricadas en direcciones cristalográficas diferentes.

El método van der Pauw es ua aproximacion muy útil de cuatro sondas para determinar la
conductividad de forma arbitraria. Todas las donas son colocadas en el perímetro de a
muestra como en 1c, no necesariamente en las esquinas pero sí en su perímetro. Usando
una diminuta cantidad de In es doldada en cada punto de sonda para tener un buen
contacto entre la punta y la muestra, o un contacto de oro puede ser modelado por
procesado litográfico. No hay reuqerimiento geométrico para el método vdP excepto para
el tamaño de los contactos, que deben ser más pequeños que el tamaño de la muestra.
Muestras cuadradas de aprox 1cm de lado son generalmente usadas porque es fácil
separar esta forma de “wafers” y la misma muestra puede ser usada para medidas de
efecto Hall.
Una medida de conductividad eléctrica por el método vdP consiste en dos medidas de
resistencia: Rver y Rhor. Para una direccion de corriente, por ejemplo, desde el contacto 1
a 2 en Fig 1c y 1d, el voltaje es medido entre 3 y 4 para obtener la primera resistencia:

. Para ayudar a asegurar a la exactitud de la medida, el conjunto

de contactos son entonces cambiadas en términos de la corriente aplicada y el voltaje
medido para obtener . Estas dos resistencias deben ser idénticas
bajo el teorema de reciprocidad [15], pero el tamaño finito de contactos y diferentes
posiciones de sondas pueden causar discrepancias. Los resultados son promediados para
reducir estas variaciones en la determinación de Rver. Rhor es alcanzado de forma similar.
Una corriente es enviada desde el contacto 1 en el otro contacto adyacente, 4, y el voltaje
entre 2 y 3 es medido para obtener

Rhor es el promedio de R{14,23} y R{23,14}.

Esto es algunas veces deseable para invertir la polaridad de corriente y/o medir varios
voltajes generados de variar magnitudes de corriente para eliminar voltajes parasitarios
que pueden estar presentes durante la medida. Combinando eoss dos resultados en la
formula vdp, se puede calcular la conductividad eléctrica:

Donde f es una función del radio de resistencia, el cual debe

satisfacer la relación:

Esta ecuación debe ser hecha de forma numérica, pues no tiene una forma cerrada.
La derivación de las fórmulas de conductividad y medidas de efecto Hall por van der Pauw
en 1958 asume cuatro contactos que son infinitesimalmente pequeños, como contatos
puntuales sobre el perímetro [15]. En la realidad los tamaños de contacto no son
despreciables, entonces hay cierta cantidad de error en las medidas. El calculó el error en
geometrías específicas con tamaño finito, y notó que con una forma de hoja de trebol
como en 1d, se reduce drasticamente el error de medida. Es debido a que la corriente
fluyendo desde un contacto a un contacto adyacente va a través de un área de cuello
estrecho en la mitad de la geometría y solo una porcion pequeña de la corriente aparece
profundo en otras hojas de trebol donde el voltaje es medido.
Bajo simulaciones de elementos finitos, esta geometría, con un diámetro del área central
es pequeño como una cuarta parte de la forma entera de muestra, que puede proveer
medidas precisas con errores menores a 0.2% por un tamaño de muestra que es una
décima del tamaño de muestra. La genometría de hoja de trebol cuadrado como en 1d
puede también proveer la misma precisión. Las almohadillas de contacto pueden ser
hechas grandes en este caso también. El área superpuesta entre la almohadilla y la
película delgada estampada es el tamaño de contacto actual, el cual determina el error de
medida.
2B Medida del coeficiente In-plane Seebeck

El coeficiente de Seebeck S, es el voltaje V que se induce entre dos puntos en un material

bajo un gradiente de temperatura.

Este coeficiente es una propiedad intrínseca del material, independiente de la dimensión

o geometría de la muestra. Sin embargo, los materiales no homogéneos pueden tener u
coeficiente Seebeck dependiente de la posición. Es negativo para materiales tipo n y
positivos para los tipo p. La medida in-plane involucra imponer un gradiente de
temperatura a través de una muestra, midiendo el voltaje generado y la diferencia de
temperatura. Típicamente, la muestra es suspendida entre dos bloques isotermales, así
que las dos terminales de la muestra pueden ser fácilmente mantenidos a dos
temperaturas idferentes. El voltaje generado a través de la muestra es medida por dos
sondas eléctricas, mientras la diferencia de temperatura es medida usando termocuplas.
FIGURA. ESQUEMATICO DE UNA CONFIGURACION DE MEDIDA SEEBECK SENCILLA CON
DOS CALENTADORES DE CARTUCHO

Hay sistemas disponibles comercialmente para el coeficiente Seebeck y medidas de

conductividad el{ectrica. Muchos de ellos, son principalmente hechos para medidas de
muestras a granel, típicamente más grande de unos pocos milímetros. Para capaz
delgadas, hay consideraciones especiales.

2c TÉCNICA DE MEDIDA
Hay dos aproximaciones comúnmente usadas para medidas del coeficiente de Seebeck in-
plane:
- Método integral, en donde una de las terminales de la muestra es retenida a cierta
temperatura de referencia (comúnmente 273K) y la otra es es elecada
continuamente a través de un rango de temperatura de interés. Es usualmente
bastante grande y la dependencia del voltaje Seebeck en la temperatura debe ser
no lineal. El coeficiente Seebeck a cada temperatura es dada por la derivativa de
cada curva voltaje-temperatura:

Este método asume que el equilibrio térmico entre las uniones de la termocupla y la
muestra es alcanzada instantáneamente, y no hay retardo entre lasmedidas de voltaje y
temperatura.
- Método diferencial es más usado para materiales termoeléctricos de capa delgada. Commented [CDCA18]: 31 32 33
Los pequeños gradientes térmicos son aplicados a lo largo de la muestra, cerca de
la temperatura de interés, en el régimen lineal. Muchos datos con diferencias de
temperaturas variantes son reacolectados y la pendiente del voltaje respecto a la
diferencia de temperatura brinda el coeficiente Seebeck. En este caso, son
medidas seis dT, pero cien puntos son tomados en cada dT. La propagación en el
cluster de datos, a lo largo de la calidad de ajuste, establece el error en esta
medida. La propagación a lo largo del eje Y es indicativo de las fluctuaciones de
voltaje en los aparatos de medida, mientras la propagaión en la diferencia de
temperatura (Eje X) debe puntuar resistencias térmicas no ideales entre la muestra
y las sondas. Estableciendo un tiempo de espera adecuado después de cada paso
de temperatura antes de la medida permitirá alcanzar el equilibrio térmico, el cual
reduce este efecto. Grandes clúesteres y/o un ajuste lineal pobre a los puntos al
flujo de calor no uniforme deben ser comúnmente examinados. También el error
estimado en Dt debería incluir el error de calibración de las termocuplas y
termómetros usados para las medidas de temperatura, las cuales pueden ser 1-2K
a todas las temperaturas. El error del coeficiente puede ser tanto como 10%-1%, y
típicamente aumenta con la temperatura.