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La brecha de energa de un Al unir ambos semiconductores, los

semiconductor huecos abundantes en la regin p se


difunde atravesando la unin y
Introduccin penetrando en la regin n. Una vez
La comprensin de ah, los huecos se recombinan con
semiconductores comenz alguno de los muchos electrones
alrededor de 1930 con el desarrollo libres. Asimismo, los electrones se
de la llamada teora de bandas. Esta difunden de la regin n hacia la
teora describe a los regin p, y caen en algunos de los
semiconductores como a un slido muchos huecos que hay ah (Figura
cuyos electrones se distribuyen en 1). Las corrientes de difusin de
dos bandas de energa separadas huecos y electrones producen una
por una brecha de energa. Los carga positiva neta en la regin n.
electrones que se encuentran en la Una vez ah, los huecos se
banda de energa inferior son los recombinan con algunos de los
que participan de las uniones muchos electrones libres. Asimismo,
atmicas y esta banda es los electrones se difunden de la
normalmente denominada banda de regin n hacia la regin p, y caen en
valencia. Los que se encuentran en algunos de los muchos huecos que
la banda superior, la llamada banda hay ah. Las corrientes de difusin
de conduccin, son los que de huecos y electrones producen
participan en las corrientes una carga positiva neta en la regin
elctricas. n y una carga negativa neta en la
Una manera de aumentar la regin p, causando as un campo
conductividad en un material es elctrico E en la unin, con direccin
agregando impurezas, y estos de n a p (Figura 2).
semiconductores con impurezas se
dividen en dos, los semiconductores
tipo p y tipo n. En los
semiconductores tipo n, con
impurezas tipo n, la conductividad
se debe casi totalmente al
movimiento de cargas negativas
(electrones). Por otra parte, en un
semiconductor dopado con
receptores, se considera que la Primera parte del
conductividad se debe casi por
completo a movimiento de cargas
experimento
positivas (huecos). A este material
se le llama semiconductor tipo p, Descripcin del experimento
con impurezas tipo p.
En la primera parte del experimento
Un diodo semiconductor es la unin se induce una polarizacin directa
p-n en la frontera entre una regin en el diodo, esto se logra al
de un semiconductor con impurezas conectar la terminal positiva de la
tipo p, y en otra regin que contiene batera a la regin p, y la terminal
impurezas tipo n. negativa a la regin n y el campo
resultante inducido por la batera introduce en el hilo conductor y
tiene la direccin de p a n. llega hasta la batera.
Para esta parte del experimento se Para la descripcin de este arreglo
utiliz un diodo Gunn, una se usar el modelo matemtico ms
resistencia de proteccin de 100 usado en el estudio del diodo que es
ohms y como batera una fuente la ecuacin de Shockley ya que en
GW, tambin se us un voltmetro y ella se relaciona la intensidad de
un ampermetro para medir la corriente y la diferencia de potencial
corriente y el voltaje a travs del en el diodo. La ecuacin es:
diodo (Figura 3). qV
I =I o (e T 1) (1)

Donde I o es la corriente inversa


de saturacin, V el voltaje a travs
de la unin, q la magnitud de la
carga del electrn, T la temperatura
En este arreglo, los huecos,
absoluta, la constante de
abundantes en la regin p
atraviesan con facilidad la unin y Boltzmann y una constante
entran en la regin n; en tanto que
los electrones libres, abundantes en cuyo valor vara entre 1 y 2
la regin n, pasan con facilidad a la dependiendo del material.
regin p; estos movimientos de Por otra parte, haciendo
carga constituyen una corriente en x x
aproximaciones, e 1 e para
sentido directo.
x 1 , se puede reescribir la
Una polarizacin directa disminuye
el campo elctrico en la regin de la ecuacin (1) como
unin p-n, tambin disminuye la
diferencia entre los niveles de
qV T
I =I o e T
para V> (2)
energa en los lados p y n. A Los q
electrones de la regin n se les
facilita difundirse en la regin p; y a Aplicando logaritmo neperiano a
los huecos en la regin p, difundirse ambos lados de la ecuacin (2) se
en la regin n. obtiene la ecuacin de una recta
dada como:
Una vez que un electrn libre de la
zona n salta a la zona p atravesando q
I =ln I o+( )V
la zona de carga espacial, cae en T (3)
uno de los mltiples huecos de la ln
zona p convirtindose en electrn
de valencia. Una vez ocurrido esto
Medicin y anlisis de datos
el electrn es atrado por el polo
positivo de la batera y se desplaza de la primera parte del
de tomo en tomo hasta llegar al experimento
final del cristal p, desde el cual se
Al hacer las mediciones de corriente Tomando
y voltaje en el diodo a temperatura
ambiente T= 292.15 K se
obtuvieron los datos de la Tabla I,
que se pueden ver representados en
la Figura 4 y en la Figura 5.

I(x10A V(V) Ln I
)
1 0.252 0
2 0.2795 0.693147
18
3 0.304 1.098612 J
= 1.3801023
29 K
5 0.333 1.609437
91 q= 1.602 1019 C
14 0.366 2.639057
33 se obtiene =1.544 y
44 0.411 3.784189
63
111 0.441 4.709530 I o=1.3102 x 1010 A
2
5.755742
316 0.476 21 Segunda parte del
635 0.501 6.453625 experimento
7.776954
2385 0.552 4
9.046055 Descripcin del experimento
8485 0.606 18 Para la segunda parte del
9.961756 experimento se analizar cmo
21200 0.648 46 cambia el voltaje en diodo al
11.01122
cambiar su temperatura a corriente
60550 0.694 47
constante, la corriente constante
que se tom fue de .00614 A, para
variar la temperatura, el diodo (an
armado el circuito de la Figura 3) se
meti en un tubo de ensayo lleno de
aceite, el cual se coloc a bao
mara en un vaso de precipitado que
se fue calentado con una parrilla
elctrica. La temperatura se fue
variando desde la temperatura
Con el ajuste de los puntos a una ambiente hasta la temperatura de
recta de la Figura 5 se obtiene la ebullicin del agua del bao mara.
ecuacin Es sistema qued como en la Figura
6.
ln I =25.723 V 6.637
T
3 lnT introduce
q
desviaciones en la linealidad, pero
como primera aproximacin
consideraremos solamente los dos
primeros trminos de la ecuacin
(6) para obtener la ecuacin de una
recta.
Posteriormente para obtener el
Para la descripcin matemtica de
coeficiente de temperatura , se
este modelo se utiliza que la
deriva la ecuacin 6, de donde se
corriente inversa de saturacin Io obtiene
viene dada como E
3
Eg
T
(4)
q
dV
dT
V
T T (
=q g + 3 ) (7)
I o=BT e
De aqu, despejando se obtiene
Donde B es una constante y Eg
Eg
es el ancho de la brecha de energa.
El valor de Eg depende
dV 3
=
q dT
+
q
( )
V
T
q (8)

ligeramente de la temperatura; a la
cantidad definida como Medicin y anlisis de datos
d Eg de la primera parte del
= se le llama coeficiente de experimento
dT
Al hacer las mediciones de voltaje y
temperatura de la brecha. Aplicando temperatura en el diodo, se
logaritmo natural a (4) se tiene mantuvo la corriente constante
Eg I =6.14 x 103 A
B+ 3 ln T
ln T (5)
I o=ln
T(K) V(V)
Combinando (5) con (3) y 292.15 0.7
despejando V se obtiene 296.15 0.6906
Eg I T 298.15 0.6879
V=
q
+T
q
ln
B
3 ( )
q
ln T 301.15
304.15
0.6838
0.679
(6) 307.15 0.6755
Es decir, con (6) se obtiene V= V(T). 308.15 0.6741
Es bueno notar que el trmino 309.15 0.6723
311.15 0.6692
314.15 0.6643
317.15 0.6612 320.15 0.6561
323.15 0.651
328.15 0.644
332.15 0.6361
334.15 0.635
346.15 0.6138
348.15 0.6113
351.15 0.6049
354.15 0.5995

De la Figura 7 se ve que la
aproximacin de (6) a una recta es
una buena aproximacin, la
ecuacin de esta recta es:

V =0.0016 T + 1.1572

Comparando con (6)

A
B=6.931
K3

Y la brecha de energa E g para 0

K es E g (0)=1.1572 eV , por otra


parte, la brecha de energa a
temperatura ambiente T=292.15 K
es E g (292.15)=1.829 eV

Y de la ecuacin 8 se obtiene que

mV
=2.66
q K