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6.

Describir:
Teoría de bandas para semiconductores para el caso de la brecha de banda directa e
indirecta.
La banda prohibida de un semiconductor siempre es uno de dos tipos y se les caracteriza por
el alineamiento de sus bandas de energía, a las cuales se les llama semiconductores de banda
prohibida directa y banda prohibida indirecta. Los semiconductores, por ejemplo, el arsenurio
de galio es de gap directo al igual que el germanio y el silicio es de gap indirecto.
Cuando el máximo de la banda de energía de valencia coincide con el máximo de la banda de
energía de conducción es llamado brecha de banda directa como se muestra en la figura
3.25a.
Cuando el máximo no de la banda de energía de valencia no coincide con el mínimo de la
banda de energía de conducción se le conoce como brecha de banda indirecta como se
muestra en la figura 3b.

Figura 1. Estructura de las bandas de energía de GaAs y Si.

La banda prohibida es directa cuando el momento de los electrones y huecos es la misma en


ambas la banda de conducción y banda de valencia; un electrón puede emitir un fotón
directamente. En una banda indirecta, un fotón no puede ser emitido porque el gasto de energía
que sucede cuando se transfiere el momento en forma de fonón a la red cristalina no deja
energía disponible para la emisión de este.
Esta propiedad de gap directo e indirecto es otra manera de modular las propiedades
electrónicas y así tener diversas aplicaciones. La diferencia fundamental entre los
semiconductores de gap directo e indirecto es la manera en que los electrones viajan de la
banda de valencia a la banda de conducción; en los de gap directo, el electrón solo necesita
ganar energía igual al ancho de la banda prohibida para pasar de la banda de valencia a la banda
de conducción; en cambio, en los semiconductores de gap indirecto además del proceso
anterior, es necesario cambiar el vector de onda del electrón.
Energía de Fermy
El objetivo final de toda teoría de física estadística es la de encontrar una expresión matemática
(distribución) que a una temperatura absoluta T proporcione cual es la probabilidad de que una
partícula ocupe un nivel dado de energía E en equilibrio térmico.
En física estadística existen tres distribuciones fundamentales. La primera de ellas es de tipo
clásico, en la que se considera de una forma especial a las partículas idénticas, es la distribución
de Maxwell-Boltzman aplicada a los sistemas clásicos.
Si las partículas cumplen el principio de exclusión, fermiones, es decir, dos o más partículas
no pueden ocupar el mismo estado cuántico, la distribución que satisfacen es la de Fermi-Dirac.

Donde f(E) es la probabilidad de que un estado con energía E esté ocupado por un electrón.

Figura 2. Función de distribución de Fermi F(E) frente a (E-EF) para varias temperaturas.
Fijarse que para E = EF , f(E) es siempre 0.5. En consecuencia, se puede definir la energía de
Fermy 𝑬𝑭 como la energía que ha de poseer la partícula para que la probabilidad de
ocupación sea de 0.5 a cualquier temperatura. Podemos decir que, para un nivel energético
EF, durante un largo periodo de tiempo, la probabilidad es tal que la mitad de los estados están
ocupados.
Dado que la probabilidad de ocupación de un estado es f(E), la probabilidad de que dicho
estado no esté ocupado es [1-f(E)]. Es decir, la probabilidad de que un hueco ocupe un nivel
de energía E viene dada por [1-f(E)].
Densidad de estados
La densidad de electrones y huecos esta relacionada con la función de densidad de estados y
la función de distribución de Fermy.
La concentración de electrones en la banda de conducción es la integral encima de la banda
de energía de conducción del producto de la densidad de la función de densidad de estados
en la banda de conducción y la función de probabilidad de Fermi Dirac.
𝑛(𝐸) = 𝑔𝑐(𝐸)𝑓𝑓(𝐸)

La concentración de huecos en la banda de valencia es la integral encima de la banda de


energía de valencia del producto de la función de la densidad de estados en la banda de
valencia y la probabilidad de un estado siendo vacío, el cual es [1 − 𝑓𝐹(𝐸)].
𝑝(𝐸) = 𝑔𝑣(𝐸) [1 − 𝑓𝑓(𝐸)]
Para un conductor intrínseco a T=0K todos los estados de energía en la banda de valencia están
siendo ocupados por electrones y en la banda de conducción están vacíos. La EF se encontrará
en medio de la banda de conducción y valencia. A medida que la temperatura comienza a
incrementar T>0K los electrones comienzan a ganar energía térmica y algunos electrones
brincaran a la banda de conducción y se crean huecos en igual cantidad que los electrones que
han brincado a la banda de conducción.

Figura 3. Función de densidad de estados en banda de conducción y valencia para cuando


𝐸𝐹 está en centro de banda de conducción y valencia.
Usando la aproximación de Maxwell- Boltzman, la concentración de electrones en
equilibrio térmico está definida por la siguiente ecuación:
Donde 𝑁𝑐 es la densidad efectiva de estados en la banda de conducción.

Usando la aproximación de Maxwell-Boltzman, en equilibrio térmico la


concentración de huecos en la banda de valencia está dada por la siguiente
ecuación:

Donde 𝑁𝑣 es la densidad efectiva de estados en la banda de valencia.

La densidad efectiva de estados en la banda de conducción y valencia son diferentes


para cada elemento, y se puede tomar como valores constantes de la siguiente tabla:

Relación entre la resistividad y el semiconductor


El flujo neto de electrones y huecos en el semiconductor genera corrientes en el
semiconductor. Como hemos visto existen 2 mecanismos de transporte:

1°Deriva-El movimiento de cargar debido a un campo eléctrico.


2°Difusión- El flujo de cargas debido a gradientes de concentración.

La densidad de corriente en semiconductor puede ser expresada de la siguiente manera:

Donde σ es la conductividad y E el campo eléctrico.

La resistividad es el inverso de la conductividad por lo que, puede ser expresado de la


siguiente manera:

Se visualiza que existe una relación entre la resistividad, movilidades y concentraciones que
tiene un semiconductor, es decir debida a ciertas concentraciones de impurezas en el
semiconductor la resistividad cambia como se muestra en la siguiente figura 4.
Figura 4. Variación de la concentración de impurezas en semiconductor y la resistividad a
300K.

De igual manera la resistividad y la conductividad pueden variar con respecto a la


temperatura, se tendrá una resistividad menor (menor oposición al paso de corriente) o
conductividad mayor a temperaturas altas debido a que los electrones pasaran de la banda de
valencia a banda de conducción con más facilidad y con menos energía porque electrones
adquieren energía térmica.
La figura 5 muestra la variación de la conductividad y concentración de electrones con
respecto a la temperatura. En conclusión, existe una relación entre ciertas variables de
semiconductor como las concentraciones de cargas, temperatura y la conductividad, o su
defecto la resistividad que es el inverso de la conductividad.

Figura 5. Variación de la concentración de electrones, temperatura y conductividad en el


semiconductor.

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