Práctica 8 (Propiedades ópticas de

semiconductores)

Carlos Esteban Higuera Méndez

bcs.carlos1@hotmail.com

Instituto Politécnico Nacional

Escuela Superior de Fı́sica y Matemáticas,
Laboratorio I
5FV2
June 14, 2021
1 Resumen

Se estudió la conductividad eléctrica de los semiconductores y cómo ésta cambiaba a

través de la emisión de luz en el semiconductor. En este caso se utilizó una muestra de
silicio para observar dichos efectos.

Además se analizaron otras caracterı́sticas eléctricas del material como son la vida
media de los portadores de carga, ésto a través de una emisión de luz estroboscópica en
la muestra de silicio para observar su cambio de voltaje.

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2 Introducción

El efecto fotoeléctrico interno

El efecto fotoeléctrico interno (efecto fotoconductor o fotorresistente) es un proceso de

ionización de átomos del semiconductor bajo la acción de la luz, que da lugar a la for-
mación de portadores de carga en desequilibrio adicionales. La conductividad adicional
debida al efecto fotoeléctrico interno se llama fotoconductividad.

El proceso primario en el efecto fotoeléctrico interno es la absorción de un fotón con la

energı́a suficiente para excitar un electrón de la banda de conducción (transiciones 1 y 2)
o en los niveles locales, dispuestos en una banda prohibida del semiconductor (transición
3). La transición 1 da lugar a la formación del par electrón-hueco, mientras que debido
a las transiciones 2 y 3 se forman portadores sólo de un signo. [1]

Si la excitación óptica de los electrones ocurre de la banda de valencia a la banda de

conducción, se observa la fotoconductividad intrı́nseca, que crean portadores de ambos
signos. En este caso, es evidente que la energı́a del fotón hv no debe ser menor que la
anchura de banda prohibida del semiconductor

hv ≥ ∆Eg = Ec − Ev

Fotoconductividad

La generación de los portadores de carga bajo la acción de la luz da lugar a la variación

de la electroconductividad σ del semiconductor, la que en presencia de electrones ∆n y
huecos ∆p de desequilibrio puede ser escrita en la forma

σ = e[(n0 + ∆n)µn + (p0 + ∆p)µp ]

donde n0 y p0 son las concentraciones de electrones y de huecos de equilibrio y µn y µp

las movilidades de los electrones.

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 La conductividad excesiva (de desequilibrio), es igual a la diferencia de las conduc-
tividades del semiconductor al ser iluminada (σ) y sin iluminación (σ0 ), es la fotoconduc-
tividad (σt )
σt = σ − σ0 = e(∆nµn + ∆pµp )
Es natural que las concentraciones de los portadores en desequilibrio ∆n y ∆p dependen
de la intensidad y duración de iluminación del semiconductor.

Designamos la cantidad de portadores de carga generados bajo la acción de la ilumi-

nación por ∆n0 y ∆p0 . Es evidente que ∆n0 y ∆p0 deben ser proporcionales a la energı́a
luminosa absorbida por la unidad de volumen del semiconductor en la unidad de tiempo.
Si la intensidad de la iluminación monocromática de una capa de espesor dx es I, y el
factor de absorción de la sustancia es igual a α, entonces la cantidad de energı́a luminosa
absorbida por unidad de tiempo por unidad de volumen es
dI
− = αI
dx
Por consiguiente, la cantidad de portadores a generar ∆n0 y ∆p0 es proporcional a la
magnitud αI. Para la región de absorción intrı́nseca

∆n0 = ∆p0 = βαI

El coeficiente de proporcionalidad β se llama coeficiente de rendimiento cuántico, puesto

que éste determina el número de pares de portadores de carga (o el número de porta-
dores de carga para la fotoconductividad extrı́nseca), que se forman por un cuanto de
luz absorbido, si la intensidad de la luz I se mide por el número de cuantos por segundo.
Generalmente el rendimiento cuántico β no es mayor que la unidad.

Para la iluminación continua del semiconductor con luz de intensidad constante se

establece el estado estacionario, caracterizado por la concentración constante de los por-
tadores de carga en desequilibrio ∆n y ∆p. Hallamos la dependencia de ∆n y ∆p respecto
del tiempo t y determinamos los valores estacionarios de las concentraciones de porta-
dores de carga en desequilibrio, considerando la intensidad de la luz constante en todo el
volumen de la muestra, lo que da lugar a la generación homogénea de portadores de carga.

Enseguida después de iniciar la iluminación, a medida que aumenta la concentración

de portadores de carga en desequilibrio, comienza a desarrollarse el proceso de recombi-
nación. Puesto que la velocidad de regeneración de portadores de carga en desequilib-
rio permanece constante para la iluminación constante, la intensidad de recombinación
pronto alcanza la intensidad del proceso de generación de portadores y se establece el
valor estacionario de la concentración de desequilibrio de fotoportadores ∆nest y ∆pest .
Las magnitudes de estas concentraciones se determinan por la cantidad de portadores
excitados por la luz (βαI), que se encuentran en la banda hasta la recombinación (durante
el tiempo de vida τ )
∆nest = βαIτn

3
 ∆pest = βαIτp
Al valor estacionario de la concentración de portadores en desequilibrio corresponde el
estado estacionario de conductividad en desequilibrio

∆σest = ∆σnest + ∆σpest = eβαI(τn µn + τp µp )

Aquı́ α y β caracterizan al interacción de la luz con la sustancia y describen los procesos

de generación de portadores en desequilibrio, mientras que las movilidades y los tiempos
de vida caracterizan la interacción de los portadores con la sustancia y determinan los
procesos de movimiento y recombinación de los portadores de carga en desequilibrio. [2]

Tiempo de vida

El tiempo de vida del exceso de portadores puede ser medido mediante pulsos de luz y
observando el decaimiento en la foto corriente a través del voltaje que pasa por un resistor
calibrado R en el circuito externo [3]

Utilizando un aspa que corte la luz incidente constante se pueden generar pulsos de
luz.

Para cada pulso de luz, la densidad de portadores aumentará y decaerá exponencial-

mente con un tiempo caracterı́stico igual al tiempo de vida τ de los portadores en exceso.

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3 Desarrollo experimental

Experimento 1

El circuito empleado fue el siguiente

Figure 1: Diagrama experimental del circuito

Al fluir corriente por este circuito, dado que la resistencia eléctrica de la muestra
de silicio es del orden de mega ohm, se produce una pequeña caı́da de voltaje sobre la
resistencia colocada en serie (VR ), se utilizó un voltı́metro para tomar la lectura de este
voltaje y conociendo la resistencia eléctrica de dicho resistor se logró determinar la cor-
riente que fluye en el circuito (I).

La resistencia del resistor debı́a ser lo suficientemente grande para producir una caı́da
de voltaje relativamente grande, pero lo suficientemente pequeña para que la resistencia
interna del aparato de medición no interfiera con el circuito de la muestra de silicio, esta
resistencia se eligió de R = 10 KΩ, se midió el voltaje suministrado en la muestra de
silicio (Vs ) y la corriente que fluı́a por él para ası́ poder analizar el cambio de la resistencia
en la muestra debido a la acción térmica provocada por el flujo de corriente (efecto Joule).

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Experimento 2

Mediante el siguiente arreglo experimental se calculó el tiempo de vida promedio de los

portadores

Figure 2: Arreglo del experimento 2

Se utilizó una lámpara estroboscópica como emisor de luz y un matraz con agua para
que actuara como lente condensadora y además como filtro infrarrojo para reducir el
aumento de temperatura de la muestra y por tanto alterar mı́nimamente su resistencia
eléctrica.

Se colocó un osciloscopio en paralelo al resistor de 10 KΩ para medir los pulsos de

corriente producidos por la muestra al ser expuesta a destellos de luz. De los resultados
mostrados por el osciloscopio se pudo determinar el tiempo de vida de los portadores de
carga.

Cabe recalcar que el circuito se introdujo en una jaula de Faraday para eliminar el
ruido ambiental.

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4 Análisis de resultados

Experimento 1

Los datos obtenidos fueron los siguientes

Figure 3: Resultados de corriente y resistencia de la muestra de silicio

Graficando corriente contra resistencia de la muestra

Figure 4: Gráfica de resultados de corriente contra resistencia

De aquı́ se sigue que la resistencia mı́nima es aproximadamente de 60 KΩ.

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Experimento 2

Los resultados mostrados en el osciloscopio fueron

Figure 5: Resultados de la señal del osciloscopio

Notemos que ésta es una combinación entre la curva de iluminación del osciloscopio y
los portadores de carga. Tomando la sección más a la derecha, donde se intenta asegurar
que no hay influencia de la lámpara

Figure 6: Resultados amplificados de la parte final de la señal del osciloscopio

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 Digitalizando la gráfica anterior

Figure 7: Gráfica de digitalización de la señal del osciloscopio

Utilizando una escala semilogarı́tmica y ajustando se tiene que

Figure 8: Gráfica semilogarı́tmica de la señal del osciloscopio

De esto se sigue que el tiempo de vida de los portadores de carga es aproximadamente

de τ = 8µs.

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5 Conclusiones

Del experimento 1 se puede apreciar una disminución de la resistencia en respuesta al

aumento de temperatura, o equivalentemente, un aumento en la conductividad conforme
aumenta la temperatura. Además se observa que la resistencia mı́nima de la muestra es
de 60 KΩ, la cual domina a los 10 KΩ de resistencia utilizada como medidor, por tanto
es un medidor confiable.

El experimento 2 da como resultado un tiempo de vida de los portadores de carga de

τ = 8µs, aunque realmente el valor es del orden de 100µs, el error se puede adjudicar
principalmente a la influencia de la luz estroboscópica la cual no fue posible aislarla en
su totalidad por condiciones del mismo arreglo experimental.

6 Bibliografı́a

1- Gartenhaus, Solomon. Fı́sica 2 Electricidad y Magnetismo. Nueva Editorial Inter-

americana. Primera Edición, 1981.
2- https : //latam.hach.com/cms − portals/hachm x/cms/documents/Que − s − la −
conductividad − F inal.pdf
3- http : //hyperphysics.phy − astr.gsu.edu/hbasees/Solids/band.html

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