CÁTEDRA DE QUÍMICA Y FÍSICA DE LOS

PROCESOS AMBIENTALES

INGENIERÍA AMBIENTAL

EFECTO FOTOVOLTAICO

Autores: Prof. Ernesto Farías de la Torre

Prof. Estela Reyna (colaboración)

Noviembre de 2017
EFECTO FOTOVOLTAICO

1. INTRODUCCIÓN

1.1 Teoría de las bandas de energía

Los materiales conductores de la electricidad (metales, semiconductores etc) presentan una

distribución ordenada de átomos unidos por algún tipo de enlace químico, por ejemplo, el
enlace covalente, en el caso de los semiconductores y la unión metálica o de “mar de electrones”
para los metales. Los electrones que se hallan orbitando en torno a los átomos y en la última
capa, reciben el nombre de electrones de valencia mientras que los electrones que han logrado
liberarse de átomo tutor y se mueven libremente en el seno del material reciben el nombre de
electrones de conducción

Los electrones de valencia como los de conducción no tienen una energía definida, sino que su
energía se encuentra en un rango de valores conocido como banda de valencia (BV) y banda de
conducción (BC) respectivamente. Ambas se hallan separadas por la banda prohibida (BP) la cual
determina el salto de energía necesario para que un electrón pase de la banda de valencia a la
de conducción y de esta manera se constituya en una partícula libre, un portador de carga
negativo.

Figura 1: Esquema de bandas de energía: E c: Piso de la banda de conducción (energía mínima de la banda); E v:
Techo de la banda de valencia (energía máxima de la banda).
Finalmente cabe completar diciendo que el hecho de que se tenga bandas de energía responde
a la necesidad de que se cumpla el principio de exclusión de Pauli cuando se forma un cristal.
Una forma de visualizar la aparición de las bandas de energía consiste en suponer, por ejemplo,
dos átomos muy separados y que, cada uno, presenta en su nivel 1s dos electrones el cual es el
número máximo de electrones posibles de acuerdo al principio de exclusión de Pauli. Ahora
supongamos que los acercamos a una distancia de varios Angstroms a fin de que formen una
estructura cristalina unidimensional. En tal situación nos encontraríamos con el inconveniente
de ubicar cuatro electrones en el nivel 1s, lo cual sería imposible de acuerdo a Pauli, a no ser
que el nivel de energía se subdivida en dos subniveles en cada uno de los cuales se ubicarían dos
electrones. Este planteo puede extenderse al caso de N átomos que queremos ubicar en fila,
uno a continuación de otro a distancias del orden del Angstrom. Para este caso es evidente que
cada nivel se subdividirá en N subniveles constituyendo así una banda de energía (figura 2).

Figura 2: Subdivisión de los niveles de energía al disminuir la distancia entre átomos para así formar un cristal
(cristal unidimensional).

1.2 Metales, Aisladores y Semiconductores

Nuestra experiencia sobre estos materiales nos dice que, cuando aplicamos una igual diferencia
de potencial a los mismos la corriente eléctrica es muy diferente: muy grande en los metales,
bastante menor en los semiconductores y casi nula en los aisladores. ¿A qué se debe esto? La
explicación la aporta la teoría de las bandas de energía. En efecto, el esquema de banda para
esto materiales se muestra en la figura 3

Figura 3: Estructura de bandas para: a) Metal; b) Aislador y c) Semiconductor. En los aisladores y, debido al ancho de
la BP (7eV), la cantidad de electrones libres es muy inferior a la de los semiconductores (1 eV). Por otra parte, los
metales presentan solapadas la banda de conducción y la de valencia y por ello la concentración de electrones libres
(electrones/m3) en este material es muy superior a la de los materiales semiconductores.

La mayor o menor cantidad de electrones de conducción entre metales, semiconductores y

aisladores se debe al diferente valor de la BP. Para los primeros la BC y la BV se hallan solapadas
y por ello el pasaje de los electrones a la condición de libre es inmediato para los electrones de
las últimas capas. Por otra parte, los semiconductores, presentan una BP del orden de 1 electrón
voltio (1 eV= 1.6x 10 -19 Joule) y, finalmente, para los aisladores esta barrera es de 7 eV.
1.3. Estructura Química de los semiconductores

Los materiales que se usan corrientemente como semiconductores son los correspondientes al
grupo IV de la tabla periódica bajo su forma pura o en aleaciones. Nos referimos al silicio (SI) y
Germanio (GE) los cuales presentan una estructura tetraédrica en el espacio.

La unión entre los átomos es de tipo covalente debido a que cada átomo de silicio o germanio
presenta cuatro electrones de valencia y, necesitando igual cantidad para alcanzar el octeto y
así minimizar la energía del cristal, comparte con sus vecinos cuatro electrones. En la figura 4 se
muestra, en forma simplificada, esta situación en un arreglo bidimensional de átomos.

Figura 4: Estructura química de un mono cristal de silicio (Si) (estructura covalente)

Los brazos del enlace covalente representan corredoras o pistas por las que se desplazan los
electrones de valencia y “saltan” de un átomo al otro con una frecuencia suficientemente alta
para hacer estable al cristal

1.4 Ionización; generación de un par electrón-laguna o electrón-Hueco

La red bidimensional mostrada en la figura corresponde a una temperatura de 0º K y donde

todos los electrones de valencia se hallan sujetos al átomo correspondiente; sin embargo, a
medida que la temperatura aumenta la agitación térmica de la red energiza los átomos y con
ello los electrones adquieren la energía suficiente para liberarse de su átomo tutor, pasando a
la banda de conducción (figura 5 a y b)
 Figura 5: a) Rotura de un enlace y generación de un par electrón-laguna; b) Generación de un par electrón-laguna
utilizando el esquema de bandas de energía.

Por otra parte, la red y, específicamente la zona de enlace roto, queda electropositiva y como
veremos funciona como una carga eléctrica que se desplaza arrastrada por el campo eléctrico
que se aplica. A esta vacancia en el enlace se la denomina laguna o hueco.

En forma inversa, un electrón que se aproxima a la zona de la vacancia puede ser atrapado en
un proceso denominado recombinación volviendo, de esta manera, a quedar neutra esta zona
de la red.

Por lo tanto y, recapitulando, tenemos dos procesos en un cristal semiconductor y cuando la

temperatura es mayor que 0º K: Generación de un par electrón-laguna y recombinación o
aniquilación de un par electrón laguna. En la figura 6 y, con el esquema de bandos de energía se
representan estas dos situaciones. También es necesario puntualizar que existe para cada
temperatura una concentración de equilibrio de electrones y lagunas el cual es un equilibrio
dinámico queriendo significar con ello que hay procesos de generación y recombinación
permanentemente manteniendo las concentraciones promedio de estos portadores de carga.

Figura 6: a) Generación de un par electrón-laguna; b) Recombinación o aniquilación de un par electrón-laguna.

1.5. Las Lagunas o Huecos se comportan como portadores de carga en la corriente eléctrica

Un punto muy importante a considerar es que las lagunas o huecos, al aplicarse un campo
eléctrico, generan una corriente eléctrica en el mono cristal de silicio y en la banda de valencia.
Esto se debe a que dicho campo favorece la producción de otra vacancia próxima determinando
que la rotura de enlace se traslade a un átomo próximo. Es importante resaltar el hecho de que
este movimiento de lagunas se debe al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia,
y por lo tanto las lagunas en sí no existen como portadores de carga, sino que son los electrones
en la banda de valencia los que se desplazan y con ello determinan el desplazamiento aparente
de las vacancias de enlaces (lagunas).
 Figura 7: Esquema simplificado que muestra el desplazamiento de las lagunas debido al campo eléctrico aplicado:
un electrón próximo salta, debido a la fuerza que le aplica el campo eléctrico, a una laguna vacía determinando el
corrimiento de la misma en el sentido del campo eléctrico aplicado.

Las lagunas o huecos al igual que los electrones satisfacen las ecuaciones de arrastre por el
campo. Estas ecuaciones vinculan la densidad de corriente eléctrica (carga por unidad de área y
unidad de tiempo) con el campo eléctrico aplicado. Se denomina Ley de Ohm microscópica para
los electrones y las lagunas. Para ver esto consideremos primero que las densidades de corriente
de electrones, Jn, y huecos, Jp, están relacionadas con las velocidades promedio respectivas, vn y
vp por las ecuaciones:

J n= ρ n v n y J p= ρ p v p

Donde ρn y ρp representan, respectivamente, las densidades volumétricas de carga de electrones

y lagunas. Observamos que ambas densidades de corriente tienen el mismo sentido porque, si
suponemos aplicado un campo eléctrico de izquierda a derecha como en la figura 7 y, siendo
ρn< 0 y vn < 0 resulta Jn> 0. Por un análisis similar se concluye que Jp> 0. Esto es graficado en la
figura 8.

Figura 8: Las densidades de corriente de electrones y huecos tienen el mismo sentido

Las expresiones anteriores pueden ser transformadas usando el concepto de movilidad de la

partícula portadora el cual consiste de la relación entre la velocidad media y el campo eléctrico
aplicado. Tendremos así dos movilidades, la de los electrones y la de las lagunas:

µn= v n / E y µp = v p / E

Con esto las expresiones de las densidades de corriente de electrones y lagunas nos quedan:

J n= σ n E y J p= σ p E

Siendo σn y σp las respectivas conductividades de electrones y lagunas. Las fórmulas anteriores

constituyen la Ley de Ohm microscópica correspondiente a los electrones y lagunas.
Y, para el caso, como el actual, donde tenemos presentes tanto electrones como lagunas, la
conductividad resulta:

σ = σ n+ σ p

Por lo tanto. veamos cómo queda expresada la ley de Ohm microscópica cuando tenemos la
presencia de electrones y lagunas:

J= σ E

1.6 Dopado de los mono cristales de SI: obtención de semiconductores tipo N y Tipo P

No habría utilidad para la aplicación a la electrónica si nos quedamos con el mono cristal de
silicio para el cual la concentración de electrones y lagunas es la misma. La aplicación importante
es cuando se desbalancean dichas concentraciones ya sea aumentando significativamente la
concentración de electrones, caso de los semiconductor tipo N, o de lagunas, semiconductor
tipo P. Para ello es necesario efectuar una impurificación controlada con átomos de dimensiones
similares al átomo de silicio pero que presentan un electrón más de valencia que el silicio o bien
un electrón menos. Se elige el fósforo (P) y el Boro (B) para los respectivos casos. En la figura 9
se muestran ambas estructuras químicas.

Figura 9: a) Dopado o impurificación tipo N; b) Dopado o impurificación tipo P

La interpretación en función de la teoría de bandos de energía se muestra en la figura 10.

Figura 10: Interpretación del dopado según la teoría de las bandas de energía: a) En el semiconductor dopado tipo
N: el fósforo crea un nivel de energía intermedio en la banda prohibida (BP) y próximo a la banda de conducción
(BC); b) En el semiconductor dopado tipo P: el Boro crea un nivel de energía intermedio en la banda prohibida y
próximo a la banda de valencia.
En la figura 10 a se observa que los electrones (el quinto del fósforo) en la BC puede saltar
fácilmente a la BC pues debe superar apenas una energía de ionización de 0.1 e V.

Asi, todos los electrones de fosforo que no se hallan participando en un enlace covalente se
ionizan y pasan a la BC. Por otra parte, el boro en su tipo P posibilita la generación de lagunas
en la BV debido a que un electrón, que forma parte de un enlace covalente, salte al nivel de
energía intermedio ubicado 0.1 eV por encima del nivel de energía Ev.

Porcentaje de dopado

Un dopado normal equivale a una parte en 108; esto significa, en términos gráficos que
reemplazamos un átomo de silicio por uno de fosforo o boro en una matriz de 108 átomos. Para
ello podríamos imaginar un paralelepípedo rectángulo de 1000 átomos X 1000 átomos X 100
átomos de altura en el cual reemplazamos un átomo de silicio por uno de fósforo o boro (figura
11).

Figura 11: Esquema espacial para mostrar la impurificación tipo N.

Esto, aparentemente es un bajo dopado y nos llevaría a pensar que no cambiaría la naturaleza
eléctrica del cristal entendiendo por tal al número de portadores de carga positivos y negativos.
Es decir, y, suponiendo que el electrón que abandona el fósforo no deja atrás una laguna o hueco
el número de electrones no sería afectado y se mantendría la igualdad de electrones y lagunas.
Esto no es así: un dopado aparentemente irrelevante como el de 1 en 108 cambia la naturaleza
del semiconductor teniendo ahora un gran número de electrones frente a los huecos,
transformándose en un semiconductor tipo N.

Este error es la suposición física proviene del hecho que la generación de un par electrón laguna
es un hecho físico muy raro y es necesario tener noción cuantitativa de esto para comparar con
el aporte de la impureza de fosforo. En realidad, se necesitan del orden de 400 bloques de 108
átomos para genera un electrón como consecuencia de la rotura de un enlace. Esta determina
que el aporte de un electrón por cada bloque de 108 sea muy significativo.

1.7 La ley de acción de masas

Se puede comprobar, usando la teoría de las bandas de energía que para cualquier
semiconductor ya sea intrínseco o dopado tipo P o tipo N el producto n.p es función, solamente,
del ancho de la banda prohibida Ep=Ec – Ev y de la temperatura absoluta, T.

Así, para los distintos semiconductores (intrínseco, tipo P y tipo N), se tiene:

ni pi= NcNv e (Ec – Ev) /KT

n NA= NcNv e (Ec – Ev) /KT

ND p= NcNv e (Ec – Ev) /KT

Siendo ND: concentración de átomos donadores (átomos/cm3) o sea átomos de fósforo; NA:
concentración de átomos aceptores (boro); ni: concentración de electrones en el material
intrínseco (no dopado); pi: concentración de lagunas en el material intrínseco (no dopado) y Nc
y Nv : constantes (concentraciones) que resultan de calcular la concentración de electrones o
lagunas en las bandas de conducción y de valencia. Finalmente, K es la constante de Boltzmann
y T la temperatura absoluta.

Como las funciones son las mismas, al tratarse de un mismo sustrato o semiconductor base,
resulta:

ni pi= n NA= ND p

La cual constituye la ley de acción de masas.

La importancia de la ley anterior reside en poder determinar la concentración de los portadores

minoritarios cuando un material intrínseco es impurificado.

Es importante tener en cuenta que la concentración de los mayoritarios resulta igual a la

concentración de átomos donadores (para un semiconductor tipo N) o de aceptores (para un
semiconductor tipo P).

Supongamos que impurificamos con fósforo, usando la ley de acción de masas tenemos:

ni pi = ND p

de donde se obtiene:

p= pi (ni / ND)

pero vimos en párrafos anteriores que ni << ND lo cual implica que p<< pi.

¡Importante! Cuando impurificamos, la concentración de los portadores de signo opuesto

disminuye muy por debajo de la concentración que tenía antes de ser impurificado
(intrínseco). En forma análoga y para el tipo P:

1.8 Análisis de la impurificación a partir de la teoría de las bandas de energía

Usaremos los diagramas de bandas de energía para indicar la concentración de portadores

mayoritarios y minoritarios y para ello usaremos el eje x de estos diagramas para indicar estas
concentraciones mientras que en el eje y se representará la energía. En la figura 12a se muestra
la concentración de electrones y lagunas en función de la energía ni(E) y pi (E). En la figura 12b y
12c se representan las concentraciones de mayoritarios y minoritarios comparativamente con
las concentraciones intrínsecas.
 Figura 12: Concentración de portadores como función de la energía (en las bandas de energía): a) Intrínseco; b)
dopado tipo N y c) dopado tipo P. En los gráficos b) y c) se compara la concentración de minoritarios con la del
intrínseco (línea discontinua).

Finalmente, la concentración de portadores y para todo el rango de las energías se obtendrá

integrando. Así, para el caso intrínseco (usamos las mismas letras, ni y pi pero sin indicar la
dependencia con la energía):

∆

 = 


 =  
∆

Siendo ∆c y ∆v los anchos respectivos de las bandas de conducción y valencia. Este cálculo se
puede representar, gráficamente, como área subtendida por la función con el eje de las energías
representado en la figura 12. Evidentemente ni=pi por lo cual, la ley de acción de masas resulta:

n2i = ND p ó p2i = NA n

2. El diodo de unión PN

La importancia de los semiconductores dopados surge cuando se une un material P con uno N
formando una unión PN (figura 11)
En tal situación existe un flujo de partículas (por difusión) de una zona a la otra. Como las
partículas de uno y otro signo tienen un cambio de concentración brusco al pasar de una zona a
la otra (zona de unión) la corriente de difusión es muy grande.

Figura13: unión PN, a) estructura física b) concentración de lagunas a lo largo de la estructura PN c) concentración
de electrones a lo largo de la estructura PN. ppo es la concentración de lagunas en la zona P y en equilibrio térmicos,
pno: concentración de lagunas en la zona N y en equilibrio térmicos. nno: concentración de electrones en la zona N y
en equilibrio térmico y npo: concentración de electrones en la zona P y en equilibrio térmico.

La densidad de corriente de difusión de los electrones y lagunas responden a la ley de Fick:


 = −  





= 
 

Donde, Dp, Dn son las constantes de difusión de los huecos y electrones respectivamente y q es
la carga elemental, con su módulo: q=1.6-19-19 coulomb. Resultado de estas intensas corrientes
de difusión se produce una recombinación de las cargas libres a ambos lados de la unión (figura
14) quedando los átomos ionizados: cargas fijas negativas del lado P y cargas fijas positivas del
lado N

Figura 14: formación de las zonas vacías de cargas libres como consecuencia de las intensas corrientes de difusión.
En esta zona solo existen núcleos con carga negativa (zona P) y con carga positiva (zona N)

2.1. Funcionamiento del diodo de unión (característica tensión- corriente)

La característica tensión-corriente de un dispositivo electrónico es una función que relaciona la

corriente que circula por el mismo cuando se le aplica una tensión o diferencia de potencial
(ddp). Para comprender mejor este concepto consideremos el caso de una resistencia, R, la cual
está regida por la ley de ohm: V=RI desde V es la diferencia de potencial aplicada a la resistencia
e I es la corriente que circula. Si despejamos, I=V/R y la representamos en un gráfico cartesiano
donde la abscisa es la tensión o diferencia de potencial (ddp) y la ordenada la corriente

Figura 15: curva característica tensión corriente de una resistencia (satisface la ley de ohm) en línea punteada es
cuando se invierte la ddp aplicada.

La resistencia es un elemento lineal y bilateral. Lineal porque responde a función lineal y bilateral
porque circula la misma intensidad de corriente (pero de distinto signo) cuando se invierte la
tensión o ddp aplicada.

Hecha esta aclaración veamos que ocurre cuando aplicamos a un diodo una ddp en un sentido
u otro. Previo a ello consideremos que el diodo PN está representado por el símbolo:
 Figura 16: Símbolo que representa un diodo de unión PN.

Donde la flecha indica la zona P, y la barra vertical representa la zona N. En la figura 17 se indica,
físicamente, qué ocurre cuando se aplica una ddp que hace positivo a la zona P respecto de la
N. en este caso, las lagunas son impulsadas (por repulsión coulombiana) o por el campo eléctrico
creado) hacia la juntura y en forma similar ocurre para los electrones, pero en sentido inverso,
propiciando una elevada corriente (Figura 17).

Figura 17: Movimiento de los portadores de carga debido a una polarización directa.

Por otra parte, cuando se aplica una ddp que hace negativa la zona P respecto de la N los
mayoritarios de ambas zonas son replegados lejos de la juntura y solo los minoritarios son
impulsados hacia la misma. Como estos son mucho menos que los primeros entonces la
corriente es despreciable (Figura 18).
Figura18: movilización de portadores cuando se aplica una polarización inversa: zona P negativa respecto de la zona
N, positiva.

Por lo tanto la característica tensión-corriente de un diodo no es bilateral como la

correspondiente a la resistencia. Su forma aproximada se muestra en la figura 19.

Figura 19: a) Característica tensión corriente de un diodo PN (aproximación lineal de la característica real) b)
característica usualmente aceptada si: V>O, I → ∞, si V<0, I → ∞ (claramente no lineal).

El diodo puede ser interpretado como un interruptor controlado por la tensión que se aplica, a
diferencia de un interruptor mecánico el cual es activado, precisamente, en forma mecánica.
 Figura 20: analogía entre un diodo y un interruptor mecánico.

2.2 Característica real de un diodo PN

La característica real de un diodo PN no es la característica simplificada de la figura 16 a y b.

responde a la expresión matemática:


 =  xp  − 1


Donde, Io es la corriente inversa de saturación (del orden de 1 µV) y está generada por los
minoritarios de ambas zonas (P y N); VT: es la tensión equivalente térmica cuyo valor es VT= KBT/q
siendo T la temperatura absoluta, q la carga elemental (electrón) y V la diferencia de potencial
aplicada a la unión PN.

La característica exponencial y el bajo valor de VT, la cual es de 26 mV a una temperatura

absoluta de 300°K, determina que hay un comportamiento unilateral marcado. En efecto,
supongamos tensiones positivas, por ejemplo, V=1 volt, la relación V/ VT es del orden de 40 lo
cual determina que el termino exponencial sea muy superior a 1 por lo tanto:
!
 ≅ . exp !" para V>>VT

Por otro lado, si V<O y asumiendo el mismo valor absoluto, el termino exponencial es
despreciable frente al 1 o sea, para este último caso:

 ≅ − para V>>VT

Los resultados se sintetizan en la figura 21.

 Figura 21: Característica tensión corriente del diodo real.

3 EL EFECTO FOTOVOLTAICO

3.1 Generalidades

El efecto fotovoltaico se genera como consecuencia de la incidencia de luz (por ejemplo, la solar)
la cual por su frecuencia o frecuencias componentes aportan energías de valor hν, donde h es la
constante de Planck y ν es la frecuencia de la componente de la luz. Esta energía, si supera el
ancho de la Banda Prohibida, determina la ruptura de enlaces covalentes en los
semiconductores P y N que forman la juntura diódica y en todo su volumen proyectando
electrones de la banda de valencia a la banda de conducción y dejando una laguna en aquella.
Este efecto se produce:

a) En la zona P (eléctricamente neutra) excluida la zona de carga espacial.

b) La zona de carga espacial: negativa en la zona P y positiva en la zona N. Esta zona está
constituida por átomos de Boro en la zona P, que han perdido sus lagunas como
consecuencia de la difusión y, por lo tanto, esta zona es negativa y, para la zona N, por
átomos de Fósforo que han perdido sus electrones, también por la difusión,
transformando la zona con densidad volumétrica de carga positiva (ver apartado 2).
c) En la zona N (eléctricamente neutra) con exclusión de su zona de carga espacial. Aquí
conviven los átomos de fósforo que han perdido sus electrones y que por ello son
partículas positivas y fijas a la red y los mismos electrones que se desplazan libremente
por el cristal de esta zona.

Los enlaces rotos en la zona P y N no tienen mayor implicancia porque si analizamos, por
ejemplo, la zona P, las lagunas generadas por efecto de la luz incidente no afectan la
concentración de lagunas preexistentes ya que lo que define la concentración de lagunas son las
impurezas (ver en apartado 1.6: “porcentaje de dopado”). Por otra parte, los electrones
generados por las rupturas de enlaces por la luz y, debido a la gran concentración de lagunas
desaparecen rápidamente (ley de acción de masas). Un análisis similar puede ser aplicado a la
zona N donde se tiene predominio de los electrones en vez de las lagunas.

En consecuencia, sólo queda por considerar la zona de carga espacial; la cual está prácticamente
vacía de cargas libres (existen los portadores minoritarios en cada una: electrones en la parte P
de la zona de carga espacial y lagunas en la parte N de la zona de carga espacial), electrones y
lagunas, y solo tiene una densidad de carga espacial (negativa del lado P y positiva del lado N).
Al incidir la luz en esta zona y producir electrones y lagunas como consecuencia de la rotura de
enlaces, estos portadores de carga son separados debido al intenso campo eléctrico generado
en la zona (ver 3.2) siendo remitidos los electrones a la zona N y las lagunas a la zona P creando
una diferencia de potencial: positiva para la zona P y negativa para la zona N, como si fueran las
placas de un capacitor plano.

3.2 Campo eléctrico en la zona de carga espacial

En figura 22a se muestra una curva cualitativa de la densidad de carga espacial la cual se
extiende desde el comienzo de la zona (densidad negativa) hasta la unión metalúrgica (densidad
nula) y hasta la terminación de la zona (densidad de carga positiva). Antes del comienzo de la
zona de carga espacial la densidad de carga está constituida por la carga fija, negativa y la móvil
(lagunas), positiva: en igual cantidad por lo que determina la neutralidad de la densidad de
carga. Por otra parte y, más allá de la zona de carga espacial (zona N) los electrones que son las
partículas libres y los átomos de fósforo (carga fija, positiva) se hallan también en equilibrio.

A continuación, y, usando las ecuaciones de la electrostática en conjunto con el concepto de

Lebesgue (la función integral definida como área) se procede a obtener, en forma cualitativa, el
campo eléctrico y el potencial eléctrico a partir de la densidad de carga. En efecto si usamos la
ecuación de Poisson para el caso unidimensional:
 #
=
 $
Deduciéndose:

1
 =  #
%
Con la cual se van sumando áreas negativas hasta la unión metalúrgica (valor máximo del campo
eléctrico) y, a partir de allí comienzan a adicionarse áreas positivas hasta anular totalmente el
campo eléctrico al comienzo de la zona neutra en N. De esto se deduce que el campo eléctrico
no tiene un valor uniforme en toda la zona de carga espacial, sino que presenta un valor máximo
en la unión metalúrgica y dirigido desde la zona N a la P (figura 22b). En el apartado siguiente se
realizará una estimación del mismo para el caso de la unión abrupta.

En un segundo paso se determina cualitativamente la función potencial a lo largo de la zona y,

usando el concepto de que el campo eléctrico se obtiene como el gradiente, cambiado de signo,
de una función potencial:

 = −

Y, en consecuencia:

 = −   $
Siguiendo el procedimiento descripto se obtiene la función potencial eléctrico, V(x) (figura 22c)
y, adicionalmente la energía potencial de los electrones y en consecuencia la barrera de energía
potencial para los mismos: W(x)= -e V(x) (figura 22d).

Figura 22: Funciones de la juntura en forma cualitativa: a) Densidad de carga espacial como función de la distancia;
b) Campo eléctrico; c) diferencia de potencial y, d) energía potencial para los electrones.

3.2 Campo eléctrico en la zona de carga espacial y para una unión abrupta

La unión abrupta es un caso particular de distribución de carga espacial y para el cual la densidad
de carga espacial se mantiene constante y negativa para la zona P y constante y positiva para la
zona N (figura 23a). Así, la función ρ(x) resulta:
 -e NA para -ln< x < 0

ρ(x)=

eND para 0< x < lp

Siendo ln y lp definidos positivos, NA y ND las concentraciones de átomos de Boro y Fósforo

respectivamente.

Aplicando el método descripto en el apartado 3.1 se obtiene para el campo eléctrico y el

potencial:
&'(
 = − )
* + 

,-
 = * + /
2$
Para -lp < x <0

,
 = − *
− 
$

,
 =  − *
− /
2$

Para 0 < x < ln

Donde V0 es el potencial en x=ln y se ha aplicado la conservación de la carga eléctrica:

Na lp= Nd ln

Lo cual queda para verificar como ejercicio por parte del alumno.

Finalmente, se hace el cálculo de campo eléctrico máximo, en x=0:

,-
0- = − *
$
Figura 23: Funciones de la juntura para el caso de juntura abrupta. Las referencias son las mismas que para la figura
22.

Este campo eléctrico resulta bastante intenso y, para comprobar esto procedemos a calcular el
valor de Emax en la fórmula anterior suponiendo igual impurificación Na=Nd e igual a 1 átomo
en 108 lo cual nos determina una concentración volumétrica de átomos de impureza para ambas
zonas de aproximadamente 4,41x1020 átomos/m3. Por otra parte, la carga del electrón es
1.6x10-19coulomb; la longitud lp, y con el supuesto de igual impurificación para las zonas N y P
resulta la mitad de la longitud de carga espacial, l, o sea 0.25x10-6m. Finalmente, la permitividad,
ε que es la permitividad absoluta: ε=εrε0 siendo εr: la permitividad relativa y, ε0: la permitividad
del vacío la cual en el sistema MKS es de 8.85x10-12 Faradio/m. Con todos estos datos el valor de
Emax resulta:
 1
1.61045 67*. 4,4110/: 0.2510=0
0á = 0;
?-@-
8.85104/ 0
Resultando, para Emax≅20x105 volt/m. Esto es un campo eléctrico muy intenso y para ver esto
nos podemos imaginar, macroscópicamente, un capacitor de placas plano paralelas con
separación entre placas de 0.1 mm (capacitores de teflón), en este caso y para conseguir este
campo eléctrico deberíamos aplicar una ddp entre placas de V= 20x105 volt/mx0.0001m= 200
voltios de continua.

El cálculo anterior tuvo por objetivo mostrar que, en la zona de carga espacial, reside un campo
eléctrico muy intenso el cual determina la separación de los portadores de carga, electrones y
lagunas generados por acción de la luz, remitiendo las lagunas a la zona P mientras que los
electrones son direccionados a la zona N. Esta separación de cargas hace que la zona P adquiera
un potencial positivo respecto de la zona N. Es decir que la juntura PN se transforma en un
generador de corriente debido a la acción de la luz pensada ésta como un transporte de fotones
o paquetes de energía de valor hν (generador fotovoltaico).

3.3 Curva característica de tensión-corriente de un generador fotovoltaico. Circuito

equivalente.

Un análisis interesante surge de considerar, ¿cuál sería la ddp entre los bordes de la zona de
carga espacial considerando ésta como un capacitor de placas plano paralelas con una distancia
entre placas de 0.5x10-6m? Para este cálculo tenemos que usar el campo promedio en vez de
Emáx; es decir Eprom= Emáx/2=10x105volt/m debido a la igual impurificación en las zonas. De
este cálculo resulta: V=Eprom x longitud de la zona de carga espacial:
B*C
 = 10. 10A 0.5. 10= 0
0
Resultando, V≅0.5 voltio

Este es el valor máximo de tensión del generador fotovoltaico. De 0 a aproximadamente 0.5

voltio provee una corriente prácticamente constante. Para tensiones mayores la corriente
disminuye a cero (Figura 24).

Figura 24: Curva característica de corriente versus tensión de un generador fotovoltaico. Se presenta, también, la
variación con la temperatura a los efectos de tener en cuenta la temperatura en la cual funcionará el dispositivo.
Finalmente, incorporamos el circuito equivalente de un generador fotovoltaico (Figura 25). Está
constituido por a) una fuente de corriente constante, IL, cuya curva característica se muestra en
la Figura 24; el diodo de unión PN; una resistencia en paralelo, RSH, y una resistencia serie, Rs.
Este circuito equivalente es al que se aplica a una resistencia exterior o resistencia de carga, R
sobre la cual desarrolla la potencia el dispositivo.

Figura 25: Circuito equivalente de un generador fotovoltaico.

La ecuación básica que gobierna la celda fotovoltaica se obtiene de aplicar las Leyes de Kirchhoff de corrientes (LKI) y
tensiones (LKV): La primera establece que la suma algebraica de las corrientes en un nudo (concurrencia de tres o
mas ramas) debe ser nula. Mientras que la segunda dice que la suma de caídas de potencial en una malla (cualquier
circuito cerrado) debe igualar a la fuerza electromotriz en la misma. La aplicación de estas leyes nos conduce a:

 = I − J − KL

Donde, IL representa la corriente constante de la fotocelda; ID el drenaje de corriente por el diodo (muy bajo) e ISH la
corriente de fuga por la zona de carga espacial (también muy baja). Es evidente, si analizamos la característica tensión
corriente del diodo que, la limitación a =0.5 V de la tensión de la fotocelda es debido a que si se supera ese valor el
diodo entra a conducir en forma directa y con ello absorbe toda la corriente de la fotocelda. Finalmente, aunque
huelga aclarar se considera conectada una resistencia, R, entre los puntos de salida.

Las fórmulas para ID e ISH resultan:

!
J = : M !" − 1


KL =
NOL

Siendo V la tensión a los extremos de la fotocelda. Finalmente, la tensión sobre la resistencia de salida resulta:

 − NO

Con RS representa la resistencia en serie con la celda.

-0-0-0-