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UNIVERSIDAD DE CUENCA FACULTAD DE INGENIERA ESCUELA DE INGENIERA ELECTRNICA Y TELECOMUNICACCIONES

LABORATORIO DE ELECTRNICA ANALGICA

PRCTICA 1 EL DIODO SEMICONDUCTOR, PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

PROFESOR: ING. JUAN SANANGO REALIZADA POR:

RESUMEN: A travs de esta prctica se planea estudiar el


funcionamiento de los diodos semiconductores, en nuestro caso del diodo semiconductor N1 4148. Yendo desde una estructura terica hacia la prctica, analizaremos su comportamiento con diferentes clases de circuitos de los cuales se obtendrn sus curvas caractersticas. Se utilizaran tcnicas y comparaciones para comprobar los resultados tericos y prcticos, es este caso la ecuacin de Shockley.

SUSTENTO TEORICO:
Semiconductor: Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya conductividad se encuentra entre la de un buen conductor y la

de un aislante. Los tres semiconductores ms frecuentemente utilizados en la construccin de dispositivos electrnicos son Ge, Si y GaAs. Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado se conoce como material extrnseco. Hay dos materiales extrnsecos de inmensurable importancia en la fabricacin de dispositivos semiconductores: materiales tipo n y tipo p. Un material tipo n se crea introduciendo elementos de impureza que contienen cinco electrones de valencia (pentavalentes), como el antimonio, el arsnico y el fsforo. El trmino valencia se utiliza para indicar que el potencial (potencial de ionizacin) requerido para remover cualquiera de estos electrones de la estructura atmica es significativamente ms bajo que el requerido para cualquier otro electrn en la estructura. Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se conocen como tomos donadores. El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro con tomos de impureza que tienen tres electrones de valencia. Los elementos ms utilizados para este propsito son boro, galio e indio. El diodo semiconductor, se crea uniendo un material tipo n a un material tipo p, slo la unin de un material con un portador mayoritario de electrones a uno con un portador mayoritario de huecos.

Figura 1 Diodo. Smbolo elctrico

Cuando un diodo es sometido a la accin de una fuente de tensin continua, este responder de acuerdo al nivel de tensin y la polaridad de dicha fuente. Son dos las regiones que se definen bajo estas circunstancias, la regin de polarizacin directa y la regin de polarizacin inversa. En un diodo con polarizacin directa circular una corriente elctrica que se incrementara de forma exponencial a medida que se incrementa el potencial de polarizacin. La corriente en condiciones de polarizacin en inversa se llama corriente de saturacin en inversa y est representada por IS. El trmino saturacin se deriva del hecho de que alcanza su nivel mximo con rapidez y que no cambia de manera significativa con los incrementos en el potencial de polarizacin en inversa. Mediante la ecuacin de Shockley se puede demostrar las caractersticas generales de un diodo semiconductor, la cual es la siguiente:

IS : corriente de saturacin en inversa. VD: voltaje de polarizacin en directa aplicado a travs del diodo. n: factor de idealidad, el cual es una funcin de las condiciones de operacin y construccin fsica; vara entre 1 y 2 segn una amplia diversidad de factores. VT: voltaje trmico VT=kT/q
-23

k: la constante de Boltzmann =1.38 X 10

J/K

T: temperatura absoluta en Kelvin = 273 + la temperatura en C. q: magnitud de la carga del electrn = 1.6 X 10-19 C.

Figura 2 Caractersticas del diodo semiconductor de silicio

DESARROLLO:
Objetivo General:
Describir el funcionamiento de un diodo semiconductor e interpretar su curva caracterstica.

Objetivos Especficos:
Emplear el catlogo u hojas caractersticas para diodo semiconductor. Conectar adecuadamente los instrumentos de medicin tensin e Intensidad. Emplear y familiarizar la utilizacin de un software simulacin (NI Multisim 12). Determinar el funcionamiento del diodo aplicando polarizacin directa e inversa. un de de la

Construir la curva semiconductores.

caracterstica

de

los

diodos

MATERIALES:

Fuente Variable de CC, Voltmetro CC, Miliampermetro CC, Diodo 1N4148, Resistencia 220, cables de conexin.

PROCEDIMIENTO:
a) Completar los valores de la Tabla I, de acuerdo a las especificaciones de la hoja caracterstica del diodo semiconductor 1N4148. Para este literal hemos usado una hoja de caractersticas del elemento de estudio (diodo 1N4148), la cual se la puede encontrar en la red donde cada fabricante entrega un pequeo catalogo para cada elemento electrnico, en nuestro caso hemos usado la hoja de caractersticas de la empresa PHILLIPS.
TABLA I.

DIODO 1N4148 VT ID IS VZENER b) Armar el circuito de la Figura 1 1.0V 200mA 25nA 75 V

Figura 3 Polarizacin Directa de un Diodo Semiconductor

c) Variar el voltaje de la fuente de acuerdo a los valores sugeridos de la Tabla I Emplee el voltmetro y ampermetro en la escala adecuada y complete la tabla.
TABLAII.

VS 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 1 2 3 4 5

VD 0,084 0,222 0,302 0,34 0,397 0,565 0,593 0,608 0,637 0,7 0,731 0,751 0,765

ID 2,00E-08 2,00E-07 2,41E-06 4,95E-06 1,08E-05 3,10E-04 5,70E-04 8,00E-04 1,52E-03 5,52E-03 1,00E-02 1,39E-02 1,82E-02

d) Armar el circuito de la Figura 2. Realizar las mediciones correspondientes y completar la Tabla III. para los valores sugeridos de VS.

Figura 4 Polarizacin Inversa de un Diodo Semiconductor

TABLA III.

VS 1 2 3 4 5 (V) VD -0,98 -2,03 -2,97 -4 -5,02 (V) IS -0,08E-06 -0,18E-06 -0,28E-06 -0,38E-06 -0,48E-06 (A) e) Graficar la curva caracterstica del diodo de acuerdo a los valores obtenidos en las mediciones en los puntos c) y d).
0.016 0.014 0.012 Corriente (A) 0.01 0.008 0.006 0.004 0.002 0 -0.002 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 Voltaje (V)

Figura 5 Curva caracterstica-polarizacin directa

0.00E+00 -6.00E+00 -5.00E+00 -4.00E+00 -3.00E+00 -2.00E+00 -1.00E+00 0.00E+00 -1.00E-07 Corriente (A) -2.00E-07 -3.00E-07 -4.00E-07 -5.00E-07 -6.00E-07

Voltaje (V)

Figura 6 Curva caracterstica-polarizacin inversa

f) Completar la Tabla IV, empleando la ecuacin caracterstica de un diodo semiconductor de Silicio: . Considere temperatura ambiente de 25C. NOTA: Para el valor de IS tomar la media aritmtica de los valores obtenidos en (d).

IS = -0,28E-06

Con

tenemos:

TABLA IV.

VS -5 -4 -3 -2 -1 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7

VD -5 -4 -3 -2 -1 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7

ID -1 -1 -1 -1 -1 -0,99999972 -0,9999863 -0,99932926 -0,96717155 0,60674794 77,6403034 3847,95302 188381,276


200000 150000 Corriente (A) 100000 50000 0 -6 -5 -4 -3 -2 -1 -50000 0 1

Voltaje (V)
Figura 7 Curva caracterstica-Ecuacin de Shockley

g) Comparar y analizar los resultados obtenidos en los puntos c), d) y f) En la grfica del literal c) tenemos un circuito en el que el diodo se encuentra polarizado en directa , se observa que hasta cierto valor de tensin, la corriente que pasa por el diodo tiende a ser cero, o muy baja, y solo conducir cuando la tensin del diodo supere la barrera de potencial. El comportamiento de la tensin vs corriente en el diodo es exponencial. En tanto, para los resultados mostrados por la grfica en el literal d) nos revela un comportamiento donde podemos darnos cuenta que las corrientes son casi nulas. Cuando la tensin aplicada es negativa, la corriente se mantiene en un nivel muy bajo, denominado corriente de saturacin inversa. En esta condicin el diodo se puede considerar como un circuito abierto. Y para el literal f), se calcul la corriente del diodo mediante la ecuacin de Shockley con las caractersticas propias del diodo 1N4148 que se encuentran en su hoja de especificaciones. Podemos observar que a medida que aumentamos el valor de voltaje en la fuente la curva se vuelve casi vertical, para valores negativos de VD la

corriente se mantiene comportamiento de un diodo.

constante.

Describiendo

el

h) Armar el circuito de la fig. 2. Ajustar el voltaje de la fuente al valor del Voltaje Zener del diodo 1n4148 indicado en su hoja de especificaciones y hacer 5 incrementos de 5V. (Ej: Vz=200V,205V, 210V, 215V, 220V, 225). En cada uno de estos incrementos, El voltaje del diodo V vara significativamente? Explique por qu. VS (V) VD (V)

-75,7 -75,68

-80,2 -80,19

-85,2 -85,18

-90,4 -90,38

-95,2 -95,18

No vara significativamente. La corriente inversa del diodo se mantendr casi constante mientras la fuente no se supere un nivel de tensin conocido como tensin Zener. En este caso se super esta tensin, y cuando la fuente supera este nivel, la corriente inversa se incrementa en forma exponencial, y la tensin en las terminales del diodo se fijar al nivel Zener.

CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
El voltaje de encendido del diodo de silicio se da a partir de un valor cercano a 0.7. En polarizacin inversa, la corriente del diodo tiende a cero. Valores de voltajes superiores al voltaje zener aplicados a un diodo se mantienen constantes. Se recomienda practicar en el software de simulacin antes de presentar cualquier prctica para as no ocasionar desperfectos en los componentes que se vayan a utilizar.

BIBLIOGRAFIA
1. BOYLESTAD, ROBERT L. y LOUIS, NASHELSKY. Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos. Mxico : PEARSON EDUCATION, 2009. 978-607-442-292-4. 2. MALVINO, ALBERT PAUL. Principios de electrnica. Madrid : Mc-GRAW-HILL/INTERAMERICANA DE ESPAA,S.A.U, 2000.