Resumen

En el modelo clásico de la conducción eléctrica en metales, se supone que los electrones de

valencia exteriores de los átomos del metal tienen la libertad de moverse entre los núcleos de
iones positivos (átomos sin sus electrones de valencia) de la red metálica. En presencia de un
potencial eléctrico aplicado, los electrones libres alcanzan una velocidad de arrastre dirigida. El
movimiento de los electrones y de su carga eléctrica asociada en un metal constituye una
corriente eléctrica. Por convención, la corriente eléctrica se considera como un flujo de carga
positiva, el cual está en dirección opuesta al flujo de electrones.

En el modelo de bandas de energía para la conducción eléctrica en metales, los electrones de

valencia de los átomos de metal interactúan y se interpenetran entre sí para formar bandas de
energía. Puesto que se trasladan las bandas de energía de los electrones de valencia de los
átomos metálicos, produciendo bandas de energía compuestas parcialmente llenas, se
requiere muy poca energía para excitar a los electrones de energía más alta de manera que
tengan libertad de ser conductores. En los aislantes, los electrones de valencia están
firmemente ligados a sus átomos mediante enlaces iónicos y covalentes y no tienen la libertad
de conducir electricidad a menos que se energicen de manera considerable. El modelo de
bandas de energía para un aislador consiste en una banda de valencia inferior llena y en una
banda de conducción superior vacía. La banda de valencia está separada de la banda de
conducción por una brecha de energía (alrededor de 6 a 7 eV, por ejemplo). De este modo,
para que los aisladores sean conductores, debe aplicarse una gran cantidad de energía para
ocasionar que los electrones de valencia “salten” la brecha. Los semiconductores intrínsecos
tienen una brecha de energía relativamente pequeña (es decir, alrededor de 0.7 a 1.1 eV)
entre sus bandas de valencia y de conducción. Al impurificar los semiconductores intrínsecos
con átomos de impurezas para hacerlos extrínsecos, la cantidad de energía que se requiere
para conseguir que los semiconductores sean conductores se reduce de manera considerable.

Los semiconductores extrínsecos pueden ser de tipo n o de tipo p. Los de tipo n (negativos)
tienen electrones como sus portadores mayoritarios. Los de tipo p (positivo) tienen huecos
(electrones faltantes) como sus portadores de carga mayoritarios. Al fabricar uniones pn en un
solo cristal de un semiconductor como el silicio, es posible construir varios tipos de dispositivos
semiconductores. Por ejemplo, los diodos de unión pn y los transistores npn pueden
producirse utilizando estas uniones. La tecnología microelectrónica moderna se ha
desarrollado a tal grado que miles de transistores pueden colocarse en un “chip” de silicio
semiconductor menor que 0.5 cm cuadrados y casi de 0.2 mm de espesor. La compleja
tecnología microelectrónica ha posibilitado microprocesadores y memorias de computadora
muy sofisticados.

Los materiales cerámicos suelen ser buenos aislantes eléctricos y térmicos debido a la ausencia
de electrones de conducción, y, por ello, muchas cerámicas se utilizan en el aislamiento
eléctrico y los refractarios. Algunos materiales cerámicos pueden polarizarse de modo
considerable con carga eléctrica y se usan para materiales dieléctricos en capacitores. La
polarización permanente de algunos materiales cerámicos produce propiedades
piezoeléctricas que permiten que estos materiales se utilicen como transductores
electromecánicos. Otros materiales cerámicos, por ejemplo, el Fe3O4 , son semiconductores y
encuentran aplicación como termistores en mediciones de temperatura.
La investigación en nanotecnología avanza hacia la fabricación de dispositivos electrónicos con
dimensiones de nanómetros. Se prevé que los pozos cuánticos entregarán corrientes en
nanodispositivos donde es imposible el alambrado eléctrico.

Palabras Nuevas
Transductor: dispositivo que actúa mediante la potencia de una fuente y transmite potencia
en otra forma a un segundo sistema. Por ejemplo, un transductor puede convertir energía
sonora de entrada en una respuesta eléctrica de salida.

Efecto piezoeléctrico: efecto electromecánico mediante el cual las fuerzas mecánicas en un

material ferroeléctrico pueden producir una respuesta eléctrica y las fuerzas eléctricas, una
respuesta mecánica.

Polarización: el alineamiento de pequeños dipolos eléctricos en un material dieléctrico para

producir un momento dipolar neto en el material.

Temperatura de Curie (de un material ferroeléctrico): la temperatura a la cual un material

ferroeléctrico en enfriamiento experimenta un cambio de estructura cristalina que produce la
polarización espontánea en el material. Por ejemplo, la temperatura de Curie del BaTiO3 es
120°C.

Termistor: dispositivo semiconductor cerámico en el que cambia la resistividad cuando varía la

temperatura y se utiliza para medir y controlar esta misma.

Material ferroeléctrico: material que puede polarizarse aplicando un campo eléctrico.

Resistencia dieléctrica: el voltaje por longitud unitaria (campo eléctrico) al cual un material
dieléctrico permite la conducción; esto es, el campo eléctrico máximo que un dieléctrico puede
soportar sin ruptura eléctrica

Capacitor: dispositivo eléctrico compuesto por dos placas o láminas separadas por capas de
material dieléctrico y capaz de almacenar carga eléctrica.