2.

1 MATERIALES SEMICONDUCTORES
Los primeros semiconductores utilizados para fines tcnicos fueron pequeos detectores diodos empleados a principios del siglo 20 en los primitivos radiorreceptores, que se conocan como de galena. Ese nombre lo tom el radiorreceptor de la pequea piedra de galena o sulfuro de plomo (PbS) que haca la funcin de diodo y que tenan instalado para sintonizar las emisoras de radio. La sintonizacin se obtena moviendo una aguja que tena dispuesta sobre la superficie de la piedra. Aunque con la galena era posible seleccionar y escuchar estaciones de radio con poca calidad auditiva, en realidad nadie conoca que misterio encerraba esa piedra para que pudiera captarlas. Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por ejemplo, constituyen elementos que poseen caractersticas intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas condiciones esos mismos elementos permiten la circulacin de la corriente elctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna, detectar seales de radio, amplificar seales de corriente elctrica, funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en electrnica digital, etc.

Lugar que ocupan en la Tabla Peridica los trece elementos con. Caractersticas de semiconductores, identificados con su correspondiente. Nmero atmico y grupo al que pertenecen. Los que aparecen con fondo. Gris corresponden a metales, los de fondo verde a metaloides y los de. Fondo azul a no metales. Esos elementos semiconductores que aparecen dispuestos en la Tabla Peridica constituyen la materia prima principal, en especial el silicio (Si), para fabricar diodos detectores y rectificadores de corriente, transistores, circuitos integrados y microprocesadores.

Los tomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco electrones en su ltima rbita, de acuerdo con el elemento especfico al que pertenecen. No obstante, los elementos ms utilizados por la industria electrnica, como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en su ltima rbita. En este caso, el equilibrio elctrico que proporciona la estructura molecular cristalina caracterstica de esos tomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones. Normalmente los tomos de los elementos semiconductores se unen formando enlaces covalentes y no permiten que la corriente elctrica fluya a travs de sus cuerpos cuando se les aplica una diferencia de potencial o corriente elctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad elctrica alguna, se comportan de forma similar a un material aislante. Edison Alfredo Culajay Sian
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TABLA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES Nmero Atmico 48 5 13 31 49 14 32 15 33 51 16 34 52 Nombre del Elemento Cd (Cadmio) B (Boro) Al (Aluminio) Ga (Galio) In (Indio) Si (Silicio) Ge (Germanio) P (Fsforo) As (Arsnico) Sb (Antimonio) S (Azufre) Se (Selenio) Te (Telurio) VIa Va IVa Metaloide No metal Metaloide No metal Metaloide 6 e+2, -2 +4, +6 4 e5 e+4 +3, -3, +5 IIIa Grupo en la Electrones en Nmeros de Categora Tabla Peridica la ltima rbita valencia IIa Metal Metaloide Metal 2 e3e
-

+2 +3

2.2 UNION PN
Para comprender la conduccin de corrientes en los semiconductores, debemos entender primero como funciona la unin P-N, es decir la unin de un semiconductor tipo P donde hay huecos libres y un semiconductor tipo N donde hay electrones libres.

La unin P-N la conocemos en los diodos, cuando aplicamos un voltaje a la unin P-N los

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electrones y los huecos se mueven respectivamente hacia la unin de los dos materiales porque polaridades del mismo signo se repelen, el voltaje positivo que se aplica al material tipo P repele los huecos y estos cruzan la unin hacia el material tipo N, y as cada hueco encuentra un electrn y de esta forma las cargas se neutralizan, por otro lado los electrones cruzan la unin hacia el material tipo P y sucede lo mismo, los electrones y huecos que se neutralizan son remplazados por mas electrones y huecos que entran en la unin P-N. Entonces si se aplica el voltaje positivo al material tipo P y el voltaje negativo al tipo N la corriente fluye y es lo que nosotros llamamos polarizacin directa. Cuando invertimos este voltaje los huecos y electrones son atrados a cada terminal y se alejan de la unin, lo que hace que las partculas cargadas no puedan pasar la unin y de esta forma el flujo de corriente se anula, esto es lo que conocemos como polarizacin inversa. Esta propiedad de dejar pasar o bloquear la corriente en un semiconductor de unin P-N no solo se usa en los diodos sino tambin en los transistores.

Polarizacin

Corrientes en los semiconductores Para hablar de la corriente en los semiconductores debemos tener varios conceptos claros y as entender mejor las cosas. Cuando hablamos de corriente elctrica nos estamos refiriendo al flujo de carga elctrica, es decir, los portadores de carga que se mueven libremente por un conductor producen una corriente y ese movimiento puede ser originado mediante una excitacin por medio de energa. Los mecanismos o formas de excitacin para producir el movimiento de estos portadores de carga se llaman fenmenos de transporte que pueden producir conduccin por arrastre o por difusin. La conduccin por arrastre se presenta cuando a un material semiconductor se le aplica una diferencia de potencial es decir un voltaje, o se somete a un campo elctrico. El campo elctrico hace que los portadores de carga es decir electrones y huecos, tomen una direccin y una velocidad, y de esta forma se produce una corriente de arrastre. La cantidad de cargas de esta corriente que se mueven por el conductor en un determinado tiempo depende de la fuerza con que acta el campo elctrico.

Para entender esto de una manera sencilla ya sabemos por ejemplo que en un Edison Alfredo Culajay Sian
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semiconductor los electrones se estn moviendo continuamente y de forma aleatoria debido a la influencia de la energa trmica, pero cuando se le aplica la influencia de un campo elctrico, cada electrn percibe una fuerza que hace que los electrones se muevan con sentido contrario al campo elctrico y los huecos si se muevan en el mismo sentido de este. La fuerza que ejerce el campo elctrico en los electrones y huecos hace que estos se muevan con una velocidad que se conoce como velocidad de arrastre.

Difusin en unin PN
Cuando no hay campos elctricos aplicados los portadores de carga se mueven aleatoriamente y se dispersan generando un flujo de corriente, llamada corriente de difusin que se da porque hay una diferencia en la concentracin de huecos y electrones originada en la unin P-N. Entonces de esta forma los huecos y los electrones se pasaran al otro material, es decir, los electrones del semiconductor tipo N al tipo P y los huecos del semiconductor tipo P al tipo N, con la intencin de combinarse. De esta manera quedan iones en la parte ms cercana a la unin de cada material quedando iones positivos en el material tipo N y iones negativos en el material tipo P. En la regin que van formando estos iones cerca de la unin de los semiconductores tipo N y tipo P se va generando un campo elctrico. La corriente de arrastre es originada por el movimiento aleatorio de portadores de carga los cuales estn influidos por un campo elctrico, y la corriente de difusin es la concentracin de portadores de carga en zonas menos concentradas, estas dependen del gradiente de concentracin.

2.3 DIODO
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que Edison Alfredo Culajay Sian
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son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los experimentos de Lee De Forest. Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados vlvulas termoinicas constituidas por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las lmparas incandescentes. El invento fue desarrollado en1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basndose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison. Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen

un filamento (el ctodo) a travs del cual circula la corriente, calentndolo por efecto Joule. El filamento est tratado con xido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vaco circundante los cuales son conducidos electrostticamente hacia una placa, curvada por un muelle doble, cargada positivamente (el nodo), producindose as la conduccin. Evidentemente, si el ctodo no se calienta, no podr ceder electrones. Por esa razn, los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco requeran un tiempo para que las vlvulas se calentaran antes de poder funcionar y las vlvulas se quemaban con mucha facilidad.

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2.4 Tipos de diodos

DIODO DETECTOR O DE BAJA SEAL

DIODO RECTIFICADOR

DIODO ZNER

DIODO VARACTOR.

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DIODO EMISOR DE LUZ (LEDS)

DIODO LSER

DIODO ESTABILIZADOR.

DIODO TNEL.

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DIODO PIN.

DIODO BACKWARD.

DIODO SCHOTTKY.

FOTODIODOS.

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2.4.1 DIODO Rectificador 2N1849.

En electrnica, un rectificador es el elemento o circuito que permite convertir la corriente alterna en corriente continua. Esto se realiza utilizando diodos rectificadores, ya sean semiconductores de estado slido, vlvulas al vaco o vlvulas gaseosas como las de vapor de mercurio (actualmente en desuso). Dependiendo de las caractersticas de la alimentacin en corriente alterna que emplean, se les clasifica en monofsicos, cuando estn alimentados por una fase de la red elctrica, o trifsicos cuando se alimentan por tres fases. Atendiendo al tipo de rectificacin, pueden ser de media onda, cuando slo se utiliza uno de los semi-ciclos de la corriente, o de onda completa, donde ambos semi-ciclos son aprovechados. El tipo ms bsico de rectificador es el rectificador monofsico de media onda, constituido por un nico diodo entre la fuente de alimentacin alterna y la carga.
RECTIFICACION MONOFASICA NO CONTROLADA

La rectificacin no controlada requiere un estudio previo de las necesidades, ya que el circuito rectificador tan solo funcionar de la forma correcta si todas la condiciones de contorno con las que se ha realizado el clculo se cumplen. Es decir, tanto la tensin de entrada como la carga RL han de ser las especificadas.

2.4.1.1 Circuitos rectificadores de media onda.

Es construido con un diodo ya que este pude mantener el flujo de corriente en una sola direccin, se puede utilizar para cambiar una seal de ac a una de dc. En la figura I. se muestra un circuito rectificador de media onda. Cuando la tensin de entrada es positiva, el diodo se polariza en directo y se puede sustituir por un corto circuito. Si la tensin de entrada es negativa el diodo se polariza en inverso y se puede remplazar por un circuito abierto. Por tanto cuando el diodo se polariza en directo, la tensin de salida a travs de la carga se puede hallar por medio de la relacin de un divisor de tensin sabemos adems que el diodo requiere 0.7 voltios para polarizarse as que la tensin de salida est reducida en esta cantidad (este voltaje depende del material de la juntura del diodo). Cuando la polarizacin es inversa, la corriente es cero, de manera que la tensin de salida tambin es cero. Este rectificador no es muy eficiente debido a que durante la mitad de cada ciclo la entrada se bloquea completamente desde la salida, perdiendo as la mitad de la tensin de alimentacin. El voltaje de salida en este tipo de rectificador es aproximadamente 0.45 voltaje mximo de la seal de entrada. La forma de onda que observamos a la salida se muestra en la figura II.

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2.4.1.2 Circuitos rectificadores de onda completa.

Un rectificador de onda completa convierte la totalidad de la forma de onda de entrada en una polaridad constante (positiva o negativa) en la salida, mediante la inversin de las porciones (semiciclos) negativas (o positivas) de la forma de onda de entrada. Las porciones positivas (o negativas) se combinan con las inversas de las negativas (positivas) para producir una forma de onda parcialmente positiva (negativa).
Rectificador de onda completa mediante dos diodos con transformador de punto medio.

Figura 2.- Circuito rectificador de K onda completa.

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2.4.2 DIODO ZNER

Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su capacidad de mantener un Voltaje constante en sus terminales cuando se encuentran polarizados inversamente, y por ello se emplean como elementos de control, se les encuentra con capacidad de watt hasta 50 watt y para tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios. El diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo normal, su voltaje Permanece cerca de 0.6 a 0.7 V. Los diodos zener se identifican por una referencia, como por ejemplo: 1N3828 BZX85, y se especifican principalmente por su voltaje zener nominal (VZ) y la potencia mxima que pueden absorber en forma segura sin destruirse (PZ)

2.4.3 DIODO EMISOR DE LUZ (LEDS).

Es un diodo que entrega luz al aplicrsele un determinado voltaje. Cuando esto sucede, Ocurre una recombinacin de huecos y electrones cerca de la unin NP; si este se ha polarizado directamente la luz que emiten puede ser roja, mbar, amarilla, verde o azul dependiendo de su composicin.

Los LEDs se especifican por el color o longitud de onda de la luz emitida, la cada de Voltaje directa (VF), el mximo voltaje inverso (VR), la mxima corriente directa (IF) y la intensidad luminosa. Tpicamente VF es del orden de 4 V a 5 V. Se consiguen LEDs con valores de IF desde menos de 20 mA hasta ms de 100 mA e intensidades desde menos de 0.5 mcd (milicandelas) hasta ms de 4000 mcd. Entre mayor sea la corriente aplicada, mayor es el brillo, y viceversa. El valor de VF depende del color, siendo mnimo para LEDs rojos y mximo para LEDs azules. Los LEDs deben ser protegidos mediante una resistencia en serie, para limitar la corriente a travs de este a un valor seguro, inferior a la IF mxima.

Tambin deben protegerse contra voltajes inversos excesivos. Un voltaje inverso superior a 5V causa generalmente su destruccin inmediata del LED. Edison Alfredo Culajay Sian
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2.4.4 FOTODIODOS.
Los fotodiodos son diodos provistos de una ventana transparente cuya corriente inversa Puede ser controlada en un amplio rango regulando la cantidad de luz que pasa por la ventana e incide sobre la unin PN. A mayor cantidad de luz incidente, mayor es la corriente inversa producida por que se genera un mayor nmero de portadores minoritarios, y viceversa. Son muy utilizados como sensores de luz en fotografa, sistemas de iluminacin, contadores de objetos, sistemas de seguridad, receptores de comunicaciones pticas y otras aplicaciones.

2.5 TRANCISTOR
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para producir una seal de salida en respuesta a otra seal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistencia de transferencia).

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2.5.1 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR

El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un mono cristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o huecos (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P). La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector). El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin. TIPOS DE TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR

NPN
es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de Edison Alfredo Culajay Sian
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material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisorcomn es amplificada en la salida del colector. La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.

Ejemplo Prctico de NPN.

En la imagen, se tiene un transistor de NPN cuyo punto Q de funcionamiento en continua es desconocido. Se debe calcular dicho punto Q y calcularlo en la RCE. 1 Paso:
Ib = (Vbb - 0,7)/Rb Reemplazando los datos: Ib = (5V - 0,7)/500 = 0,0086 mA 2 Paso: Ic = .Ib = 100 * 0,0086 = 0,8 mA 3 Paso: Vce = Vcc - Rc.Ic = 12 - 0,8 * 2 = 10,4 V

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En este grfico se muestra el resultado obtenido, con Vcc/Rc indicando el 6 mA en la recta de la Intensidad, y Vce indicando la Tensin necesaria para polarizar al transistor

PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.

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REGIONES OPERATIVAS DEL TRANSISTOR Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por la forma en que son polarizados:

Regin activa en cuanto a la polaridad:

Corriente del emisor = ( + 1)Ib ; corriente del colector= Ib

Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal.

Regin inversa:

Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0) De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

Corriente de colector corriente de emisor = corriente mxima, (Ic Ie = Imax)

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y el emisor desciende por debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando el transistor esta en saturacin, la relacin lineal de amplificacin Ic=Ib (y por ende, la relacin Ie=(+1)Ib ) no se cumple.

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2.5.3 CONFIGURACIONES BSICAS DEL TRANSISTOR.

Los transistores son elementos muy verstiles. Podemos conectarlos dentro de un circuito de muy diferentes maneras, obteniendo distintos comportamientos. Por ejemplo se puede conseguir ganancia en tensin, en intensidad o en ambas, segn la clase configuracin. Hay tres tipos de configuraciones bsicas del transistor BJT: emisor comn, colector comn y base comn.

Es evidente que los transistores no se utilizan como elemento nico en los circuitos sino que forman parte de una red ms o menos complicada de elementos unidos entre s. La forma de comportarse dentro de este circuito va a ser lo que nos ocupe en las siguientes lneas.

Un transistor en el seno de un circuito se ve afectado por las distintas intensidades de corriente que lo atraviesan y por las tensiones a las que estn sometidos sus terminales. Como ya sabemos, un transistor, al tener tres terminales, se puede conectar de varias formas. Cada manera de conectarlo se llama configuracin, y segn como est unido se va a comportar de una forma u otra. Existen tres tipos de configuraciones bsicas para el transistor BJT, a saber: emisor comn (EC), base comn (BC) y colector comn (CC). En la ilustracin correspondiente vemos representados estos tres tipos de circuitos, prescindiendo de cualquier otro elemento, como pueden ser bateras, condensadores, etc. Hemos dejado solos a los transistores para poder ver mejor como estn conectados. El nombre de comn se le da al terminal del transistor que es compartido por la entrada y la salida.

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2.6 Dispositivo de Cuatro Capas.

Una familia de dispositivos conocidos como tiristores se construye con cuatro capas semiconductoras (pnpn). Estos dispositivos actan como circuitos abiertos capaces de soportar cierto voltaje nominal hasta que son disparados. Cuando son disparados, se encienden y se convierten en trayectorias de baja resistencia para la corriente y permanecen as, incluso despus de que desaparece el disparo. La palabra tiristor viene del griego y significa puerta, puesto que se comporta como una puerta que se abre y permite el paso de corriente a travs de ella. Un tiristor es un dispositivo semiconductor que utiliza realimentacin interna para producir un nuevo tipo de conmutacin. Al igual que los FET de potencia, el SCR y el triac pueden conmutar grandes corrientes. Por ello, la principal aplicacin de estos dispositivos es el control de grandes corrientes de carga para motores, calentadores, sistemas de iluminacin y otras cargas semejantes. En s, el tiristor es un conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez, el tiristor es un componente idneo en electrnica de potencia. El Triac por su parte no es sino la variante bidireccional. Rectificador controlado de Silicio. El rectificador controlado de silicio (en ingls SCR: Silicon Controlled Rectifier) es un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unin de Tiratrn (tyratron) y Transistor. Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y gate (puerta). La puerta es la encargada de controlar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona bsicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensin en la puerta del SCR no se inicia la conduccin y en el instante en que se aplique dicha tensin, el tiristor comienza a conducir. El pulso de disparo ha de ser de una duracin considerable, o bien, repetitivo. Segn se atrase o adelante ste, se controla la corriente que pasa a la carga. Una vez arrancado, podemos anular la tensin de puerta y el tiristor continuar conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento.

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2.6 TIRISTOR

El tiristor es un componente electrnico constituido por elementos semiconductores que utiliza realimentacin interna para producir una conmutacin. Los materiales de los que se compone son de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como aislantes o como conductores. Son dispositivos unidireccionales porque solamente transmiten la corriente en un nico sentido. Se emplea generalmente para el control de potencia elctrica. El dispositivo consta de un nodo y un ctodo, donde las uniones son de tipo PNPN entre los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores tpicos PNP y NPN, por eso se dice tambin que el tiristor funciona con tensin realimentada. Se crean as 3 uniones (denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta est conectado a la unin J2 (unin NP). Algunas fuentes definen como sinnimos al tiristor y al rectificador controlado de silicio (SCR);1 otras definen al SCR como un tipo de tiristor, a la par que los dispositivos DIAC y TRIAC.

2.6.1 Aplicaciones de TIRISTORES

Normalmente son usados en diseos donde hay corrientes o voltajes muy grandes, tambin son comnmente usados para controlar corriente alterna donde el cambio de polaridad de la corriente revierte en la conexin o desconexin del dispositivo. Se puede decir que el dispositivo opera de forma sncrona cuando, una vez que el dispositivo est abierto, comienza a conducir corriente en fase con el voltaje aplicado sobre la unin ctodo-nodo sin la necesidad de replicacin de la modulacin de la puerta. En este momento el dispositivo tiende de forma completa al estado de encendido. No se debe confundir con la operacin simtrica, ya que la salida es unidireccional y va solamente del Edison Alfredo Culajay Sian
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ctodo al nodo, por tanto en s misma es asimtrica. Los tiristores pueden ser usados tambin como elementos de control en controladores accionados por ngulos de fase, esto es una modulacin por ancho de pulsos para limitar el voltaje en corriente alterna. En circuitos digitales tambin se pueden encontrar tiristores como fuente de energa o potencial, de forma que pueden ser usados como interruptores automticos magnetotrmicos, es decir, pueden interrumpir un circuito elctrico, abrindolo, cuando la intensidad que circula por l se excede de un determinado valor. De esta forma se interrumpe la corriente de entrada para evitar que los componentes en la direccin del flujo de corriente queden daados. El tiristor tambin se puede usar en conjunto con un diodo Zener enganchado a su puerta, de forma que cuando el voltaje de energa de la fuente supera el voltaje zener, el tiristor conduce, acortando el voltaje de entrada proveniente de la fuente a tierra, fundiendo un fusible. La primera aplicacin a gran escala de los tiristores fue para controlar la tensin de entrada proveniente de una fuente de tensin, como un enchufe, por ejemplo. A comienzo de los 70 se usaron los tiristores para estabilizar el flujo de tensin de entrada de los receptores de televisin en color. Se suelen usar para controlar la rectificacin en corriente alterna, es decir, para transformar esta corriente alterna en corriente continua (siendo en este punto los tiristores onduladores o inversores), para la realizacin de conmutaciones de baja potencia en circuitos electrnicos. Otras aplicaciones comerciales son en electrodomsticos (iluminacin, calentadores, control de temperatura, activacin de alarmas, velocidad de ventiladores), herramientas elctricas (para acciones controladas tales como velocidad de motores, cargadores de bateras), equipos para exteriores (aspersores de agua, encendido de motores de gas, pantallas electrnicas...) En fotografa el primer uso del tiristor, se dio en el flash electrnico, en los aos 80. Antes de esto, cuando se disparaba un flash, este botaba toda la carga acumulada, necesitando 10 o ms segundos para recargar completamente. Cuando se usaban combinados con el modo automtico de exposicin, el dispositivo solo ocupa la proporcin de carga de necesita para esa exposicin, lo que permiti acelerar increblemente los tiempos de recarga. En la actualidad estos flash permiten disparar 3 o 4 veces por segundo, adems de hacerlo con una gran precisin en la cantidad de luz emitida.

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2.7 Rel

Figura 1.- Rel enchufable para pequeas potencias.

Figura 2.- Partes de un rel.

Figura 3.- Funcionamiento de un rel

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Figura 4.- Smbolo elctrico de un rel de 1 circuito.

Figura 5.-Regleta con rels.

Figura 6.-Diferentes tipos de rels.

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Rels de Estado Slido.

El rel o relevador es un dispositivo electromecnico. Funciona como un interruptor controlado por un circuito elctrico en el que, por medio de una bobina y un electroimn, se acciona un juego de uno o varios contactos que permiten abrir o cerrar otros circuitos elctricos independientes. Dado que el rel es capaz de controlar un circuito de salida de mayor potencia que el de entrada, puede considerarse, en un amplio sentido, como un amplificador elctrico. Como tal se emplearon en telegrafa, haciendo la funcin de repetidores que generaban una nueva seal con corriente procedente de pilas locales a partir de la seal dbil recibida por la lnea.

Estructura y funcionamiento.
El electroimn hace bascular la armadura al ser excitada, cerrando los contactos dependiendo de si es N.A o N.C (normalmente abierto o normalmente cerrado). Si se le aplica un voltaje a la bobina se genera un campo magntico, que provoca que los contactos hagan una conexin. Estos contactos pueden ser considerados como el interruptor, que permite que la corriente fluya entre los dos puntos que cerraron el circuito.

Tipos de rels.
Existen multitud de tipos distintos de rels, dependiendo del nmero de contactos, de su intensidad admisible, del tipo de corriente de accionamiento, del tiempo de activacin y desactivacin, entre otros. llaman contactores en lugar de rels.
Rels electromecnicos.

Rels de tipo armadura:

Cuando

controlan

grandes potencias se

pese a ser los ms antiguos siguen siendo lo ms utilizados en

multitud de aplicaciones. Un electroimn provoca la basculacin de una armadura al ser excitado, cerrando o abriendo los contactos dependiendo de si es NA (normalmente abierto) o NC (normalmente cerrado).

Rels de ncleo mvil:

a diferencia del anterior modelo estos estn formados por un

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mbolo en lugar de una armadura. Debido a su mayor fuerza de atraccin, se utiliza un solenoide para cerrar sus contactos. Es muy utilizado cuando hay que controlar altas corrientes

Rel tipo reed o de lengeta: estn constituidos por una ampolla de vidrio, con contactos en

su interior, montados sobre delgadas lminas de metal. Estos contactos conmutan por la excitacin de una bobina, que se encuentra alrededor de la mencionada ampolla.

Rels polarizados o biestables:

se componen de una pequea armadura, solidaria a

un imn permanente. El extremo inferior gira dentro de los polos de un electroimn, mientras que el otro lleva una cabeza de contacto. Al excitar el electroimn, se mueve la armadura y provoca el cierre de los contactos. Si se polariza al revs, el giro ser en sentido contrario, abriendo los contactos cerrando otro circuito.
Rel de estado slido.

Se llama rel de estado slido a un circuito hbrido, normalmente compuesto por un optoacoplador que asla la entrada, un circuito de disparo, que detecta el paso por cero de la corriente de lnea y un triac o dispositivo similar que acta de interruptor de potencia. Su nombre se debe a la similitud que presenta con un rel electromecnico; este dispositivo es usado generalmente para aplicaciones donde se presenta un uso continuo de los contactos del rel que en comparacin con un rel convencional generara un serio desgaste mecnico.

Edison Alfredo Culajay Sian

Temario, prctica supervisada

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