Electrnica

Ing. Sergio Vzquez Castao

Transistor Darlington
El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de corriente. Est compuesto internamente por conectan es cascada. dos transistores bipolares que se

El transistor T1 entrega la corriente que sale por su emisor a la base del transistor T2. La ecuacin de ganancia de un transistor tpico es: IE= x IB (Corriente de colector es igual a beta por la corriente de base). Entonces analizando el grfico: Ecuacin del primer transistor es: IE1 = 1 x - Ecuacin del segundo transistor es: IE2 = 2 x IB2 (2) IB1 (1),

Observando el grfico, la corriente de emisor del transistor (T1) es la misma que la corriente de base del transistor T2. Entonces IE1 = IB2 (3) Entonces utilizando la ecuacin (2) y la ecuacin (3) se obtiene: IE2 = 2 x IB2 = 2 x IE1 Reemplazando en la ecuacin anterior el valor de IE1 (ver ecuacin (1) ) se obtiene la ecuacin final de ganancia del transistor Darlington. IE2 = 2 x 1 x IB1 Como se puede deducir, este amplificador tiene una ganancia mucho mayor que la de un transistor corriente, pues aprovecha la ganancia de los dos transistores. (las ganancias se multiplican). Si se tuvieran dos transistores con ganancia 100 ( = 100) conectados como un transistor Darlington y se utilizara la frmula anterior, la ganancia sera, en teora: 2 x 1 = 100 x 100 = 10000. Como se ve es una ganancia muy grande. En la realidad la ganancia es menor. Se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas grandes con corrientes muy pequeas.

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Muy importante: La cada de tensin entre la base y el emisor del transistor Darlington es 1.4 voltios que resulta de la suma de las cadas de tensin de base a emisor del primer transistor B1 a E1 (0.7 voltios) y base a emisor del segundo transistor B2 y E2 (0.7 voltios).

APLICACIONES Esta configuracin sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos transistores normales en la misma configuracin. La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo tpico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. Tambin tiene un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un nico transistor, de ah que pueda convertirse fcilmente en inestable. La tensin base-emisor tambin es mayor, siendo la suma de ambas tensiones base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta de un transistor o par darlington se halla multiplicando las de los transistores individuales. la intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la base por la beta total. Si 1 y 2son suficientemente grandes, se da que: Un inconveniente es la duplicacin aproximada de la base-emisor de tensin. Ya que hay dos uniones entre la base y emisor de los transistores Darlington, el voltaje base-emisor equivalente es la suma de ambas tensiones base-emisor: Para la tecnologa basada en silicio, en la que cada VBEi es de aproximadamente 0,65 V cuando el dispositivo est funcionando

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en la regin activa o saturada, la tensin base-emisor necesaria de la pareja es de 1,3 V. Otro inconveniente del par Darlington es el aumento de su tensin de saturacin. El transistor de salida no puede saturarse (es decir, su unin base-colector debe permanecer polarizada en inversa), ya que su tensin colector-emisor es ahora igual a la suma de su propia tensin base-emisor y la tensin colectoremisor del primer transistor, ambas positivas en condiciones de funcionamiento normal. (En ecuaciones, , as siempre.) Por lo tanto, la tensin de saturacin de un transistor Darlington es un VBE (alrededor de 0,65 V en silicio) ms alto que la tensin de saturacin de un solo transistor, que es normalmente 0,1 - 0,2 V en el silicio. Para corrientes de colector iguales, este inconveniente se traduce en un aumento de la potencia disipada por el transistor Darlington comparado con un nico transistor. Otro problema es la reduccin de la velocidad de conmutacin, ya que el primer transistor no puede inhibir activamente la corriente de base de la segunda, haciendo al dispositivo lento para apagarse. Para paliar esto, el segundo transistor suele tener una resistencia de cientos de ohmios conectada entre su base y emisor. Esta resistencia permite una va de descarga de baja impedancia para la carga acumulada en la unin base-emisor, permitiendo un rpido apagado.

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