UNIVERSIDA DE

ANTIOQUIA
FACULTAD DE
INGENIERA
DEPARTAMENTO DE
INGENIERIA MECANICA

TEMA 5 TRANSITORES
SECUENCIA UNIPOLARES DE
FABRICANTE
https://www.youtube.com/watch?v=9Z5J6Uhu_ZI
 TRANSISTORES

Historia del Transistor

El desarrollo de la
electrónica y de sus múltiples
aplicaciones fue posible gracias a
la invención del transistor, ya que
este superó ampliamente las
dificultades que presentaban sus
antecesores, las válvulas. En
efecto, las válvulas, inventadas a
principios del siglo XX, habían
sido aplicadas exitosamente en
Transistor y Válvula
telefonía como amplificadores y
posteriormente popularizadas en
radios y televisores.
 TRANSISTORES

Historia del Transistor

Uno de los mayores

inconvenientes de las válvulas,
era que consumían mucha
energía para funcionar. Esto era
causado porque calientan
eléctricamente un filamento
(cátodo) para que emita
electrones que luego son
colectados en un electrodo
(ánodo), estableciéndose así una
corriente eléctrica. Luego, por
medio de un pequeño voltaje
(frenador), aplicado entre una
grilla y el cátodo, se logra el Lámpara incandescente de Thomas
efecto amplificador, controlando el Edison
valor de la corriente, de mayor
intensidad, entre cátodo y ánodo.
 TRANSISTORES
Historia del Transistor

Los transistores, desarrollados en

1947 por los físicos Shockley, Bardeen y
Brattain, resolvieron todos estos inconvenientes
y abrieron el camino, mismo que, junto con
otras invenciones –como la de los circuitos
integrados– potenciarían el desarrollo de las
computadoras. Y todo a bajos voltajes, sin
necesidad de disipar energía (como era el caso
del filamento), en dimensiones reducidas y sin
partes móviles o incandescentes que pudieran
romperse.

Fotografía del primer transistor construído

por W. Shockley, J. Bardeen y W. Brattain
(1947)
 TRANSISTORES

Concepto del Transistor

El transistor es un dispositivo electrónico, semiconductor

que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de
transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se
los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de
uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio
y vídeo, hornos de microondas, lavarropas automáticos,
automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo,
computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorecentes,
equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3,
celulares, etc.
https://www.youtube.com/watch?
v=HWj9ku7gSSc
 PNP Tipos de transistores
BJT NPN

Canal P
JFET Canal N
MESFET
FET Canal N
Acumulación
Canal P
MOSFET Canal N

Deplexión Canal P
Canal N
BJT:Transistores bipolares de unión.
FET: Transistores de efecto de campo.
JFET: Transistores de efecto de campo de unión.
MESFET: Transistores de efecto de campo de metal semiconductor.
MOSFET: Transistores de efecto de campo de metal-oxido-
semiconductor.
 TRANSISTORES
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor
Función que puede funcionar, bien como interruptor, bien como
amplificador de una señal eléctrica de entrada.
Se clasifican en dos grandes grupos:
Clasificación Bipolares: NPN y PNP
Unipolares: o de efecto campo

Bipolares

Formados por la unión

de tres cristales
MODELO SENCILLO DEL
FUNCIONAMIENTO DE UN
TRANSISTOR
EN PRINCIPIO DE CONSTRUCCIÓN ES SIMILAR
A LOS DOS DIODOS
NPN PNP
Principio de funcionamiento del transistor bipolar

- -
+ +
- - - -

+ + + +

+ +
+
+

+
- -

+
- - - -

+
- - - -

+
+ + +
- -
+ +

+ + +
+

+
- - -

+ +
- - -

+ +
-
+

- - - - - -

+
-
P N N + - P

Concentración
de huecos
Principio de funcionamiento del transistor bipolar

P N N N P

Si la zona central es muy ancha el comportamiento es el dos diodos en

serie: el funcionamiento de la primera unión no afecta al de la segunda
Principio de funcionamiento del transistor bipolar

P N P
Principio de funcionamiento del transistor bipolar

P N P
Principio de funcionamiento del transistor bipolar

P N P

El terminal central (base) maneja una fracción de la corriente que circula

entre los otros dos terminales (emisor y colector): EFECTO TRANSISTOR
Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Base

Emisor Colector
Transistor PNP
P N P

El terminal de base actúa como terminal de control manejando una fracción

de la corriente mucho menor a la de emisor y el colector.
El emisor tiene una concentración de impurezas muy superior a la del
colector: emisor y colector no son intercambiables
Principio de funcionamiento del transistor bipolar
Transistor NPN

N P N

Se comporta de forma equivalente al transistor PNP, salvo que la corriente

se debe mayoritariamente al movimiento de electrones.
En un transistor NPN en conducción, la corriente por emisor, colector y
base circula en sentido opuesto a la de un PNP.
Principio de funcionamiento del transistor bipolar
Transistor NPN

Base

Emisor Colector
Transistor NPN
N P N

La mayor movilidad que presentan los electrones hace que las

características del transistor NPN sean mejores que las de un PNP de
forma y tamaño equivalente. Los NPN se emplean en mayor número de
aplicaciones.
EJEMPLO DE TRANSISTORES
 ZONAS DE OPERACIÓN DEL
TRANSISTOR
El BJT está constituido por dos uniones PN, y cada una de ellas
puede estar polarizada de dos formas por tanto, el BJT
puede funcionar en varias zonas de operación, que son:
ZONAS DE OPERACIÓN DEL
TRANSISTOR
Zona a partir de 3: Región de
Región ACTIVA. RUPTURA.
- Diodo Emisor directa - Diodo Emisor directa
- Diodo Colector en - Diodo Colector muy Inversa
Inversa

SATURACIÓN.
- Diodo Emisor directa. Zona 4: Región de
- Diodo Colector CORTE.
directa. - Diodo Emisor inversa
- Diodo Colector
Inversa
ZONAS DE OPERACIÓN DEL
TRANSISTOR

Curvas de entrada

Curvas de salida
CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN
TRANSISTOR NPN TÍPICO

Curvas de entrada

Curvas de salida
PARÁMETRO BETA (HFE) DE UN
TRANSISTOR
• El parámetro Beta (Hfe) de un transistor
bipolar o BJT nos indica la eficiencia del transistor, relacionando
la corriente de colector con la corriente de base, cuanto mayor es
el numero de Beta mas eficiente es el transistor, es decir que con
una corriente de base pequeña es capaz de entregar una corriente
de colector grande (ganancia de corriente del transistor)
Existe otro parámetro conocido
como el Alpha del transistor, y
hace referencia a la relación
entre la corriente de colector y
la corriente de emisor
APLICACIONE
S

Región ACTIVA: Utilizado para

Amplificadores y demás Circuitos
Lineales
• Conociendo el valor de IB se
puede calcular la IC : IC = ßcc · IB
APLICACIONE
S CORTE: Corresponde a un circuito
abierto

CORTE

SATURACION: Corresponde a un cerrado

SATURACION
 1.- REGIÓN ACTIVA
- Unión B-E directamente polarizada.
- Unión B-C inversamente polarizada.
- Se comporta como una fuente de corriente constante
controlada por la Corriente de base (ganancia de
corriente).
En esta zona, BJT se comporta como un Amplificador,
Más utilizada en circuitos analógicos.
Sus características son: VBE  V
VBC  V
iB  0
iC  iB    1
1.- REGIÓN ACTIVA

Modelo VBE  VBE (ON )

iC   iB
 2. REGIÓN DE SATURACIÓN
• Unión B-E directamente polarizada.
• Unión B-C directamente polarizada.
• Es utilizada en circuitos digitales.
• Modelo VBE  VBE (0 N )
VCE  VCE ( Sat )

En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia,

circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el
colector y el emisor.
 3. REGIÓN DE CORTE
• Unión B-E inversamente polarizada.
• Unión B-C inversamente polarizada.
Modelo:
iB  0
iC  0
VBE  VBE (ON )

El transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia, circuitos

digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan
practicamente nulas (y en especial Ic).
 4. REGIÓN ACTIVA INVERSA .
• - Unión B-E inversamente polarizada.
• - Unión B-C directamente polarizada.
• Se utiliza en muy pocos circuitos.
• Esta zona se puede considerar como carente de
interés.

5. Región de Ruptura o Avalancha .

•Se destruye el transistor
RELACIONES ELECTRICAS
 El transistor polarizado
• Al conectar fuentes de tensión externas para
polarizar al transistor, se obtienen 3
configuraciones, Según cual sea el terminal
común:
 BASE COMÚN
• Esta configuración se usa en aplicaciones
de alta frecuencia porque la base separa
la entrada de la salida, minimizando las
oscilaciones a altas frecuencias. Tiene
una alta ganancia de voltaje,
relativamente baja impedancia de entrada
y alta impedancia de salida en
comparación con el de colector común.
 COLECTOR COMÚN
• El amplificador de colector común, a
menudo llamado seguidor emisor puesto
que su salida se toma de la resistencia del
emisor, es útil como dispositivo adaptador
de impedancias, puesto que su impedancia
de entrada es mucho mas alta que su
impedancia de salida. Tambien se le
denomina "buffer" por esta misma razón, y
se usa en los circuitos digitales con las
puertas básicas.
 EMISOR COMÚN
• La configuración de emisor
común se presta a la
amplificación de voltaje, y es
la configuración más común
para los amplificadores a
transistor.
 CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN

El emisor es común tanto a las terminales de entrada como a

las de salida (en este caso, es también común a las terminales
de la base y del colector).

Polarización de las junturas:

NPN PNP
Pero, la polarización inversa de Colector base, se efectúa
colocando una fuente Inversa entre colector y Emisor en lugar
de Base Colector.

vcc vcc

vbb
 ANÁLISIS DE CIRCUITOS
21-VII-09

Circuito de entrada:

5  0 .7
IB   0.143 mA
30 K

Si ese está en región activa:

En el circuito de salida:

Además:
En resumen:

14.3 mA

+
+14.3 V
+
0.143 mA - Punto de trabajo
+ +15 V
+
-
+0.7 V IB= 0.143 mA
-

14.47 mA
 Si ese está en región de Saturación:

Si la VCE se encuentra entre 0 V y 0,2 V, la Unión de Colector

(C-B) está en directa y el transistor está en Saturación.

Si VCE es mayor a 0,2 V la Unión de Colector está en inversa y por

lo tanto en transistor está en Región Activa.
Ejemplo:

5  0.7
IB   0.86 mA
5K

Si se asume en la región activa:

VCE  20  350 * 86mA 
I C  0.86 mA *100  86mA
20  30.1  10.1V
Si ese está en región de Corte:

ICEo = Corriente de corte de minoritarios

+
-
MODELO Y ANÁLISIS DEL
TRANSISTOR BJT
• Cuando se tiene el transistor operando en Emisor común, en región activa,
la ganancia de corriente esta dada por un factor denominado Beta, así:
IC

IB
IC
C

IB Denominado: “Factor de amplificación de

B corriente directa de emisor común”.
I C  I B
IE I E  I C  I B  I B  I B

E  I E     1 I B
CON BASE EN LO ANTERIOR, SE PUEDE
PROPONER MODELOS DEL TRANSISTOR:

• Aproximación (ideal)
• 1ª aproximación
• 2ª aproximación
Un modelo mas adecuado a las características del transistor
incluye el voltaje BE correspondiente a un diodo polarizado en
directa
• 3ª aproximación

RBE

ßIB
VBE
 MODELOS
• EJEMPLO:
 1ª aproximación

Malla de entrada

15=470K.IB+0 31.9 μA

Malla de salida
Corrientes

IC=β.IB=100*31.9 μ 3.19 mA

IE= IB + IC = 0.0319+3.19=3.219 mA
Voltajes
 1ª aproximación (Resumen)

-Punto de trabajo del transistor

-Punto de polarización


 2ª aproximación

Malla de entrada

15=470K.IB+0.7 30.4 μA

Malla de salida
Corrientes

Voltajes
 2ª aproximación (Resumen)

-Punto de trabajo del transistor

-Punto de polarización


 3ª aproximación

RBE=10K

VBB  RB I B  0.7  RBE I B

VBB  0.7 14.3
IB    29.8A
RB  RBE 480 K
 3ª aproximación

-Punto de trabajo del transistor

-Punto de polarización


 En resumen:

 1ª aproximación

 2ª aproximación


 3ª aproximación
 En resumen:

 1ª aproximación
 2ª aproximación





 3ª aproximación
RECTA DE CARGA

Polarizado el transistor, si se varía la corriente

de base, el punto de trabajo del transistor se
desplaza sobre una recta definida por la malla de
salida.
A esta recta se le denomina “RECTA DE CARGA
 RECTA DE CARGA
Recta de
Cuando el transistor está en Saturación:
carga
VCC
VCE  0 IC 
RC
Punto de Operación
Cuando el transistor está en Corte
(Q)*

IC  0 VCE  VCC

Q*=Quiescent= Estado de Reposo)

PUNTO DE OPERACIÓN (Q), AL VARIAR LA I B

El punto Q se desplazca en la medica que de base IB varía

PUNTO DE OPERACIÓN

Efecto de la RC sobre la
recta de carga
PUNTO DE OPERACIÓN
(Q)

Efecto de la VCC sobre la

recta de carga
23VII-09

 Se tenía:

-Punto de trabajo del transistor

-Punto de polarización


 La recta de carga será:

VCC
Punto de corte: VCE=15V IC  
Punto de saturación: RC
15 V
 4.16mA
3.6 K

4.16mA
40 µA
Recta de Carga
3.04mA  30 µA

20 µA

4.06 V 15 V
 Si se cambia la corriente de Base:

15  0.7
I B  4.16mA3  71.5 A


200 *10 =470KΏ40 µA

RB=200KΏ

 En la maya de salida: 
3.04m 30 µA
A
I C   I B  7.15 mA 20 µA

VCE  15  (3.6 K * 7.15mA)

VCE  15  25.74  10.74V
4.06 V 15 V

 Lo cual es un absurdo, de lo que se concluye que el transistor está

saturado pues la corriente de colector superaría la máxima del
transistor (4.16mA)
ElEnpunto
consecuencia,
de trabajola cambiará
maya de :salida será: V
VCE  0.2
CE  0.2
14.8
IC   4.1 mA
14.8 3.6 K
IC   4.1 mA
3.6 K
 De aquí a:
4.1 mA 40 µA



 30 µA

20 µA


0.2 V 15 V
 Ahora, si disminuimos mucho la corriente de base:

15  0.7
IB  6
 2 A
7.5 *10
RB=7.5 MΏ
 En la malla de salida:

I C   I B  0.2 mA

VCE  15  (3.6 K * 0.2mA)

VCE  15  0.78  14.28 V
 El punto de trabajo cambiará: I B  2 A
I C  0.2 mA
VCE  14.28 V

 De aquí a: 

40 µA


30 µA

20 µA

0.2mA

14.8
15 V

 Prácticamente en Corte
Cambio de la recta de carga: 1.5 KΩ
Para el nuevo circuito: 1.5 KΩ

10 mA
15  0.7
IC
I 
 BI  3.04mA
 30.4 A
470 *103


15
I C Sat   10 mA
1 .5 K


VCE  15  (1.5 K * 3.04mA)
VCE  15  4.56  10.44 V

15 V
Cambio de la polarización:

20 V

5.55mA

4.16mA VCC VCC

IC   IC  
RC RC
15 V 20 V
 4.16mA  5.55mA
3.6 K 3.6 K

15 V 20 V
Cambio de la polarización:

20 V

5.55mA

4.16mA VCC VCC

IC   IC  
RC RC
15 V 20 V
 4.16mA  5.55mA
3.6 K 3.6 K

15 V 20 V
INTRODUCCION
• Conexión de 2 transistores BJT para operar como un solo
transistor con una “superbeta”.

Q1
QD

Q2
CONEXIÓN DARLINGTON
• La conexión Darlington actúa como un transistor compuesto,
con una ganancia de corriente (β) que es producto de los β`s de
los transistores individuales:

βD = β1 β2

βD : β de la conexión Darlington.
INTRODUCCION
• Si β1 = β2 = β, la conexión Darlington daría una ganancia de
corriente de:

βD = β2

• Por lo general la ganancia de corriente en este tipo de

configuración es de unos miles.
TRANSISTOR DARLINGTON
ENCAPSULADO
• Contiene 2 BJTs conectados internamente como
un transistor Darlington.
• El dispositivo tiene 3 terminales (base, emisor y
colector).
• Cuenta con una muy alta ganancia de corriente en
comparación a otros transistores simples comunes.
• Es comercial.
TRANSISTOR DARLINGTON
ENCAPSULADO
• Valor comercial: transistor 2N999. Este es un transistor N-P-N
de silicio conectado en Darlington.
• Hoja de Datos:

Parámetro Condiciones de Min. Máx.

Prueba
VBE IC = 100 mA - 1.8 V
hfe(βD) IC = 10 mA 4000 -
IC = 100 mA 7000 70000
POLARIZACION EN DC DE UN
CIRCUITO DARLINGTON

IC

IB

IE
PUENTE H
un Puente H o Puente en H es un circuito electrónico que permite a un motor
eléctrico DC girar en ambos sentidos, avance y retroceso. Son ampliamente
usados en robótica y como convertidores de potencia. Los puentes H están
disponibles como circuitos integrados, pero también pueden construirse a partir
de componentes discretos.
PUENTE H
FOTOTRANSISTOR
 ES UNA COMBINACIÓN INTEGRADA
DE FOTODIODO Y TRANSISTOR
BIPOLAR NPN (SENSIBLE A LA LUZ)
DONDE LA BASE RECIBE LA
RADIACIÓN ÓPTICA.
LA SENSIBILIDAD DE UN
FOTOTRANSISTOR ES SUPERIOR A LA
DE UN FOTODIODO, YA QUE LA
PEQUEÑA CORRIENTE
FOTOGENERADA ES MULTIPLICADA
POR LA GANANCIA DEL TRANSISTOR
FOTODARLINGTON
 
ES EL MISMO QUE EL FOTOTRANSISTOR, CON
UNA GANANCIA MUCHO MAYOR DEBIDO A LAS
DOS ETAPAS DE AMPLIFICACIÓN,
CONECTADAS EN CASCADA, INCORPORADAS
EN UNA SOLA PASTILLA.
FOTO SCR.
 
EL CIRCUITO EQUIVALENTE CON DOS
TRANSISTORES DEL RECTIFICADOR
CONTROLADO DE SILICIO ILUSTRA EL
MECANISMO DE CONMUTACIÓN DE ESTE
DISPOSITIVO.
OPTOACOPLADORES

UN OPTOACOPLADOR ES UN DISPOSITIVO
QUE CONTIENE UNA FUENTE DE LUZ Y UN
DETECTOR FOTOSENSIBLE SEPARADOS UNA
CIERTA DISTANCIA Y SIN CONTACTO
ELÉCTRICO ENTRE ELLOS
DE AISLAMIENTO.

• OPTOTRIACS MOC3011
• OPTODARLINGTON 4N29
• OPTOTRANSISTOR 4N25
• OPTOSCR 4N39
POR INTERRUPCIÓN
(OPTOINTERRUPTORES)
EMISOR Y RECEPTOR SEPARADOS POR UN
GAP EXPUESTO Y DE PEQUEÑA SEPARACIÓN.
SENSORES DE FIN DE CARRERA.
DICOS MULTIPERFORADOS EN ENCODERS.
POR REFLEXIÓN
EL SENSOR GP2DXX DE SHARP ES UN
DISPOSITIVO DE  REFLEXIÓN POR
INFRARROJOS CON MEDIDOR DE DISTANCIA
PROPORCIONAL AL ÁNGULO DE RECEPCIÓN
DEL HAZ DE LUZ QUE INCIDE EN UN SENSOR
LINEAL INTEGRADO, LA SALIDA PUEDE SER
ANALÓGICA, DIGITAL O BOOLEANA.
EL CNY70 ES UN PEQUEÑO DISPOSITIVO CON
FORMA DE CUBO Y CUATRO TERMINALES,
ALOJA EN SU INTERIOR UN DIODO EMISOR
DE INFRARROJOS QUE TRABAJA A UNA
LONGITUD DE ONDA DE 950 NM Y UN
FOTOTRANSISTOR DISPUESTOS EN
PARALELO Y APUNTANDO AMBOS EN LA
MISMA DIRECCIÓN.
CNY70