UNIVERSIDAD NACIONAL

DE SAN AGUSTÍN DE
AREQUIPA

Facultad de Producción y Servicios

Escuela Profesional de Ingeniería

U Electrónica

EJERCICIOS CIRCUITOS
ELECTRONICOS III

N Docente:
HENRY LAMA

S
Alumno:
Challco Coronel, Bryan Adrián

Arequipa – Perú

A 2020
 13.48 En la figura P13.48 se muestra un amplificador BiCMOS simple. El transistor MOS los
parámetros son k’p = 40μA / V2, VT P = −0.4 V, λ = 0 y (W / L) 1,2 = 50, y los parámetros
del transistor bipolar son VB E (encendido) = 0.7 V, β = 120, y VA = ∞. (a) Diseñe el
circuito de manera que ICQ = 300μA y vo = 0 para v1 = v2 = 0. (b) Determine la ganancia
de voltaje diferencial de señal pequeña de la primera etapa Ad = vo1 / vd. (c) Encuentre la
ganancia de voltaje de señal pequeña de la segunda etapa A2 = vo / vo1. (d) Determine la
ganancia general de voltaje de señal pequeña
A = vo / vd.
0.82
a) ∆ V o1 =0.7+ ( 0.3 )( 0.4 )=0.82 V R D= =5.47 K
0.15
3−0
RC = =10 K
0.3

gm 1
b) Ad =
2 (√ 0.042 ) (50 )( 0.15 )=0.7746 mAV
(R D ∨¿ Ric )gm 1=2

( 120 ) ( 0.026 ) 0.7746

=10.4 K R =10.4+ ( 121 )( 0.4 )=58.8 K A =(
29 )
R =r + ( 1+ β ) R r =
iC π E π iC d ¿
0.3
− β RC −( 120 )( 10 )
c) A2= = =−20.41
r π + ( 1+ β ) R E 10.4+ (121 ) ( 10 )
A v =A d . A 2=( 1.938 ) (−20.41 )=−39.6

13.49 Considere el amplificador BiCMOS simple que se muestra en la figura P13.49. Los
parámetros del transistor bipolar son βn = βp = 120, VB E (encendido) = VE B (encendido)
= 0.7 V,VA = ∞, y los parámetros del transistor MOS son VT N = 0.4 V, Kn = 3 mA / V2,
λ = 0. (a) Diseñe el circuito de manera que IC Q3 = IDQ1 = 300μA y vo = 0 para v1 = v2 =
0. (b) Determine la ganancia de voltaje de señal pequeña de la primera etapa Ad = vo1 / vd.
(c) Encuentre la ganancia de voltaje de señal pequeña de la segunda etapa A2 = vo2 / vo1.
(d) Determine la ganancia de voltaje de señal pequeña de la tercera etapa A3 = vo / vo2. (e)
Encuentre la ganancia de voltaje diferencial general
A = vo / vd.
0— 3
a) R s= 0.3=10 K I D 1 =K n ( V GS 1−V TN )20.3=3 ( V GS 1−0.4 )2
0.3
0.7162−(−3 )
V GS 1=0.7162 V RC 2= =12.39 K ∆ V o1 =( 0.3 ) ( 0.5 ) +0.7=0.85 V
0.3
0.85
R C 1= =3.4 K
0.25
b)
 0.25 mA ( 120 ) ( 0.026 ) 0.3 mA
gm 1 = =9.615 r π 1= =12.48 K gm 3= =11.54
0.026 V 0.25 0.026 V
( 120 ) ( 0.026 ) g 9.615 c)
r π 1= =10.4 K Ad = m 1 (R c1 ∨¿ R i3 ) Ad = ¿
0.3 2 2

−β RC 2 −( 120 )( 12.39 )
A2= = =−20.97
r π 3 + ( 1+ β ) R E 10.4+ ( 121 ) ( 0.5 )

d)

gmD R S ( 1.897 )( 10 ) 1.897 mA ( 1.897 ) (10 )

A3 = A3 = gmD =2 √ ( 3 )( 0.3 ) = A3 = =0.950
1+ gmD R s 1+ g mD R s V 1+ ( 1897 ) ( 10 )

e)
A v =A d . A 2 . A3 =( 15.6 ) (−20.97 ) ( 0.95 )=−310.8

13.50 Un amplificador BiCMOS se muestra en la Figura P13.50. Los parámetros del transistor
son, VT P = −0.4 V, k’p = 40μA / V2, W / L = 40, λ = 0.035 V − 1, β = 120, y VA = 150 V.
La corriente de polarización es IQ = 250μA. (a) Determine los parámetros de señal pequeña
de los transistores. (b) Encuentre la ganancia de voltaje diferencial de señal pequeña.

a)
Para PMOS

0.04 mA r = 1 = 1
gm 1=g m 2=2
√( 2 )
( 40 )( 0.125 ) =0.6325
V
oP
λ I D 1 ( 0.035 ) ( 0.125 )
=228.6 K

V A 150
Para BJT r o 2= = =1200 K
I C 0.125

b)
Ad =gm 2 ¿

13.51 Diseñe un amplificador BiCMOS que sea complementario al de la Figura

P13.50 en que los dispositivos de entrada son NMOS y los transistores de carga son
pnp. Suponga parámetros de transistor de V TN = 0.4 V,
k ' n = 100μA / V 2,
W / L = 40, λ = 0.02 V −1, β = 80 y VA = 100 V. Suponga que la corriente de polarización
es I Q = 250μA.
(a) Determine los parámetros de señal pequeña del transistor
(b) Encuentre la ganancia de voltaje diferencial de señal pequeña.
 Solución
(a)
0.1 mA r = 1
para NMOS gm 1=g m 2=2

100
√( 2 )( 40 ) ( 0.125 )=1.0
V
oN
( 0.02 )( 0.125 )
=400 kΩ

para BJT r o 2= =800 k Ω

( 0.125 )
(b)
Ad =gmN ( r oN ∥ r o 2 )=( 1.0 ) ( 400 ∥ 800 ) =266.7

13.52 La corriente de referencia en el amplificador de cascode plegado BiCMOS en la Figura

13.20 es I REF = 200 μA y los voltajes de polarización del circuito son ± 10 V.
Los parámetros del transistor MOS son los mismos que en el problema 13.42. El BJT
los parámetros son β = 120 y V A = 80 V.
(a) Determine la señal pequeña ganancia de voltaje diferencial.
(b) Encuentre la resistencia de salida del circuito.
(c) Si la capacitancia en el nodo de salida es 5 pF, determine el ancho de banda de ganancia
unitaria del amplificador.
Solución
I REF = 200 μA K n= K P =0.5 mA /V 2
λ n=λ p =0.015 V −1 Ad =gm 1 (R 06 ∥ R08)

(a)
Donde
Ro 8 =g m 8 ( R o 8 R o 10 ) Ro 6 =g m 6 ( r o 6 ) ( Ro 4 ∥ R o1 )

Ahora
 mA r = 1 = 1
=667 kΩ
gm 8 =2 √ ( 0.5 ) ( 0.1 )=0.447 o8
V λ P I D 8 ( 0.015 ) ( 0.1 )
1 I V
r o 10= =667 kΩ gm 6 = C 6 = 0.1 =3.846 mA /V r o 6 = A = 80 =800 kΩ
λP I D8 V T 0.026 I C 6 0.1
1 1 1 1
r o 4= = =333 kΩr o 1= = =667 kΩ
λn I D 4 ( 0.015 ) ( 0.2 ) λ P I D 1 ( 0.015 )( 0.1 )
gm 1=2 √( 0.5)(0.1)=0.447 mA /V

Entonces
Ro 8 =0.477 ( 667 ) ( 667 ) →198.9 MΩRo 6 =( 3.846 ) ( 800 )( 333 ∥ 667 ) → 683.4 MΩ
finalmente reemplazamos

Ad =447 (198.9 ∥683.4 ) → A d =68.865

13.53 El amplificador de casco doblado BiCMOS en la Figura 13.20 debe diseñarse para
proporcionar una ganancia de voltaje diferencial de 25,000. La potencia máxima disipada
en el circuito se limitará a 10 mW. Asumir los parámetros del transistor MOS
cómo se describe en el problema 13.43. Los parámetros BJT son β = 120 y
VA = 80 V.
Solución
−¿=−10V ¿
Asumiendo que V +¿=10 V V ¿

P=3 I REF ( 20 ) =10→ I REF=167 μA

' μA ' μA
Ad =gm 1 ( R06 ∥ R 08 )=25000k n =80 2
k p=35 2 λ n=0.015 V −1 λ p=0.02V −1
V V

( WL ) =2.2( WL )
P n

Asumir
 Ro 8 =g m 8 ( R o 8 R o 10 )
Ro 6 =g m 6 ( r o 6 ) ( Ro 4 ∥ R o1 )
1 1
ro 8 = = =0.60 MΩ
λ P I D 8 ( 0.02 ) ( 83.3 )
1
r o 10= =0.60 MΩ
λP I D8
k'p W
gm 8 =2
√( )( )
2
W
L 8
I D 8=2 (√ 352 ) ( 2.2) X ( 83.3 )=113.3 X X =( L )
2 2

Donde

VA 80 1 1
ro 6 = = =0.960 MΩr o 4= = =0.40 MΩ
I C 6 83.3 λn I D 4 ( 0.015 ) ( 167 )
1 1 I
r o 1= = =0.60 MΩ gm 6 = C 6 = 83.3 =3204 μA /V
λ P I D 1 ( 0.02 )( 83.3 ) V T 0.026
k 'p
gm 1=2
ahora
√( )( )
2
W
L 1
I D 1=2 (√ 352 )( 2.2) X ( 83.3)=113.3 X
2

Ro 6 =( 3204 ) ( 0.960 ) ( 0.40∥ 0.60 )=738 MΩRo 8 =(113.3 X) ( 0.60 ) ( 0.60 ) → 40.8 X MΩ
Entonces

30110 X
Ad =25000=( 113.3 X ) [ 738∥ 40.8 X ]¿ ( 113.3 X ) [ 738+40.8 X ]
cuyo rendimientoX =2.48
O
X 2 =6.16 ¿ ( WL )n
Y
W
( ) +( 2.2 ) (6.16 )=12.3
L P

13.54 Si el amplificador operacional CA3140 está polarizado en V + = 15 V y V - = −15 V,

determine el rango de voltaje de modo común de entrada. Suponga voltajes B – E de 0.6 V
para los transistores bipolares y | VT P | = 1.4 V para los MOSFETs.
Solución:

Para un V cm (max), asume V CB ( Q5 ) =0. Luego

 V S =15−0.6−0.6=13.8 V

0.236
I D 9=I D 10= =0.118 mA
2
Usando los parámetros encontrados en el ejemplo 13.12

ID9 0.118
V SG =
√ KP
−V TP=
√0.20
+1.4=2.17 V

Luego
C ( max )=13.8−2.17 →V cm ( max )=11.6 V

Para
V cm ( min ), asume

V SD ( M 9 ) =V SD ( sat )=V SG +V TP =2.17−0.4=0.77 V

Ahora
V D 10=I D 10 ( 0.5 ) +0.6+ I D 10 ( 0.5 ) −15

V D 10=0.118+ 0.6−15 → V D 10=−14.28 V

Luego
V cm ( min )=14.28+V SD ( sat ) −V SG

¿ 14.28+0.77−2.17=−15.68 V
Luego el rango de voltaje en modo común
−15 ≤V cm ≤11.6

O asumiendo la entrada esta limitada por ± 15V , luego

−15 ≤V cm ≤11.6

13.55 Considere la porción del circuito de polarización del amplificador operacional CA3140 en
la Figura 13.22. Si VB E7 = 0.6 V para Q7 y VT P = −1.0 V para M8, determine el valor
requerido del parámetro de conducción para M8 tal que I1 = I2 = 150μA.
 Solución:
I 1=I 2

2 V SG−V BE 7
K P ( V SG +V TP ) =
R1
V SG−0.6
I 2=0.15= →V SG=1.8 V
8

I 1=0.15=K P ( 1.8−1 )2 → K P=0.234 mA /V 2

13.56 En la porción de polarización del amplificador operacional CA1340 en la Figura 13.22, el

bipolar los parámetros del transistor son V BE (npn) = 0.6 V y V EB (pnp) = 0.6 V y los
parámetros MOSFET son VT P = −1.2 V y Kp = 0.15 mA / V 2. (a) Determine las corrientes
I1 = I2. (b) Si los voltajes de polarización son V + = −V - ≡ V S , determine el valor mínimo
 de VS de manera que el sesgo las corrientes son independientes de la tensión de
alimentación
Solución:
a)

2 V SG−V BE 7
K P ( V SG +V TP ) =
R1

2 V SG−0.6
0.15 ( V SG +1.2 ) =
8

Nosotros encontramos 1.2 V 2SG−3.88 V SG+ 2.328=0 → V SG=2.437 V

2.437−0.6
I 1=I 2 = =0.2296 mA
8
b)

V C 7=V +¿−0.6−0.6 ¿

V C 6=V −¿+2.437¿

Poniendo V C 6=V C 7

Luego V S −1.2=−V S +2.437 →V S=1.82 V

13.57 Considere el amplificador operacional CA3140 en la Figura 13.21. Si las corrientes de

sesgo cambian tal que IC5 = IC4 = 300 μA, determine las ganancias de voltaje de la entrada
y segundas etapas, y encuentre la ganancia de voltaje general.
SOLUCION:
I C 5=I C 4=300 μA

Nosotros tenemos:
β n V T (200 )( 0.026 )
Ri 2=r π 13= = =17.3 K Ω
I C 13 0.3

Ad =√ 2 K I ∗( Ri 2 )=√ 2 ( 0.6 ) ( 0.3 )∗( 17.3 )

n Q5

Por lo tanto:
Ad =10.38

Ahora:
I C 13 0.3 mA
Gm 13= = =11.5
V T 0.026 V
V A 50
r o 13= = =167 K Ω
I C13 0.3

Tenemos:

| A v 2|=gm 13∗r 013= (11.5 ) (167 )

Por lo tanto:
| A v 2|=1917
La ganancia general será:

| A v|=( 10.38 ) ( 1917 )=19,895

13.58 Suponga que la etapa de ganancia del amplificador operacional CA3140 se modifica
para incluir un resistencia del emisor, como se muestra en la figura 13.23. Sea λ = 0.02 V −
1 para M10. Si las corrientes de polarización del transistor en M10 y Q12 son 150 μA y la
corriente en Q13 es 300 μA, determine la frecuencia del polo dominante y la ganancia
unitaria banda ancha.

SOLUCION:

Asumiendo que las resistencias mirando a Q4 y a la etapa de salida son muy grandes,
tenemos:
β R013
| A v 2|=
r π 13+ ( 1+ β ) R E 13
R013 =r 013 ¿

50
I C 13=300 μA ,r 013= =167 K Ω
0.3
 0.3 mA
gm 13= =11.5
0.026 V
(200)(0.026)
r π 13= =17.3 K Ω
0.3
Para:
R013 =( 167 ) ¿

Tenemos:
(200)(1980)
| A v 2|= 17.3+(201)(1) =1814
Ahora:

C i=C1 ( 1+| A v 2|)=12 [ 1+ 1814 ] ⟹C i=21.780 pF

1
f PD =
2 π R eq Ci

Req =Ri 2||r 012||r 010

Descuidar R3:
1 1
r 010 = = =333 K Ω
λ I D 10 ( 0.02 )( 0.15 )

Descuidar R5:
50
r 012 = =333 K Ω
0.15
Ri 2=r π 13 + ( 1+ β ) R E 13=17.3+ ( 201 ) ( 1 )=218 K Ω

Entonces:
1
f PD =
2 π [ 218||333||333 ]∗103∗( 21.780 )∗10−12

O
f PD =77.4 Hz

Ancho de banda de ganancia de unidad Ganancia de la primera etapa:

Ad =√ 2 K n I Qs∗( R12||r o 12|| r o 10)

Ad =√ 2(0.6)(0.3)∗(218∨|333|∨333)
 Ad =( 0.6 ) ( 218||333||333 )

Ad =56.6

La ganancia general:
A v =( 56.6 ) (1814 )=102.672

Entonces el ancho dee banda de ganancia unitaria es:

( 77.4 )( 102.672 )
⟹ 7.95 MHz
13.59 En el amplificador operacional LF155 BiFET de la Figura 13.25, la combinación de Q3, J6
y Q4 establece la corriente de polarización de referencia. Asuma los voltajes de la fuente de
alimentación son V + = 10 V y V− = −10 V. Los parámetros del transistor son VEB
(encendido) = 0.6 V, VBE (encendido) = 0.6 V, y VP = 4 V para Q3, Q4 y J6,
respectivamente.
Determine el valor IDSS requerido para J6 para establecer una corriente de referencia de
IREF = 0.8 mA.
SOLUCION:
V GS=0 en J 6 , I REF =I DSS

I DSS =0.8 mA

13.60 Considere el circuito en la figura P13.60. Una etapa de entrada JFET diff-amp impulsa un
Darlington bipolar segunda etapa. El par diferencial de canal p J1 y J2
están conectados a los transistores de carga activa bipolar Q3 y Q4. Asumir JFET
parámetros de VP = 3 V, IDSS = 200 μA y λ = 0.02 V − 1. El bipolar
los parámetros del transistor son β = 100 y VA = 50 V. (a) Determine la entrada
resistencia Ri2 a la segunda etapa. (b) Calcule el modo diferencial de señal pequeña
ganancia de voltaje de la etapa de entrada. Compare este valor con el 741 y
Resultados de la etapa de entrada CA3140.
Solución
a.-
Ri 1=r π 5 + ( 1+ β ) [r π 6 + ( 1+ β ) R E ]

100∗0.026
r π 6= =13 K
0.2

I C 6 200 uA
I C 5≅ = =2uA
β 100

100∗0.026
r π 5= =1300 K
0.002

Ri 1=1300+ ( 101 ) [ 13+ ( 101 ) 0.3 ] =5.67 M

b.-
A v =gm 2 (r 02∨|r 04|∨Ri 2 )

2 2
gm 2 = . I . I = √0.1∗0.2=00943mA / V
V P √ D DSS 3
1 1
r 02= = =500 K
I D λ 0.02∗0.1
 VA 5
r 04 = = =500 K
I C 4 0.1

A v =0.0943 ( 500 K||500 K||5670 )=22.6

13.61 Considere la etapa de entrada diferencial BiFET en la figura P13.61, sesgada con
Tensiones de alimentación V + y V−. Deje V + = −V− ≡ VS. (a) Diseñe el
circuito de polarización tal que IREF2 = 100 μA para tensiones de alimentación en el rango
3 ≤ VS ≤ 12 V. Determine los parámetros VZK, R3 y JFET. (b) Determinar
el valor de R4 tal que IO1 = 500 μA cuando V + = 12 V.

Solución.

a.-
V SD ( Q E ) ≥V SD=V P

V P=3 V ; V ZK =3 V
 V ZK −V D 1
I REF =
R3
3−0.6
R 3= =24 K
0.1
Q E=I REF 2 + I Z 2=0.1+ 0.1=0.2 mA

I DSS =0.2mA
b.-
12−0.6
I 01=I REF 1=0.5 mA =
R4
R4 =22.8 K

13.62 La etapa de entrada de amplificador diferencial BiFET en la figura P13.61 está polarizada
en IO1 = 1 mA. Los parámetros JFET son VP = 4 V, IDSS = 1 mA y λ = 0.02 V − 1. los
Los parámetros del transistor bipolar son β = 200 y VA = 100 V. (a) Para
R1 = R2 = 500, determine la resistencia de carga mínima RL tal que un
La ganancia de voltaje en modo diferencial de Ad = 500 se obtiene en la etapa de entrada.
(b) Si RL = 500 k, determine el rango de valores de resistencia R1 = R2 tal
que se obtiene una ganancia de voltaje en modo diferencial de Ad = 700 en esta entrada
escenario.

Solución.
2
gm 2=
2
¿ V P∨¿ . √ I D . I DSS= √ 0.5∗1=0.354 mA /V ¿
4
1 1
r 02= = =100 K
ID λ 0.02∗0.5

V A 100
r 04 = = =200 K
I C 4 0.5
0.5
gm 4 = =19.23 mA /V
0.026

200∗0.026
r π4= =10.4 K
0.5
R04 =r 04 ¿

R04 =200¿

| A d|=g m 2 ( r 02|| R04|| R L )

 RL → ∞

| A d|=0.354 ( 100∨¿ 2035 ) =33.7

b.-

Con estos valores de parámetros, la ganancia nunca puede alcanzar 500.

De manera similar para esta parte, la ganancia nunca puede llegar a 700.

13.63. Considerando el estado de entrada y la parcialidad del circuito de el opamp 741 en la figura
13.5. El transistor Q 10 puede ser reemplazado por una fuente de corriente independiente
igual a 19uA. Asumiendo los parámetros del dispositivo npn: β=200 and V A =150 V , los
parámetros del dispositivo pnp: β=50 and Q 6, todos los transistores tienen una corriente

I S=10−14 A
. Coloque una carga apropiada AC en el colector de Q 6.
Solución:
a) Determine la ganancia de voltaje del estado de entrada.
Ad =gm 1 ¿
gm 1=2 √ K n I DQ=2 √ 0.5∗0.025=224 uA / V
gm 1=g m 8

gm 6=¿ 2 √0.5∗0.025=224 uA /V ¿

1 1
r o 1=r o 1=r o 1=r o 1= = =2.67 M Ω
λ I DQ 0.015∗25

1 1
r o 4= = =1.33 M Ω
λ I D 4 0.015∗25

Ro 8 =g m 8 ( r o 8 r o 10 )=224∗2.67∗2.67=1597 M Ω

Ro 6 =g m 6∗r o 6 ( r o 4 ∨¿ r o 1 )=224∗2.67∗( 2.67∨¿ 1.33)=531 M Ω

Ad =224 ¿

b) Determine la resistencia diferencial de entrada.

−¿=−5 V ¿

V +¿=5 V ,V ¿

P=I T ( 10 )=3→ I T =0.3 mA → I REF=0.1mA=100 μA

1 1
r 01=r 08=r 010 = = =1 MΩ
λ p I D ( 0.02 )( 50 )

1
r 06= =1.33 MΩ
( 0.015 ) ( 50 )
1
r 04 = =0.667 MΩ
( 0.015 )( 100 )
c) Determine la resistencia de entrada de modo común.
Ro 10=g m 10 ( r o 10 r o 6 )

Ro 12=gm 12 ( r o 12 r o 8 )

Ad =B g m 1 ( r o 10∨¿ r o 12 )

1 1
Ro 10=r o 6= = =0.5 MΩ
( 0.02 ) ( 2.5 ) ( 40 )
λp B ( I2 )
Q
 1 1
Ro 12=r o 8= = =0.667 MΩ
( 0.015 ) ( 2.5 ) ( 40 )
λn B ( I2 )
Q

13.64. El estado de salida del opam 741 mostrado en la figura 13.9. del transistor Q 13 puede ser
reemplazado con una fuente de corriente constante igual a 0.18mA. Usando transistores
estándar.

Solución:
a) Calcular la ganancia de voltaje.

Ad =gm 1 (r D 2||r o 4|| Ri 6 )

IC1 20 mA
gm 1= = ⟹ 0.769
V T 0.026 V
V A 2 80
r o 2= = =4 M Ω
I C 2 20
V A 4 80
r o 4= = =4 M Ω
I C 2 20

Ri 6=r π 6+ ( 1+ β n) ¿
 (120)( 0.026)
r π 7= =15.6 k Ω
0.2
V BE ( on ) 0.6
IC6 ≅ = =0.030 mA
R1 20

( 120 ) ( 0.026 )
r π 6= =104 k Ω
0.030
Ri 6=104 + ( 121 ) ¿

Ad =769 ( 4||4||.16 ) ⟹ A d=565

R1
V o =−I c7 r o 7=− ( β n I b 7 ) r o 7=−β n r o 7 ( )I
R1 +r π 7 c 6

R1 V o1
V o =−β n ( 1+ β n ) r o 7 ( R1 +r π 7 )
I b 6 ¿ I b 6=
Ri 6

V o −β n ( 1+ β n ) r o 7 R1
A v2=
V o1
=
Ri 6 (
R 1+ r π 7 )
V A 80
ro 7 = = =400 k Ω
I C 7 0.2

−( 120 ) ( 121 )( 400 ) 20

A v2=
1160 (
20+ 15.6 )
⟹ A v 2=−2813

ganancia general= A d∗A v 2=( 565 ) (−2813 ) ⟹ A=−1.59 x 106

b) Aplique un voltaje de entrada v13 que permita un voltaje de salida igual a v o=5 V .
Cuando R L=0. Encuentre la salida del circuito corto por corriente y las corrientes
del transistor.

1.22178
V BB =2V T ln
I Bias
( )
I SD
=2 ( 0.026 ) ln
80 x 10−6
5× 10−15 (
=1.22 V

3
)
I CN =I CP =I sq exp
2
0.026 [ ]
I CN =I CP =128 μA Para v 1=3 V , v 0=3 V , i L = =0.3 mA
10

0.3 77.5 x 10−6

I BN =
120
I BN =80−2.5=77.5 μAV BB =2 ( 0.026 ) ln
5 x 10−15
=1.22013V ( )
0.3 x 10−3
V BEN =( 0.026 ) ln (
8 x 10−15 )
=0.633 V V EBP=V BB −V BEN =0.58V
 0.58
I CP= ( 8 x 10−15 ) exp ( 0.026 )=51.24 μA I =( 120
CN
121 )
( 0.3+0.05124 ) I BN =2.903 μA

77.1 x 10−6
I D =80−2.903=77.1 μA V BB =2 ( 0.026 ) ln
( )
5 x 10−15
=1.219V

0.348 x 10−3
V BEN =( 0.026 ) ln ( 8 x 10−15 )=0.63 V V EBP=1.219−0.636=0.58 V

13.65 Considere la etapa de entrada BiCMOS del amplificador operacional CA3140

Suponga: parámetros de transistor bipolar de β = 200, IEO = 10−14 A, y
VA = 50 V; y parámetros MOSFET de Kp = 0.6 mA / V2, | VT P | = 1 V,
y λ = 0.01 V − 1. Usando una carga de CA apropiada en el colector de Q12,
determinar la ganancia diferencial de la etapa de entrada. Compara la computadora

Solución:
Si I 1=I 2
V SG =2.49 V I 1=I 2 =0.236 mA
 El voltaje en el colector de Q6 es

V C 6=V SG 8 +V −¿=2.49 −15=−12.5 V ¿

y el voltaje en el colector de Q7 es

−V EB 6=15−0.6−0.6=13.8 V ¿
V C 7=V +¿−V EB1

Por lo tanto, las uniones colector-base de Q6 y Q7 están polarizadas inversamente por

13.8− (−12.5 )=26.3 V
13.66 Considere el amplificador operacional CMOS en la figura 13.14. Asume el circuito y el
transistor
los parámetros son como se dan en el ejemplo 13.8. Además, sea λ =0.01 V − 1 para
todos los transistores. (a) Determine el diferencial general de baja frecuencia
ganancia de voltaje Compare estos resultados con los del ejemplo 13.9.

Para los transistores M5 y M6, los parámetros de conducción son

 K 'P W 0.04
K P=
2( )( ) ( )
L
=
2
( 12.5 )=0.25 mA /V 2

+¿
V
+¿−V SG5 − ¿
RSET
K P ( V SG 5 +V TP ) =V ¿

5−V SG 5−5
0.25 ( V SG 5 −0.5 ) =
225

V SG 5 =0.9022V

y las resistencias de salida son

1 1
r 02=r 04= = =2.475 MΩ
λ I D 2 (0.02)(0.0202)

De la ecuación (13.38), la ganancia de voltaje diferencial de la etapa de entrada es

entonces

Ad =√ 2 K P 1 I Q ( r 02 ∥r 04 )= √2(0.25)(0.0404 )(2475∥2475)

Ad =176

La transconductancia de M7 es

K 'P
gm 7 =2
√( )( )
2
W
I =2
L D7 (√ 0.012 )( 12.5) ( 0.0404 )
¿ 0.3178 mA / V

y las resistencias de salida de M7 y M8 son

 1 1
r 02=r 08= = =1.238 M Ω
λ I D 7 (0.02)( 0.0404)

la magnitud de la ganancia de voltaje de la segunda etapa es entonces

AV 2=g m 7 ( r 02 ∥r 04 ) =( 0.3178 ) ( 1238∥ 1238 )=197

Finalmente, la magnitud de ganancia de voltaje total del amplificador operacional es

AV = A D A V 2=( 176 )( 197 )=34.672