EPET N°1 ING RogelioBoero - 5°1°y 5°4° TM y TT - ELECTRONICA APLICADA I - Tec - Guia - N°7

EPET N° 1 DE SAN JUAN, ING.
ROGELIO BOERO CUE: 700027600

AÑO: Quinto Div.1era y 4ta. AREA CURRICULAR: ELECTRONICA APLICADA I
Docentes: José Olivieri; Adrian Fernandez y Hector Angulo
Turnos: Mañana y Tarde
Área Curricular: Electrónica Aplicada I
Título de la propuesta: “El Transistor” GUIA 7
Contenido seleccionado: EL TRANSISTOR
En 1951, William Schockley inventó el primer transistor de unión, un dispositivo

semiconductor que puede amplificar señales electrónicas como las señales de radio y de
televisión. El transistor ha llevado a inventar muchos otros dispositivos semiconductores,
incluyendo el circuito integrado (CI), un pequeño dispositivo que contiene miles de
transistores miniaturizados. Las modernas computadoras y otros milagros electrónicos han
sido posibles gracias a los circuitos integrados.
Este capítulo presenta el transistor de unión bipolar (BJT), el cual utiliza tanto electrones
libres como huecos. La palabra bipolar quiere decir "dos polaridades". En los siguientes
capítulos se verá cómo el BJT puede utilizarse como amplificador y como conmutador.
EL TRANSISTOR NO POLARIZADO
Un transistor tiene tres regiones dopadas, como se muestra en la Figura 6.1. La región inferior
es el emisor, la región intermedia es la base y la región superior es el colector. En un
transistor real, la región de la base es mucho más estrecha comparada con las regiones de
colector y de emisor. El transistor de la Figura 6.1 es un dispositivo npn porque tiene una
región p entre dos regiones n. Recuerde que los portadores mayoritarios son los electrones
libres en un material de tipo n y los huecos en un material de tipo p.
Los transistores también se fabrican como dispositivos pnp. Un transistor pnp tiene una región
n entre dos regiones p. Para evitar confusiones entre el transistor npn y el transistor pnp,
nuestra exposición se centrará en el transistor npn.
Niveles de dopaje
En la Figura 6.1 vemos que el emisor está fuertemente dopado. Por el contrario, la base sólo
está ligeramente dopada. El nivel de dopaje del colector es intermedio, entre el fuerte dopaje
del emisor y el ligero dopaje de la base.
Docentes Responsables: José Olivieri; Adrian Fernández y Héctor Angulo

Correos electrónicos: olivierij@yahoo.com.ar; adrianf_sj@hotmail.com;
hectorangulo2003@yahoo.com.ar
Directivo a cargo: Vice director Javier Carmona Página 1
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Físicamente, el colector es la más ancha de las tres regiones.
Diodos de emisor y de colector

El transistor de la Figura 6.1 tiene dos uniones: una entre el emisor y la base, y otra entre el
colector y la base, por lo que un transistor es como dos diodos en oposición. El diodo inferior
es el diodo emisor-base, o simplemente diodo de emisor. El diodo superior es el diodo
colector-base, o diodo de colector.
Antes y después de la difusión
La Figura 6.1 muestra las regiones del transistor antes de que tenga lugar la difusión.
Como se ha visto en el Capítulo 2, los electrones libres en la región n se difundirán a través de
la unión y se recombinarán con los huecos en la región p. Imagine los electrones libres de las
regiones n atravesando la unión y recombinándose con los huecos.
El resultado son dos zonas de deplexión, como se muestra en la Figura 6.2.
En cada una de las zonas de deplexión, la barrera de potencial es de aproximadamente 0,7 V a
25°C para un transistor de silicio (0,3 V a 25°C para un transistorde germanio). Como antes,
vamos a hacer hincapié en los dispositivos de silicio ya que ahora su uso está mucho más
extendido que el de los dispositivos de germanio.

El transistor polarizado

Un transistor no polarizado es como dos diodos en oposición. Cada diodo tiene una barrera de
potencial de aproximadamente 0,7 V. Cuando se conectan al transistor fuentes de tensión
externas, circularán corrientes a través de las distintas partes del transistor.
Electrones del emisor
La Figura 6.3 muestra un transistor polarizado. Los signos menos representan los electrones
libres. El trabajo que realiza el emisor fuertemente dopado es el siguiente: emite o inyecta sus
electrones libres en la base. La base ligeramente dopada también tiene un propósito bien
definido: pasar los electrones inyectados por el emisor al colector.
El colector debe su nombre precisamente a que recolecta la mayor parte de los electrones de
la base.
La Figura 6.3 muestra la forma habitual de polarizar un transistor. La fuente de la izquierda,
VBB, de la Figura 6.3 polariza en directa el diodo de emisor y la fuente de la derecha, VCC,
polariza en inversa el diodo de colector.
Aunque son posibles otros métodos de polarización, polarizar en directa el diodo de emisor y
en inversa el diodo de colector es el que proporciona resultados más útiles.
Electrones de la base
En el instante en que se aplica la polarización directa al diodo de emisor de la Figura 6.3, los
electrones del emisor todavía no han entrado en la región de la base. Si, en la Figura 6.3, VBB
es mayor que la barrera de potencial emisor-base, los electrones del emisor entrarán en la
base, como se muestra en la Figura 6.4. En teoría, estos electrones libres pueden fluir en
cualquiera de las dos direcciones: pueden desplazarse hacia la izquierda y salir de la base,
pasando a través de RB en el camino hacia el terminal positivo de la fuente, o pueden fluir
hacia el colector.
¿Qué camino seguirán los electrones libres? La mayoría irán hacia el colector.

¿Por qué? Existen dos razones: la base está ligeramente dopada y es muy estrecha.
“Ligeramente dopada” implica que los electrones libres tienen un tiempo de vida largo en la
región de la base, que sea “muy estrecha” implica que los electrones libres sólo tienen que
recorrer una distancia muy corta para alcanzar al colector.
Sólo unos pocos electrones libres se recombinarán con los huecos en la base ligeramente
dopada de la Figura 6.4. Después, como electrones de valencia, fluirán a través de la
resistencia de base hasta el terminal positivo de la fuente de alimentación VBB.
Electrones del colector

Casi todos los electrones libres entran en el colector, como se muestra en la Figura 6.5. Una
vez que están en el colector, se ven atraídos por la fuente de tensión VCC, por lo que fluyen a
través del colector y atraviesan RC hasta alcanzar el terminal positivo de la tensión de
alimentación del colector.
En resumen, lo que ocurre es lo siguiente: en la Figura 6.5, VBB polariza en directa el diodo
de emisor, forzando a los electrones libres del emisor a entrar en la base. La base es estrecha y
está poco dopada, proporcionando el tiempo suficiente para que todos los electrones se
difundan hasta el colector. Estos electrones atraviesan el colector, la resistencia RC, y entran
en el terminal positivo de la fuente de tensión VCC.

ACTIVIDADES
1. ¿Cuántas uniones pn tiene un transistor?

2. ¿Cuál es una de las funciones más importantes que realizan los transistores?
3. ¿Quién inventó el primer transistor de unión?
4. En un transistor npn, ¿qué portadores mayoritarios tiene en el emisor?
5. ¿De cuánto es la barrera de potencial en cada una de las zonas de deplexión del
Silicio?
6. ¿Cómo se polariza el diodo de emisor normalmente?
7. En el funcionamiento normal del transistor ¿cómo se polariza el diodo de colector?
8. La base de un transistor npn es estrecha y ¿cómo esta dopada?
9. Hacia donde fluyen la mayoría de los electrones de la base de un transistor npn?
10. La mayor parte de los electrones que atraviesan la base ¿A dónde se dirigen?


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