Universidad de Guadalajara

Centro Universitario de los Lagos

Elizabeth Guadalupe Rivera Martínez.

Electricidad Industrial
Gonzalez Lavenant Juan Carlos
Semiconductor. Es un elemento que funciona como un conductor o como
un aislante dependiendo de algunos factores, como el campo eléctrico o
magnético, la radiación, la presión o la temperatura del ambiente en el que se
encuentre.
Concepto: Los materiales semiconductores ocupan una posición intermedia en la
escala de conductividades entre los conductores y los aislantes. Un material
semiconductor es aquel que tiene una conductividad eléctrica intermedia, entre la
de los metales y los aislantes; y otras propiedades físicas no usuales.
Elementos químicos que forman esta familia:
Los elementos químicos semiconductores de la tabla periódica son: Cadmio (Cd),
Aluminio (Al), Galio (Ga), Boro (B), Indio (In), Silicio (Si), Carbono (C), Germanio
(Ge), Fósforo (P), Arsénico (As), Antimonio (Sb), Selenio (Se), Teluro (Te) y Azufre
(S).
La característica común a todos ellos es que son tetravalentes, es decir, forman 4
enlaces covalentes.
* Podemos distinguir 4 tipos de semiconductores: intrínsecos, extrínsecos, de tipo
N, y de tipo P.
Dopado de semiconductores
En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional
de agregar impurezas en un semiconductor (abreviadamente, SC)
extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus
propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de
semiconductores a dopar.
A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como
extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado, que actúa más como
un conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado.
El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las
capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeña. Cuando se
agregan un pequeño número de átomos dopantes (en el orden de 1 cada
100 000 000 de átomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando
se agregan muchos más átomos (en el orden de 1 cada 10 000 átomos) entonces
se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la
nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P.

Semiconductores intrínsecos: son los que poseen una conductividad eléctrica

fácilmente controlable y, al combinarlos de forma correcta, pueden actuar como
interruptores, amplificadores o dispositivos de almacenamiento.

Semiconductores extrínsecos: se forman al agregar a un semiconductor

intrínseco sustancias dopantes o impurezas, su conductividad dependerá de la
concentración de esos átomos dopantes.
SEMICONDUCTORES TIPO P Y N
Al añadir impurezas a los semiconductores provocamos que estos tengan una
mejor conductividad eléctrica. Este proceso se conoce como dopado, se puede
realizar de dos formas:
Impurezas pentavalentes: Son elementos que podemos encontrar en la tabla
periódica cuyos átomos cuentan con cinco electrones de valencia en su orbital
exterior. Entre estos elementos podemos encontrar el Fósforo, Antimonio y
Arsénico.
Impurezas trivalentes: Son elementos cuyos átomos tienen tres electrones de
valencia en su orbital exterior. Podemos encontrar entre ellos el Boro, Galio e
Indio.
Cuando un elemento entra a la red cristalina del Silicio que tiene cinco electrones
se completan los cuatro electrones de valencia que se precisan para llegar al
equilibrio y por lo tanto quedaría un quinto electrón que permite al elemento ser
mucho mejor conductor. Un semiconductor dopado con impurezas pentavalentes
se dice que es de tipo N.
Si en la red cristalina de Silicio se introduce una impureza trivalente se forman tres
enlaces covalentes con tres átomos de Silicio vecinos, quedando un cuarto átomo
de Silicio con un electrón sin enlazar, provocando así un hueco en la red cristalina.
Un semiconductor dopado con impurezas trivalentes se dice que es de tipo P.
Utilidad de los semiconductores en la electrónica

Actualmente se han desarrollado muchos dispositivos electrónicos, haciendo uso

de sus propiedades de transporte, algunos de estos semiconductores son;

 Termistores: Su conductividad depende de la temperatura que alcance.

 Transductores de presión: Cuando aplicamos presión a este tipo de
semiconductor, sus átomos se cierran, el gap de energía se estrecha y esto
conlleva a que su conductividad aumente considerablemente.
 Rectificadores (dispositivos de unión del tipo p-n): se producen uniendo los
semiconductores del tipo n y p, formando una unión del tipo p-n, cuándo ocurre
esto los electrones se concentran en la unión del tipo n y los huecos en la
unión p, este desequilibrio electrónico crea un voltaje mediante la unión.
 Transistores de unión bipolar: este transistor se utiliza como interruptor o
amplificador, por lo general se utiliza en unidades de procesamiento central de
las computadoras por la eficiencia en dar una respuesta rápida a la
conmutación.
 Transistores de efecto de campo: son utilizados frecuentemente para
almacenar información en la memoria de los ordenadores. El transistor de
efecto de campo (FET), se comporta de forma algo distinta a los de
unión bipolar.
Otras tecnologías de semiconduccion
Una estructura MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) es un dispositivo electrónico
formado por un sustrato de silicio dopado, sobre el cual se hace crecer una capa
de óxido (SiO2). Los elementos se contactan con dos terminales metálicas
llamadas sustrato y compuerta. La estructura se compara con un condensador de
placas paralelas, en donde se reemplaza una de las placas por el silicio
semiconductor del sustrato, y la otra por un metal, aunque en la práctica se usa
polisilicio, es decir, un policristal de silicio..
El semiconductor complementario de óxido metálico o complementary metal-
oxide-semiconductor (CMOS) es una de las familias lógicas empleadas en la
fabricación de circuitos integrados. Su principal característica consiste en la
utilización conjunta de transistores de tipo pMOS y tipo nMOS configurados de
forma tal que, en estado de reposo, el consumo de energía es únicamente el
debido a las corrientes parásitas, colocado en la placa base.
En la actualidad, la mayoría de los circuitos integrados que se fabrican usan la
tecnología CMOS. Esto incluye microprocesadores, memorias, procesadores
digitales de señales y muchos otros tipos de circuitos integrados digitales de
consumo considerablemente bajo.
Drenador (D) conectada a tierra (Vss), con valor 0 ; el valor 0 no se propaga al
surtidor (S) y por lo tanto a la salida de la puerta lógica. El transistor pMOS, por el
contrario, está en estado de conducción y es el que propaga valor 1 (Vdd) a la
salida.
Otra característica importante de los circuitos CMOS es que son “regenerativos”:
una señal degradada que acometa una puerta lógica CMOS se verá restaurada a
su valor lógico inicial 0 o 1, siempre que aún esté dentro de los márgenes de ruido
que el circuito pueda tolerar.1

La lógica de semiconductores de óxido metálico de tipo N utiliza transistores

de efecto de campo de tipo n ( MOSFET ) para implementar puertas lógicas y
otros circuitos digitales . Estos transistores nMOS funcionan creando una capa de
inversión en un cuerpo de transistor tipo p . Esta capa de inversión, llamado el n
canales, puede conducir electrones entre de tipo n terminales de "fuga" "fuente" y.
El canal n se crea aplicando voltaje al tercer terminal, llamado puerta. Al igual que
otros MOSFET, los transistores nMOS tienen cuatro modos de funcionamiento:
corte (o subumbral), triodo, saturación (a veces llamado activo) y saturación de
velocidad.
La lógica de semiconductor de óxido metálico de tipo P utiliza transistores de
efecto de campo semiconductor de óxido metálico de canal p (MOSFET) para
implementar puertas lógicas y otros circuitos digitales . Los transistores PMOS
funcionan creando una capa de inversión en un cuerpo de transistor de tipo n .
Esta capa de inversión, llamada canal p, puede conducir agujeros entre terminales
de "fuente" y "drenaje" de tipo p .
El canal p se crea aplicando voltaje al tercer terminal, llamado puerta. Al igual que
otros MOSFET, los transistores PMOS tienen cuatro modos de funcionamiento:
corte (o subumbral), triodo, saturación (a veces llamado activo) y saturación de
velocidad.

Referencias
(17 de 09 de 2020). Obtenido de
https://www.ecured.cu/Semiconductores#Los_semiconductores_en_la_elect
r.C3.B3nica
(17 de 09 de 2020). Obtenido de
https://www.mecatronicalatam.com/es/tutoriales/teoria/semiconductores/
Portal de arquitectura Arqhys.com. Equipo de redacción profesional. (2017, 11).
Propiedades de los semiconductores. Escrito por: Arqhys Construcción. Obtenido
en fecha 09, 2020, desde el sitio
web: https://www.arqhys.com/construccion/semiconductores-propiedades.html.
«Dopaje | PVEducation». www.pveducation.org. Consultado el 17 de septiembre
de 2020.
Berkeley University. The MOS Capacitor. Disponible en línea: http://www-
inst.eecs.berkeley.edu/~ee130/sp03/lecture/lecture21.pdf
«LA TECNOLOGÍA CMOS». Consultado el 17 de septiembre de 2020.

 Savard, John JG (2018) [2005]. "De qué están hechas las

computadoras" . quadibloc . Archivado desde el original el 2 de julio de 2018 .
Consultado el 11 de septiembre de 2020 .