Instituto Politécnico Nacional

Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica

Unidad Zacatenco

Licenciatura: Ingeniería en Comunicaciones y Electrónica

Asignatura: Dispositivos

Presentación: Unidad II

Fecha: 30-Septiembre-2020
UNIDAD II DISPOSITIVOS DE ESTADO SÓLIDO DE DOS
TERMINALES (DIODOS)
Dentro de la clasificación de los dispositivos
tenemos:
Dispositivos semiconductores:

 Discretos:
* Dos terminales -> Diodo,

* Tres terminales -> Transistores, Tiristores

 Integrados (circuitos integrados):

* Más de tres terminales:
- Puente de diodos
- Lógicos -> Compuertas Lógicas, Microcontroladores
- Lineales -> Regulador de voltaje, Temporizador (555), Amplificador operacional
Tipos de encapsulados de dispositivos semiconductores
Se suele encapsular, generalmente en un material cerámico,
metálico o plástico, y terminar en dos o más terminales o
terminales metálicas. Se diseñan para ser conectados entre
ellos, normalmente mediante soldadura, a un circuito impreso,
para formar el mencionado circuito.
Los encapsulados se clasifican, en general, como los muestra
la siguiente tabla:
Algunos dispositivos semiconductores, junto a su función más
común dentro de un circuito.
Identificación de componentes en un diagrama electrónico

1. Puente de diodos de 8A.

2. Capacitor electrolítico de 4700μF, 100μF ambos a125V y de 3.3μF a 100V.
3. Diodo Zener de 15V, 30V y 13V.
4. Resistores de 27KΩ, 1KΩ, 10KΩ, 6K8Ω, 8K2Ω, 5K6KΩ, 100KΩ, 9K1Ω, 0.22Ω, 47Ω, 470Ω y 180KΩ.
5. Capacitor cerámico 47nF
6. Potenciómetros de 3KΩ, y 5KΩ.
7. Transistor (BJT) PNP: BC327 y BD242A.
8. Transistor (BJT) NPN 2SD110 ó 2SD388 ó 2SD711 ó 2N3055
9. Diodo emisor de luz (LED)
10 Transformador a 5A.
11. Circuito integrado LM723.
12. Tierra eléctrica ó punto de referencia del circuito.
13. Push button NA
14. Diodos de conmutación 1N4148.
 UNIDAD II Dispositivos de Estado Sólido de Dos Terminales
(Diodos)
Características generales de los dispositivos de estado sólido de dos terminales.
Diodos.
Otros.
Diodos (características, limitaciones, símbolos, modelo equivalente, bloque funcional,
comportamiento gráfico y polarización).
Diodo ideal.
Diodo rectificador real.
Diodos de alta velocidad (diodo Schottky, diodo de conmutación.
Diodos especiales.
Diodo Zener.
Dispositivos optoelectrónicos (diodo emisor de luz, indicador de siete segmentos, fotodiodo,
optoacopladores, diodo láser, celda solar).
Otros diodos (varicap, varistor, de corriente constante, diodos de recuperación en escalón o de
bloqueo rápido, diodos opuestos o diodos de muy bajo voltaje de ruptura inversa, diodo túnel).
Aplicaciones típicas con diodos (rectificadores, limitadores o recortadores de voltaje, sujetadores o
cambiadores de nivel, dobladores, triplicadores, regulador, voltaje de referencia, indicadores
luminosos).
 Dispositivos de estado sólido Características Generales

Los rápidos avances en la tecnología de los

semiconductores que se produjeron en las décadas de
1950 y 1960 revolucionaron la electrónica. Al sustituir las
válvulas de vacío, los dispositivos semiconductores dieron
lugar a tamaños menores, mayor duración, menor
consumo de potencia, temperaturas de funcionamiento
más bajas y se lograron costos inferiores.
Dispositivos de estado sólido Características Generales
Son construidos con materiales semiconductores, tipo P y N.
Tienen una respuesta exponencial.
Los dispositivos pasivos consumen energía eléctrica, que es
proporcionada por los dispositivos activos, para poder realizar su
trabajo.
Su funcionamiento depende de la polarización (directa e
inversa).
Pueden tener dos, tres o más terminales, por ejemplo, diodos,
transistores y circuitos integrados respectivamente.
-Existen dispositivos de estado sólido de propósito general, de
respuesta rápida, de conmutación, de potencia, entre otros.
Dispositivos de estado sólido Características Generales
Están construidos por la unión de materiales semiconductores generalmente
extrínsecos.

Se denominan semiconductores a aquellos elementos cuya anchura en la

región de energía prohibida es relativamente pequeña, esto es, 1 [eV]
aproximadamente.

Los materiales semiconductores de mayor importancia son el Germanio y el

Silicio.

Las características de conducción de los semiconductores son muy sensibles a

las variaciones de la temperatura, puesto que para bajos valores, estos
materiales se vuelven prácticamente aislantes, en tanto que al elevar la
temperatura, estos aumentan su conductividad de manera significativa.
Dispositivos de estado sólido Características Generales
A medida que la temperatura aumenta, algunos de los electrones que se
encuentran en la banda de valencia, pueden adquirir energía térmica
suficiente para saltar a la banda de conducción, dejando así un espacio
libre en la banda de valencia, y de esta manera, en presencia de un
pequeño campo, la movilización de los electrones sería relativamente
fácil.

Propiedades de los materiales semiconductores:

(Conductividad para los semiconductores: 10-10< G < 103 (W.cm)-1.
Ancho de banda de energía prohibida a 0o C: 1.21 [eV] para el Si, 0.78
[eV] para el Ge, y 1.92 [eV] para el AsGa (Arseniuro de Galio).
 Dispositivos de estado sólido Características Generales

Los semiconductores son elementos que

ocupan el IV grupo de la tabla periódica, y
por tanto, tienen 4 electrones de valencia.
Esta característica les permite formar una
estructura geométrica periódica llamada
estructura mono cristalina cuando se
agrupan un número suficiente de átomos
de la misma especie. En la Tabla se
muestran a los elementos que forman
parte de este grupo.
Dispositivos de estado sólido Características Generales

Tipos de semiconductores:

Existen dos tipo de semiconductores: Intrínsecos y Extrínsecos

Intrínsecos (puro): Su estructura cristalina es pura, esto es:

n = p = ni.

Donde:
ni es la concentración intrínseca.
n es la concentración de electrones libres.
p es la concentración de huecos.
Dispositivos de estado sólido Características Generales

Extrínsecos (contaminado o dopado): Si a un cristal puro se le

añade de manera uniforme cierto tipo de impurezas (como
átomos pentavalentes o trivalentes), lo que se obtiene es un
semiconductor dopado. Las impurezas que se agregan son tan
solo la proporción de 1 en 106 átomos de cristal puro, pero
pueden alterar las bandas de energía de la estructura lo
suficiente para cambiar totalmente las propiedades eléctricas
del cristal.
Hay dos materiales extrínsecos de importancia: el material
semiconductor tipo n y el material semiconductor tipo p.

Semiconductor tipo n: Es fabricado añadiendo a una red

cristalina pura, de Germanio o Silicio, elementos que tengan 5
electrones de valencia, tales como el Antimonio, Arsénico,
Fósforo, etc. El átomo de impureza insertado en el átomo del
silicio o del germanio, ha donado un electrón a la estructura, se
lo denomina átomo donante.

A temperatura ambiente, hay un gran número de electrones en

el nivel de conducción, por lo que la conductividad del material
aumenta. Los electrones libres son en este caso llamados
portadores mayoritarios, en tanto que los huecos que
eventualmente se producen son llamados portadores
minoritarios
 Dispositivos de estado sólido Características Generales

Semiconductores tipo p: Se crean añadiendo átomos que

tengan tres electrones de valencia (como el Boro, Galio, etc.) a
una base de Silicio o Germanio puro. La impureza agregada es
capaz de aceptar un electrón, se le denomina átomo aceptor.
Resulta evidente además que los portadores mayoritarios son los
huecos, en tanto que los minoritarios serán los electrones libres.

Al añadir impurezas aceptoras, aparece justo por encima de la

banda de valencia un nivel discreto de energía permitido,
llamado nivel del aceptor, que permite la reducción de la banda
prohibida de manera considerable.
EL DIODO

Las propiedades de los materiales semiconductores se conocían en 1874,

cuando se observó la conducción en un sentido en cristales de sulfuro, 25 años
más tarde se empleó el rectificador de cristales de galena para la detección de
ondas. Durante la Segunda Guerra Mundial se desarrolló el primer dispositivo
con las propiedades que hoy conocemos, el diodo de Germanio.

En el mercado podemos encontrar muchos

tipos de diodos que sirven para distintas
aplicaciones. Vamos a ver las características
principales de algunos de ellos.
Diodo ideal

Un diodo ideal es un diodo que actúa como un conductor

perfecto cuando el voltaje se aplica en polarización
directa y como un aislante perfecto cuando el voltaje se
aplica en polarización inversa.

Así que cuando el voltaje positivo se aplica a través del

ánodo al cátodo, el diodo conduce la corriente
inmediatamente. Cuando se aplica voltaje a la inversa, el
diodo no conduce ninguna corriente
 Curva de Características del Diodo Ideal

Cuando el diodo recibe el voltaje directo, conduce

inmediatamente una cantidad infinita de corriente que puede
suministrar a un circuito.

Cuando el voltaje inverso se aplica al diodo, no conduce ninguna

corriente en absoluto, no importa cuán grande es este voltaje
inverso.
Características del diodo ideal

NO EXISTE

Los diodos ideales no tienen un voltaje de umbral. Una vez

que se aplica una tensión directa a través del diodo,
conducirá la corriente instantáneamente a través de sus
terminales.

Los diodos ideales tienen una corriente directa infinita

cuando se aplica una tensión directa a través de sus
terminales. Esto se debe a que en la condición ideal, la
resistencia interna del diodo sería 0Ω. El diodo no tendría
ninguna resistencia interna en absoluto. Por lo tanto, habría
una cantidad infinita de corriente conducida y suministrada a
un circuito con un diodo ideal.
Características del diodo ideal

Los diodos ideales no tienen un voltaje de ruptura. Esto se

debe a que los diodos ideales tienen una resistencia infinita
al voltaje inverso. No conducirá ninguna corriente en
absoluto cuando el voltaje se aplique al revés, no importa
cuán grande sea el voltaje.

Dado que un diodo ideal no tiene un punto de ruptura;

Nunca produce ninguna corriente inversa, llamada corriente
de fuga. Es un aislador perfecto cuando se aplica voltaje en
sentido inverso.
Concepto Diodo

Un diodo es un componente electrónico de dos terminales

ánodo (A) y cátodo (K), construido por la unión de dos
materiales semiconductores extrínsecos uno tipo P (corresponde
a la terminal ánodo) y otro tipo N (corresponde a la terminal
cátodo), que al polarizarlo generalmente en directa, permite la
circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo
sentido (de ánodo a cátodo); comportándose idealmente como
un conductor y al polarizarlo en inversa generalmente no
permite la conducción de la corriente a través de él,
comportándose idealmente como un aislante. El diodo, es uno
de los dispositivos electrónicos más común entre los
semiconductores.
Estructura interna y símbolo del diodo
 Diodo dispositivo no lineal

Dispositivo cuya gráfica de corriente en

función de la tensión no es una línea
recta. No se puede tratar como una
resistencia convencional.
El diodo, es un dispositivo no lineal.
Para el diodo rectificador con una señal
de corriente alterna, se tiene una
característica que, idealmente, es como
se muestra en la gráfica.
Condiciones ideales de un diodo, como una
aproximación a una respuesta real.

El diodo presenta idealmente Resistencia cero cuando

se polariza en Directo (Voltaje positivo), e idealmente
Resistencia infinita cuando se polariza en Inverso
(Voltaje negativo).
Voltaje de Umbral
Los diodos convencionales tienen una tensión umbral. Éste es
el voltaje que se debe rebasar para que el diodo conduzca una
corriente considerable.
Para los diodos de silicio, el voltaje de umbral es ligeramente
menor a 0.6V.
Para diodos de germanio, es de ligeramente menor a 0.2V.
Esta tensión es necesaria para que los electrones de la unión n
puedan tener suficiente empuje para romper la barrera entre
ellos y cruzar en la unión p. Así es como la corriente fluye en
un diodo.
Cualquier voltaje por debajo del voltaje de umbral no
será suficiente para empujar los electrones a través de
una barrera a la siguiente.
Este voltaje se puede ver en la curva de características
de diodo.
Antes del punto de umbral, muy poca corriente fluye a
través del diodo.
Sin embargo, después de que el diodo recibe un voltaje
por encima de este, produce flujo de corriente
considerable.
Los diodos convencionales conducen una corriente
grande cuando el voltaje directo sobre su voltaje de
umbral se suministra al diodo, pero sigue siendo una
cantidad finita de corriente.
Los diodos convencionales, aunque pequeños, todavía
tienen resistencia interna.
Es imposible crear cualquier componente físico que no
tenga alguna resistencia interna.
La resistencia asegura que la corriente será finita en
naturaleza y no puede ser infinita.
Voltaje de Ruptura
Los diodos convencionales tienen una tensión de
ruptura.
Este es el voltaje inverso que cuando se aplica al diodo
hará que las uniones de diodos se rompan y conduzca
una gran cantidad de corriente, aunque el voltaje se
aplica con una polaridad incorrecta.
Un diodo no debe conducir corriente cuando el voltaje
se aplica de manera incorrecta.
Sin embargo, después de cierto punto, llamado el punto
de ruptura, dará paso a una corriente.
Corriente inversa (fuga)

Un diodo convencional conducirá alguna corriente de

fuga aun cuando se aplique voltaje inverso, incluso
cuando la tensión inversa no haya alcanzado el punto de
ruptura.
Después de alcanzar el voltaje de ruptura, conducirá
una gran cantidad de corriente, llamada corriente de
avalancha, a la inversa.
Esto es porque un diodo convencional nunca puede ser
un aislante perfecto y dará paso si se le suministra
suficiente voltaje inverso.
MODELO MATEMÁTICO Y GRÁFICO
Curva de las Características
Ecuación de Shockley, para obtener la Diodos Convencionales
respuesta del diodo considerando
variaciones de VD .

Circuito equivalente en polarización directa

Vu
 Potencia de consumo del diodo:

 Sabiendo que:

 Sustituyendo esta ecuación en la de potencia tenemos:

 Resistencia dinámica:

 Resistencia estática: RD=VD/ID [Ω]

CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Como todos los componentes electrónicos, los diodos poseen propiedades

que les diferencia de los demás semiconductores. Es necesario conocer
estas, pues los libros de características y las necesidades de diseño así lo
requieren. Las más importantes desde el punto de vista práctico son:

Valores nominales de tensión:

VF = Tensión directa en los extremos del diodo en conducción.

VR = Tensión inversa en los extremos del diodo en polarización inversa.

VRSM = Tensión inversa de pico no repetitiva.

VRRM = Tensión inversa de pico repetitiva.

VRWM = Tensión inversa de cresta de funcionamiento.

Valores nominales de corriente:

IF = Corriente directa.

IR = Corriente inversa.

IFAV = Valor medio de la forma de onda de la corriente durante un periodo.

IFRMS = Corriente eficaz en estado de conducción. Es la máxima corriente eficaz que el

diodo es capaz de soportar.

IFSM = Corriente directa de pico (inicial) no repetitiva.

AV= Average (promedio)

RMS= Root Mean Square (raíz de la media cuadrática)

Valores nominales de temperatura:

Tstg = Indica los valores máximos y mínimos de la temperatura de almacenamiento.

Tj = Valor máximo de la temperatura que soporta la unión de los semiconductores.

DIODOS RECTIFICADORES

Su construcción está basada en la unión PN, teniendo como

base el silicio, siendo su principal aplicación como
rectificadores.

Este tipo de diodos soportan elevadas temperaturas (hasta

200ºC en la unión), siendo su resistencia muy baja y la
corriente en tensión inversa muy pequeña. Gracias a esto se
pueden construir diodos de pequeñas dimensiones para
potencias relativamente grandes, desbancando así a los diodos
termoiónicos desde hace tiempo.
Aplicaciones

Sus aplicaciones van desde elemento indispensable en fuentes

de alimentación como en televisión, aparatos de rayos X y
microscopios electrónicos, donde deben rectificar tensiones
altísimas.

En fuentes de alimentación se utilizan los diodos formando

configuración en puente (con cuatro diodos en sistemas
monofásicos), o utilizando los puentes integrados que a tal
efecto se fabrican y que simplifican en gran medida el proceso
de diseño de una placa de circuito impreso.

Circuitos fijadores de voltaje

Circuitos recortadores de voltaje
Circuitos multiplicadores de voltaje, entre otras aplicaciones.
Condiciones para el encapsulado

Los distintos encapsulados de estos diodos dependen

del nivel de potencia que tengan que disipar. Hasta 1W
se emplean encapsulados de plástico. Por encima de
este valor el encapsulado es metálico y en potencias
más elevadas es necesario que el encapsulado tenga
previsto una rosca para fijar este a un radiador y así
ayudar al diodo a disipar el calor producido por esas
altas corrientes.

Igual le pasa a los puentes de diodos integrados.

DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCIÓN

La desactivación de un relé provoca una corriente de descarga

de la bobina en sentido inverso que pone en peligro el elemento
electrónico utilizado para su activación.

Un diodo polarizado inversamente cortocircuita dicha corriente y

elimina el problema.

El inconveniente que presenta es que la descarga de la bobina es

más lenta, así que la frecuencia a la que puede ser activado el
relé es más baja.

Se le llama comúnmente diodo volante.

DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCIÓN DE UN
DIODO LED EN CORRIENTE ALTERNA

El diodo LED cuando se polariza en C.A. directamente conduce y

la tensión cae sobre la resistencia limitadora, sin embargo,
cuando se polariza inversamente, toda la tensión se encuentra
en los extremos del diodo, lo que puede destruirlo.
Diodo Zener

El diodo Zener es un tipo especial de diodo, que se utiliza

polarizado inversamente para su principal funcionamiento.

En este caso la corriente circula en contra de la flecha que

representa el diodo.

Si el diodo Zener se polariza en sentido directo se comporta

como un diodo rectificador común.

Cuando el diodo Zener funciona polarizado inversamente

mantiene entre sus terminales un voltaje constante.
En el gráfico se ve el símbolo de diodo Zener (A=ánodo,
K=cátodo) y el sentido de la corriente para que funcione en la
zona operativa. Cuando éste se polariza en modo inverso existe
una corriente que circula en sentido contrario a la flecha del
diodo “corriente Zener (Iz)”, corriente que fluye del cátodo al
ánodo.
La gráfica muestra la parte de operación en inversa de la
curva característica de diodo Zener.

Se observa que conforme se incrementa el voltaje en inversa

(VR), la corriente en inversa (IR) permanece extremadamente
pequeña hasta la “inflexión” de la curva.

La corriente en inversa también se llama corriente Zener, IZ.

En este punto, se inicia el efecto de ruptura: la resistencia
Zener interna, también llamada impedancia Zener (ZZ),
comienza a reducirse a medida que la corriente se
incrementa rápidamente.

Desde la parte inferior de la inflexión, el voltaje de ruptura

Zener (VZ) permanece esencialmente constante aunque se
incrementa un poco a medida que se incrementa la corriente
Zener, IZ.
La ruptura Zener ocurre en un diodo Zener a voltajes en
inversa bajos.

Un diodo Zener se dopa en exceso para reducir el voltaje de

ruptura; esto crea una región de empobrecimiento muy
estrecha.

En consecuencia, existe un intenso campo eléctrico adentro de

la región de empobrecimiento.

Cerca del voltaje de ruptura Zener (VZ), el campo es

suficientemente intenso para jalar electrones de sus bandas de
valencia y crear corriente.
Los diodos Zener con voltajes de ruptura de menos 5V operan
predominantemente en ruptura Zener.

Aquellos con voltajes de más de 5V operan predominantemente

en ruptura de avalancha.

Ambos tipos, sin embargo, se conocen como diodos Zener.

Los diodos Zener están comercialmente disponibles con

voltajes de ruptura de menos de 1V hasta más de 250V, con
tolerancias especificadas de 1 a 20 por ciento.
Voltaje de ruptura inverso (VR)

Existe un valor de voltaje VR a partir del cual el diodo ya no

se comporta de acuerdo con las predicciones de la ecuación
general. Este voltaje se denomina voltaje de ruptura inverso,
el cual es producido por dos efectos de importancia: el efecto
Zener y el efecto Avalancha.

Efecto Zener

Si se incrementa lo suficiente el voltaje aplicado en

polarización inversa, es posible que el campo eléctrico en la
proximidad de la unión se vuelva tan fuerte que los
electrones sean desprendidos de los enlaces covalentes
generando una corriente negativa.
Un diodo Zener que opera en condición de ruptura actúa como
regulador de voltaje porque mantiene un voltaje casi constante a
través de sus terminales durante un intervalo especificado de
valores de corriente en inversa.

Se debe mantener un valor mínimo de corriente en inversa, IZK

para mantener el diodo en condición de ruptura para regulación
de voltaje.
En la curva se ve que cuando la corriente en inversa se reduce por
debajo de la inflexión de la curva, el voltaje se reduce
drásticamente y se pierde la regulación.
Además, existe una corriente máxima, IZM, por encima de la cual
el diodo puede dañarse por la excesiva disipación de potencia. Por
lo tanto, básicamente, el diodo Zener mantiene un voltaje casi
constante a través de sus terminales, con valores de corriente en
inversa que van desde IZK hasta IZM.

Normalmente se especifica un voltaje nominal del Zener, VZ, en

una hoja de datos a un valor de corriente en inversa llamada
corriente de prueba Zener.
Efecto Avalancha

Si los electrones se desprenden de sus átomos debido a un

incremento en la temperatura o a la existencia de un potencial
excesivamente alto, pueden ser acelerados a grandes
velocidades mientras cruzan la unión. Esto produciría
eventuales choques con otros electrones, que a su vez, se
desprenderían de sus enlaces y se acelerarían hasta chocar con
otros átomos y desprender mas electrones.

Este efecto continuaría en forma de avalancha hasta producir

una corriente considerable en el sentido negativo.

Ambos fenómenos ocurren generalmente a partir de los -5.5V.

Circuito equivalente en polarización directa e inversa

Polarización directa Polarización inversa

La figura representa el modelo práctico (segunda aproximación) de un
diodo Zener, donde la impedancia Zener (resistencia) ZZ está incluida.

Como la curva de voltaje real no es idealmente vertical, un cambio en

la corriente del Zener (IZ) produce un pequeño cambio del voltaje
Zener (VZ) como la figura lo ilustra. Según la ley de Ohm, la relación
de VZ a IZ es la impedancia, tal como la siguiente ecuación lo expresa:
Normalmente, ZZ se especifica en la corriente de prueba Zener.

En la mayoría de los casos puede suponerse que ZZ es una

constante pequeña dentro del intervalo completo de valores de
corriente Zener y es puramente resistiva.

Es mejor no operar un diodo Zener cerca de la inflexión de la

curva porque la impedancia cambia dramáticamente en dicha
área.
Para la mayoría de los análisis de circuitos y tareas de solución de
fallas, el modelo ideal dará muy buenos resultados y es mucho
más fácil de utilizar que modelos más complicados.

Cuando un diodo Zener opera normalmente, estará en ruptura

inversa y se deberá observar el voltaje de ruptura nominal a
través de él.

La mayoría de los esquemas indicarán en el dibujo cual debe ser

este voltaje.
Coeficiente de temperatura

El coeficiente de temperatura especifica el cambio en

porcentaje del voltaje del Zener por cada cambio de un grado
Celsius de la temperatura.

Por ejemplo, un diodo Zener de 12V con coeficiente de

temperatura positivo de 0.01%/°C experimenta un incremento
de 1.2mV en VZ cuando la temperatura de la unión aumenta un
grado Celsius.

La fórmula para calcular el cambio en el voltaje del Zener para

un cambio de temperatura de la unión dado, con un coeficiente
de temperatura dado, es:
donde VZ es el voltaje nominal del Zener a la temperatura de
referencia de 25°C, TC es el coeficiente de temperatura y ΔT es
el cambio de temperatura con respecto a la temperatura de
referencia.

Un TC positivo significa que el voltaje del Zener se incrementa

con un aumento de la temperatura o decrece con una reducción
de la temperatura.

Un TC negativo significa que el voltaje del Zener decrece con un

incremento de la temperatura o se incrementa con una reducción
de la temperatura.

En algunos casos, el coeficiente de temperatura se expresa en

mV/°C en lugar %/°C. En estos casos, ΔVZ se calcula como:
DIODOS EMISORES DE LUZ

Existen en el mercado dispositivos optoeléctricos como los

diodos emisores de luz, comúnmente conocidos como LEDs.

Estos elementos son utilizados como indicadores en paneles

electrónicos de control, sin ser esa ni la única, ni la más
importante de sus aplicaciones.

Los LEDs son generalmente fabricados con Arseniuro de Galio

(GaAs), Fosfuro de Galio (GaP), o bien Fosfuro Arseniuro de
Galio (GaAsp). Estos materiales que al ser energizados con
una polarización directa, desprenden fotones de muy alta
energía en el proceso de recombinación, lo que a su vez
proporciona haces de luz cuyas frecuencias están dentro de
todo el espectro visible e incluso infrarrojo.
Tabla Comparación de diodos LED´s

Donde:

t significa valor típico.

m significa valor mínimo.

Símbolos que convencionalmente se usan para en LED en un
circuito
DIODOS LED ( Light Emitting Diode)

Este diodo presenta un comportamiento parecido al de un diodo rectificador sin embargo, su

tensión de umbral, se encuentra entre 1.3V y 4V dependiendo del color del diodo.

Color Tensión en directo

Infrarrojo 1.3V
Rojo 1.7V
Naranja 2.0V
Amarillo 2.5V
Verde 2.5V
Azul 4.0V
El conocimiento de esta tensión es fundamental para el diseño
del circuito en el que sea necesaria su presencia, pues,
normalmente se le coloca en serie un resistor que limite la
intensidad de la corriente que circulará por el LED.

Cuando se polariza directamente se comporta como una lámpara

que emite una luz cuyo color depende de los materiales con los
que se fabrica.

Cuando se polariza inversamente no se enciende y además no

deja circular la corriente. La intensidad mínima para que un
diodo LED emita luz visible es de 4mA y, por precaución como
máximo debe aplicarse 50mA.
Para identificar los terminales del diodo LED observaremos como
el cátodo será el terminal más corto, siendo el más largo el
ánodo. Además en el encapsulado, normalmente de plástico, se
observa un chaflán en el lado en el que se encuentra el cátodo.
Se utilizan como señal visual y en el caso de los infrarrojos en
los mandos a distancia. Se fabrican algunos LEDs especiales:

LED bicolor.- Están formados por dos diodos conectados en

paralelo e inverso. Se suele utilizar en la detección de
polaridad.
LED tricolor.- Formado por dos diodos LED (verde y rojo)
montado con el cátodo común. El terminal más corto es el ánodo
rojo, el del centro, es el cátodo común y el tercero es el ánodo
verde.

Display.- Es una combinación de diodos LED que permiten

visualizar letras y números. Se denominan comúnmente displays
de 7 segmentos. Se fabrican en dos configuraciones: ánodo
común y cátodo común.
DIODOS METAL-SEMICONDUCTOR

Los más antiguos son los de Germanio con punta de tungsteno o de oro. Su aplicación más
importante se encuentra en HF, VHF y UHF. También se utilizan como detectores en los
receptores de modulación de frecuencia.
Por el tipo de unión que tiene posee una capacidad muy baja, así como una resistencia interna
en conducción que produce una tensión máxima de 0.2V a 0.3V. El diodo Schottky son un tipo de
diodo cuya construcción se basa en la unión metal conductor con algunas diferencias respecto
del anterior.
Fue desarrollado por la Hewlett-Packard en USA, a principios de la década de los 70. La
conexión se establece entre un metal y un material semiconductor con gran concentración de
impurezas, de forma que solo existirá un movimiento de electrones, ya que son los únicos
portadores mayoritarios en ambos materiales. Al igual que el de germanio, y por la misma
razón, la tensión de umbral cuando alcanza la conducción es de 0.2V a 0.3V. Igualmente tienen
una respuesta notable a altas frecuencias, encontrando en este campo sus aplicaciones más
frecuentes. Un inconveniente de esto tipo de diodos se refiere a la poca intensidad que es capaz
de soportar entre sus extremos.
El encapsulado de estos diodos es en forma de cilindro, de plástico o de vidrio. De configuración
axial. Sobre el cuerpo se marca el cátodo, mediante un anillo serigrafiado.
Diodos PIN

El diodo PIN es un diodo que presenta una región P fuertemente dopada y otra región
N también fuertemente dopada, separadas por una región de material que es casi
intrínseco. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas, es decir,
frecuencias que exceden de 1 GHz, puesto que incluso en estas frecuencias el diodo
tiene una impedancia muy alta cuando está inversamente polarizado y muy baja
cuando esta polarizado en sentido directo. Además, las tensiones de ruptura están
comprendidas en el margen de 100 a 1000 V.

En virtud de las características del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor o
como modulador de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los
propósitos se le puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y como un
circuito abierto en sentido inverso. También se le puede utilizar para conmutar
corrientes muy intensas y/o tensiones muy grandes.
Diodo PIN

El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. La capa P de baja

resistividad representada, está esta formada por difusión de átomos de boro en un
bloque de silicio tipo P y la capa N muy delgada está formada difundiendo grandes
cantidades de fósforo. La región intrínseca i es realmente una región P de alta
resistividad y se suele denominar región p. Cuando el circuito está abierto, los
electrones fluyen desde la región i(p) hasta la región P para recombinarse con los
huecos en exceso, y los huecos fluyen desde la región i para recombinarse con los
electrones de la región N. Si el material i(p) fuese verdaderamente intrínseco, la
caída de tensión en la región i sería nula, puesto que la emigración de huecos sería
igual a la emigración de electrones. Si embargo, como el material es en verdad p (P
de alta resistividad), hay mas huecos disponibles que electrones.
Diodo PIN

Cuando se aplica una polarización inversa al diodo los electrones y los huecos del
material p son barridos (swept free). Un posterior aumento de la tensión inversa
simplemente incrementa las distribuciones de tensiones P-I e I-N. En el diodo PIN la
longitud de la región de transición L es aproximadamente igual a la región i y
aproximadamente independiente de la tensión inversa. Por lo tanto, a diferencia de los
diodos PN o Schottky, el diodo PIN tiene una capacidad inversa que es
aproximadamente constante, independiente de la polarización. Una variación típica de
la capacidad podría ser desde 0.15 hasta 0.14pF en una variación de la polarización
inversa de, por ejemplo, 100 V. En virtud de que es igual a la longitud de la región i, la
longitud de la región de transición es aproximadamente constante y considerablemente
mayor que la de otros diodos y, por lo tanto, la capacidad CR, que es proporcional a 1/L
es significativamente menor que la de otros diodos, por lo que el diodo PIN es
apropiado para aplicaciones de microondas. Los valores normales de CR varían desde
0.1pF hasta 4pF en los diodos PIN, comercialmente asequibles.
Diodo PIN

Cuando el diodo está polarizado en sentido directo, los huecos del material P se difunden el la
región p, creando una capa P de baja resistividad. La corriente es debida al flujo de los
electrones y de los huecos cuyas concentraciones son aproximadamente iguales en la región i.
En la condición de polarización directa la caída de tensión en la región i es muy pequeña.
Además, al igual que el diodo PN, cuando aumenta la corriente, también disminuye la
resistencia. En consecuencia el diodo PIN es un dispositivo con su resistencia o conductancia
modulada. En una primera aproximación, la resistencia rd en pequeña señal es inversamente
proporcional a la corriente IDQ con polarización directa, lo mismo que en el diodo PN.

En frecuencias de microondas se representa de maneras mas sencillas por una capacidad CR en

serie con la resistencia directa rd. Con tensiones directas, CR es aproximadamente infinita,
mientras que en polarización inversa, rd es aproximadamente nula. La capacidad CS es la
capacidad parásita paralelo que se produce soldando el diodo a la cápsula y LS es la inductancia
serie debida a los hilos de conexión desde el diodo hasta la cápsula.
 Bibliografía para Dispositivos Unidad I Unidad II Unidad III Unidad IV
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