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UNIDAD 1. SEMICONDUCTORES 1.1. HISTORIA El desarrollo del transistor y del circuito integrado ha conducido a importantes ventajas de la electrnica.

El circuito integrado se utiliza actualmente en casi cualquier aspecto de nuestra vida diaria, desde la televisin hasta el automvil, pasando por la computadora personal. Un ejemplo claro de la tecnologa del circuito integrado es la computadora de escritorio, la cual ahora tiene ms capacidad que las de hace aos, las cuales llenaban por completo una habitacin. Un avance fundamental en la electrnica ocurri en 1947 cuando se presento el primer transistor. Desde entonces hasta cerca de 1959 el transistor estaba disponible solo como un dispositivo discreto, por lo que la fabricacin de circuitos requiri que las terminales de los transistores se soldaran directamente a las terminales de los otros componentes. En septiembre de 1958 se presento el primer circuito integrado el cual se fabrico en germanio. Aproximadamente al mismo tiempo se introdujo el circuito integrado fabricado de silicio. El desarrollo del circuito integrado continuo a una gran velocidad a lo largo de la dcada de los 60s, basndose fundamentalmente en la tecnologa del transistor bipolar. A partir de ah el transistor de metal oxido semiconductor MOS y la tecnologa del circuito integrado MOS han surgido con la fuerza dominante, especialmente en los circuitos integrados digitales. En la actualidad un circuito integrado puede contener muchas funciones Aritmticas, lgicas y de memoria en un solo chip semiconductor. El principal ejemplo de este tipo de circuito integrado es el microprocesador.

1.2. CONCEPTO DE ELECTRONICA La electrnica es una rama de la fsica que estudia los electrones, la emisin y los movimientos de los mismos en el vaco en gases o en cuerpos slidos y desde entre punto de vista se aplica tambin este trmino a la fabricacin de los dispositivos que utilizan a los electrones en el estado libre, como los tubos electrnicos, transistores y semiconductores. Otra definicin de electrnica es como la ciencia del movimiento de cargas en un gas, vaco o semiconductor. La microelectrnica se refiere a la tecnologa de circuitos integrados, la cual puede producir un circuito con ms de un milln de componentes en una sola pieza del material semiconductor. Hoy en da la electrnica tiene gran avance, ya que se habla de la nanotecnologa, esto es la tecnologa a nivel de los tomos.

1.3. DISPOSITIVOS PASIVOS Y ACTIVOS En un dispositivo electrnico pasivo, la potencia promedio en el tiempo entregado a estos dispositivos a lo largo de privado infinito, siempre es mayor o igual a cero. Las resistencias, los capacitores y los inductores son ejemplos de dispositivos pasivos. Los inductores y capacitores pueden almacenar energa, pero no pueden entregar una potencia promedio mayor que cero en un intervalo de tiempo infinito. Los dispositivos activos tales como las fuentes de alimentacin de corriente directa tales como las bateras, generadores de corriente alterna, son capases de generar potencia. Los transistores tambin se consideran dispositivos activos, puesto que son capases de proveer ms potencia de seal a una carga de la que reciben. Este fenmeno se denomina amplificacin, la potencia adicional en la seal de solida, la brinda la fuente de alimentacin de corriente directa. 1.3.1.- RESISTENCIA Resistencia en serie

R total = R1+ R2+ R3 = I total =I1= I2 =I3 = Ampere V total =V1+ V2 +V3 = Volt Resistencia en paralelo R

R1

IT= I1 + I2= Ampere VT= V1+ V2= Volt

1.3.2. CAPACITORES. 1.3.3. INDUCTORES. 1.4. COMPORTAMIENTO DE LOS COMPONENTES EN C.A. Los componentes pasivos tienen distinto comportamiento, cuando se les aplica dos corrientes de distintas naturalezas, una alterna y otra continua. La respuesta en corriente directa ya se analiz, falta ver la respuesta de estos elementos en corriente alterna. Las resistencias son los nicos elementos pasivos, para los cuales la respuesta es la misma tanto en corriente alterna como en corriente directa.

volt

Ic1

IR IL

1.5. CIRCUITOS ELECTRONICOS. En la mayor parte de los circuitos electrnicos hay dos entradas. Como se muestra en la figura: FUENTE DE ALIMENTACION

ENTRA SEAL.

C.E.

SALIDA. SEAL AMPLIFICADA.

Una entrada proviene de la corriente de alimentacin, la cual suministra voltajes de corriente directa. Para establecer polarizacin apropiada para los transistores. La segunda entrada es una seal que puede hacer amplificada o del circuito, y cuando menos la seal de salida amplificada.

1.6. CIRCUITOS DISCRETOS ELECTRONICOS INTERADOS. Los circuitos discretos son los que tienen componentes individuales como, resistencias, inductores y capacitores. Los circuitos integrados son como los amplificadores operacionales el cual es un circuito importante en la electrnica analgica.

1.7. SEALES ANALOGICAS Y DIGITALES. Una seal de voltaje como la que se muestra, recibe el nombre de seal anloga. La magnitud de una seal analgica puede tener cualquier valor, la amplitud puede variar continuamente con respecto al tiempo. Los circuitos electrnicos que procesan estas seales, se denominan circuitos analgicos. Una seal alterna que est en uno de los niveles distintos se llama seal digital. Debido a que la seal digital tiene valores discretos, se dice que esta cuantizada. Los circuitos electrnicos que procesan seales digitales, se conocen como circuitos digitales.

v v

=1

=0

1.8. PARAMETROS IMPORTANTES DE LA C.A. Frecuencia. Es el nmero de veces que una corriente alterna cambia de polaridad en 1 seg., su unidad de medida es el Hertz=Hz. Y se le designa la letra F. Una definicin ms rigurosa para la frecuencia es el nmero de ciclos de corriente alterna que ocurre en la unidad de tiempo.

F= frecuencia=Hertz

Fase. Es la fraccin de ciclo transcurrido desde el inicio del mismo. Su smbolo es la letra griega teta () o ( ).

Grado o radian F= 60 Hertz = 60 c/s

Periodo Es el tiempo que tarda en producirse un ciclo completo de corriente alterna se denomina con la letra T y es su relacin con la frecuencia. 1 1 Periodo T T 60 F

Valor instantneo. Es el valor que toma la tensin en cada instante de tiempo.

Valor mximo Es el valor de la tensin en cada cresta o valle de la seal.

Valor medio Es la media Aritmtica de todos los valores instantneos de la seal en un periodo dado.

(t) dt

Valor eficaz Es valor que produce el mismo efecto que la seal de corriente directa equivalente.

X
VCD VCA .

(t)

Valor pico a pico Es el valor del voltaje que va desde el mximo al mnimo o de la cresta del valle.

1.9. OTROS TIPOS DE CORRIENTE ALTERNA. En electrnica se utiliza infinidad de tipos de seales, pero aqu se har referencia a las ms comunes. Onda de corriente pura Onda cuadrada Onda diente de sierra

Sinusoidal

Onda triangular

Cabe aclarar que las definiciones de los parmetros que se hicieron, para una onda sinusoidal, se, mantienen vlidas para estos y otros tipos de ondas.

1.10. MATERIALES SEMICONDUCTORES.

1.10.1. INTRODUCCION. Los materiales generalmente se clasifican de acuerdo a sus resistividades. Aquellos con valores de resistividades menores de se llaman conductores, mientras que aquellas que tienen resistividades mayores de les llama aislantes. En la regin intermedia esta una clase de materiales llamados semiconductores entre hasta /cm. La conductividad de estos materiales cambia en ambos rangos por medio de cambios en la temperatura, la excitacin ptica o el contenido de impurezas. Los materiales semiconductores se encuentran en la columna 4 y columnas vecinas de la tabla peridica. Los semiconductores de la columna 4, silicio y germanio se llaman semiconductores elementales debido a que estn compuestos de una sola especie de tomos. Adems de los materiales elementales, los compuestos con tomos de la columna 3 y columna 4, as como algunas combinaciones de las columnas 3 y 6 constituyen los semiconductores intermetalicos o compuestos. Dentro de los semiconductores el silicio se usa para la mayora de los dispositivos semiconductores, como los rectificados, a los transistores y los circuitos integrados, los emisores de luz semiconductores se hacen comnmente de compuestos tales como Astato de Galio GaAs, Fosfato de Galio GaP y compuestos mezclados tales como GaAsP. Los materiales fluorescentes tales como los que se usan en pantallas de televisin son semiconductores compuestos de las columnas 2 y4 tales como Zn y S. los detectores de luz se hacen comnmente con InSb, CdSe u otros compuestos tales como las sales de plomo PbTe, PbSe, el silicio y el germanio son ampliamente usados en detectores de radiacin nuclear e infrarrojas. A principios de los aos 50, el Germanio fue el material semiconductor ms usado. Las principales razones por las que ahora se usa el silicio es que los dispositivos exhiben menos corrientes de fuga y que puede hacerse crecer trmicamente de dixido de silicio de alta calidad. 1.10.2. IMPUREZAS. Las propiedades electrnicas y pticas de los materiales semiconductores se afectan fuertemente por medio de impurezas, las cuales se pueden agregar en cantidades controladas con precisin. Tales impurezas pueden ser usadas para variar las conductividades de los semiconductores en un amplio rango y aun alterar la naturaleza de los procesos de conduccin por medio de portadores de cargas negativas, a portadores de carga positiva. A este proceso controlado de adicin de impurezas se le llama contaminacin o dopado. 1.10.3. CONCEPTO DE HUECO.

A temperaturas bajas de 0K, los electrones del enlace estn fuertemente ligados a los ncleos de los tomos y a pesar de la disponibilidad de cuatro electrones de valencia, el cristal tiene baja conductividad. A temperatura ambiente de 300K, algunos enlaces covalentes se rompern, debido a la absorcin de energa trmica por el cristal. La energa que se precisa para romper el enlace covalente del tomo, es de 0.72 electrn volt ( ) para el germanio. Y 1.1 para el silicio a temperatura ambiente. La importancia del hueco es primordial ya que sirve como portador de electricidad comparable en su efectividad con el electrn libre. El mecanismo por el cual los huecos contribuyen a la conductividad es el siguiente: Cuando un enlace queda incompleto, aparece un hueco y resulta relativamente fcil al electrn de valencia del tomo vecino de cada enlace para llenar ese hueco deja a su vez otro hueco en su posicin inicial.; por lo tanto el hueco se mueve efectivamente en direccin contraria al electrn. El movimiento del hueco en una direccin significa el traslado de una carga negativa a igual distancia pero en direccin apuesta. El argumento de que los huecos equivalen a cargas positivas libres, se justifican de maneta formal por medio de la mecnica cuntica, pero una verificacin experimental puede hacerse, mediante el efecto denominado efecto hall. El semiconductor puro o intrnseco, es aquel en que el nmero de huecos es igual al nmero de electrones libres. 1.10.4. IMPUREZAS DONADORAS Y RECEPTORAS. Si un semiconductor intrnseco se le aade una pequea cantidad de tomos trivalentes o permanentes, se transforman en un semiconductor dulcificado contaminado o extrnseco. 1.10.5. SEMICONDUCTORES TIPO N. Si la impureza tiene 5 electrones de valencia como el antimonio, fosforo arsnico, se obtiene la estructura cristalina y los tomos de las impurezas substituirn algunos tomos del germanio o del silicio del cristal. Por consiguiente a temperatura ambiente todos los quintos electrones del material son donados a la banda de conduccin. A esto se debe a que este nivel se llama impurezas donadoras o tipo N. Si un material semiconductor intrnseco se contamina con impurezas donadoras o del tipo N, no solo aumenta el nmero de electrones, sino que tambin el nmero de huecos disminuye por debajo del que tena el semiconductor intrnseco. 1.10.6. SEMICONDUCTORES TIPO P. Si se aaden impurezas trivalentes como el boro, galio o indio en un semiconductor intrnseco, slo puede completar 3 enlaces covalentes, y la ausencia correspondiente al

cuarto enlace constituye un hueco, y por tanto son conocidos con el nombre de impurezas aceptoras o aceptadoras o impurezas tipo P. Cuando se agregan impurezas aceptoras o impurezas tipo P se forma un nivel discreto de energa permitida que est justamente por encima de la banda de valencia. Una consecuencia de impurificacin del semiconductor intrnseco es que no slo aumenta la conductividad del material, si no que sirve para producir un material con los portadores de electricidad podran ser de uno o de otro tipo, sea huecos o electrones. Por consiguiente un material semiconductor tipo N, los electrones predominan y son portadores mayoritarios, en un material tipo P, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones son portadores minoritarios. 1.11. EL DIODO. La palabra diodo es un trmino que significa 2 electrodos, en donde DI significa 2, ODO significa electrodo. El primer componente electrnico que se obtuvo al unir a un material tipo P fue llamada Diodo, es el ms sencillo de todos los componentes semiconductores, sin embargo tiene una gran importancia dentro de los sistemas electrnicos ms complejos. El material bsico usado en la construccin de la mayora de los diodos es el Silicio, aadiendo tomos de otros elementos como por ejemplo el Boro. El diodo se compone de materiales tipo N y P.

(-) ELECTRONES. (+) HUECOS. Las caractersticas de un diodo son similares a las de un interruptor sencillo, es decir que solo puede conducir corriente en una sola direccin. P directa + SIMBOLO Idealmente en polarizacin: Polarizaron directa = conduce. Polarizacin inversa = no conduce. - P inversa

1.12. EL DIODO SEMICONDUCTOR. 1.12.1. SMBOLO.

El diodo semiconductor se forma juntando los materiales tipo N y tipo P. Como el diodo es un dispositivo de dos terminales, permite 3 posibilidades de polarizacin, que son: sin polarizacin, con polarizacin directa, y con polarizacin inversa.

1.12.2. DIODOS SIN POLARIZACION. En esta condicin cualquiera de los portadores minoritarios, como los huecos en el material tipo N, que se encuentran fuera de la regin de agotamiento, pasaran directamente al material tipo P. Mientras ms cercano se encuentre el portador minoritario de la unin J1, mayor ser la atraccin de la capa de iones (-) y menor la posicin de los iones (+) en la regin de agotamiento del material tipo N. Los portadores mayoritarios como los electrones en el material tipo N, deben sobreponerse a las fuerzas de atraccin de la capa de iones positivos del material tipo N y a la capa de iones negativos del material tipo P. Las magnitudes relativas de los vectores de flujo son tales que el flujo en cualquier direccin, es igual a 0. Por consiguiente en la ausencia del voltaje de polarizacin, el flujo neto de la carga en cualquier direccin, para un diodo semiconductor es 0.

1.12.3. EL DIODO EN CONDICIONES DE POLARIZACION INVERSA. Si un potencial externo se aplica a travs de la unin P, N de tal forma que la terminal positiva se encuentre conectada con el material tipo N y el material tipo P, con la terminal negativa como se muestra en la figura. +

El nmero de iones positivos en la regin de agotamiento del material tipo N se incrementara debido al gran nmero de electrones libres atrados por el potencial positivo

del voltaje aplicado. Por las mismas razones el nmero de iones negativos se incrementaran en el material tipo P. El efecto por lo tanto es una ampliacin de la regin de agotamiento. Esta ampliacin establecer una barrera de potencial demasiado grande para ser superadas por los portadores mayoritarios, adems de una reduccin efectiva del flujo de los portadores mayoritarios. Sin embargo el nmero de portadores minoritarios que estn entrando a la regin de agotamiento no cambiaran. A la corriente que existe bajo condiciones de polarizacin inversa se le llama corriente de saturacin inversa. La corriente de saturacin n inversa es de unos cuartos micro amperes.

1.12.4. EL DIODO CON POLARIZACION DIRECTA. 1.13. APROCIMACION DEL DIODO. 1.13.1. PRIMERA APRXIMACION. Se considera que conduce bien en polarizacin directa y no conduce polarizacin inversa. En trminos de circuito un diodo ideal acta como un interruptor. Cuando el diodo esta polarizado directamente es como un interruptor cerrado y cuando esta polarizado inversamente es como un interruptor abiertamente. Aun cuando est en aproximacin del diodo parezca exagerado, es un buen principio para saber cmo operan los circuitos con diodos. Habr ocasiones que la aproximacin ideal ser demasiada inexacta, por esta razn se necesita de una segunda y tercera aproximacin. Pol directa = conduce. Pol. Inversa = no conduce 1.13.2. SEGUNDA DE APROXIMACIN DEL DIODO. Se necesitan 0.7 v para el diodo de silicio sea realmente un buen conductor.

Cuando el voltaje de la fuente es grande no tiene importancia de 0.7 v, pero cuando el voltaje de la fuente es pequeo, se debe considerar el voltaje de entonces se debe considerar el voltaje de cada uno. No hay flujo de corriente hasta que aparece los 0.7 volts aplicados al diodo. En ese momento el diodo conduce sin importar la magnitud de la corriente directa. La idea es pensar que el diodo es un interruptor en serie con una batera de 0.7 volts. Si el volteje de la fuente es mayor a 0.7 volts o si el voltaje de la fuente es negativo, el interruptor se abre.

1.13.3. TERCERA APROXIMACIN Se incluye la resistencia interna del diodo. El voltaje adicional aparece aplicada a la resistencia interna, de tal manera que el voltaje total del diodo es mayor a 0.7 volts.

Ejemplo: Utilizando la segunda aproximacin del diodo, encontrar la corriente del diodo en el circuito siguiente.

1.14. TIPOS

DE DIODOS SIMBOLOGIA

1.14.1. DIODO SCHOTTKY. 1.14.11. INTRODUCCION. Un diodo SCHOTTKY est formado por la unin de un metal como el platino con silicio tipo N. Estos dispositivos tienen un almacenamiento de carga despreciable y se utilizan en aplicaciones de computacin de alta velocidad. El platino acta como material aceptador para los electrones, cuando est unido al silicio tipo N. As cuando el material est conectado al silicio tipo N, los electrones se difunden inicialmente en el metal. Esta difusin hace que el material tipo N se empobrezca de electrones cerca de la unin J1 y

por consiguiente adquiera un potencial positivo. Cuando este voltaje positivo llega a ser suficientemente grande, impide la posterior difusin de los electrones.

LA POLARIZACION DIRECTA Cuando se aplicada exteriormente un voltaje positivo suficientemente en las terminales del diodo, los electrones de la regin N estn sometidos a un potencial positivo en el lado del metal de la unin J1 y aparece una circulacin de electrones. LA POLARIZACION INVERSA Cuando se invierte el volteje aplicado al diodo, de modo que el material N se hace positivo respecto al platino, el voltaje en la cara N , se hace por encima del nivel indicado, y no hay circulacin de corriente. Cuando el diodo Schottky funciona de modo directo, la corriente es debida a los electrones que se mueven desde el silicio N a travs del metal. Como los electrones se mueven libres a travs del metal, el tiempo de recombinacin J es muy pequeo de 10 picosegundos.

1.14.12. Almacenamiento de carga Debido al tiempo de vida de los cortadores minoritarios, las cargas de un diodo polarizado directamente se almacenan temporalmente en diferentes bandas de energa cerca de la unin. Cuando mayor sea la corriente de polarizacin directa, mayor es el nmero de cargas almacenadas. Este fenmeno se denomina almacenamiento de carga.

1.14.13. Tiempo inverso de recuperacin (TIR) El almacenamiento de cargas es importante cuando se trata de conmutar un diodo en su estado de conduccin a su estado de no conduccin. Porque si repentinamente se invierte la polarizacin del diodo, las cargas almacenadas pueden fluir en la direccin inversa por un momento. Cuanto mayor sea el tiempo de vida, tantos mayores sern las cargas que puedan contribuir a la corriente inversa. El tiempo que toma el diodo con polarizacin directa para que no opere se le denomina TIR. El TIR es el tiempo que requiere la corriente inversa para disminuir hasta el 10 % de la corriente de polarizacin directa. El tiempo inverso de recuperacin es tan corto en diodos de seales pequeas, que no se nota su efecto en frecuencias menores de 10 MHz; el TIR solo se toma en cuenta cuando para frecuencias mayores a 10 MHz. 1.14.14. Efecto sobre la rectificacin A bajas frecuencias la salida se comporta bien, porque esta es la clsica seal rectificada de media onda. Conforme la frecuencia aumente al orden de los mega Hertz la seal de salida empieza a desviarse de su forma normal.

1.14.15. Eliminacin de almacenamiento de cargas Cuando un dio Schottky no est polarizado, los electrones libres sobre el lado N, estn en orbitas ms pequeas, que los electrones libres del lado metlico. Esta diferencia en tamao de las orbitas se llama barrera SCHOTTHY. Cuando el diodo esta polarizado directamente, los electrones del lado N pueden adquirir suficiente energa para desplazarse a orbitas mayores. Debido a esto los electrones libres pueden cruzar la unin J e introducirse en el metal, produciendo una corriente de polarizacin directa grande. Debido a que el metal no tiene huecos, no hay almacenamiento de cargas ni tiempos inversos de la recuperacin. La falta de tiempo de almacenamiento de carga significa que el diodo SCHOTTHY puede conmutar ms rpido que un diodo ordinario. Un diodo SCHOTTHY puede rectificar frecuencias mayores de 300 MHz. Una aplicacin muy importante de los diodos SCHOTTHY es en las computadoras. La velocidad de las computadoras depende de la rapidez con que sus diodos y transistores pueden conmutar de su estado de conduccin a su estado de no conduccin.

1.14.16. Cada de voltaje en polarizacin directa Como punto mu importante en la direccin de polarizacin directa, un diodo SCHOTTHY tiene un voltaje de cada de 0.25 v. 1.14.2 DIODOS TUNNEL ESAKY El diodo tnel est mucho ms contaminado que el diodo senel, provocando que la zona desrtica sea ms pequea. Esta aumenta su velocidad de operacin, por lo que el diodo tnel se utiliza en aplicaciones de alta velocidad en cuanto aumenta la velocidad de operacin por lo que el diodo es gil y til en aplicaciones de alta velocidad.

1.14.3. DIODOS PINN. Es un diodo que presenta sus regiones P y N altamente dopadas, separadas por una regin de material que es casi intrnseco. Este tipo de diodos se utilizan en frecuencias de microondas mayores a 1ghz. A estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando este inversamente polarizado y una impedancia muy baja cuando esta polarizacin en sentido directo. Las tensiones de ruptura estn comprendidas en el margen de 100 a 1000 volts. Los diodos PINN se pueden utilizar como interruptor o como modulador de amplitud en frecuencias de microondas, ya que para todos los propsitos se le puede representar como un corto circuito en sentido directo y como un circuito abierto en sentido inverso.

1.14.4. DIODOS GUNN Es un dispositivo semiconductor y propiamente calificado del diodo, ya que no contiene una unin si no una sucesin de 3 capas de material tipo N medianamente dopadas. En presencia de campos electrnicos elevados, el diodo Gunn oscila a muy alta frecuencia.

1.14.5. DIODOS EMISORES DE LUZ, LED`S. Ciertos tipos de diodos son capases de cambiar la fuente de energa elctrica a fuente de energa lumnica. El diodo emisor de luz transforma la corriente elctrica en luz. Es til para diversas formas de despliegue y tambin como fuente de luz para aplicaciones de comunicaciones por fibra ptica. Un electrn puede caer de la banda de conduccin a un hueco, y liberar energa en la forma de un fotn de luz. El uso frecuente de leds como luces piloto en aparatos electrnicos para invitar si el circuito esta abierto o cerrado.

Los elementos transparentes son coloreados de un material de resina aproximadamente con la forma adecuada e influye el corazn de un led que el chip semiconductor.

Los leds operan con un voltaje muy bajo entre 1 y 4 volts y la corriente esta en un largo de la 1.40 mili amperius.

1.14.6. FOTODIODOS Un fotodiodo realiza la funcin inversa del LEDS. Transforma la fuente de energa lumnica en corriente elctrica. Se aplica polarizacin inversa al fotodiodo y a la corriente se saturacin inversa, se controla por la intensidad de luz que ilumina al diodo. La luz genera pares de electrn hueco que induce una corriente. El resultado es una fotocorriente en el circuito externo que es proporcional a la intensidad de luz ejercida en el dispositivo. La sensibilidad del diodo se puede aumentar si el rea de unin se hace mayor, ya que se puede recolectar ms fotones.

1.14.7. RECTIFICACION. INTRODUCCION. La primera aplicacin importante de un diodo es la rectificacin. La Rectificacin es el proceso de convertir una seal alterna en otra que se restringe a una sola direccin. La rectificacin se clasifica en media onda y en onda completa.

Media onda.

t(o)

t1

t2

t3

Onda completa. t(o) t1=D2, D3. t1, t2=D1, D4. t2t3= D2, D3. t3t4= D1, D4.

UNIDAD 2. TRANSISTORES. 2.1. TRASISTORES DE UNION BIPOLAR, BJT. Es un dispositivo electrnico de estado slido consistente de dos uniones P, N, muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de 2 polaridades, los huecos positivos y los electrones negativos; y son de gran utilidad en muchas aplicaciones. Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en electrnica analgica, aunque tambin en unas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o Bicmos.

Un transistor de unin bipolar est formado por 2 uniones P, N, en un solo cristal semiconductor, separados por una regin estrecha. De esta manera queda formada 3 regiones:

emisor: se diferencia de las otras 2 por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciones como emisor de portadores de carga. La base: es la regin intermedia muy estrecha que separa al emisor del colector. El colector: es la regin de expansin mucho mayor. El La tcnica de fabricacin ms comn es la de posicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la unin base del emisor esta polarizada en directo, mientras que la unin base colector esta polarizada en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesa la base, que por ser muy angosta hay poca recombinacin de portadores y la mayora para el colector. El transistor posee 3 estados de transicin: A. Estado de Corte. B. Estado de saturacin. C. Estado de actividad.

Estructura. Un transistor de unin bipolar tiene materiales de tipo P y N combinadas para formar transistores tipo NPN y PNP. E B C Transistor NPN. NnN E B N P C P Transistor PNP. N N P

La base esta fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y alta resistividad. El transistor de unin bipolar a diferencia de otros transistores no es un dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y emisor hace que el transistor deje de funcionar de modo activo y comience a funcionar de modo inverso, debido a que la estructura interna del transistor esta optimalizada para funcionar de modo activo al intercambiar el colecto hace que los valores de la ganancia alfa y beta de modo inverso sea menores de lo que se podra obtener de modo activo. La falta de simetra es debido a las fases de dopaje entre el emisor y colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicado un gran voltaje inverso en la unin base colector antes de que esta colapse. La unin colector base se polariza en inverso durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores de emisor. Para una gran ganancia de corriente, la mayora de portadores inyectados en la unin base emisor debe provenir del emisor. El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales que muchas veces se utilizan en procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente lo que significa que no ay diferencia entre la operacin en modo activo y en modo inverso. Pequeos cambios de voltaje aplicados en las terminales base emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambio significativamente. Este efecto se utiliza para amplificar el voltaje de la corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente de corriente controlada por voltaje pero son caracterizados ms como fuente de corriente controlada por corriente, o como amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base. Los primeros transistores fueron fabricados de germanio pero la mayora de los BJT modernos estn compuestos de silicio. Actualmente los transistores bipolares de heterocultura, estn hechos de arseniuro de galio especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR. En una configuracin normal, la unin emisor base J1 se polariza en directa. Y la unin base colector J2 en polarizacin inversa. Debido a la agitacin trmica, los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera del potencial emisor base J1al llegar a la base. A su vez prcticamente todo los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del anodo compartido. En una operacin tpica la unin base emisor J1, tiene aplicada un voltaje positivo, el equilibrio por los portadores generados trmicamente y el campo elctrico permanente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones agotados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones bajan a travs de la base desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios, debido a que la base esta dopada con material P, los cuales estn con materiales huecos minoritarios en la base. La regin de la base en un transistor es fsicamente delgada para que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del portador minoritario

del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unin base colector J2. El espesor de la base es menor al ancho de difusin de los electrones. N

P N

EL Y M DEL TRANSISTOR. El alto dopaje de emisin y el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que ms electrones sean inyectados desde el emisor a la base, que huecos desde la base al de emisor. La ganancia de corriente del emisor comn est representada por esto es aproximadamente la tasa de corriente continua del colector a la corriente continua de la base en la regin activa y tpicamente es mayor a 100. Otro parmetro importante es la ganancia de corriente de base comn que est representada por f. La ganancia de corriente de base comn es aproximada la ganancia de corriente del emisor hasta el colector en la regin activa del emisor. Esta tasa normalmente tiene un valor cercano a la unidad que oscila entre 0.98. Las ganancias y estn determinadas por las siguientes relaciones.

El TRH es una mejora del BJT que pueden manejar seales de muy altas frecuencias de ms de cientos GHz es un dispositivo muy comn actualmente en circuitos ultra dopados, generalmente en sistemas de radio frecuencia. Los TBH normalmente su emisor est compuesto por una banda de material ms larga que la de los TRH, esto ayuda a reducir la inyeccin de portadores minoritarios, desde la base cuando la unin emisor base esta polarizada en directa, esto aumenta la eficiencia de la inyeccin del emisor.

Regiones operativas del transistor tiene cuatro regiones: 1.- activa. 2.- inversa. 3.- corte. 4.- saturacin.

TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR. Cuando el voltaje de entrada es un voltaje bajo no hay flujo de corriente para la unin base emisor. Cuando una corriente base nula, no hay corriente de colector y por lo tanto no circula corriente por la carga o sea que el transistor est cortado o en corto. CALCULOS PARA EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR. Cuando el transistor de silicio est en corte, el voltaje de entrada es menor que 0.7 volts, para que no fluya corriente de base al transistor. Para garantizar el corte del transistor, los circuitos se disean para que el voltaje de entrada sea menor que 0.3 volts. Para energizar la carga, el transistor debe de saturarse, apareciendo todo el voltaje de alimentacin Vcc en las terminales de la carga. Idealmente la corriente del colector debido a la ley de ohm: Vcc Rb
Vent Icsat Ibsat Rcarga Vcc Rcarga Icsat 1 2

Sustituyendo la primera ecuacin en la segunda se tiene:


Ibsat Vcc Rcarga 3 4

Vent Rbase Ibsat 0.7V sustituyendo 3 en 4 Vent Vcc Rb Rcarga

COMPARACION DEL TRANSISTOR CON UN INTERRUPTOR.

VENTAJAS DE LOS TRANSISTORES SOBRE LOS EMISORES. a) No tienen partes mviles por lo tanto no sufren desgaste y pueden oponer un nmero ilimitado de veces. b) No tienen contactos fsicamente expuestas por lo tanto es imposible que sustancias extraas se adhieren a su superficie o impiden un buen cierre. c) El transistor como interruptor es mucho ms rpido que un interruptor convencional, las cuales cierran en milisegundos, mientras que el transistor cierra en microsegundos. d) El transistor no presenta el rebote inherente de los interruptores mecnicos. e) Cuando el transistor acciona una carga inductiva no se produce arco elctrico al desconectar la carga.

FET (TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO). El FET es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad en un canal en un material semiconductor. Los FET pueden considerarse como resistencias controladas por diferencia de potencia. Los FET ms conocidos son los JFET los MOSFET y los MISFET. Tiene tres terminales denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El FET se comporta como un interruptor controlado por voltaje, donde el voltaje aplicado a la puerta permite que fluya o no corriente entre el drenador y la fuente. En los MOSFET la puerta no absorbe corriente, comparada con los BJT en donde la corriente que atraviesa la base no puede ser despreciada. Los MOSFET presentan un comportamiento capacitivo que se debe de tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos. As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP los FETS tambin son de dos tipos de canal N y canal P. Los FET tambin se pueden clasificar de acuerdo al mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta. Los MOSFET usan un aislante de xido de silicio. JFET usa una unin PN. El MISFET sustituye la unin PN de BJT con una barrera SCHOTTKY. El HFET tiene la banda de material dopada con huecos que forman el aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor. Los MODFET son los transistores de modulacin dopada. Los IGBT son dispositivos para controlar la potencia para los rangos de voltaje, drenajefuente de 200 a 3000 v. FREDET es un fet especializado diseado para otorgar una recuperacin ultra rpida del transistor. Los DNAFET es un equipo especializado que acta como defensor usando una puerta en la direccin de molculas ADN y una cadena para detectar cadenas de ADN iguales. Una diferencia distintiva entre el anlisis de los BJT y los FET es la variable de entrada que controla un BJT es el nivel de corriente mientras que para el FET la variable de control es el voltaje. Sin embargo en ambos casos la variable de salida controlada es el nivel de corriente. Estructura externa del canal P.

VENTAJA DE LOS FETS a) Son dispositivos sensibles al voltaje con alta impedancia de entrada, por lo que se prefiere para la etapa de entrada de un amplificador multi-etapa. b) Los FETS generan un nivel de ruido menor. c) Son ms estables con la temperatura. d) Los FETS son ms fciles de fabricar y caben ms dispositivos en un chip. e) Los FETS se comportan como resistencias variables controladas por voltaje. f) La alta impedancia de entrada de los FETS les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de memoria. g) Los FETS de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes mayores que los BJTS. DESVENTAJAS DE LOS FETS a) Los FETS exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de entrada. b) Algunas tipos de FETS presentan una idealidad muy pobre. c) Los FET se pueden daar al manejarlos debido a la electricidad esttica.