1.

-Semiconductor tipo P

Semiconductor extrínseco que se obtiene mediante un proceso de dopaje añadiendo un cierto

tipo de átomos al semiconductor para aumentar el número de portadores de carga libres
positivos o huecos.

Las impurezas aportan vacantes que tienen un nivel energético ligeramente superior al de la
banda de valencia por lo que los electrones saltarán con más facilidad a la vacante que a la
banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia.

Ejemplo:

Si el silicio fuese dopado con un elemento trivalente, este aportaría una vacante con un nivel
energético superior ligeramente a la banda de valencia, del orden de 0,01 eV.

2.-Semiconductor Tipo N
Semiconductor extrínseco que se obtiene mediante un proceso de dopaje añadiendo un
cierto tipo de átomo al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de
carga libres negativos o electrones.

Los electrones aportados están más débilmente vinculados a los átomos del
semiconductor por lo que la energía necesaria para separarlo del átomo será menor.

Ejemplo:

Si el Silicio fuese dopado por un elemento pentavalente (As, Sb o P), la energía

necesaria para arranca el electrón aportado en el dopaje sería del orden de la centésima
parte de la energía correspondiente a los electrones de los enlaces covalentes (en torno
a 0,001 eV).