TEMA

MATERIALES SEMICONDUCTORES

FACULTAD DE INGENIERÍA
CONDUCTOR

El cobre es un buen conductor lo cual se muestra en la

figura 1.1 El núcleo tiene 29 protones (carga positiva) y 29
electrones (carga negativa) en sus órbitas.

Carga neutra: mismo número de protones que de

electrones

Los electrones se mueven en distintos orbitales y son

atraídos por el núcleo pero no caen por su movimiento

Fuerza centrífuga: Hacia afuera del núcleo y cuanto más

lejana la órbita del electrón menor es la fuerza de atracción.
 Figura 1.1 Figura 1.2
En electrónica nos interesa analizar la última capa llamada de valencia
en donde existe para el cobre un electrón y el núcleo del átomo tiene
una carga positiva de +1 por lo que la fuerza entre el núcleo y el
electrón es muy pequeña y el electrón puede saltar a otros orbitales de
otros núcleos de protones; esto hace que el cobre sea en buen
conductor de la electricidad. Figura 1.2

Electrón libre: Cuando la fuerza de atracción entre el núcleo y la capa

de valencia es muy pequeña entonces el material es un buen
conductor de la electricidad.

Los mejores conductores son la plata, el cobre y el oro

 Ejercicio 1:
 Supongamos que una fuerza externa libera el electrón de valencia
de la figura 1.2 de un átomo de cobre. A) ¿Cuál es la carga
resultante del átomo de cobre ?, B) ¿ Cuál es la resultante si un
electrón exterior entra en el orbital de valencia ?

 Solución:
 A) Como una fuerza externa libera al electrón de la capa de
valencia, entonces el átomo pasa a tener una carga positiva de +1,
es decir, cuando una átomo pierde uno de los electrones, se
convierte en un átomo cargado positivamente llamado IÓN
POSITIVO.

 B) Cuando un electrón entra en el orbital de valencia, la carga

resultante del átomo pasa a ser de -1, llamándose IÓN NEGATIVO
Semiconductores
Los mejores conductores tienen un electrón de valencia mientras que
los mejores aislantes tienen ocho electrones de valencia. Un
semiconductor es un elemento con propiedades eléctricas entre las de
un conductor y un aislante. Los mejores semiconductores tienen
cuatro electrones de valencia. Figuras 1.3a y 1.3b
Átomo de silicio, el silicio es el elemento más Diagrama de la parte interna de una átomo
abundante en la tierra silicio, los 4 electrones de valencia nos indican
que es un semiconductor
Ejercicio 2
A)¿Cuál es la carga resultante de un átomo de
silicio si pierde uno de sus electrones de valencia?
B)¿Y si gana un electrón adicional en el orbital de
valencia?
Solución:
A) Si pierde un electrón, se convierte en un ión
positivo con carga de +1 en el núcleo.
B) Si gana un electrón, se convierte en un ión
negativo con carga de -1 en el núcleo.
Enlace covalente: Son los electrones de valencia que mantienen unido
al átomo. Figura 1.4
a) Los enlaces covalentes mantienen unido al átomo central de un átomo de cristal de silicio. Cada
átomo de silicio comparte sus electrones con 4 átomos vecinos, de tal forma que tiene 8
electrones en su orbital de valencia. Enlaces covalentes
Saturación de valencia: Es cuando el orbital de
valencia tiene 8 electrones y se satura y no puede
entrar ningún electrón más a dicho orbital

Saturación de valencia: n = 8 electrones, siendo

esto un aislante perfecto.
El hueco: Es cuando un electrón sale de la órbita de valencia y deja un
espacio llamado hueco, Figura 1.5
La salida de un electrón en su órbita de valencia da lugar a una carga
positiva convirtiéndose en un ion positivo
a) La energía térmica da lugar a la creación de un hueco en el átomo de cristal de silicio
Ejercicio 3:
A) Si un cristal de silicio puro tiene un millón de electrones libres,
¿cuántos huecos tendrá?
B) ¿Qué ocurre con la cantidad de electrones libres y huecos si la
temperatura ambiente aumenta?

Solución:
A) Cuando por efecto de la energía térmica se crea un electrón libre,
automáticamente se crea un hueco al mismo tiempo, por lo tanto si
se tiene un millón de electrones libres, entonces se tiene un millón
de huecos.

B) Una temperatura mayor incrementan las vibraciones en el nivel

atómico lo que significa que va a crear más electrones libres y
huecos.
Semiconductor intrínseco: Es aquel que es un semiconductor puro, no
ha sido dopado.
Flujo de electrones libres: Es cuando los electrones se mueven de un
orbital u otro de mayor nivel hasta llegar a la placa positiva, figura 1.6
Flujo de huecos: El desplazamiento va en el sentido opuesto del polo
positivo al polo negativo
Dopaje de un semiconductor: Es una forma de incrementar la
conductividad de un semiconductor. Un semiconductor dopado se
denomina semiconductor extrínseco.

Aumento del número de electrones libres: Consiste en introducir un

electrón libre en la capa de valencia del átomo y así tener una
estructura pentavalente. Figura 1.7

De esta manera un semiconductor débilmente dopado presenta una

resistencia mayor y un semiconductor fuertemente dopado presenta
una resistencia menor el flujo de la corriente eléctrica.

Aumento del número de huecos: Consiste en introducir una impureza

trivalente, es decir, una impureza cuyos átomos tengan sólo tres
electrones de valencia, un átomo trivalente se denomina átomo
aceptor. El átomo central tendrá 7 electrones en el orbital de valencia,
ejemplo son aluminio, el boro y el galio.
Figura 1.8
Ejercicio 4
Un semiconductor dopado tiene 10 millones de átomos de silicio y 15
millones de átomos pentavalentes. Si la temperatura ambiente es de
25°C ¿cuántos electrones libres habrá en el interior del semiconductor,
si por cada millón de átomos pentavalentes, existe un millón de
electrones libres?
R= Si por cada millón de átomos pentavalentes existe un millón de
electrones libres; entonces 15 millones de átomos pentavalentes
tendrán 15 millones de electrones libres.
Semiconductor extrínseco: Un semiconductor se puede dopar por tener
un exceso de electrones libres o un exceso de huecos, por lo que
existen dos tipos de semiconductores dopados:
Semiconductor tipo n: El silicio dopado con una impureza pentavalente
es un semiconductor tipo n, donde n hace referencia a lo negativo.
Figura 1.9
Semiconductor tipo p: El silicio dopado con un átomo trivalente es un
semiconductor tipo p, donde p hace referencia a lo positivo.
Figura 1.10
 Figura 1.9
 Características:
 Los electrones libres superan a los huecos, los electrones libres son portadores
mayoritarios, los huecos son portadores minoritarios, los electrones fluyen al polo
positivo (+) de la batería, los huecos fluyen al polo negativo (-) de la batería

Electrones
Huecos

+
-

Cable de la batería
 Figura 1.10
 Características:
 Los huecos superan a los electrones libres, los huecos son portadores mayoritarios,
los electrones libres son portadores minoritarios, los electrones fluyen al polo positivo
(+) de la batería, los huecos fluyen al polo negativo (-) de la batería

Electrones
Huecos

+
-

Cable de la batería
Niveles de energía
La energía total de un electrón depende del tamaño de su orbital. Los
electrones del orbital más interno se corresponden con el primer nivel
de energía; los del segundo orbital se encuentran en un segundo nivel
de energía, etc. Figuras 1.10a y 1.11

Bandas de energía: Puesto que existen miles de millones de

electrones en el primer orbital lo llamaremos banda 1 y también existen
miles de millones de electrones en la banda 2 lo llamaremos banda 2,
etc.

Los huecos se encuentran en la banda de valencia y los electrones

libres saltan a la banda superior llamada banda de conducción.
Figura 1.12
 Figuras 1,10a, 1.11 y 1.12
Bandas de energía tipo n: son para semiconductor tipo n y como los
electrones libres son portadores mayoritarios existe mayor
concentración en la banda de conducción. Figura 1.13
 Banda de energía tipo p: los electrones libres son minoritarios
existe mayor concentración en la banda de valencia. Figura 1.14
Barrera de potencial y temperatura
Temperatura de la unión: es la temperatura interna de un diodo,
exactamente en la unión.
Temperatura ambiente: es la temperatura del aire fuera del diodo.
Barrera de potencial: depende de la temperatura de la unión. Un
incremento en la temperatura de la unión crea más electrones libres y
huecos en la regiones dopadas.

Ejercicio 5
Suponiendo una barrera de potencial de 0.7V a una temperatura
ambiente de 25ºC, determinar la barrera de potencial de un diodo de
silicio cuando la temperatura de la unión es de:
A) 100°C
B) 0ºC
C) 50ºC
En la barrera de potencial de un diodo de silicio varia 2 mV por cada °C
 Entonces tenemos que:

 ∆V/∆T= -2mV/°C Variación de tensión o voltaje/variación de temperatura

 Solución:
 A) Para 100°C, tenemos:
 ∆V=(-2mV/°C)(∆T)=(-2mV/°C)(100°C-25°C)=(-2)(75)=-150mV=-0.15V
 En signo negativo nos indica que la barrera de potencial disminuye 150mV
respecto de su valor a la temperatura ambiente.
 El voltaje en la barrera será:
 VB=0.7V-0.15V
 VB=0.55V
 B) Para 0°C, tenemos:
 ∆V=(-2mV/°C)(∆T)=(-2mV/°C)(0°C-25°C)=(-2)(-25)=+50mV=+0.05V
 En signo positivo nos indica que la barrera de potencial se incrementa en
50mV respecto de su valor a la temperatura ambiente.
 El voltaje en la barrera será:
 VB=0.7V+0.05V
 VB=0.75V
 C) Para 50°C, tenemos:
 ∆V=(-2mV/°C)(∆T)=(-2mV/°C)(50°C-25°C)=(-2)(25)=-50mV=-0.05V
 Nuevamente el signo negativo nos indica que la barrera de
potencial disminuye 50mV respecto de su valor a la temperatura
ambiente.
 El voltaje en la barrera será:
 VB=0.7V-0.05V
 VB=0.65V
Ejercicio 6
Suponiendo una barrera de potencial de 0.7V a una temperatura ambiente de
23ºC, determinar la barrera de potencial de un diodo de silicio cuando la
temperatura de la unión es de:
A) 10°C
B) 23ºC
C) -5ºC
En la barrera de potencial de un diodo de silicio varia 2 mV por cada °C
 Entonces tenemos que:

 ∆V/∆T= -2mV/°C Variación de tensión o voltaje/variación de temperatura

 Solución:
 A) Para 10°C, tenemos:
 ∆V=(-2mV/°C)(∆T)=(-2mV/°C)(10°C-23°C)=(-2)(-13)=26mV=0.026V
 El valor positivo nos indica que la barrera de potencial se incrementa en
26mV o 0.026V con respecto de su valor a la temperatura ambiente.
 El voltaje en la barrera será:
 VB=0.7V+0.026V
 VB=0.726V
 B) Para 23°C, tenemos:
 ∆V=(-2mV/°C)(∆T)=(-2mV/°C)(23°C-23°C)=(-2)(0)=0mV=0V
 Este valor nos indica que la barrera de potencial no se incrementa y no
disminuye con respecto de su valor a la temperatura ambiente.
 El voltaje en la barrera será:
 VB=0.7V+0V
 VB=0.7V Conserva el mismo valor original de voltaje en la barrera de
potencial

 C) Para -5°C, tenemos:

 ∆V=(-2mV/°C)(∆T)=(-2mV/°C)(-5°C-23°C)=(-2)(-28)=56mV=0.056V
 Nuevamente el valor positivo nos indica que la barrera de potencial se
incrementa en 56mV o 0.056V con respecto de su valor a la temperatura
ambiente.
 El voltaje en la barrera será:
 VB=0.7V+0.056V
 VB=0.756V