UNIVERSIDAD DE BUENOS AIRES

Facultad de ingenierı́a
86.03 – Dispositivos Semiconductores

Curvas caracterı́sticas del transistor MOSFET

Curso 2 - Grupo 4
Aguirre Godoy, Sergio 96953 .................... seragu9@gmail.com
De la Torre Falcon, Angel 96124 ........ sapcha2017@gmail.com
Kanashiro, Micaela 99355 ...................... micaak14@gmail.com
Primon, Agustı́n 99082 ................. agustin.primon@gmail.com

1° cuatrimestre 2018
02/05/18

Resumen
En este trabajo practico se analizaron las principales caracterı́sticas de los transistores NMOS, a partir del
integrado CD4007 y diferentes simulaciones. Se midieron las curvas caracterı́sticas (iD vs vGS y id vs vds ) de los
tres transistores NMOS. A partir de esas mediciones se realizaron ajustes con el programa octave, y se halló los
parámetros del dispositivo. Luego se compararon las curvas teóricas, simuladas y las medidas.

1. Desarrollo y Análisis de resultados

Los objetivos de aprendizaje son: entender las caracterı́sticas y propiedades del transistor NMOS, analizar la
corriente del dispositivo en sus tres regı́menes corte, triodo (o lineal) y saturación, y entender las limitaciones del
modelo de pequeña señal.

1.1. Mediciones iniciales

Para llevar a cabo las mediciones se utilizaron los siguientes bancos de medición:

RD

+
A

RG A − 5V
RG
+
− 5V
V

M1 M1

(a) Banco de medición de transferencia (b) Banco de medición de salida

Figura 1: Bancos de medición utilizados. Donde RG es un preset de 1kΩ y RD el preset de 47kΩ.

A lo largo de este trabajo, se decidió utilizar las mediciones proveı́das por los docentes.

1
86.03 - Dispositivos Semiconductores Diodo PN

1.2. Curvas de transferencia

Análisis de las curvas. Para medir la curva de transferencia se utilizó el banco de trabajo de la Figura 1a. Mediante
el preset de 47kΩ se procedió a variar la tensión en el transistor, midiendo ID en función de VGS . A partir de
estas mediciones se ajustaron los parámetros k y VT buscados mediante un script de calculo numérico de Octave.
Con este se ajustaron los resultados para las curvas iD vs vGS de acuerdo con la siguiente expresión:

µCox W
iD = k(vGS − VT )2 , k = (1 + λVT ) (1)
2L
tomando modulo y raı́z cuadrada nos queda:
p √
|iD | = k(|vGS − VT |) (2)
Octave realiza por métodos numéricos el ajuste y = Ax + B de la recta obtenida, igualando se obtiene,
√
AvGS + B = k(vGS − VT ) (3)
por ende, √ √
A = k ; B = − kVT ⇒ k = A2 ; VT = −B/A (4)
Luego se llevaron a cabo las simulaciones del circuito de la Figura 2a con el programa LTSpice, para realizar las
comparaciones con los valores teóricos.

+ +
− VGS − VDS
+
VGS −
M1 M1

(a) Curva de transferencia (b) Curva de salida

Figura 2: Circuitos utilizados en simulación.

Los cálculos de diferencia porcentual se realizaron mediante la expresión:

|parámetro a comparar − parámetro de referencia|
∆ = 100 × (5)
parámetro de referencia

Transistor Parámetro Valor por ajuste Diferencia porcentual

k 0.571 mA
V2
5.776 %
NMOSFET 1
VT 1.617 V 1.762 %
k 0.606 mA
V2
-
NMOSFET 2
VT 1.646 V -
k 0.604 mA
V2
0.330 %
NMOSFET 3
VT 1.643 V 0.182 %
k 0.493 mA
V2
18.647 %
Simulación CD4007
VT 1.330 V 19.198 %
k 0.569 mA
V2
6.106 %
Promedio
VT 1.559 V 5.286 %

Tabla 1: Comparación de los parámetros k y VT , usando como referencia el transistor NMOSFET 2

Facultad de Ingenierı́a 2 de 10 Universidad de Buenos Aires

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En la Tabla 1 se ve como los valores de K y VT en cada transistor varia en menos del 10 % por lo que puede
considerarse que los parámetros estudiados en esta tabla de cada transistor es similar, sin embargo la variación con el
modelo de la librerı́a CD4007.lib varia enormemente, por lo que podemos considerar que las simulaciones de esta, no
serán buenas para modelar las transferencias de los N-MOSFET estudiados.
Luego de tener estos datos creamos un modelo propio basándonos en los datos obtenidos del transistor N-MOSFET
1.

Figura 3: Gráfico de transferencia, mediciones, ajustes y simulaciones

Curvas variación Transistor 1 Transistor 2 Transistor 3 Modelo propio CD4007 Promedio

ID (VGS = 4V ) 3.241 mA 3.359 mA 3.357 mA 3.512 mA 3.519 mA 3.398 mA

Variación 2.977 % - 0.060 % 4.465 % 4.763 % 1.161 %

Tabla 2: Variación porcentual de las curvas del gráfico. Promedio entre los ajustes de las tres mediciones, los valores
simulados y el modelo propio tomando como referencia el transistor 2 para la variación. Análisis para VGS = 4V .

Los datos de la Tabla 2 representan la diferencia porcentual entre cada curva en el régimen de saturación que
pueden tener (en un entorno de los 4V de VGS ) con respecto a una referencia, se puede observar que estar variaciones
son menores al 15 %.

Análisis de Transferencia del modelo Propio Analizamos la transferencia del modelo propio, construido a partir
de los parámetros obtenidos previamente en la Tabla 1

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Parámetro Modelo propio Modelo propio procesado Variación

k 0.571 mA
V2
0.624 mA
V2
9.107 %
VT 1.617 V 1.628 V 0.680 %

Tabla 3: Variación de los resultados como consecuencia del ajuste realizado para calcular los parámetros caracterı́sticos
del transistor NMOSFET 1. Para el calculo de la variación se tomo como referencia los datos del modelo propio.

Se observa en la Tabla 3 que los valores del modelo propio que fue simulado en Spice usando el circuito de la
Figura 1a, difieren de los datos ajustados. Consideramos que esto puede deberse a que cuando creamos nuestro modelo
ingresamos como valor KP=2K(k fue definido en la Ecuación 1), pero KP = µ.Cox , por lo que despreciamos los efectos
del termino λVT (el valor λ usado se obtendrá en la sección 1.3) y la contribución del termino W
L esta igualado a la
unidad. En la Figura 3 puede verse como la transferencia del modelo propio difiere, de la transferencia del NMOSFET
1, además de como los ajustes se corresponden con las respectivas mediciones.

1.3. Curvas de salida

Figura 4: Gráfico de la salida, para 3 distintas corrientes de saturación (1mA, 2mA y 3mA).

Curvas NMOSFET 1 CD4007.lib Modelo propio

VGS VGS Diferencia porcentual VGS Diferencia porcentual

IDsat = 1mA 2.95 V 2.799 V 5.118 % 2.899 V 1.728 %

IDsat = 2mA 3.40 V 3.349 V 1.5 % 3.449 V 1.441 %
IDsat = 3mA 3.85 V 3.799 V 1.324 % 3.849 V 0.259 %

Tabla 4: Comparación de VGS con distintas corrientes de saturación. Se tomó como referencia la medición del NMOS-
FET 1

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Análisis de las curvas. Se obtuvieron las mediciones a partir del banco de medición de la Figura 1b. Las simulaciones
de la curva de salida se obtienen mediante el circuito de la Figura 2b. A continuación se realizó el análisis de
salida. Con el fin de obtener los tres valores de ID−sat pedido, y determinando los VGS necesarias. En la Tabla 4
se puede observar la variación de los diferentes VGS .

Curvas VDS−sat VGS − VT Variación

IDsat = 1mA 1V 1.333 V 24.981 %

IDsat = 2mA 1.400 V 1.783 V 21.481 %
IDsat = 3mA 1.800 V 2.233 V 19.435 %

Tabla 5: Comparación de VDS−sat del NMOSFET 1 en distintas corrientes de saturación. Se tomó como referencia el
valor obtenido por ajuste: VGS − VT

A partir del gráfico de la Figura 4 se obtienen a simple vista, valores de VDS−sat . La Tabla 5 muestra dichos
valores en comparación con un VGS−sat teórico, a partir del valor ajustado VT . Atribuimos estas variaciones, a
que el transistor no posee un total comportamiento ideal, y las mediciones entran en el regimen de saturación
para un valor VDS , inferior del calculado teóricamente con los datos de ajuste.

Curvas [VDS = 4V ] N-MOSFET 1 Modelo propio CD4007

IDsat = 1mA - 11.332 % 16.696 %

IDsat = 2mA - 2.851 % 5.752 %
IDsat = 3mA - 0.225 % 0.835 %

Tabla 6: Variación porcentual de las curvas de salida. Se tomó como valor de referencia para el calculo, el transistor
N-MOSFET 1.

Calculo de parámetros en saturación. Tomando la raı́z de la expresión de la corriente y aproximando la recta se

obtiene:

vDS
iD = IDsat + (6)
r0
Podemos obtener mediante la siguiente ecuación el valor de lambda:
1 1 A
λ' = = (7)
r0 k(VGS − VT )2 ro IDsat B

Transistor Parámetro Valor por ajuste Diferencia porcentual

IDsat = 1 mA IDsat = 2 mA IDsat = 1 mA IDsat = 2 mA

λ 0.0223 V−1 0.0226 V−1 - -

NMOSFET 1
ro 42.145 kΩ 23.695 kΩ - -
λ 0.0492 V−1 0.0393 V−1 120.628 % 73.893 %
NMOSFET simulación de CD4007.lib
ro 13.339 kΩ 13.671 kΩ 43.304 % 42.304 %
λ 0.0226 V−1 0.0226 V−1 1.346 % 0%
NMOSFET simulación modelo propio
ro 47.030 kΩ 23.043 kΩ 11.591 % 2.751 %

Tabla 7: Comparación de los parámetros λ y ro para IDsat = 1 mA y IDsat = 2 mA de el transistor NMOSFET 1 y

las simulaciones NMOSFET de la biblioteca CD4007.lib y el modelo propio creado.

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Transistor Parámetro Valor por ajuste Diferencia porcentual

IDsat = 3 mA IDsat = 3 mA

λ 0.0242 V−1 -
NMOSFET 1
ro 14.532 kΩ -
λ 0.0336 V−1 38.830 %
NMOSFET simulación de CD4007.lib
ro 10.737 kΩ 26.115 %
λ 0.0226 V−1 6.612 %
NMOSFET simulación modelo propio
ro 15.533 kΩ 6.888 %

Tabla 8: Comparación de los parámetros λ y ro para IDsat = 3 mA de los transistores NMOSFET 1,2,3 y las simu-
laciones NMOSFET de la biblioteca CD4007.lib y el modelo propio creado. Se tomó como referencia los valores del
N-MOSFET 1.

Puede verse en la Figura 4 y en su análisis de la Tabla 6, que cuando mayor es la corriente de saturación mas
similares son las pendientes del gráfico, esto se debe a que como se observa en las Tabla 7 y Tabla 8 las diferencias
porcentuales de los valores λ y r0 , disminuyen; por otro lado la Tabla 6 muestra como al aumentar la corriente de
saturación, las curvas de salida (en saturación), tienen menos distancia relativas entre ellas, por lo que estos dos
resultados se traducen a que cuando mayor sea esta corriente mas precisos serán los modelos simulados y el propio
con respecto a las mediciones tomadas, dentro de un rango de VDS ∈ [VDSsat , 5V ].
Es posible observar que en el regimen de triodo, ambas simulaciones, no poseen un comportamiento similar a lo
medido.

Transconductancia. Para el calculo de dicho parámetro de pequeña señal, existen dos formas:

iD (k) − iD (k − 1)
gm 1(k) = (8)
vGS (k) − vGS (k − 1)
diD p
gm 2(ID ) = |ID = 2 kID (9)
dVGS
Ajustando estas dos expresiones mediante Octave podemos observar la Figura 5 y su analisı́s en la Tabla 9.

Transistor Parámetro Valor Variación

gm 1(2,378mA) 2.234 mA
V 4.120 %
NMOSFET 1
gm 2(2,378mA) 2.330 mA
V

gm 1(2,210mA) 2.214 mA
V 4.363 %
NMOSFET 2
gm 2(2,210mA) 2.315 mA
V

gm 1(2,211mA) 2.220 mA
V 3.938 %
NMOSFET 3
gm 2(2,211mA) 2.311 mA
V

Tabla 9: Variación porcentual de transconductancia discreta en función de la corriente para cada uno de los transistores.
Se toma como referencia el respectivo valor de gm2

Los valores calculados con la derivada discreta de la conductancia, varı́an menos de un 10 % de la curva calculada
con la formula de la Ecuación 9.

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Figura 5: Gráfico de transconductancia

En la Figura 5 y en su análisis de la Tabla 9, la mayor diferencia entre transconductancias, se da entre el modelo

propio simulado y los transistores; esto es esperable ya que como se observa en la Figura 3 la curva de transferencia
del modelo propio tiene mas pendiente que la de ajuste de los transistores, se puede atribuir estas variaciones a las
de los parametros caracteristicos del modelo propio ya analizado en la sección 1.2 Tabla 3. Notar además que las
curvas del NMOSFET 2 y NMOSFER 3 se aproximan mucho entre si, esto se puede apróximar a que sus curvas de
transconductancias son iguales.
Conductancia. A partir de los valores de r0 obtenidos en la sección anterior se calculó la conductancia g0 para cada
caso, mediante la ecuación:
1
g0 = (10)
r0
Utilizando el ajuste y el valor de λ elegido, se procede a graficar la curva teorica partiendo de la ecuacion:

g0 = ID λ (11)

Figura 6: Gráfico de conductancia

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Transistor Parámetro Diferencia porcentual

IDsat = 1 mA IDsat = 2 mA IDsat = 3 mA

NMOSFET 1 go 1 1.053 % 0% 7.071 %

NMOSFET simulación de CD4007.lib go 1 117.699 % 73.336 % 48.678 %
NMOSFET simulación modelo propio go 1 - - -

Tabla 10: Variación porcentual de conductancia en función de la corriente. Se tomo como referencia la curva teórica
de la Figura 6

Puede verse en la Tabla 10 que los valores del NMOSFET simulado son mucho mayores con respecto a la curva
teórica, también se deduce de la tabla y la Ecuación 11 que el valor lambda utilizado para simular el modelo propio fué
λ = 0,0226V −1 , que es el valor obtenido por ajuste para la medición de salida de 2mA del NMOSFET. Se tomó este
valor ya que es el valor intermedio obtenido entre las 3 curvas de salida, por lo que es el valor el cual menos diferencia
porcentual relativa presenta con los restantes valores de lambda obtenidos.
En la Figura 6, podemos ver que el valor final de lambda apróxima con una diferencia porcentual menor al 10 % a
los tres valores obtenido por ajuste en las mediciones.

2. Problemas a resolver
−1
Se procede a resolver utilizando los parámetros del NMOSFET 1 ⇒Kp = 1,142 mA
V 2 , λ = 0,0226V y VT = 1,617V .
Ejercicio 1:

La configuración del circuito para medir la curva de transferencia del N-MOSFET, verifica que: VGS = VDS y
para que exista canal el capacitor MOS debe encontrarse en directa, es decir VGB = VGS > VT > 0. Suponiendo
régimen de saturación, se debe cumplir VDS > VDSSAT = VGS − VT y debido a que VGS = VDS , se llega a que
VT > 0, que es la condición para que exista el canal y por eso se verifica la hipótesis de suponer régimen de
saturación, por ende nunca puede estar en régimen lineal.
Ejercicio 2:

La ecuación de ID para la curva de transferencia, con la configuración en modo diodo es:

ID = k · (VGS − VT )2 · [1 + λ · (VDS − (VGS − VT ))]

= k · (VGS − VT )2 · [1 + λ · (VGS − VGS + VT )]
= k · (VGS − VT )2 · [1 + λ · VT ]

Con los parámetros ⇒ λ · VT = 0,0366. A partir de este valor, se aprecia que tomando en cuenta el efecto de
modulación del largo del canal, ID aumenta aproximadamente 3.6 %. De manera que si se hubiera despreciado
el efecto, los resultados no se verı́an realmente afectados.
Ejercicio 3:

Para las mediciones del N-MOSFET 1 se obtuvo (VGS ; ID ) = (2,563V ; 0,5mA) tal que ID = 0,5mA, a partir
del polinomio de Lagrange para los puntos: (2,45V ; 0,384mA), (2,6V ; 0,542mA), y (2,75V ; 0,730mA) de las
mediciones del respectivo MOSFET.

ID (VGS ) = 0,000666667(VGS )2 − 0,00231333(VGS ) + 0,00205 (12)

Para polarizar (ID ; VDS ) = (0,5mA; 5V ), se arma el circuito de la Figura 7, y se obtuvo el valor de VGS a partir
de la ecuación:
2
ID = KP · VDS SAT
· [1 + λ · (VDS − VDSSAT )] (13)

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Reemplazando los valores, se obtiene VDSSAT = 0,935V . Luego se planteó el divisor resistivo en la entrada con
VGS = 2, 553V ⇒ RG1 = 490Ω y RG2 = 510Ω

VD = 5V

RG
M1

Figura 7: Polarización del gate.

Ejercicio 4:

La mı́nima corriente a medir aproximadamente es Imin = RVDDD = 20kΩ5V

= 0,25mA, que se obtiene de plantear
max
la malla de salida VDS + RD · (ID ) = VDD y considerar VDS despreciable frente al valor de VDD .

Ejercicio 5:

Suponiendo VGS de forma que se cumpla saturación VDS = 3,5V > VDSSAT y recorriendo la malla de salida, se
obtiene que IDSAT · RD + VDS = VDD , entonces:

VDD − VDS 5V − 3,5V

RD = = = 3kΩ
IDSAT 0,5mA

Ejercicio 6:
La recta de carga es:
5V − VDS
ID =
3kΩ
Para mantener la igualdad, VDS disminuye si ID aumenta. De manera que respecto al ejercicio anterior (IDSAT =0,5mA),
con una corriente IDSAT =1mA, VDS disminuye.
Ejercicio 7:

El máximo valor de RD tal que el transistor se encuentre en saturación, se encontrara con el mı́nimo valor de
VDS para el cual estemos en dicho estado, es decir: VDSSAT .
s
IDSAT
VDSSAT = = 0,662V
kp

VDD − VDSSAT
RDmax = = 8,677kΩ
IDSAT

Ejercicio 8:
En modo diodo, si se cambia el preset de 1kΩ por uno de 47kΩ, no cambiarı́a nada. Pues, mientras el valor de
la resistencia este entre 47kΩ y 1kΩ se verı́a una corriente nula, y cuando es menor a 1kΩ se verı́a lo mismo que
se midió anteriormente. Si bien resulta útil, es un valor innecesariamente grande.
Para la medición de la curva de salida, si se invierten los preset, el de 47kΩ ahora servirı́a para ajustar el valor
de VGS y no presentarı́a inconvenientes para tal fin, pues con un valor menor alcanza. En cambio, el de 1kΩ que
ahora se utilizarı́a para variar VDS , no permitirı́a llegar a valores de VDS pequeños ya que no se podrı́a disminuir
la corriente lo suficientemente. Es decir, en este casi no nos servirı́a para hacer las mediciones.

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Ejercicio 9:

Basándonos en la resolución del ejercicio 7, RDmax = 4,065kΩ (correspondiente a IDSsat = 1mA ) es el valor
necesario para llegar a los VDSsat pedidos. Es decir que el valor de RD debe ser por lo menos mayor a tal. El
preset de 47kΩ cumple lo pedido. El preset de 1kΩ es utilizado para polarizar el gate, donde es conveniente un
valor no tan elevado para tener buena precisión en distintas mediciones.

Ejercicio 10:

Los bancos se modifican como indican las figuras:

V
M1
V

+
RG − 5V

A
RG
M1
+
− 5V

RD
A

(a) Curva de transferencia (b) Curva de salida

Figura 8: Bancos de medición PMOS.

3. Conclusiones
Mediante el estudio de los tres transistores que hay en un integrado CD4007 se puede observar como varı́an las
curvas de transferencia cuando se lo conecta en modo diodo, esto se debe a que si bien se busca que los tres transistores
tengan caracterı́sticas similares entre si, al momento de la fabricación esto es imposible de lograr. También se puede
ver como los modelos teóricos son consistentes y aplican a los datos medidos. Se llega a la conclusión de que el modelo
de transistor de la biblioteca CD4007.lib no simula como esperarı́amos la salida para corrientes de saturación menores
a 2mA al transistor NMOSFET 1 que fue el estudiado en profundidad en este trabajo; por un lado se observa en la
Figura 4, que su curva de salida es muy diferente cuando la corriente de saturación es 1mA, pero en el estudio de 2mA,
la curva de salida de la simulación se asemejan al ajuste obtenido, además en la Figura 6 junto con la Ecuación 11
podemos ver como los valores de lambda del modelo simulado difiere de los medidos, esto se traduce a que cuando
este entre en saturación, el crecimiento lineal será con mas pendiente que el NMOSFET 1 (mas del doble), por lo que
consideramos que no será una buena simulación.
Las simulaciones del modelo propio fueron creadas en base a las mediciones obtenidas del NMOSFET 1, pero igual
que el simulado de la librerı́a la salida se apróxima a los valores medidos en corrientes de saturación mayores a 2mA,
pero sin embargo en la Figura 6 junto con la Ecuación 11 se puede observar que el valor lambda se corresponde con
el de las mediciones, por lo para valores similares corrientes de saturación las salidas serás similares, por lo que los
consideramos una buena aproximación. En cuanto a los valores de transconductancia de los dispositivos, obtuvimos
curvas similares, esto se debe a que las curvas de transferencias, no poseen pendientes muy distintas entre si (ver
Figura 3).

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