Eb112 Student SPN

DEGEM® SYSTEMS
CURSO EB-112
SEMICONDUCTOR &
FUNDAMENTALS-II
Manual del Estudiante
LECCIÓNES DE LABORATORIO
Copyright © 1994 propiedad I.T.E. Innovative Technologies in Education.
Todos los derechos reservados. Este libro o cualquiera de sus partes no

deben reproducirse de ninguna forma sin el permiso escrito previo de
I.T.E. Esta publicación esta basada en la metodología exclusiva de
Degem Systems Ltd.
Con el interés de mejorar sus productos, los circuitos, sus componentes y

los valores de estos pueden modificarse en cualquier momento sin
notificación previa.
Primera edición en español impresa en: 1986

Segunda edición en español impresa en: 1987,1988,1989,2002
Tercera edición en español impresa en: 2004
Cat. No. 9031311205 (SPN, DEGEM)

TABLA DE CONTENIDO
Laboratorio 1: Transistor de Efecto de Campo I 1-1

Laboratorio 2: Transistor de Efecto de Campo II 2-1
Laboratorio 3: Transistor de Efecto de Campo III 3-1
Laboratorio 4: Amplificadores TEC I 4-1
Laboratorio 5: Amplificadores TEC II 5-1
Laboratorio 6: Amplificadores TEC III 6-1
Laboratorio 7: VMOS I 7-1
Laboratorio 8: VMOS II 8-1
Laboratorio 9: VMOS III 9-1
Laboratorio 10: SCR I 10-1
Laboratorio 11: SCR II 11-1
Laboratorio 12: SCR III 12-1
Laboratorio 13: SCR (Tiristor) IV 13-1
Laboratorio 14: Triac I 14-1
Laboratorio 15: Triac II 15-1
Laboratorio 16: Diagnostico - Preparación 16-1
Laboratorio 17: Diagnostico -Prueba 17-1
Laboratorio 18: Maratón de Diagnostico 18-1
EB-112 1-1
LECCIÓN No. 1: TRANSISTOR de EFECTO de CAMPO- I
OBJETIVOS
Transistor de Efecto de Campo Tras completar esta lección, usted será capaz de:
1. Graficar la curva característica de drenaje en base a valores medidos.
2. Graficar la curva característica de transferencia en base a valores
medidos.
DISCUSION
En este experimento usaremos un transistor de efecto de campo (abreviado
TEC) de canal-N. Este transistor posee dos modos de operación fundamentales:
1. Para bajos valores de la tensión VDS, el cociente VDS / ID es
aproximadamente constante, y suele ser llamado RDS.
2. Para altos valores de VDS (a partir de la tensión Vp), la corriente I D se
mantiene constante, insensible a la variación en el valor de VDS.
En el primero de estos modos, el TEC es usado como atenuador o como
resistor controlado por tensión.
En el segundo modo, el TEC es usado como amplificador o como fuente de
corriente.
AUTOEXAMEN
1. En bajos valores de VDS, el TEC actúa como una:
Fuente de tensión.
Resistencia.
Fuente de corriente.
2. Para altos valores de VDS, la corriente de drenaje depende de:

VDS
RD
VGS
EB-112 1-2
EQUIPO
Para realizar esta práctica de laboratorio, se precisa el siguiente equipo:
* Bastidor PUZ-2000
* Plaqueta de circuito impreso EB-112
* Tablero Maestro
* Multímetro digital (DMM)
* Osciloscopio de doble trazo
PROCEDIMIENTO
1. Deslice el EB-112 en las guías de plaqueta del PUZ-2000, y verifique
la conexión.
2. Encienda el Tablero Maestro.
3. Estudie el circuito de la figura.
4. Conecte los cables de puenteo en la secuencia indicada:

EB-112 1-3
5. Lleve la tensión de PS-2 a cero, para obtener VGS = 0.

Varíe la salida de PS-1 para llevar VDS a los valores definidos en la tabla.
Mida y anote los valores de las tensiones y de la corriente de drenaje ID
para cada caso.
VDS (V) 0 0.1 0.25 0.5 1.0 2.0 5.0 10

ID (mA)
Características de Drenaje (con VGS = 0 V)
6. Ajuste VGS para obtener todos los valores requeridos.

Varíe VDS de acuerdo a lo indicado en la tabla, y anote el valor de I D
para cada caso.
VDS (V) 0 0.1 0.25 0.5 1.0 2.0 5.0 10

ID (mA)
Características de Drenaje (con VGS = -0.5 V)
VDS (V) 0 0.1 0.25 0.5 1.0 2.0 5.0 10

ID (mA)

EB-112 1-4
VDS (V) 0 0.1 0.25 0.5 1.0 2.0 5.0 10

ID (mA)

VDS (V) 0 0.1 0.25 0.5 1.0 2.0 5.0 10
ID (mA)
Características de Drenaje (con VGS = -3 V)

7. Grafique en su cuaderno los valores tabulados: esta es la característica
de drenaje.
8. ¿Cuáles son los valores de IDSS (si VGS = 0 V) y de Vp (si ID < 1 mA)?
IDSS =______ (mA)
Vp = _______(V)
9. El próximo paso de este experimento es analizar las características de
transferencia.
Ingrese los valores de la corriente de drenaje en función de la tensión de
compuerta para las distintas tensiones de drenaje indicadas en la tabla.
VGS (V) 0 -0.5 -1 -1.5 -3

ID (mA)
VDS = 0.1 V
VDS = 1 V
VDS = 10 V
Característica de Transferencia
10. Grafique en su cuaderno los valores que obtuvo en la tabla: esta será la
curva característica de transferencia.
EB-112 2-1
LECCIÓN No. 2: TRANSISTOR de EFECTO de CAMPO- II
OBJETIVOS
Tras completar esta lección, Ud. será capaz de:

1. Determinar la resistencia de canal (RDS) en base a valores medidos.
2. Usar el TEC como atenuador.
3. Determinar la transconductancia del TEC en base a valores medidos.
AUTOEXAMEN
1. Para altos valores de VDS, el TEC actúa como una:
Resistencia variable.
Fuente de corriente.
Fuente de tensión.
2. Al operar en la región óhmica, el TEC es usado como:

Resistor controlado por tensión.
Fuente de corriente controlada por tensión.
Amplificador de tensión.
EQUIPO
* Bastidor PUZ-2000
* Tablero Maestro
* Generador de señales
PROCEDIMIENTO

la conexión.
EB-112 2-2
2. Estudie el circuito de la figura:
3. Conecte el circuito para determinar la resistencia de canal RDS.
4. Lleve la salida de PS-1 a 1V.

5. Mida la tensión VDS e ingrese en la tabla los valores medidos.
VDS(mV) VPS-1(V) RDS(on)
Medición de la resistencia del canal

EB-112 2-3
6. Calcule la resistencia de encendido RDS (enc) mediante la fórmula:

R3 * VDS
RDS(on) = (Vin - VDS)
7. Lleve la salida de PS-1 a 2 V, y repita sus mediciones y cálculos.

Ingrese en la tabla los resultados obtenidos.
9. Conecte el TEC como atenuador.

EB-112 2-4
10. Lleve VGS (PS-2) a 0V.

11. Lleve la frecuencia del generador de señales a 1 kHz y la amplitud a 200 mV
pico a pico, con un corrimiento de CC de 100mV como se muestra en la
figura.
12. Mida las tensiones de entrada (Vin) y de drenaje VDS, e ingrese en la tabla
los valores obtenidos.
13. Varíe VGS según lo indicado en la tabla. Complete la tabla.
VGS (V) VDS (mV) Vin (mV)
0
-1
-2
-3
-4
-5
Atenuador - Mediciones
14. Complete la siguiente frase: El cambio en VDS es ______. Esto se
debe a que RDS es ______.
Lineal, constante
Lineal, no constante
Alineal, constante
Alineal, no constante
EB-112 2-5
15. Estudie el circuito usado para medir la transconductancia del TEC (observe
la figura).
16. Conecte el circuito en la secuencia indicada.
17. Ajuste VGS (PS-2) a 0V.

18. Ajuste la salida de PS-1 hasta obtener ID = IDSS del TEC.
19. Lleve la frecuencia de salida del generador de señales a 1 kHz, y la
amplitud a 100 mV pico a pico.
20. Mida las tensiones de drenaje y de compuerta en el modo de acople de
CA. Luego, calcule la transconductancia usando la fórmula:
gm =
VDS con: R2 = 2.2KΩ
Vin *R2
EB-112 2-6
Ingrese su resultado.
V DS =________(Vp-p)
Vin = ________(Vp-p)
Ingrese ahora el valor de gm.

gm = ________(mS)
21. La otra fórmula para calcular gmo es:

(gmo es el valor de gm cuando VGS = 0V)
2 * IDSS
gm0 = Vp
Calcule gmo (use el valor de Vp obtenido en la lección Nº 1).
gmo = ______(mS)
EB-112 3-1
LECCIÓN No. 3: TRANSISTOR de EFECTO de CAMPO- III
OBJETIVOS
Esta lección contiene un cuestionario, que trata acerca de los temas tratados en
las lecciones anteriores:
Transistor de Efecto de Campo (I + II).
PREGUNTAS de RESUMEN
1. El límite de la zona de restricción de canal del TEC tipo N es

controlado mediante la polarización ______________ de VGS.
Directa
Inversa
2. Para obtener máxima corriente ID, se debe cortocircuitar ______ a masa.

El drenaje
La compuerta
3. La tensión Vp es aquella tensión en la que ID es:

Mínima, ya que así el TEC está cortado.
Máxima.
4. La curva característica de drenaje muestra cómo varía ______ en

función de ______ cuando ______ permanece constante.
I D; VDS; V GS
I D; VGS; V DS
V DS; I D; V GS
V DS; VGS; I D
5. En la curva característica de drenaje, si VDS crece desde Vp hasta VDS max,

ID:
Permanece constante.
Aumenta.
Decrece.
EB-112 4-1
LECCIÓN No. 4: AMPLIFICADORES TEC- I
OBJETIVOS
1. Medir valores de CC en circuitos de amplificadores con transistores de

efecto de campo (TEC).
2. Determinar la respuesta en frecuencia en base a valores medidos.
DISCUSION
El amplificador a base de TEC es similar al que usa transistores bipolares:
también aquí se precisa polarización de CC, y la señal de entrada es invertida.
El FET puede ser usado en configuraciones de fuente común y drenaje común.
Los amplificadores con transistores TEC pueden ser conectados en cascada u
otra configuración - al igual que los amplificadores bipolares.
El amplificador a base de TEC ofrece menos ganancia, pero posee mayor
impedancia de entrada, menor sensibilidad a la radiación y menos ruido.
AUTOEXAMEN
1. En el amplificador de fuente común, la entrada es _____ y la salida de
la etapa es _____ .
la compuerta; la fuente
la compuerta; el drenaje
el drenaje; la compuerta
2. Para hacer las veces de amplificador, el punto de operación del TEC

debe hallarse en la zona:
De saturación, donde |VGS| > |Vp|.
Óhmica, donde |VGS| < |Vp|.
EB-112 4-2
EQUIPO
* Bastidor PUZ-2000
* Tablero Maestro
* DMM
PROCEDIMIENTO
la conexión.
3. Conecte el circuito del modo mostrado:

EB-112 4-3
4. Ajuste la fuente de alimentación PS-1 hasta obtener VDD=12 V.

5. Ajuste Rv1 para obtener una polarización VD = 0.5*VDD.
6. Mida las tensiones de CC en el TEC, e ingrese los valores medidos en
la tabla.
VS (V) VD(V) VGS(V)
Polarización - Fuente Común

EB-112 4-4
9. Conecte el generador de señales a Vin2. Fije la frecuencia en 1 kHz y

la amplitud en 200 mV pico a pico.
10. Ajuste la frecuencia del generador a 100 Hz. Genere una onda senoidal
de amplitud 200 mV.
11. Mida las tensiones de entrada y salida, e ingrese los valores medidos
en la tabla. De ser necesario, use a Rv1 para modificar la polarización.
Esto aumentará la ganancia.
f (kHz) Vin (V) Vout (V) Av
0.1
1
10
50
100
Amplificador de fuente común
Respuesta en frecuencia en función de VGS (I)
EB-112 4-5
12. Calcule la ganancia de tensión Av = Vout/Vin, e ingrese sus

resultados en la tabla.
13. Varíe la frecuencia del generador de señales según se indica en la
tabla, e ingrese los valores obtenidos de la tensión de salida.
Asegúrese que la tensión de entrada no cambia, y calcule la ganancia

de tensión (con signo negativo).
14. La ganancia Av puede ser calculada así:
Av = -gm * RL
Use el valor de gmo que halló en lecciones previas, y calcule Av.

Ingrese el valor calculado de Av:
Av (calculada) = ____________
EB-112 5-1
LECCIÓN No. 5: AMPLIFICADORES TEC- II
OBJETIVOS
En este lección Ud. aprenderá cómo influye el resistor de carga sobre la

ganancia de tensión de los amplificadores a base de TEC.
EQUIPO
* Bastidor PUZ-2000
* Tablero Maestro
PROCEDIMIENTO
la conexión.
3. Conecte el circuito en la siguiente secuencia:

EB-112 5-2
4. Ajuste la salida de la fuente de alimentación PS-1 hasta obtener VDD = 12V.

5. Ajuste Rv1 para que la polarización sea VD = 0.5*VDD.
6. Conecte el osciloscopio a la salida del amplificador, como se muestra en la
figura (RL = R1 = 10 KΩ).
7. Conecte el generador de señales a Vin2.
8. Fije la frecuencia del generador de señales en 1 kHz, y la amplitud en
200 mVpp.
9. Mida e ingrese en la tabla los valores de Vin y Vout, con RL = R1.
10. Calcule (e ingrese en la tabla) el valor de la ganancia.
11. Cambie RL por R2, y vuelva a medir y calcular. Ingrese los valores en
la tabla.
RL (KΩ) Vin (V) Vout (V) Av
R1 = 10
R2 = 2.2
Efecto de la carga sobre Av

(configuración de fuente común)
EB-112 5-3
Modo de Práctica
12. En esta parte del experimento, el sistema EB-2000 efectuará cambios en el
circuito.
Por ejemplo, resistores serán cortocircuitados o desconectados, se
modificarán valores de tensión, etc.
13. Realizaremos ahora dos ejercicios sobre el amplificador de TEC mostrado
en la figura (RL = R1 = 10 KΩ).
14. Lleve la frecuencia de la señal de entrada a 1 kHz, y la amplitud a 200 mV
pico a pico.
15. Mida las tensiones de entrada y salida (Vin y Vout, respectivamente) y
calcule la ganancia. Ingrese sus resultados en la tabla.
f (kHz) Vin (V) Vout (V) Av

1
16. Compare sus resultados con los de la tabla. ¿Qué componente del
circuito sufrió una modificación?
RL
Rv1
R4
17. El nuevo valor de RL es:

1 KΩ
2.2 KΩ
100 K
18. Se efectuó otro cambio.

19. Mida las tensiones de entrada y de salida (Vin y Vout, respectivamente)
e ingrese los valores medidos en la tabla.
f (kHz) Vin (V) Vout (V)

1
Mediciones de Diagnóstico
EB-112 5-4
20. Mida, usando el osciloscopio, las tensiones en el drenaje y en la fuente.
21. ¿Qué cambió en el circuito?

El drenaje fue puesto a masa.
El drenaje fue cortocircuitado con la fuente.
El capacitor C3 fue desconectado.
22. Ud. completó el ejercicio de Modo de Práctica.

Nota: Todos los relés fueron desactivados.
EB-112 6-1
LECCIÓN No. 6: AMPLIFICADORES TEC- III
OBJETIVOS
Esta lección consta de un cuestionario, que incluye preguntas basadas en los

temas vistos en las lecciones anteriores: Amplificadores TEC (I + II).
1. En el amplificador de fuente común, la máxima ganancia se obtiene

en frecuencias _______ .
Bajas
Medias
Altas
2. Si RL aumenta, la ganancia del amplificador:

Aumentará.
Decaerá.
Permanecerá constante.
3. Si se cortocircuitan drenaje y fuente, la ganancia Av:
Crece.
Cae a cero.
EB-112 7-1
LECCIÓN No. 7: VMOS- I
OBJETIVOS
Tras completar esta lección, Ud. será capaz de trazar la curva característica de
drenaje del transistor VMOS en base a valores medidos.
DISCUSION
El VMOS (o VMOSFET) es un transistor de efecto de campo (TEC) de
potencia, y puede manejar corrientes muy superiores a las del TEC común.
Es común encontrar dispositivos VMOS especificados para corrientes de 100
mA, y los hay capaces de conducir hasta 100 A.
La corriente de drenaje continua del transistor VMOS situado en la plaqueta
EB-112 está especificada en 300 mA.
AUTOEXAMEN
1. Las características del VMOS son similares a las del _____________ .
Transistor bipolar
Diodo
Transistor TEC
2. La diferencia entre el TEC común y el VMOS radica en:

La respuesta en frecuencia.
La ganancia de tensión.
Capacidad de conducir mayor corriente.
EQUIPO
* Bastidor PUZ-2000
* Tablero Maestro
EB-112 7-2
PROCEDIMIENTO
la conexión.
4. Ajuste la salida de la fuente de alimentación PS-2 hasta obtener

VGS=0. Mida la corriente de drenaje ID para los distintos valores de
VDS indicados en la tabla.
EB-112 7-3
VDS (V) 0 0.05 0.1 0.25 0.5
ID (mA) *********
VDS (V) 1 2 5 7.5 10
ID (mA)
Características de Drenaje 1. (VGS = 0 V)

5. Repita las mediciones para los valores de VGS en las siguientes tablas.
Observe que V2 es la salida invertida de la fuente de alimentación PS-2.
Ajuste V2 usando el canal 1 del osciloscopio. Luego, desconecte el
canal 1 de la compuerta y mida ID para cada valor de Vout2.
VDS (V) 0 0.05 0.1 0.25 0.5
ID (mA)
VDS (V) 1 2 5 7.5 10
ID (mA)

VDS (V) 0 0.05 0.1 0.25 0.5
ID (mA)
VDS (V) 1 2 5 7.5 10
ID (mA)
Características de Drenaje 3. (VGS = 1.5 V)

EB-112 7-4
VDS (V) 0 0.05 0.1 0.25 0.5
ID (mA)
VDS (V) 1 2 5 7.5 10
ID (mA) ********* *********
VDS (V) 0 0.05 0.1 0.25 0.5
ID (mA)
VDS (V) 1 2 5 7.5 10
ID (mA) ********* ********* ********* *********
Características de Drenaje 5. (VGS = 2.5 V)
VDS (V) 0 0.05 0.1 0.25 0.5
ID (mA)
VDS (V) 0 0.05 0.1 0.25 0.5
ID (mA)

EB-112 7-5
VDS (V) 0 0.05 0.1 0.25 0.5
ID (mA) *****

6. VDS no puede llegar a VDD ya que:
La corriente es demasiado alta.
En R5 se tiene una caída de tensión.
Las corrientes de fuga son significativas.
7. Grafique en su cuaderno las curvas características para los diferentes

valores de VDS y VGS de las tablas.
Ud. obtendrá una familia de ocho curvas.
8. Complete la frase: el VMOS es similar al _______; la diferencia

principal entre ellos es que el VMOS maneja mayores: _________.
Transistor bipolar / valores de corriente.

Transistor bipolar / valores de tensión.
Transistor TEC / valores de corriente.
Transistor TEC / valores de tensión.
EB-112 8-1
LECCIÓN No. 8: VMOS- II
OBJETIVOS

1. Conectar el VMOS como llave digital, y determinar sus características
de conmutación.
2. Conectar el VMOS como llave analógica, y determinar sus
características de conmutación.
AUTOEXAMEN
Cuando un transistor VMOS conduce, la resistencia RDS es:
Muy alta.
Muy baja.
EQUIPO
* Bastidor PUZ-2000
* Tablero Maestro
PROCEDIMIENTO
la conexión.
EB-112 8-2
Respuesta a la onda cuadrada
4. Ajuste la salida del generador de señales para obtener una onda

cuadrada entre 0 V and 5 V (salida TTL) con una frecuencia de 10 kHz,
y fije la amplitud de la salida de PS-1 en 5V.
5. Use el osciloscopio para obtener los oscilogramas de las ondas de

entrada y salida. Dibuje las ondas en su cuaderno, mostrando los
valores de la tensión.
EB-112 8-3
6. El circuito VMOS se comporta como un amplificador:

Inversor con una salida de ± 5 V.
Inversor con salida TTL unipolar.
No-inversor, con salida TTL unipolar.
No-inversor con una salida de ± 5 V.
El nivel de salida "bajo" se halla por debajo de los 0.2V, y el nivel

"alto" se halla por encima de los 4.5 V.
7. Repita las mediciones para las siguientes frecuencias: 1Hz, 10Hz,
100Hz, 1kHz, 10kHz, 100kHz, 1MHz.
8. Observe las formas de onda para los diferentes valores de la salida de
PS-1 (con una frecuencia de 10 kHz en la entrada).
Llave Analógica
10. Conecte el VMOS como llave analógica, en la secuencia aquí mostrada:

EB-112 8-4
11. Conecte el resistor R6 alternadamente a +5V y a masa, para que el

circuito opere como un interruptor.
PRECAUCIÓN: No realice ambas conexiones simultáneamente.
12. Ajuste la salida del generador de señales hasta obtener una salida
senoidal de 0.2V < Vin < 0.4V, con una frecuencia de 1 kHz.
13. Encienda y apague el VMOS, y dibuje las ondas de entrada y salida en
su cuaderno.
14. Apague el VMOS, y determine si el VMOS es un interruptor ideal, en
las frecuencias de 10 Hz, 100 Hz, 10 kHz, 100 kHz.
15. Lleve la entrada de onda senoidal a onda cuadrada.

La distorsión de la onda atenuada es ______ con una onda cuadrada
en la entrada.
Menor.
Mayor.
Al contrario de lo que sucede con otras ondas (triangular, senoidal,

etc.), las ondas cuadradas no son distorsionadas por elementos de
conmutación (llaves).
16. Ajuste el generador de señales hasta obtener una onda senoidal de -3V
< Vin < +3V. Observe en el osciloscopio la forma de onda de salida,
notando cómo el VMOS conmuta entre encendido y apagado.
EB-112 8-5
17. El VMOS es una llave analógica bidireccional:

Sólo cuando conduce.
Sólo estando cortado.
18. El incrementar V2 más allá de los 5V permitiría transferir amplitudes

_________ .
Mayores.
Menores.
Modo de Práctica
19. En esta parte del experimento, el circuito será modificado.
20. El circuito a usar en esta parte del experimento es la llave analógica

VMOS que fuera conectada en el paso 9.
21. Conecte el resistor R6 alternadamente a +5V y a masa, para que el circuito
opere como un interruptor.
PRECAUCIÓN: No realice ambas conexiones simultáneamente.
22. Encienda el VMOS conectando R6 a +5V.
23. El circuito ha sido modificado.
24. Observe las señales de entrada y salida y compárelas a las ondas obtenidas
en las figuras anteriores.
25. El valor de Vout es:
0.
Vin.
0.5 * Vin.
5 Volts.
26. La modificación circuital es:

R6 fue puesto a masa.
Vin fue puesto a masa.
27. Ud. completó el ejercicio de Modo de Práctica.

Nota: Todos los relés han sido desactivados.
EB-112 9-1
LECCIÓN No. 9: VMOS- III
OBJETIVOS
Esta lección contiene un cuestionario, que trata acerca de los temas tratados en
las lecciones anteriores: VMOS - I+II.
1. El VMOS conmuta mejor en __________ frecuencias.

Altas
Bajas
2. ¿Qué transistor es mejor como llave digital: el transistor bipolar, o el

transistor MOS?
El transistor bipolar.
El transistor VMOS.
3. La respuesta del interruptor VMOS es mejor cuando la onda de

entrada es:
Triangular.
Cuadrada.
Senoidal.
4. Cuando el VMOS está cortado, la tensión VR7 vale:

VDD.
0 V.
+5 V.
5. ¿Puede el VMOS operar como llave analógica bidireccional?

Sí.
No.
EB-112 10-1
LECCIÓN No. 10: SCR - I (Tiristor)
OBJETIVOS
1. Determinar las características del tiristor SCR (rectificador controlado

de silicio).
2. Conectar el tiristor para obtener conducción en un sentido.
3. Determinar la corriente de retención.
DISCUSION
El rectificador controlado de silicio (SCR) es un tiristor que posee dos modos
de operación:
1. Modo de conducción - El SCR se halla encendido, y su resistencia es baja.
2. Modo de corte - La resistencia del SCR es muy elevada.
Cuando el SCR es disparado por una corriente de compuerta lo suficientemente
elevada, opera en modo de conducción.
En el modo de corte, la corriente que atraviesa el SCR es menor que la
llamada corriente de retención.
El SCR es usado en aplicaciones de alta potencia, en circuitos de CC y CA.
El SCR sólo conduce en sentido "positivo".
AUTOEXAMEN
1. La tensión de ruptura directa de un SCR particular es V, (para una
dada corriente de compuerta). Si la corriente de compuerta aumenta,
la tensión V:
Aumentará.
Caerá.
2. Una vez disparado el SCR, éste conducirá hasta que la tensión del
ánodo ________.
Crezca.
Caiga.
Valga cero.
EB-112 10-2
EQUIPO
* Bastidor PUZ-2000
* Tablero Maestro
PROCEDIMIENTO
la conexión.

EB-112 10-3
4. Lleve la tensión de PS-1 (y V2) a 0 V. V2 es la salida invertida de la

fuente de alimentación PS-2.
5. Aumente la tensión de salida de PS-1 hasta obtener una lectura de V = 11V
en el voltímetro.
6. Mida la corriente en el ánodo "frío" (IF). Ingrese en la tabla los valores
obtenidos.
7. Acerque el SCR a la punta de un soldador con el fin de calentarlo.
Asegúrese que el soldador y el SCR no hacen contacto.
8. Mida e ingrese el valor de la corriente de ánodo "caliente" IF(T).
IF (µA) IF (T) (µA)
Corrientes de fuga en función de la temperatura

9. En su opinión, ¿el SCR fue disparado?
Sí.
No.
A veces, la corriente de fuga puede ser medida. Otras veces, la corriente de

fuga es tan pequeña que, aun a alta temperatura, no llega a los 0.1 mA.
EB-112 10-4
10. Estudie el circuito de prueba que se muestra en la figura:
11. Conecte el circuito de prueba en la siguiente secuencia:
12. Lleve la salida de PS-1 a su valor mínimo.

13. Ajuste V2 hasta su valor máximo, para asegurarse que el SCR conduce.
14. Aumente la tensión de salida de PS-1 para obtener I F = 100 mA. Mida
la tensión del SCR (VF), y anote dicho valor en la tabla.
IF (mA) 100 75 50 25 10 5
VF (V)
Característica de Conducción del SCR

EB-112 10-5
15. Mediante la fuente de alimentación PS-1, reduzca la corriente a 75 mA.

Ingrese en la tabla la tensión en bornes del SCR.
16. Reduzca aún más la corriente, de acuerdo a los valores indicados en la

tabla. Ingrese la tensión VF medida para cada uno de dichos valores de
corriente.
17. Complete: VF _____ fuertemente, ya que la resistencia del SCR en
modo de conducción es muy _____.
Cambió, baja.
No cambió, baja.
Cambió, elevada.
No cambió, elevada.

EB-112 10-6
20. Lleve la tensión de salida de PS-1 a 11 V, y lleve V2 a 0 V. Para

disparar el SCR, lleve a V2 a su máximo valor, y P1 a su valor mínimo.
21. Ajuste V2 hasta lograr que la tensión de disparo de compuerta valga VGG = 0V.
22. Ajuste el potenciómetro P1 a diferentes valores, con el fin de disminuir la
corriente.
23. Anote el valor de la corriente en el SCR para la que éste deja de conducir.
24. Repita este proceso varias veces, para garantizar lecturas correctas.
Ingrese el valor obtenido:
IH = ___________(mA)
EB-112 11-1
LECCIÓN No. 11: SCR - II
OBJETIVOS

1. Determinar la tensión y corriente de disparo del SCR.
2. Medir el ángulo de disparo en un circuito de control de fase.
AUTOEXAMEN
1. El SCR se ________ cuando la tensión del ánodo es negativa.
Enciende
Corta
2. Al cambiar la corriente de compuerta, el SCR es usado para fijar

_____ .
La tensión de entrada.
El ángulo de disparo.
La corriente de entrada.
3. Al crecer el ángulo de disparo, la tensión de salida:

Cae.
Crece.
Permanece constante.
EQUIPO
* Bastidor PUZ-2000
* Tablero Maestro
EB-112 11-2
PROCEDIMIENTO
la conexión.
4. Lleve P1 a su valor mínimo, la tensión de PS-1 a 11 V, y V2 a 0 V.

5. Verifique que el SCR no conduce: IGT = 0 mA.
EB-112 11-3
6. Si el SCR no conduce, VF es:

11 V.
0.7 V.
0 V.
7. Incremente lentamente el valor de V2 y anote los valores de VGT y IGT

en el momento de comenzar la conducción. Ingrese los valores en la
tabla. Repita este procedimiento cuantas veces sea necesario, hasta
obtener una lectura confiable.
VGT (V) IGT (mA)
Tensión y Corriente de Disparo

8. En el momento de la transición, VF cae _____.
A 0 V.
A unos 0.7 V.
Sólo unos pocos milivoltios.
9. Estudie el circuito de control de fase de la figura.
10. Conecte el circuito de control de fase de onda completa del modo

mostrado en la siguiente animación:
EB-112 11-4
11. Conecte una señal senoidal de 50 Hz a la entrada marcada "SG IN", y

ajuste su amplitud hasta obtenerse V1 = 16 V pico a pico (o un valor
cercano a éste, que no cause distorsión de la forma de onda).
12. Estabilice el oscilograma de modo de obtener un semiciclo cada seis
divisiones (así cada división equivale a 30o).
13. Lleve el valor de RV2 de uno a otro extremo. Examine e ingrese la
gama de variación del ángulo de disparo a.
Ingrese sus resultados.
α (min) = ________ o (grados)
α (max) =________ o (grados)
14. Ajuste RV2 hasta obtener un ángulo de disparo de 90o (tres divisiones).
Dibuje en su cuaderno la forma de onda obtenida.
15. Mida e ingrese en la tabla la tensión eficaz en la carga.
Use un voltímetro de tensión eficaz, o un voltímetro común de CA, en
cuyo caso deberá el valor obtenido será apenas una aproximación.
16. Repita los pasos 13 y 14 para todos los ángulos de disparo indicados
en la tabla:
α 60° 90° 120° 150° 180°
VL1 (V)
Control de Fase de Media Onda (con capacitor)

EB-112 12-1
LECCIÓN No. 12: SCR - III
OBJETIVOS
En esta lección usted medirá la tensión de salida de una fuente de

alimentación que aprovecha la capacidad de control de fase que provee el
tiristor (SCR).
AUTOEXAMEN
1. Al crecer la corriente de compuerta, el ángulo de disparo:
Aumenta
Disminuye
2. Al crecer la corriente de compuerta, la tensión de ruptura directa:

Aumentará
Decrecerá
EQUIPO
* Bastidor PUZ-2000
* Tablero Maestro
PROCEDIMIENTO
la conexión.
EB-112 12-2
3. Conecte la fuente de alimentación de tensión variable del modo mostrado.
4. Ajuste la salida del generador de señales a: 50Hz, onda senoidal, V1 = 16Vpp.

5. Conecte el canal 1 del osciloscopio de modo que mida la tensión de
compuerta VG, y el canal 2 para medir la tensión de salida Vout.
6. Gire Rv2 hasta obtener Vout = 0V. Mida V G e ingrese en la tabla el valor
obtenido.
Vout (peak) 0 1 2 3
VG (peak)
Fuente de CC Variable
7. Gire Rv2 hasta obtener Vout = 1V pico.
8. Ingrese en la tabla la tensión de compuerta (pico).
9. Repita la medición para los otros valores indicados en la tabla.
10. Gire Rv2 en sentido horario, y mida las siguientes tensiones:
VA =____ (V)
Vout =____ (V)
VG =_____ (V)
EB-112 12-3
11. Para variar Vout, conviene:

Modificar la carga.
Cambiar la fase de VG.
Cambiar VA.
El SCR suele ser usado con tensiones (VA y Vout) de unos 100 a 300 V.
En estas aplicaciones, la tensión de compuerta no excede los 10 V, ya

que la mayor parte de la tensión cae en R10.
El SCR es, básicamente, un dispositivo controlado por fase.
12. Vout es menor que VA ya que:

Una caída de tensión en la resistencia interna de la fuente.
Una caída de tensión en bornes de R10.
Una caída de tensión en la juntura del SCR.
13. En esta parte del experimento, el llamado Modo de Práctica, el

circuito sufrirá cambios. Esta es su oportunidad de aplicar lo que
aprendió acerca de los circuitos con tiristores (SCR).
14. Conecte el circuito como se muestra en la figura.
EB-112 12-4
15. Ajuste la salida del generador de señales hasta obtener una onda senoidal
de 50 Hz, amplitud 16 Vpp.
16. Lleve Rv2 a su valor mínimo, para obtener: a = 30o.
17. El circuito ha sido modificado.
18. Observe los oscilogramas, y compárelos con las formas de onda

dibujadas en la figura.
19. La amplitud de la onda es ahora:
Mayor
Menor
20. El cambio en la onda ocurrió porque:

IG aumentó.
IG cayó.
21. La corriente de compuerta cayó porque la resistencia de Rv2____.
Creció.
Decreció.
22. Ud. completó la sección de Modo de Práctica.

Nota: Todos los relés fueron desactivados.
EB-112 13-1
LECCIÓN No. 13: SCR (Tiristor) - IV
OBJETIVOS
Esta lección contiene un cuestionario, que trata acerca de los temas
estudiados en las lecciones anteriores: SCR - I+II+III.
1. El SCR, ¿conduce en tensiones negativas?
Sí.
No.
2. Si se dispara un SCR que está polarizado en directa ¿será posible

cortarlo reduciendo la corriente de compuerta?
Sí.
No.
3. La diferencia principal entre los diodos comunes de silicio y los

controlados (SCR) es que, con polarización directa, el diodo común
conducirá _________, pero el SCR conducirá sólo si es disparado
desde su _______.
Siempre; compuerta
Nunca; compuerta
Siempre; ánodo
4. Una vez disparado, el SCR es similar al:
Transistor bipolar.
TEC.
Diodo.
5. ¿Puede usarse un SCR como rectificador de CA?

Sí.
No.
EB-112 14-1
LECCIÓN No. 14: TRIAC - I
OBJETIVOS
1. Usar el osciloscopio para determinar el ángulo de disparo de un triac
en un circuito disparador de desplazamiento de fase.
2. Medir tensiones en circuitos que incluyen un triac.
3. Graficar formas de onda típicas en circuitos con triacs.
DISCUSION
El triac es similar al SCR; la diferencia es que el triac puede conducir en ambas
direcciones.
Al ser usado en circuitos de CA, el triac transfiere a la carga ambos semiciclos
(positivo y negativo).
AUTOEXAMEN
1. Un triac puede controlar:
Sólo tensiones de CC.
Sólo tensiones de CA.
Sólo tensiones negativas.
Tensiones de CC y de CA.
2. Un triac es disparado por:

Sólo tensiones positivas.
Sólo tensiones negativas.
Tensiones de cualquier signo.
EQUIPO
* Bastidor PUZ-2000
* Tablero Maestro
EB-112 14-2
PROCEDIMIENTO
la conexión.
2. La figura muestra un circuito de control de fase con una única
constante de tiempo.
4. Lleve la salida del generador de señales a: onda senoidal, 50Hz, V1 = 18V

pico a pico.
5. Ajuste la pantalla del osciloscopio hasta que cada ciclo ocupe nueve
divisiones horizontales (así cada división equivale a 40 o eléctricos).
EB-112 14-3
6. Lleve el potenciómetro Rv3 desde posición mínima a posición

máxima. Observe cómo el ángulo de disparo cambia según el
semiciclo (positivo o negativo).
7. El disparo es __________.
Simétrico.
Asimétrico.
8. Gire el potenciómetro Rv3 hasta que el ángulo de disparo valga 90 grados.

Dibuje en su cuaderno la onda obtenida.
Mida la tensión eficaz en la carga, e ingrese en la tabla el valor medido.
Esta medición debe ser realizada con un voltímetro de tensión eficaz (rms).
α 30° 60° 90° 120° 150° 180°

VL2(ef.)
Control de fase con una constante de tiempo
9. Repita la medición para los ángulos de disparo indicados en la tabla.
10. La forma de onda en R16 refleja:

La corriente del triac.
La tensión del triac.
La potencia del triac.
EB-112 15-1
LECCIÓN No. 15: TRIAC - II
OBJETIVOS
Esta lección contiene un cuestionario, que trata acerca de los temas

estudiados en la lección anterior: Triac - I.
1. El triac posee características de corriente ________ .
Unipolares.
Bipolares.
2. En el triac, ánodo y cátodo son claramente distinguibles.

Verdadero.
Falso.
3. La corriente fluye en el triac en un solo sentido, aun cuando se lo

conecte a una fuente de tensión de CA.
Verdadero.
Falso.
EB-112 16-1
LECCIÓN No. 16: DIAGNOSTICO-PREPARACION
OBJETIVOS
1. Determinar las tensiones y formas de onda de un circuito en operación

normal.
2. Probar las distintas etapas de un circuito, y localizar la etapa donde se
tiene el desperfecto.
3. Localizar fallas a nivel de componente.
DISCUSION
En este experimento, Ud. armará un circuito complejo, para simular circuitos
comunmente usados en la industria.
El circuito que usaremos para las actividades de diagnóstico está compuesto de
distintos bloques, que ya conocimos en las distintas lecciones de este curso.
Para diagnosticar y localizar fallas en circuitos electrónicos, Ud. debe estar
familiarizado con las tensiones y formas de onda del circuito en operación
normal.
Si, al medir, se observa una desviación significativa en los valores de dichos
parámetros, esto indica que se tiene una falla en el sistema.
Para localizar fallas, se debe medir en cada etapa del sistema bajo prueba, para
ubicar en qué punto la tensión (u otro parámetro eléctrico) difiere del valor
observado en condiciones de operación normal.
Generalmente, la búsqueda de la falla comienza en la entrada del sistema.
Se debe medir la señal de salida de cada una de las etapas sucesivas (en el
sentido de flujo de la señal), comparándola a cada paso con la señal que se
tendría en operación normal.
Una variante de este método es comenzar en la salida del sistema,
"remontando" el circuito (en sentido opuesto al del flujo de la señal) hasta
ubicar la etapa donde radica la falla.
EB-112 16-2
Una vez hallada la etapa averiada, se debe medir dentro de la misma para
localizar la falla a nivel de componente.
En esta lección, Ud. realizará una serie de mediciones, con el fin de prepararse
para los ejercicios de diagnóstico de los próximos dos lecciones.
EQUIPO
* Bastidor PUZ-2000
* Tablero Maestro
PROCEDIMIENTO
la conexión.
2. En la figura puede verse el diagrama circuital del circuito de
diagnóstico.

EB-112 16-3
4. Ajuste la salida de PS-1 a 11 V.

5. Lleve la salida del generador de señales a: onda senoidal, 50 Hz, 1 V
pico a pico, y un corrimiento de CC de 500 mV, como se muestra en
la figura:
6. Mida la señal en los puntos B, C, D, E y F con el osciloscopio. Anote

los resultados en su cuaderno.
Gire Rv2 a fondo en sentido horario hasta obtener máxima potencia en
la lámpara L1.
Ajuste Rv1 hasta que desaparezca la distorsión en VC.
Note que, para obtener formas de onda adecuadas, Rv1 debe ser
ajustado, debe verificarse que la salida del generador de señales sea
positiva (del modo mostrado en la figura anterior).
EB-112 17-1
LECCIÓN No. 17: DIAGNOSTICO- PRUEBA
OBJETIVOS
Tras una breve discusión acerca de los métodos de diagnóstico, Ud. deberá
contestar una prueba, que consta de cuatro fallas insertadas al azar.
El diagrama circuital es el siguiente:
DISCUSION
En este experimento, Ud. armará un circuito complejo, para simular circuitos
comunmente usados en la industria.
El circuito que usaremos para las actividades de diagnóstico está compuesto de
distintos bloques, que usamos en las distintas lecciones de este curso.
Para diagnosticar y localizar fallas en circuitos electrónicos, Ud. debe estar
familiarizado con las tensiones y formas de onda del circuito en operación
normal.
Si, al medir, se nota una desviación significativa en los valores de dichos
parámetros, esto indica que se tiene una falla en el sistema.
Ud. necesitará los valores típicos de los puntos de prueba que midió en la
lección anterior.
Localice la etapa donde radica la falla. Una vez hallada esta etapa, realice
mediciones dentro de la misma para hallar la falla a nivel de componente.
EB-112 17-2
Una vez hallado el componente averiado, ingrese el código de la falla en la

tabla de fallas del EB-112, desde el teclado de la computadora o el teclado del
PUZ-2000.
En el modo de prueba, la unidad PUZ-2000 inserta una de cuatro posibles
fallas. Una vez descubierta la falla, ingrese el código de la misma en la tabla de
fallas del EB-112.
Si la falla no es localizada dentro de los 20 minutos, aparecerá en pantalla el
código correcto. Se permiten hasta tres intentos. Por cada intento incorrecto se
tendrá una multa de ocho puntos. Si todas las fallas son halladas dentro de los
20 minutos, sin errores, se otorgará un adicional de cuatro puntos.
EQUIPO
* Bastidor PUZ-2000
* Tablero Maestro
FAULT DESCRIPTION
Si el circuito no está conectado, conéctelo del siguiente modo:
EB-112 17-3
Componente Descripción de la falla

Q1 RL decreció
Q1 Corto drenaje-fuente
Q1 Compuerta abierta
R4 Cortocircuito a masa
Q2 Compuerta puesta a masa
R6 Desconectado
Q3 Compuerta desconectada
Rv2 Resistencia serie adicional
Rv2 Cortocircuito
EB-112 18-1
LECCIÓN No. 18: MARATON de DIAGNOSTICO
OBJETIVOS
En esta lección, Ud. realizará una maratón de diagnóstico de fallas escogidas

al azar.
DISCUSION
En esta maratón de diagnóstico, Ud. precisará tener presentes los valores
medidos en la Lección Nº 16.
Generalmente, la búsqueda de la falla comienza en la entrada del sistema.
Se mide la señal de salida en las sucesivas etapas (en el sentido de flujo de la
señal), comparándola a cada paso con la señal hallada en el circuito que opera
normalmente.
Una vez hallada la etapa averiada, se debe medir dentro de la misma para hallar
la falla a nivel de componente. Una vez hallado el componente averiado,
ingrese el código de la falla en la tabla de fallas del EB-112, desde el teclado de
la computadora o el teclado del PUZ-2000.
En el modo de Maratón de Diagnóstico, las fallas son insertadas de a una por

vez, cíclicamente.
Una vez que todas las fallas han sido insertadas, son vueltas a insertar, en otro
orden. Al contrario de lo que sucede en el modo de Prueba, la respuesta correcta
no es mostrada, aun tras varios intentos incorrectos.
La sesión puede extenderse hasta 99.9 minutos, o abarcar un máximo de 99
intentos.
Al hallar la falla, seleccione la descripción más adecuada en la tabla de fallas
del EB-112.
EB-112 18-2
EQUIPO
* Bastidor PUZ-2000
* Tablero Maestro
FAULT DESCRIPTION
El circuito de prueba es el siguiente:
Si el circuito no está conectado, conéctelo del siguiente modo:

EB-112 18-3
Componente Descripción de fallas

Q1 RL decreció
Q1 Corto drenaje-fuente
Q1 Compuerta abierta
R4 Cortocircuito a masa
R6 Desconectado
Q3 Compuerta desconectada
Rv2 Resistencia serie adicional
Rv2 Cortocircuito

Eb112 Student SPN

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Eb112 Student SPN

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

DEGEM® SYSTEMS

Manual del Estudiante

Todos los derechos reservados. Este libro o cualquiera de sus partes no

Con el interés de mejorar sus productos, los circuitos, sus componentes y

Primera edición en español impresa en: 1986

Cat. No. 9031311205 (SPN, DEGEM)

Laboratorio 1: Transistor de Efecto de Campo I 1-1

LECCIÓN No. 1: TRANSISTOR de EFECTO de CAMPO- I

2. Para altos valores de VDS, la corriente de drenaje depende de:

4. Conecte los cables de puenteo en la secuencia indicada:

5. Lleve la tensión de PS-2 a cero, para obtener VGS = 0.

VDS (V) 0 0.1 0.25 0.5 1.0 2.0 5.0 10

Características de Drenaje (con VGS = 0 V)

6. Ajuste VGS para obtener todos los valores requeridos.

VDS (V) 0 0.1 0.25 0.5 1.0 2.0 5.0 10

Características de Drenaje (con VGS = -0.5 V)

VDS (V) 0 0.1 0.25 0.5 1.0 2.0 5.0 10

Características de Drenaje (con VGS = -1.0 V)

VDS (V) 0 0.1 0.25 0.5 1.0 2.0 5.0 10

Características de Drenaje (con VGS = -1.5 V)

Características de Drenaje (con VGS = -3 V)

VGS (V) 0 -0.5 -1 -1.5 -3

LECCIÓN No. 2: TRANSISTOR de EFECTO de CAMPO- II

Tras completar esta lección, Ud. será capaz de:

2. Al operar en la región óhmica, el TEC es usado como:

1. Deslice el EB-112 en las guías de plaqueta del PUZ-2000, y verifique

2. Estudie el circuito de la figura:

3. Conecte el circuito para determinar la resistencia de canal RDS.

4. Lleve la salida de PS-1 a 1V.

VDS(mV) VPS-1(V) RDS(on)

Medición de la resistencia del canal

6. Calcule la resistencia de encendido RDS (enc) mediante la fórmula:

7. Lleve la salida de PS-1 a 2 V, y repita sus mediciones y cálculos.

9. Conecte el TEC como atenuador.

10. Lleve VGS (PS-2) a 0V.

16. Conecte el circuito en la secuencia indicada.

17. Ajuste VGS (PS-2) a 0V.

Ingrese ahora el valor de gm.

21. La otra fórmula para calcular gmo es:

Calcule gmo (use el valor de Vp obtenido en la lección Nº 1).

LECCIÓN No. 3: TRANSISTOR de EFECTO de CAMPO- III

1. El límite de la zona de restricción de canal del TEC tipo N es

2. Para obtener máxima corriente ID, se debe cortocircuitar ______ a masa.

3. La tensión Vp es aquella tensión en la que ID es:

4. La curva característica de drenaje muestra cómo varía ______ en

5. En la curva característica de drenaje, si VDS crece desde Vp hasta VDS max,

LECCIÓN No. 4: AMPLIFICADORES TEC- I

Tras completar esta lección, Ud. será capaz de:

1. Medir valores de CC en circuitos de amplificadores con transistores de

2. Para hacer las veces de amplificador, el punto de operación del TEC

3. Conecte el circuito del modo mostrado:

4. Ajuste la fuente de alimentación PS-1 hasta obtener VDD=12 V.

Polarización - Fuente Común

8. Conecte el circuito del modo mostrado:

9. Conecte el generador de señales a Vin2. Fije la frecuencia en 1 kHz y

12. Calcule la ganancia de tensión Av = Vout/Vin, e ingrese sus

Asegúrese que la tensión de entrada no cambia, y calcule la ganancia

14. La ganancia Av puede ser calculada así:

Use el valor de gmo que halló en lecciones previas, y calcule Av.

LECCIÓN No. 5: AMPLIFICADORES TEC- II

En este lección Ud. aprenderá cómo influye el resistor de carga sobre la

3. Conecte el circuito en la siguiente secuencia:

4. Ajuste la salida de la fuente de alimentación PS-1 hasta obtener VDD = 12V.

ID (mA) * *

ID (mA) ***** * * *****